專利名稱：介質(zhì)諧振器、介質(zhì)濾波器、介質(zhì)雙工器以及振蕩器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種介質(zhì)諧振器、介質(zhì)濾波器、介質(zhì)雙工器和振蕩器。
背景技術(shù)：
近年來，對于移動(dòng)通信系統(tǒng)的多媒體系統(tǒng)化的快速增加的需求需要大規(guī)模和高速通信系統(tǒng)。根據(jù)要傳送的信息的增加量，所使用的頻帶從微波帶增加到毫米波帶。在這種毫米波帶中，傳統(tǒng)已知的1、、模式介質(zhì)諧振器(由柱狀的介電裝置構(gòu)成)可以按照類似于微波帶的方式使用。在這種情況下，由于1、、模式的介質(zhì)諧振器的頻率根據(jù)柱狀介電裝置的外部直徑定義，故需要嚴(yán)格的加工正確度。
還有，假設(shè)介質(zhì)濾波器是通過將多個(gè)1、、模式介質(zhì)諧振器相互分開以預(yù)定間隔地安排在金屬外殼中而配置的。在這種情況下，輸入/輸出裝置(諸如金屬線圈和介質(zhì)諧振器)之間、或介質(zhì)諧振器和介質(zhì)諧振器之間的耦合是根據(jù)它們之間的距離決定的。由此，安排需要高的位置精度。
在第7-62625號日本未審查專利申請公告中，本發(fā)明的申請人研制了一種介質(zhì)諧振器和介質(zhì)濾波器，它們允許改進(jìn)加工精度，這解決了上述的問題。
根據(jù)上述專利申請中的介質(zhì)濾波器示于

圖12中。圖12是根據(jù)上述專利申請的介質(zhì)濾波器的分解透視圖。
如圖12所示，介質(zhì)濾波器101由介質(zhì)基片102和導(dǎo)電板104a和104b構(gòu)成。
介質(zhì)基片102有恒定的相對介電常數(shù)，其上形成有導(dǎo)電體102a和102b，它們的兩個(gè)主表面上具有圓形的開口，該兩個(gè)主表面上的開口相對。
形成輸入共面軌跡105a和輸出共面軌跡105b，從而鄰近介質(zhì)基片102的一個(gè)主表面的五個(gè)開口的兩端(圖12中的上側(cè))。
固定介質(zhì)板104a和104b，使它們和介質(zhì)基片102分開一預(yù)定的距離地介質(zhì)基片102夾在中間。輸入共面軌跡104a和輸出共面軌跡104b從介質(zhì)板104a和104b凸出。將斷流器安排在導(dǎo)電板104a上，從而輸入共面軌跡105a和輸出共面軌跡105b不連接。介質(zhì)基片102的導(dǎo)電板104a和導(dǎo)電板102a電氣連接，并且介質(zhì)基片102的導(dǎo)電板104b和102b電氣連接。
在上述的配置中，電磁場的能量限制在介質(zhì)基片102上的由開口夾住的附近，它們對著導(dǎo)電體102a和102b，并且形成五個(gè)諧振部分。然后，耦合鄰近的諧振部分；由此，構(gòu)成了具有五級諧振部分的介質(zhì)濾波器。
如上所述，諧振部分可以根據(jù)電極開口的尺寸限定。這使諸如蝕刻之類的處理方式能夠用于生產(chǎn)中，并允許生產(chǎn)諧振部分具有精確復(fù)制尺寸精度的介質(zhì)諧振器、介質(zhì)濾波器等等。
在如上所述的介質(zhì)濾波器101中，電磁場能量高度限制在諧振部分，所述諧振部分由被相對的導(dǎo)電體102a和102b上的開口夾著的介質(zhì)基片102形成。因此，當(dāng)由共面軌跡105a和105b形成輸入/輸出終端裝置時(shí)，在諧振部分和輸入/輸出終端裝置之間的耦合是弱的。然后，電極102a和102b的開口與輸入共面軌跡104a和104b之間的距離盡可能變短，從而加強(qiáng)諧振部分和輸入/輸出終端裝置之間的耦合。
還有，在上述的介質(zhì)濾波器中，由于電磁場能量的高度限制在諧振部分高，故鄰近的諧振部分之間的耦合弱。因此，開口之間的距離盡可能被縮短，以便加強(qiáng)諧振部分之間的耦合。
另外，傳統(tǒng)上，作為使用介質(zhì)諧振器的設(shè)備，已知一種壓控振蕩器。作為這樣的壓控振蕩器，有一種如圖13所示的振蕩器。
如圖13所示，壓控振蕩器111使用柱形1、、模式介質(zhì)諧振器112。
1、、模式介質(zhì)諧振器112通過支持基部112a安裝在布線基片113上。在布線基片113的下表面上，形成接地電極(未示出)。將布線基片113安裝在上金屬外殼130和下金屬外殼131內(nèi)。
