專利名稱：用于磷化鎵發(fā)光元件的外延晶片及磷化鎵發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到用于GaP發(fā)光元件的外延晶片及GaP發(fā)光元件，更確切地說是涉及到用來制造發(fā)射高亮度黃綠光的GaP發(fā)光元件的外延晶片以及由此種晶片制造的GaP發(fā)光元件。
通常用液相或汽相外延方法在n型GaP單晶襯底上外延生長(zhǎng)多個(gè)GaP薄膜(外延層)，同時(shí)將恰當(dāng)類型和濃度的雜質(zhì)加入到各層從而在外延層中形成pn結(jié)，從而獲得GaP發(fā)光元件。然后用這樣制得的帶有二極管結(jié)構(gòu)的用于發(fā)光元件的晶片來提供發(fā)光二極管形式的發(fā)光元件。
由于GaP是一種間接躍遷半導(dǎo)體，故簡(jiǎn)單地采用GaP形成pn結(jié)的發(fā)光元件的亮度很低。為了改善亮度，在制造發(fā)射黃綠光的GaP發(fā)光元件的外延晶片時(shí)，通常用作為光發(fā)射中心組分的氮對(duì)pn結(jié)的n型層進(jìn)行摻雜，且為了提高構(gòu)成發(fā)光層的n型層的載流子注入效率，對(duì)n型層采用不超過3×1016cm-3的載流子濃度，而對(duì)p型結(jié)層采用不超過2×1017cm-3的載流子濃度。而且，為了抑制發(fā)射層中晶體缺陷所引起的發(fā)射效率的退化，在n型GaP襯底上制作一個(gè)或更多個(gè)n型GaP緩沖層，并在緩沖層上制作包括pn結(jié)的外延層以減少襯底晶體缺陷向摻氮的n型GaP發(fā)射層的傳播。


圖1示出了用于黃綠發(fā)光元件的外延晶片的通常結(jié)構(gòu)。如圖1所示，用于GaP黃綠發(fā)光元件的晶片通常包含在n型GaP單晶襯底11上生長(zhǎng)一個(gè)單層或多層n型GaP緩沖層12，隨之相繼制作一個(gè)n型GaP層13、一個(gè)摻氮的n型GaP層14以及一個(gè)P型GaP層15。如上所述，緩沖層12被用來抑制晶體缺陷從襯底11向構(gòu)成發(fā)射層的摻氮的n型GaP層14的傳播，而且不一定總是被采用。
當(dāng)液相外延被用作外延層的生長(zhǎng)方法時(shí)，可采用下列方法中的某一種。在一種方法中，將GaP處于飽和的Ga金屬溶液引至GaP襯底上，然后降低溫度使GaP外延層淀積在襯底上。在另一種方法中，將GaP未處于飽和的Ga金屬溶液于低溫度下引至襯底上，然后加熱并保持在高溫下，在襯底表面上形成回熔并以GaP飽和Ga金屬，然后降低溫度，導(dǎo)致GaP外延層淀積在襯底上。
在GaP的液相外延中，外延生長(zhǎng)通常開始于900-1000℃的溫度。在這樣的高溫下，存在著磷從GaP襯底表面分離并引起襯底晶體缺陷增加的危險(xiǎn)。由于這種危險(xiǎn)，在用液相外延方法來制造用于GaP黃綠發(fā)光元件的晶片的過程中，后一種方法比前一種方法用得更多。
對(duì)用于黃綠發(fā)光元件的外延晶片的生長(zhǎng)方法和結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化的這些努力，已被用來改善由這些晶片制造的GaP黃綠發(fā)光元件的亮度。其結(jié)果是GaP黃綠發(fā)光元件已得到了廣泛應(yīng)用。但為了進(jìn)一步擴(kuò)展應(yīng)用范圍，仍有需要去開發(fā)亮度更高的發(fā)光元件。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種用于能夠發(fā)射亮度大為改善了的光的GaP發(fā)光元件的外延晶片。
另一目的是提供一種抑制了降低發(fā)光效率的各種因素并改善了發(fā)光亮度的GaP發(fā)光元件。
借助于提供一種用于GaP發(fā)光元件的外延晶片(它包含一個(gè)n型GaP單晶襯底、一個(gè)生長(zhǎng)在此襯底上的n型GaP層、一個(gè)生長(zhǎng)在此n型GaP層上的其Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的總濃度不超過1×1015cm-3的摻氮的n型GaP層、以及一個(gè)生長(zhǎng)在此n型GaP層上的P型GaP層)，本發(fā)明達(dá)到了前述目的。
