專利名稱：形成層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體晶片上形成層的方法。
在一些涉及半導(dǎo)體晶片的制造工藝中，都要在晶片的表面淀積通常是液體的層，然后在可以淀積其它層或進(jìn)行其它工藝步驟之前需要除去該層上的水分。這種工藝的例子是旋涂玻璃(spin-on glass)工藝或在國際專利申請No.PCT/GB93/01368中描述的一種平面工藝。層(包括膜)通常是可拉伸的層并且如果不特別注意，在除去水分時最終的內(nèi)力將引起層斷裂。有時利用其它的工藝步驟，例如在烘干工藝之前淀積一透水的覆蓋層。
一方面，本發(fā)明是在半導(dǎo)體晶片上形成層的方法，包括往晶片加張應(yīng)力，在有應(yīng)力的晶片上淀積拉伸層以及解除晶片的應(yīng)力狀態(tài)。
解除晶片應(yīng)力狀態(tài)的結(jié)果將是在層里產(chǎn)生壓應(yīng)力，這用于平衡層的拉伸特性并且免除或減少斷裂的可能性。
在最佳的實施方式中，通過彎曲在晶片上加應(yīng)力，例如這可以通過在具有凸?fàn)钪蚊娴撵o電卡盤上夾緊晶片來獲得。
最好在解除應(yīng)力之前層可以允許硬化或被硬化或者以其它方式固化。尤其最好在晶片加應(yīng)力之前在晶片上淀積籽晶層。
本發(fā)明也是用于彎曲晶片的裝置，包括具有凸?fàn)钪蚊娴撵o電卡盤。
盡管在上面詳細(xì)說明了本發(fā)明，應(yīng)該明白它包括前述的或下述特征的任何創(chuàng)造性組合。
本發(fā)明可以以不同的形式完成，作為例子，現(xiàn)在將參照附圖
描述具體的實施方式，該圖是通過夾緊在靜電卡盤上的晶片的橫截面原理圖。
圖中，靜電卡盤10具有凸?fàn)钪蚊?1并由電源12供電。已經(jīng)很好地了解靜電卡盤的常規(guī)操作，并且在1993年1月的固態(tài)技術(shù)87頁Larry DHartsough的文章中得到合適的總結(jié)。更詳細(xì)的結(jié)構(gòu)和操作參考那篇文章，該文章因此附帶作為參考。卡盤的通常用途在于在絕緣支撐物的頂端產(chǎn)生靜電分布，以使得晶片相對支撐物保持平坦，從而夾在它們之間的氣態(tài)熱傳輸媒體能在整個晶片表面產(chǎn)生均勻的熱傳導(dǎo)。然而，在這種情況下上表面11顯然是凸形，以使得當(dāng)把晶片13夾緊在卡盤10上時受到張應(yīng)力。
最好，在給晶片加應(yīng)力之前，在晶片13上淀積籽晶層14。只要晶片13加上應(yīng)力，利用例如前述的那些合適的技術(shù)，就可以淀積拉伸膜或?qū)?5。然后使層15硬化或允許硬化，或固化或局部固化。達(dá)到期望狀態(tài)時，晶片11從卡盤10取走，并回到它通常的平坦?fàn)顟B(tài)。在此過程中在壓負(fù)載下放置層15，這用于抵抗層15內(nèi)的張應(yīng)力，否則這些張應(yīng)力將使得它在除去水分時斷裂。因此在除去水分步驟時的常規(guī)預(yù)防都可以減少或免除。
應(yīng)該明白，可以使用其它彎曲晶片的方法；靜電卡盤的優(yōu)點在于它免除了與晶片13的上表面接觸的需要。更應(yīng)該明白的是在晶片上安置半導(dǎo)體裝置時在一些情況下可以進(jìn)行操作，但需要注意其后的晶片彎曲不能引起前面淀積層的損壞。可能需要使用卡盤，例如在安置裝置時需要具有逐漸變淺形狀的卡盤。
權(quán)利要求
1.在半導(dǎo)體晶片上形成層的方法，包括，往晶片加張應(yīng)力，在有應(yīng)力的晶片上淀積拉伸層以及解除晶片的應(yīng)力狀態(tài)。
2.如權(quán)利要求1的方法，其中晶片通過彎曲加應(yīng)力。
3.如權(quán)利要求2的方法，其中通過在具有凸?fàn)钪蚊娴撵o電卡盤上夾緊晶片來使晶片獲得應(yīng)力。
4.如前述任何一條權(quán)利要求的方法，其中在解除應(yīng)力之前層可以允許硬化或被硬化或者被固化。
5.如前述任何一條權(quán)利要求的方法，其中在晶片加應(yīng)力之前在晶片上淀積籽晶層。
6.彎曲半導(dǎo)體晶片的裝置，包括具有凸?fàn)钪蚊娴撵o電卡盤。
全文摘要
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體晶片上形成層的方法,該方法包括往晶片加張應(yīng)力,在晶片上淀積拉伸層以及解除晶片的應(yīng)力狀態(tài)。
文檔編號H01L21/02GK1177829SQ9711840
公開日1998年4月1日 申請日期1997年9月5日 優(yōu)先權(quán)日1997年9月5日
發(fā)明者克里斯托弗·大衛(wèi)·多布森 申請人:特利康設(shè)備有限公司