在布線基片113上，形成構(gòu)成主線的微帶線114和構(gòu)成副線的微帶線115，從圖13中的1、、模式的介質(zhì)諧振器112上的點(diǎn)朝下看，它們相互疊蓋。
微帶線114如此安排，即，其一端通過片形電阻器連接到接地電極117，其另一端連接到場效應(yīng)晶體管118的柵極。
由構(gòu)成主線的主線和1、、模式介質(zhì)諧振器112之間的電磁場耦合形成諧振部分。
微帶線115如此安排，即，其一端通過變?nèi)荻O管119連接到接地電極117，其另一端是開口端。
振蕩頻率可變電路由構(gòu)成主線的微帶線115和變?nèi)荻O管119構(gòu)成。
場效應(yīng)晶體管118如此安排，即，將其漏極通過微帶線121連接到輸入終端122，其源極連接到微帶線123的一端。
微帶線121連接到匹配短棒124和場效應(yīng)晶體管118的漏極連接的點(diǎn)。
微帶線123的另一端通過片形電阻器125連接到接地電極117。如此形成微帶線，即和微帶線126平行，其中具有一恒定的距離，以便電氣耦合。
微帶線126通過片形電阻器127連接到輸出終端電極128。
將匹配短棒124連接到輸入終端電極122，它和微帶線121平行。
片形電容器129連接到輸出終端電極128，它和片形電阻器127平行。
在如上所述的配置中，變?nèi)荻O管119轉(zhuǎn)向可變電容器，它根據(jù)應(yīng)用的電壓改變諧振頻率，振蕩頻率由此而改變。
如上所述，在圖12所示的介質(zhì)濾波器101中，導(dǎo)電體102a和102b與輸入共面軌跡105a和105b之間的距離盡可能縮短，以便增強(qiáng)諧振部分和輸入/輸出終端裝置之間的耦合。
但是，由于對縮短導(dǎo)電體102a和102b與輸入共面軌跡105a和105b之間的距離的限制，故無法進(jìn)一步增加耦合強(qiáng)度。
還有，通過形成輸入/輸出共面軌跡105a和105b，使介質(zhì)基片102的長度沿諧振部分安排的方向增加，這增加介質(zhì)濾波器101的總長度。因此，輸入/輸出終端裝置，諸如輸入/輸出共面軌跡的間隔是減小介質(zhì)濾波器101的整體尺寸的障礙。
還有，如圖12中所示，當(dāng)有五級諧振部分的介質(zhì)濾波器如此配置時(shí)，在介質(zhì)基片102的兩個(gè)主表面上的導(dǎo)電體102a和102b上必需形成五個(gè)開口。相應(yīng)地，介質(zhì)基片102的整體尺寸增加，結(jié)果，介質(zhì)濾波器101的整體尺寸增加。因此，介質(zhì)濾波器的整體尺寸以介質(zhì)基片的兩個(gè)主表面上形成的導(dǎo)電體上的開口的數(shù)量，即諧振部分中的級數(shù)，按比例增加。
還有，介質(zhì)濾波器中各個(gè)諧振部分的特性，諸如頻率特性是通過去除電極上的開口附近的導(dǎo)電體進(jìn)行調(diào)節(jié)的，其中該電極形成諧振部分。但是，由于開口的形狀的變化，引起電磁場發(fā)散，并且有時(shí)候產(chǎn)生不必要的寄生分量。
還有，當(dāng)介質(zhì)諧振器中的各個(gè)諧振部分之間的耦合必需加強(qiáng)時(shí)，導(dǎo)電體中的開口之間的距離縮短。即，使用不同的介質(zhì)基片，它在導(dǎo)電體的開口之間的距離更小，并且必需制備不同的介質(zhì)基片。這花費(fèi)時(shí)間，并增加成本。
還有，為了調(diào)節(jié)介質(zhì)濾波器的特性，例如，間接耦合相互分開的諧振部分，不同的電容器，線圈等等，以及電路元件，諸如形成在介質(zhì)基片102上的導(dǎo)線等等被安排在介質(zhì)基片102上。還有，為了在介質(zhì)基片102上安排這些電路元件，用于安排它們的導(dǎo)線也形成在同一基片上。但是，當(dāng)這樣的導(dǎo)線形成在諧振部分周圍時(shí)，所使用的基片的尺寸必需更大，介電裝置的尺寸增加，并且介質(zhì)濾波器的整體的尺寸也增加。