在本發(fā)明的另一種情況中，用于GaP發(fā)光元件的外延晶片包含一個(gè)n型GaP單晶襯底、生長(zhǎng)在此襯底上的一個(gè)或多個(gè)n型GaP緩沖層、生長(zhǎng)在此緩沖層上的一個(gè)n型GaP層、生長(zhǎng)在此n型GaP型上的其Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的總濃度不超過1×1015cm-3的一個(gè)摻氮的n型GaP層、以及一個(gè)生長(zhǎng)在此n型GaP層上的P型GaP層。
在本發(fā)明的又一種情況下，用于GaP發(fā)光元件的外延晶片包含按順序制作在n型GaP單晶襯底上的一個(gè)或多個(gè)n型緩沖層、一個(gè)摻氮的n型GaP層和一個(gè)P型GaP層，其中在n型GaP緩沖層中所含的Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的總濃度不超過1×1016cm-3。
在本發(fā)明的另一種情況下，用于GaP發(fā)光元件的外延晶片包含在n型GaP單晶襯底上按順序制作一個(gè)或多個(gè)n型GaP緩沖層、一個(gè)摻氮的n型GaP層以及一個(gè)P型GaP層，其中在n型GaP緩沖層中所含的Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的總濃度不超過1×1016cm-3，而在摻氮的n型GaP層中所含的Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的總濃度不超過1×1015cm-3。
根據(jù)本發(fā)明的外延晶片形成的GaP發(fā)光元件由一個(gè)制作在n型GaP單晶襯底背面上的第一導(dǎo)電類型的電極和一個(gè)制作在P型GaP層正面上的第二導(dǎo)電類型的電極組成。
由于下面所述的原因，根據(jù)本發(fā)明采用純度不高的材料，但對(duì)用來形成Ga溶液的Ga金屬進(jìn)行高等級(jí)的提純，并對(duì)用作外延生長(zhǎng)托的石墨材料進(jìn)行提純所得到的且光發(fā)射層中的Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的總濃度不超過1×1015cm-3或緩沖層中的Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的總濃度不超過1×1016cm-3的GaP發(fā)光元件，提供了顯著改進(jìn)了的亮度。
從參照附圖進(jìn)行的下列描述中，本發(fā)明的上述和其它目的和特點(diǎn)將變得明顯。
圖1示出了用來制作GaP黃綠發(fā)光元件的外延晶片的結(jié)構(gòu)。
圖2示出了GaP發(fā)光元件發(fā)光層中過渡族雜質(zhì)元素總濃度與發(fā)光亮度之間的關(guān)系。
圖3示出了GaP發(fā)光元件發(fā)光層中過渡族雜質(zhì)元素總濃度與響應(yīng)速度之間的關(guān)系。
圖4示出了GaP發(fā)光元件緩沖層中過渡族雜質(zhì)元素總濃度與發(fā)光亮度之間的關(guān)系。
圖5(a)示出了含有硅和GaP的Ga溶液在襯底上的安排。
圖5(b)示出了由GaP從Ga溶液的淀積造成的緩沖層在襯底上的生長(zhǎng)。
圖6(a)示出了Ga溶液在其上已形成緩沖層的襯底上的分布。
圖6(b)示出了來自Ga溶液的襯底上GaP層的淀積。
圖6(c)示出了GaP層上發(fā)光層的生長(zhǎng)。
圖6(d)示出了發(fā)光層上P型GaP層的生長(zhǎng)。
圖7示出了借助于提供帶有電極的圖6(d)的晶片而組成的GaP發(fā)光元件的分布。
圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的GaP發(fā)光元件以及常規(guī)GaP發(fā)光元件的亮度范圍。