另外，在壓控振蕩器111中，1、、模式介質(zhì)諧振器112的電磁場廣泛地分布在1、、模式介質(zhì)諧振器112的周圍。因此，產(chǎn)生了一個(gè)問題，即，電磁場耦合到微帶線121和123等等，而不是微帶線114和微帶線115。當(dāng)發(fā)生這樣的不必要的耦合時(shí)，壓控振蕩器111中的振蕩頻率可能是不穩(wěn)定的。傳統(tǒng)地，為了將由于這樣的不必要的耦合引起的缺點(diǎn)減小到最小，如此設(shè)計(jì)布線，從而不希望耦合到1、、模式介質(zhì)諧振器112的微帶線121和123盡可能和1、、模式介質(zhì)諧振器112分開。
但是，除了主線和副線之外的微帶線的分開需要布線基片113按照分開的比例加大，這導(dǎo)致了壓控振蕩器111的整體尺寸的增加。
還有，由于布線是在不希望耦合到1、、模式介質(zhì)諧振器112的微帶線121和123與1、、模式介質(zhì)諧振器112盡可能分開的條件下設(shè)計(jì)的，故在布線的設(shè)計(jì)中剩下更少的靈活性。
還有，將1、、模式介質(zhì)諧振器112安排在布線基片113上，并且布線基片113由上金屬外殼130覆蓋，以把電磁場限制在1、、模式介質(zhì)諧振器112中。在這種情況下，上金屬外殼130的高度必需做得比1、模式介質(zhì)諧振器112大。這也增加了壓控振蕩器111的高度。
發(fā)明揭示考慮到這些問題，進(jìn)行了本發(fā)明，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種介質(zhì)諧振器、介質(zhì)濾波器、介質(zhì)雙工器和振蕩器，它們允許整體的尺寸減小，容易調(diào)節(jié)相鄰的諧振器之間的耦合，并允許靈活的布線設(shè)計(jì)。
相應(yīng)地，根據(jù)權(quán)利要求1的介質(zhì)諧振器包含介質(zhì)基片、形成在介質(zhì)基片的一個(gè)主表面上的第一導(dǎo)電體、形成在介質(zhì)基片的另一個(gè)主表面上的第二導(dǎo)電體、形成在第一導(dǎo)電體上的第一開口，從而介質(zhì)基片暴露于第一導(dǎo)電體、形成在第二導(dǎo)電體上的第二開口，從而介質(zhì)基片暴露于第二導(dǎo)電體，和第一導(dǎo)電體分開的第一導(dǎo)電體板，從而它覆蓋至少第一開口，和第二導(dǎo)電體分開的第二導(dǎo)電體板，從而它覆蓋至少第二開口，由第一開口和第二開口定義的諧振部分、與介質(zhì)基片沿介質(zhì)基片的厚度方向分開的支持部件，以及形成在支持部件上的電極。
在如權(quán)利要求2所述的介質(zhì)諧振器中，沿介質(zhì)基片的厚度方向，為介質(zhì)基片安排多個(gè)支持部件。
在如權(quán)利要求3所述的介質(zhì)諧振器中，由電極安排引線。
在如權(quán)利要求4所述的介質(zhì)諧振器中，將電極用作調(diào)頻電極。
如權(quán)利要求5所述的介質(zhì)濾波器包括，介質(zhì)基片、形成在介質(zhì)基片的一個(gè)主表面上的第一導(dǎo)電體，形成在介質(zhì)基片的另一個(gè)主表面上的第二導(dǎo)電體、形成在第一導(dǎo)電體上的第一開口，從而介質(zhì)基片暴露于第一導(dǎo)電體、形成在第二導(dǎo)電體上的第二開口，從而介質(zhì)基片暴露于第二導(dǎo)電體，與第一導(dǎo)電體分開的第一導(dǎo)電板，以便覆蓋至少第一開口，與第二導(dǎo)電體分開的第二導(dǎo)電板，以便覆蓋至少第二開口，沿介質(zhì)基片的厚度方向與介質(zhì)基片分開的支持部件，以及形成在支持部件上的電極。
在如權(quán)利要求6所述的介質(zhì)濾波器上，由諧振部分的電極安排用于執(zhí)行電磁場耦合的輸入/輸出終端電極。
在如權(quán)利要求7所述的介質(zhì)濾波器中，將電極用作調(diào)頻電極。
在如權(quán)利要求8所述的介質(zhì)濾波器中，支持部件是介質(zhì)基片，電極形成在支持部件的兩個(gè)主表面上，開口形成在兩個(gè)主表面上的電極上，諧振部分由開口形成。
在如權(quán)利要求9所述的介質(zhì)濾波器中，存在多個(gè)第二開口，從而存在由第一開口和第二諧振部分定義的多個(gè)諧振部分。
在如權(quán)利要求10所述的介質(zhì)濾波器中，在支持部件上形成耦合電極，用于通過電磁場耦合多個(gè)諧振部分。
在如權(quán)利要求11所述的介質(zhì)濾波器中，沿介質(zhì)基片的方向安排多個(gè)支持部件。
如權(quán)利要求12所述的介質(zhì)雙工器，其特征在于包括介質(zhì)基片、形成在介質(zhì)基片的一個(gè)主表面上的第一導(dǎo)電體、形成在介質(zhì)基片的另一個(gè)主表面上的第二導(dǎo)電體，形成在第一導(dǎo)電體上的多個(gè)第一開口，形成在第二導(dǎo)電體上的多個(gè)第二開口，與第一導(dǎo)電體分開的第一導(dǎo)電板，從而覆蓋至少多個(gè)第一開口，與第二導(dǎo)電體分開的第二導(dǎo)電板，從而覆蓋至少多個(gè)第二開口，由多個(gè)第一開口和多個(gè)第二開口定義的多個(gè)諧振部分，第一濾波器，所述濾波器由第一組多個(gè)諧振部分的諧振部分構(gòu)成，第二濾波器，所述濾波器由第二組多個(gè)諧振部分的諧振部分構(gòu)成，其中所述第二組諧振器和所述第一組諧振器部分不同、沿介質(zhì)基片的厚度方向與介質(zhì)基片分開的支持部件以及形成在支持部件上的電極。
如權(quán)利要求13所述的介質(zhì)雙工器，包括，第一輸入/輸出終端電極，它們由電極構(gòu)成，并通過電磁場耦合到第一組諧振部分中的至少一個(gè)，第二輸入/輸出終端電極，它們由電極構(gòu)成，并通過電磁場耦合到第二組諧振部分中的至少一個(gè)，以及第三輸入/輸出終端電極，它們由電極構(gòu)成，并通過電磁場耦合到第一組諧振部分中的一個(gè)和至少第二諧振部分中的一個(gè)。
在如權(quán)利要求14所述的介質(zhì)雙工器中，將電極用作調(diào)頻電極。
在如權(quán)利要求15所述的介質(zhì)雙工器中，支持部件是介質(zhì)基片，電極形成在支持部件的兩個(gè)主表面上，開口形成在兩個(gè)主表面上的電極上，諧振部分由開口形成。
在如權(quán)利要求16所述的介質(zhì)雙工器中，存在多個(gè)第一開口和多個(gè)第二開口，從而存在由第一開口和第二諧振部分定義的多個(gè)諧振部分。
如權(quán)利要求17所述的介質(zhì)雙工器，在支持部件上形成耦合電極，用于通過電磁場耦合多個(gè)諧振部分。
在如權(quán)利要求18所述的介質(zhì)雙工器中，沿介質(zhì)基片的方向安排多個(gè)支持部件。
如權(quán)利要求19所述的振蕩器，包括介質(zhì)基片、形成在介質(zhì)基片的一個(gè)主表面上的第一導(dǎo)電體、形成在介質(zhì)基片的另一個(gè)主表面上的第二導(dǎo)電體、形成在第一導(dǎo)電體上的第一開口、形成在第二導(dǎo)電體上的第二開口、與第一導(dǎo)電體分開的第一導(dǎo)電板，從而覆蓋至少第一開口，與第二導(dǎo)電體分開的第二導(dǎo)電板，從而覆蓋至少第二開口，由第一開口和第二開口定義的諧振部分，沿介質(zhì)基片的厚度方向與介質(zhì)基片分開的支持部件，形成在支持部件上，并通過將電磁場耦合到諧振部分而構(gòu)成諧振電路的主線，以及連接到諧振電路的負(fù)電阻電路。
在根據(jù)權(quán)利要求20所述的振蕩器中，諧振電路包括振蕩頻率可變電路。
在如權(quán)利要求21所述的振蕩器中，振蕩頻率可變電路由電壓控制。
在如權(quán)利要求22所述的振蕩器中，介質(zhì)基片的第一導(dǎo)電體和第二導(dǎo)電體中的至少一個(gè)連接到第一導(dǎo)電板和第二導(dǎo)電板。如權(quán)利要求23所述的振蕩器中，連接介質(zhì)基片的第一導(dǎo)電體和第二導(dǎo)電體。
如上所述的配置允許提供允許整體尺寸減小、相鄰的諧振器之間的耦合容易調(diào)節(jié)，允許靈活的布線設(shè)計(jì)的介質(zhì)諧振器、介質(zhì)濾波器、介質(zhì)雙工器和振蕩器。
附圖概述圖1是根據(jù)第一實(shí)施例的介質(zhì)諧振器的分解透視圖；圖2是根據(jù)第二實(shí)施例的介質(zhì)濾波器的分解透視圖；圖3是根據(jù)第二實(shí)施例的第一修改例子的介質(zhì)濾波器的分解透視圖；圖4是根據(jù)第二實(shí)施例的第二修改例子的介質(zhì)濾波器的分解透視圖；圖5是根據(jù)第二實(shí)施例的第三修改例子的介質(zhì)濾波器的分解透視圖；圖6是根據(jù)第三實(shí)施例介質(zhì)雙工器的分解透視圖；圖7是根據(jù)第四實(shí)施例的壓控振蕩器的分解透視圖；圖8是沿圖7中的X-X線的截面圖；圖9是根據(jù)第四實(shí)施例的第一修改例子的壓控振蕩器截面圖；圖10是根據(jù)第四實(shí)施例的第二修改例子的壓控振蕩器截面圖；圖11是根據(jù)第四實(shí)施例的第三修改例子的壓控振蕩器截面圖；圖12是本申請人早先申請的介質(zhì)濾波器的分解透視圖；及圖13是傳統(tǒng)的壓控振蕩器的分解透視圖。