關(guān)于發(fā)射黃綠光的GaP發(fā)光元件，由于以前已知外延層中出現(xiàn)的雜質(zhì)硫、氧和碳會(huì)降低亮度，故已努力降低這些元素的含量。但對(duì)金屬Ga中所含的雜質(zhì)Cu、Ni、Fe、Mn和Cr以及用來制作氣體管道的不銹鋼和/或用來制作生長(zhǎng)托的石墨中出現(xiàn)的可能熔于液相外延生長(zhǎng)介質(zhì)的Ga金屬中從而混入GaP外延生長(zhǎng)層中的Ni、Cu和Fe的充分控制未曾很好注意。
Cu、Ni、Fe、Mn和Cr都屬于稱為第一過渡元素的族。由于此族元素彼此形成合金，故有可能上述元素也可伴隨有同是第一過渡元素的Ti、V或Co。以下將這些第一過渡元素，即Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu統(tǒng)稱為過渡族雜質(zhì)元素。如在Journal of Physics CSolid State Physics第18卷(1985年)第3615-3661中所述，深入的研究表明，這些過渡族雜質(zhì)元素的3d-3d電子躍遷引起在GaP禁帶中形成一個(gè)能級(jí)。但未曾搞清過渡族雜質(zhì)元素這一能級(jí)形成對(duì)GaP發(fā)光元件發(fā)光亮度的作用。而且，此研究只涉及到GaP中過渡族雜質(zhì)元素電子結(jié)構(gòu)的分析；并未進(jìn)行有關(guān)這些元素對(duì)晶體結(jié)構(gòu)(結(jié)晶性)的影響的研究。
亦即，對(duì)GaP由于這些過渡族雜質(zhì)元素的溶解限約為1017cm-3(在Mn的情況下為1018-1019cm-3)，故先前認(rèn)為只要不是有意用作摻雜劑，這些元素是不影響亮度的。這導(dǎo)致對(duì)控制它們?nèi)狈εd趣。但本發(fā)明人為了研究造成用來制造GaP黃綠發(fā)光元素的外延晶片發(fā)光效率下降的因素，用SIMS分析對(duì)過渡族雜質(zhì)元素的濃度進(jìn)行了定量研究。結(jié)果示于圖2。亦即發(fā)現(xiàn)，在發(fā)光元件的發(fā)光亮度和構(gòu)成發(fā)光層的摻氮的n型GaP層中的過渡族雜質(zhì)元素的濃度之間有一定關(guān)系，且當(dāng)發(fā)光層中這些元素的總濃度為1015cm-3或更高時(shí)，亮度下降。圖2-4和8中所示的“a.u.”是任意單位的縮寫。
正如上述參考材料所述，未能確認(rèn)過渡族雜質(zhì)元件在GaP禁帶中所形成的能級(jí)的位置。但基于圖3所示的當(dāng)發(fā)光層中過渡族雜質(zhì)元素的總濃度處于1015cm-3或更高時(shí)則響應(yīng)速度提高的事實(shí)，可認(rèn)為亮度的降低可能主要是由發(fā)光層中這些元素的非發(fā)光復(fù)合所引起的。本發(fā)明人還研究了在用于GaP黃綠發(fā)光元件的外延晶片帶有n型GaP緩沖層的情況下的高度與緩沖層中過渡族雜質(zhì)元素的濃度之間的關(guān)系。結(jié)果示于圖4。再次發(fā)現(xiàn)，在發(fā)光元件的發(fā)光亮度與緩沖層上過渡族雜質(zhì)元素的濃度之間有一定關(guān)系，表明緩沖層中的這些元素降低了亮度。當(dāng)過渡族雜質(zhì)元素的總濃度達(dá)到或超過1016cm-3(10倍于發(fā)光層中的)時(shí)，發(fā)光亮度的下降變得很明顯。
與發(fā)光層不同，緩沖層對(duì)光發(fā)射沒有直接貢獻(xiàn)。因此，在緩沖層中的過渡族雜質(zhì)元素的情況下，認(rèn)為發(fā)光亮度的下降不是由這些元素的非發(fā)射復(fù)合引起，而是由被襯底(元件的背面)反射之后射向表面的部分發(fā)射光的吸收的增大而引起的。