本發(fā)明的最佳實(shí)施例下面用圖1描述本發(fā)明的第一實(shí)施例。圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的介質(zhì)諧振器的分解透視圖。
如圖1所示，介質(zhì)諧振器1由介質(zhì)基片2、支持部件3a和3b以及導(dǎo)電板4a和4b構(gòu)成。
介質(zhì)基片2具有恒定的相對介電常數(shù)，其上形成有導(dǎo)電體2a和2b，其中導(dǎo)電體2a和2b兩個(gè)主表面上具有圓形開口，并且兩個(gè)主表面上的開口相對。介質(zhì)基片2的導(dǎo)電體2a和2b中的開口的尺寸根據(jù)預(yù)定的頻率定義。用這些開口安排諧振部分。
支持部件3a是絕緣基片，安排得平行于介質(zhì)基片2。還有，支持部件3a具有形成在其相對于介質(zhì)基片2上的電極5。電極5作為引線，并通過電磁場耦合到介質(zhì)基片2的導(dǎo)電體2a和2b中的開口。
支持部件3b是絕緣基片，類似于支持部件3a，并安排得平行于介質(zhì)基片2不同于支持部件3a的一側(cè)。支持部件3a相對于介質(zhì)基片2的表面上形成電極6。電極6作為調(diào)頻電極，電極6的面積的增加和減小允許形成在相對的介質(zhì)基片上的諧振部分的諧振頻率的調(diào)節(jié)。
為了使介質(zhì)基片2和支持部件3a和3b保持恒定的間隔，在介質(zhì)基片2和支持部件3a之間以及介質(zhì)基片2和支持部件3b之間分別安排隔離物9。
在如上所述的配置中，開口和它們之間所夾的介質(zhì)基片作為諧振部分，提供了具有諧振部分的介質(zhì)諧振器1。還有，這個(gè)實(shí)施例允許一種配置，其中電極接近于開口，與在同一基片上形成電極和諧振部分的配置相比，提供了更強(qiáng)的耦合。另外，和在同一基片上形成電極和諧振部分的配置相比，由于引線形成在不同的基片上，故沿水平方向的尺寸可以變小。
下面，用圖2描述第二實(shí)施例。圖2是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的介質(zhì)濾波器的分解透視圖。
如圖2所示，介質(zhì)濾波器11由介質(zhì)基片12、支持部件13和介質(zhì)板14a和14b構(gòu)成。
介質(zhì)基片12具有恒定的相對介電常數(shù)，其上形成有導(dǎo)電體12a和12b，導(dǎo)電體12a和12b的兩個(gè)主表面上具有三個(gè)圓形的開口，兩個(gè)主表面上的開口相對。介質(zhì)基片12的導(dǎo)電體12a和12b的開口的尺寸根據(jù)預(yù)定的頻率定義。
類似于介質(zhì)基片12，支持部件13具有恒定的介電常數(shù)，其上形成電極13a和13b，其中電極13a和13b的兩個(gè)主表面上有圓形的開口，兩個(gè)主表面上的開口相對。支持部件13的電極3a和3b中的開口的尺寸用類似于介質(zhì)基片12中的方法，根據(jù)預(yù)定的頻率定義。
支持部件13安排得與介質(zhì)基片12分開恒定的間隔，其中電極13b中的兩個(gè)開口的每一個(gè)都由導(dǎo)電體12a的介質(zhì)基片12中的三個(gè)開口中的兩個(gè)覆蓋。為了使介質(zhì)基片12和支持部件13保持恒定的間隔，隔離物19和19被安排在介質(zhì)基片12和支持部件13之間。
在支持部件13的電極13b的一側(cè)的兩端形成輸入共面軌跡15a和輸出共面軌跡15b。輸入共面軌跡15a安排在被介質(zhì)基片12的導(dǎo)電體12a中的三個(gè)開口兩端中的一個(gè)覆蓋的位置。輸出共面軌跡15b被安排在被介質(zhì)基片12的導(dǎo)電體12a中的三個(gè)開口兩端中的一個(gè)覆蓋的位置。
介質(zhì)板14a和14b被固定，從而它們與支持部件13分開一預(yù)定的距離，從而它們夾住介質(zhì)基片12和支持部件13。輸入共面軌跡15a和輸出共面軌跡15b從介質(zhì)板14a和14b凸出。
在如上所述的配置中，開口和它們之間夾住的介質(zhì)基片作為諧振部分，從而可以得到具有五級諧振部分的介質(zhì)諧振器11。按照這種方法，和在介質(zhì)基片上形成多級諧振部分的配置相比，對于將介質(zhì)濾波器不僅安排為五級，還安排為本實(shí)施例中其它多級，沿水平方向的尺寸可以減小。另外，形成在支持部件13上的諧振部分可選擇性地連接。在這種安排中，諧振部分之間的耦合可以因此通過改變介質(zhì)基片12和支持部件13之間的距離，或者通過改變介質(zhì)基片2的諧振部分和支持部件3的諧振部分相互重疊的面積而變化。特別地，和相鄰諧振部分沿水平方向的距離減小的傳統(tǒng)方式相比，通過減小介質(zhì)基片12和支持部件13之間的距離，諧振部分之間的距離可以做得更?。灰虼?，可以得到高強(qiáng)的耦合。
已經(jīng)使用圖2解釋了關(guān)于介質(zhì)濾波器，其中諧振部分形成在兩個(gè)介質(zhì)基片上；但是，這一點(diǎn)并不受限制；例如，諧振部分可以分別形成在三個(gè)基片上，如圖3所示。
圖3是第二實(shí)施例第一修改例子的介質(zhì)濾波器的分解透視圖。對于和圖2中相同的部分，給出相同的符號，并且省略了詳細(xì)的描述。
如圖3所示，和圖2不同的是，耦合電極17a和17b被添加到支持部件13的電極13a的一側(cè)，并添加支持部件16。
即，耦合電極17a和17b形成在支持部件13的一側(cè)上的電極13a的兩端部分。耦合電極17a通過通孔電氣連接到輸入共面軌跡；耦合電極17b通過通孔電氣連接到輸出共面軌跡15b。
支持部件16具有恒定的相對介電常數(shù)，其上形成有電極16a和16b，其中電極16a和16b的兩個(gè)主表面上具有兩個(gè)圓形開口，從而兩個(gè)主表面上的開口相對。支持部件16的電極16a和16b中的開口的尺寸如此定義，從而開口處的頻率不同于介質(zhì)基片12的導(dǎo)電體開口處的頻率，并且不同于支持部件13中電極的開口處的頻率。電極16b中的兩個(gè)開口和耦合電極17a和17b相對。為了使支持部件13和支持部件16保持恒定的間隔，將隔離物19安排在支持部件13和支持部件16之間。因此，由形成在支持部件16上的開口定義的諧振部分耦合到耦合電極17a和17b，以用作陷波器；因此，可以使不需要的頻率變?nèi)酢?br> 通過配置裝置，可以得到介質(zhì)諧振器11a，它具有二級陷波諧振部分和五級陷波諧振部分。
另外，下面使用圖4描述第二實(shí)施例的第二修改例子。圖4是第二實(shí)施例的第二修改例子的介質(zhì)濾波器的分解透視圖。對于和圖2相同的部分，給出相同的符號，并省略了詳細(xì)的描述。
如圖4所示，介質(zhì)濾波器由介質(zhì)基片22、支持部件23和導(dǎo)電板4a和4b構(gòu)成。
介質(zhì)基片22具有恒定的相對介質(zhì)常數(shù)，其上形成有導(dǎo)電體22a和22b，導(dǎo)電體22a和22b兩個(gè)主表面上具有三個(gè)圓形開口，從而兩個(gè)主表面上的開口相對。介質(zhì)基片22的導(dǎo)電體22a和22b中的開口的尺寸根據(jù)預(yù)定的頻率定義。在介質(zhì)基片22的兩端部分形成輸入共面軌跡25a和輸出共面軌跡25b。
支持部件23是絕緣基片，它如此安排，從而形成三個(gè)圓形薄片電極23b。支持部件23被安排得與介質(zhì)基片22分開恒定的距離，其中其一個(gè)主表面具有薄片電極23b、23c和23d，它們由導(dǎo)電體22a中的三個(gè)開口重疊。
還有，為了使介質(zhì)基片22和支持部件23保持恒定的間隔，分別在介質(zhì)基片22和支持部件23之間安排隔離物9。
在如上所述的配置中，各個(gè)諧振部分處的諧振頻率可以通過去除支持部件23中的薄片電極23b，增加導(dǎo)電體到薄片電極23b，修改支持部件23和介質(zhì)基片22之間的距離，或其它的方式來改變。即，傳統(tǒng)地，由于去除了其上形成有諧振部分的介質(zhì)基片的導(dǎo)電體，產(chǎn)生發(fā)散的電磁場，以產(chǎn)生不需要的寄生分量。在這個(gè)實(shí)施例中，不再有這樣的問題，這是因?yàn)橥ㄟ^支持部件調(diào)節(jié)諧振部分，該部分是其上消除諧振部分的介質(zhì)基片以外的元件。