基于上述發(fā)現(xiàn)，確認(rèn)GaP黃綠發(fā)光元件的發(fā)光亮度由于限制發(fā)光層的過渡族雜質(zhì)元素總濃度為1×1015cm-3而緩沖層為1×1016cm-3而得到改善。對(duì)構(gòu)成發(fā)光層的摻氮的n型GaP層中的Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的總濃度的限制，降低了發(fā)光層中的非發(fā)射復(fù)合的濃度，導(dǎo)致GaP黃綠發(fā)光元件的發(fā)光亮度的改善。同樣，對(duì)n型GaP緩沖層中的Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的總濃度的限制減小了緩沖層的光吸收，也導(dǎo)致GaP黃綠發(fā)光元件的發(fā)光亮度的改善。
以下詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的用來制造GaP黃綠發(fā)光元件的外延晶片的實(shí)施例。
現(xiàn)參照?qǐng)D5來描述在n型GaP單晶襯底11上生長(zhǎng)n型GaP緩沖層12的方法。參照?qǐng)D5(a)，為了制作緩沖層，在溫度為1030℃的液相外延爐中的氫氣氛中，將含有恰當(dāng)數(shù)量的以硅的形式出現(xiàn)的n型雜質(zhì)以及飽和數(shù)量的GaP的Ga溶液16引至n型GaP襯底11。
然后將溫度升至1040℃以便在n型GaP襯底11的表面上形成回熔，然后以1℃/min的速率降溫以便在n型GaP襯底11上從Ga溶液16形成GaP淀積，從而生長(zhǎng)圖5(b)所示的n型緩沖層12。之后，當(dāng)溫度降到700℃時(shí)，生長(zhǎng)過程終止，且用來形成n型緩沖層12的Ga溶液16從n型GaP襯底11分離。如果要制作多層緩沖層12，則重復(fù)上述過程。上述工藝被用來制作厚度約為100μm的、載流子濃度約為2×1017cm-3的n型GaP緩沖層。
在上述采用Ga溶液的緩沖層制作工藝中，過渡族雜質(zhì)元素可通過含有這些元素的氣體管道和材料之類，例如用來制作托的石墨和石英之類，以及用于Ga溶液的Ga金屬之類，而進(jìn)入n型緩沖層。為了防止過渡族雜質(zhì)元素的這種混入，必須采用高純?cè)牧稀?br> 特別是對(duì)于GaP緩沖層制作工序中所用的Ga溶液的Ga金屬，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，借助于先在約60或70℃下的氯中清洗Ga金屬、對(duì)Ga金屬進(jìn)行真空干燥，并在約1000℃下焙燒5小時(shí)而對(duì)Ga金屬進(jìn)行純化，可有效地防止過渡族雜質(zhì)元素的進(jìn)入。還發(fā)現(xiàn)，借助于先用熱處理爐在氯化氫氣氛中于約1200℃下焙燒石墨2-3小時(shí)，可有效地防止用作托的石墨中的過渡族雜質(zhì)元素的進(jìn)入。上述工藝的實(shí)現(xiàn)使得有可能保持n型GaP緩沖層中的Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的總濃度低達(dá)約1×1014cm-3-9×1014cm-3。
現(xiàn)參照?qǐng)D6來描述在其上已用上述方法制作了n型GaP緩沖層的n型GaP襯底上制作含有pn結(jié)的外延層的方法。
參照?qǐng)D6(a)，GaP的未飽和Ga溶液18在600℃氫氣氛中被引至襯底17。然后將系統(tǒng)加熱到980℃并在此溫度下保持一個(gè)設(shè)定的時(shí)間。這就使其上制作了緩沖層的n型GaP襯底17的表面上產(chǎn)生回熔，使Ga溶液18含有980℃下的飽和量的GaP。同時(shí)，緩沖層中的硅以及由諸如反應(yīng)管之類的石英元件的氫還原反應(yīng)所產(chǎn)生的硅溶解入Ga溶液18。這種硅就構(gòu)成后續(xù)GaP外延層的n型雜質(zhì)。
然后將溫度降至960℃，從而在襯底17上形成n型GaP層13，如圖6(b)所示。然后，在溫度保持在960℃的情況下，將氨(NH3)加入氣氛中。氨的分解使氮加入到Ga溶液18中。于是形成了摻氮的n型GaP層14形式的發(fā)光層，如圖6(c)所示。進(jìn)入到發(fā)光層14中的氮取代GaP中的磷并成為發(fā)光中心。由于加入到Ga溶液18的氮與Ga溶液18中硅鍵合，從而具有降低溶液中硅濃度的作用，故可降低發(fā)光層14中的載流子濃度。