下面，用圖5描述第二實(shí)施例的第三修改的例子。圖5是第二實(shí)施例的第三修改例子的介質(zhì)濾波器的分解透視圖。對于圖3所示的介質(zhì)濾波器11a中那些和第二實(shí)施例的第一修改例子一樣的部分，給出相同的符號，并省略了詳細(xì)地描述。
和圖3所示的第二實(shí)施例第一修改例子不同的是，在這個(gè)實(shí)施例中，第二支持部件33具有電介質(zhì)線，第二支持部件16具有類似于介質(zhì)基片12的諧振部分。
即，如圖5所示，介質(zhì)濾波器31由介質(zhì)基片12、支持部件13、支持部件33和介質(zhì)板14a和14b構(gòu)成。
支持部件33是絕緣基片，它如此安排，從而其主表面具有電介質(zhì)線。支持部件33安排得與介質(zhì)基片13分開恒定的距離，其中其主表面具有帶狀線33a，它和電極3a中的兩個(gè)開口重疊。為了使支持部件13和支持部件33保持恒定的間隔，在支持部件13和支持部件33之間分別安排了隔離物19。
通過基片33上的帶狀線是絕緣基片，如此安排，從而其主表面具有電介質(zhì)線33a。支持部件33安排得和與介質(zhì)基片分開一恒定的距離，其中其主表面具有帶狀電極33a，它重疊了電極3a中的兩個(gè)開口。為了使支持部件13和支持部件33保持恒定的間隔，在支持部件13和支持部件33之間分別安排間隔隔離物19。
可以通過基片33上的帶狀線33a得到形成在支持部件13上的兩個(gè)諧振部分之間的耦合。
通過上述的配置，二級諧振部分和四級諧振部分間接地在介質(zhì)濾波器31中耦合，所述介質(zhì)濾波器31由五級諧振器構(gòu)成，其中在介質(zhì)濾波器的濾波器特性中可以形成極點(diǎn)。即，通過調(diào)節(jié)間接耦合強(qiáng)度將極點(diǎn)設(shè)置為不需要的頻率，可以使不需要的頻率變?nèi)酢?br> 下面，用圖6描述第三實(shí)施例。圖6是根據(jù)第二實(shí)施例的介質(zhì)雙工器的分解透視圖。
如圖6所示，介質(zhì)雙工器41由介質(zhì)基片42和43、支持部件46和介質(zhì)板44a和44b構(gòu)成。
介質(zhì)基片43具有恒定的相對介質(zhì)常數(shù)，其上形成有導(dǎo)電體43a和43b，導(dǎo)電體43a和43b的兩個(gè)主表面上有三個(gè)圓形開口，其中兩個(gè)主表面上的開口相對。介質(zhì)基片42的導(dǎo)電體中開口的尺寸根據(jù)由預(yù)定的頻率定義。還有，共面軌跡45a形成在導(dǎo)電體42b一側(cè)上，以便接近于兩端開口中的一個(gè)開口。
介質(zhì)基片43具有恒定的相對介質(zhì)常數(shù)，其上形成有導(dǎo)電體43a和43b，導(dǎo)電體43a和43b的兩個(gè)主表面上有三個(gè)圓形開口，它們是相對著的。介質(zhì)基片43的導(dǎo)電體43a和43b中開口的尺寸根據(jù)預(yù)定的頻率確定。還有，在導(dǎo)電體43b的一側(cè)上形成共面軌跡43b，它接近于兩端的開口中的一個(gè)。
支持部件46是以多層結(jié)構(gòu)安排的，其中介電常數(shù)低的電極46b和46c大致上完全形成在支持部件46的兩個(gè)主表面上，其一端部分具有介電常數(shù)低的支持基片47a和48a的層。
與電極46b絕緣的共面軌跡45c形成在形成于支持基片46a上的電極46b一側(cè)上的一個(gè)端部，并在共面軌跡45c的一側(cè)形成通孔，它達(dá)到電極46c一側(cè)的表面。在支持基片46的另一個(gè)表面上的通孔周圍未形成電極46c，從而電極46c和通孔未連接。
支持基片47a位于形成在支持基片46a上的共面軌跡45c上。帶狀線47b形成在和接觸支持基片47a上的支持基片46a的表面相對的表面上，而達(dá)到支持部件46a的另一個(gè)表面的通孔形成在帶狀線47b的一端。帶狀線47b通過通孔連接到共面軌跡45c。