借助于將氣流上游鄰接于外延爐的附爐加熱到750℃并將金屬鋅引入附爐以便產(chǎn)生隨后引入外延爐的鋅蒸汽，從而將鋅加入Ga溶液18。然后借助于降低系統(tǒng)溫度而在發(fā)光層14上形成P型GaP層15，如圖6(d)所示。然后將P型GaP層15從Ga溶液18分離。
于是利用上述工藝就可在其上已制作了n型GaP緩沖層的n型GaP襯底上制作包含pn結(jié)的外延層。其結(jié)果是有可能生產(chǎn)用于具有二極管結(jié)構(gòu)的GaP發(fā)光元件的外延晶片。借助于簡(jiǎn)單地采用一個(gè)其上未曾制作緩沖層的n型GaP襯底來代替上述其上已制作n型GaP緩沖層的n型GaP襯底，同樣的方法也可以用來直接在其上未曾制作緩沖層的n型GaP襯底上制作包含pn結(jié)的外延層。
如在用來制作n型GaP緩沖層的工藝的情況下，在制作包含pn結(jié)的外延層的上述工序過程中，過渡族雜質(zhì)元素可以通過含有這些元素的氣體管道和材料之類，諸如用來制作托的石墨和石英之類以及用作Ga溶液的Ga金屬之類而進(jìn)入發(fā)光層。防止過渡族雜質(zhì)元素進(jìn)入的一個(gè)有效方法是對(duì)Ga金屬進(jìn)行高等級(jí)的提純并純化石墨托元件。
當(dāng)采用其上制作了n型GaP緩沖層的n型GaP襯底時(shí)，過渡族雜質(zhì)元素從緩沖層進(jìn)入是有可能的。此時(shí)也可用上述的方法來降低n型GaP緩沖層中的過渡族雜質(zhì)元素的濃度以便將制得的發(fā)光層中的Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的總濃度控制在約1×1014cm-3-9×1014cm-3的范圍內(nèi)。
關(guān)于這樣制造的用于GaP發(fā)光元件的外延晶片，如圖7所示，在n型GaP單晶襯底11的背面淀積了AuGe，并進(jìn)行加熱以便由光腐蝕形成n型電極20。在P型GaP層15的表面上淀積了AuBe，并進(jìn)行加熱以便由光腐蝕形成P型電極19。之后，將晶片分割成分立元件從而得到摻氮的n型GaP層14和n型緩沖層12中的過渡族雜質(zhì)元素的濃度業(yè)已降低了的GaP黃綠發(fā)光元件。
圖8示出了從根據(jù)上述方法的用于GaP發(fā)光元件的外延晶片(其n型GaP緩沖層中及摻氮的n型GaP層中的過渡族雜質(zhì)元素的濃度分別不超過1×1016cm-3和1×1015cm-3)所得到的120個(gè)GaP黃綠發(fā)光元件以及從用于GaP發(fā)光元件的常規(guī)外延晶片(其中的過渡族雜質(zhì)元素未加控制)得到的120個(gè)GaP黃綠發(fā)光元件的平均、最大與最小亮度值以及平均亮度±σ的范圍。此圖清楚地表明，過渡族雜質(zhì)元素濃度的降低使發(fā)光元件的平均亮度改善了約20％。
參照n型GaP緩沖層中及摻氮的n型GaP層中的過渡雜質(zhì)元素的濃度分別不超過1×1016cm-3和1×1015cm-3的用于發(fā)光元件的外延晶片以及用這種晶片制造的GaP發(fā)光元件，已對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述。但即使只在n型GaP緩沖層中或只在摻雜的n型GaP層中的過渡族雜質(zhì)元素的濃度被降到低于上述值，仍能得到亮度比常規(guī)GaP發(fā)光元件高的GaP黃綠發(fā)光元件。同時(shí)，對(duì)于由形成于n型GaP單晶襯底上的一個(gè)n型GaP層、一個(gè)摻氮的n型GaP層和一個(gè)P型GaP層組成的用于GaP發(fā)光元件的外延晶片，采用不超過1×1015cm-3的摻氮的n型GaP層中的過渡族雜質(zhì)元素濃度，可以得到亮度比常規(guī)GaP發(fā)光元件有所改進(jìn)的GaP黃綠發(fā)光元件。
權(quán)利要求
1.一種由在n型GaP襯底上相繼形成n型GaP層、摻氮的n型GaP層和P型GaP層的方法制作的用于GaP發(fā)光元件的外延晶片，其特征是摻氮的n型GaP層中的Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的總濃度不超過1×1015cm-3。
2.一種由在n型GaP襯底上相繼形成單個(gè)或多個(gè)n型GaP緩沖層、n型GaP層、摻氮的n型GaP層和P型GaP層的方法制作的用于GaP發(fā)光元件的外延晶片，其特征是摻氮的n型GaP層中的Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的總濃度不超過1×1015cm-3。
3.一種由在n型GaP襯底上相繼形成單個(gè)或多個(gè)n型GaP緩沖層、n型GaP層、摻氮的n型GaP層和P型GaP層的方法制作的用于GaP發(fā)光元件的外延晶片，其特征是n型GaP緩沖層中的Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的總濃度不超過1×1016cm-3。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的外延晶片，其特征是摻氮的n型GaP層中的Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的總濃度不超過1×1015cm-3。
5.一種由在n型GaP單晶襯底上相繼形成n型GaP層、摻氮的n型GaP層和P型GaP層的方法制作的，且在襯底的背面上提供有一個(gè)第一導(dǎo)電類型的電極，并在P型GaP層的正面上提供有一個(gè)第二導(dǎo)電類型的電極的GaP發(fā)光元件，其特征是摻氮的n型GaP層中的Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的總濃度不超過1×1015cm-3。
6.一種由在n型GaP單晶襯底上相繼形成單個(gè)或多個(gè)n型GaP緩沖層、n型GaP層、摻氮的n型GaP層和P型GaP層的方法制作的，且在襯底的背面上提供有一個(gè)第一導(dǎo)電類型的電極，并在P型GaP層的正面上提供有一個(gè)第二導(dǎo)電類型的電極的GaP發(fā)光元件，其特征是摻氮的n型GaP層中的Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的總濃度不超過1×1015cm-3。
7.一種由在n型GaP單晶襯底上相繼形成單個(gè)或多個(gè)n型GaP緩沖層、n型GaP層、摻氮的n型GaP層和P型GaP層的方法制作的，且在襯底的背面上提供有一個(gè)第一導(dǎo)電類型的電極，并在P型GaP層的正面上提供有一個(gè)第二導(dǎo)電類型的電極的GaP發(fā)光元件，其特征是n型GaP緩沖層中的Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的總濃度不超過1×1016cm-3。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的GaP、發(fā)光元件，其特征是摻氮的n型GaP層中的Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的總濃度不超過1×1015cm-3。
全文摘要
一種用于Gap發(fā)光元件的外延晶片,它包含在n型Gap單晶襯底上相繼生長(zhǎng)的n型Gap緩沖層、n型Gap層、摻氮的n型Gap層和P型Gap層,其中摻氮的n型Gap層中的Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的總濃度不超過1×10
文檔編號(hào)H01L21/02GK1173741SQ97114720
公開日1998年2月18日 申請(qǐng)日期1997年7月17日 優(yōu)先權(quán)日1996年7月18日
發(fā)明者吉永敦 申請(qǐng)人:昭和電工株式會(huì)社