層疊支持基片48a，夾住支持基片46a，從而和支持基片47a相對。還有，帶狀線48b形成在和支持基片48上的支持基片46a接觸的表面相對的表面上，而達(dá)到支持基片48a的另一個(gè)表面的通孔形成在帶狀線48b一端上。帶狀線48b通過通孔48d和通孔46d連接到共面軌跡45c。
在介質(zhì)基片42和支持部件46之間以及介質(zhì)基片43和支持部件46之間分別安排間隔物49a和間隔物49b；它們之間的縫隙保持在恒定的間隔。介質(zhì)基片42和支持部件46之間的隔離物49b具有和支持基片47a和隔離物49a接合起來的相同的高度，并如此安排，從而介質(zhì)基片42和支持部件46相互平行。
通過如上所述的配置，可以得到兩個(gè)濾波器一個(gè)濾波器具有三個(gè)形成在介質(zhì)基片42上的諧振部分，而另一個(gè)濾波器具有形成在介質(zhì)基片43上的諧振部分。此時(shí)，如果將共面軌跡45c連接到天線的話，共面軌跡45c連接到接收器，共面軌跡45b連接到傳送器，故介質(zhì)雙工器41可以用作天線共用裝置。
作為參考，雖然在第二和第三實(shí)施例中將共面軌跡用作輸入/輸出結(jié)構(gòu)，但是并不限制于此，其它的引線，諸如帶狀線、微帶線或槽形線都可以形成。作為替代的輸入/輸出結(jié)構(gòu)，回路、探針等等可以形成為獨(dú)立的結(jié)構(gòu)。
下面，用圖7和8描述第四實(shí)施例。圖7是根據(jù)第四實(shí)施例的壓控振蕩器的分解透視圖；圖8是沿圖7中的線X-X切開的截面圖。對于和圖13所示的傳統(tǒng)壓控振蕩器111相同的那些部分構(gòu)成相同的符號，并省略了詳細(xì)的描述。
如圖7所示，壓控振蕩器51由介質(zhì)基片52、作為支持部件的布線基片113、和為導(dǎo)電板的上金屬外殼130以及下金屬外殼131構(gòu)成。
介質(zhì)基片52具有恒定的相對介質(zhì)常數(shù)，其上導(dǎo)電體52a和52b，導(dǎo)電體52a和52b的兩個(gè)主表面上具有圓形開口，從而兩個(gè)主表面上的圓形開口相對。介質(zhì)基片52的導(dǎo)電體52a和52b中開口的尺寸是根據(jù)預(yù)定的頻率定義的。通過開口安排諧振部分。
在布線基片113上，形成主線的微帶線114以及形成副線的微帶線115如此形成，以和介質(zhì)基片52的導(dǎo)電體52b中的開口重疊(從圖7中朝下看)。
將介電常數(shù)低的隔離物59安排在布線基片113上，如圖8所示，它被固定，從而介質(zhì)基片52和布線基片113安排得分開一恒定的間隔。
如上所述，在這個(gè)實(shí)施例的配置中，和傳統(tǒng)的配置相比，可以減小諧振部分的厚度；相應(yīng)地，和傳統(tǒng)的配置相比，壓控振蕩器的高度也可以減小。即，和傳統(tǒng)的1、、模式的介質(zhì)諧振器相比，諧振器的厚度或諧振所需的空間減小了，并且可以減小壓控振蕩器的高度。
下面，用圖9描述第四實(shí)施例的第一修改例子。圖9是和圖8中壓控振蕩器相同部分的截面圖。對于和圖13所示的壓控振蕩器111相同的部分以及和圖7所示的第四實(shí)施例的壓控振蕩器相同的部分，給出相同的符號，并且省略了詳細(xì)的描述。
和圖7中的第四實(shí)施例不同的是，這個(gè)修改的例子的壓控振蕩器61具有彈簧片63。
如圖9所示，介質(zhì)基片52的導(dǎo)電體2a通過彈簧片63連接到上金屬外殼130的頂表面。當(dāng)上金屬外殼130和下金屬外殼131相連時(shí)，彈簧片63彎曲，并被按壓，以推壓介質(zhì)基片52，從而固定了介質(zhì)基片52。通過這種方法，通過彈簧片63，保持介質(zhì)基片52的導(dǎo)電體52a和上金屬外殼130的電氣連接，當(dāng)它們的電位能相同時(shí)它們是固定的；因此，可以得到穩(wěn)定的振蕩頻率。
其原因是，沒有彈簧片，介質(zhì)基片562和上金屬外殼130之間的距離變化，這引起電磁場的分布在上下導(dǎo)體外殼130和131之間發(fā)散。當(dāng)電磁場分布在上下外殼130和131之間會(huì)發(fā)散時(shí)，不想要的頻率接近于形成在介質(zhì)基片52上的諧振部分的通過區(qū)域，并可能產(chǎn)生不想要的頻率。在這個(gè)修改的例子中，這種不想要的頻率通過彈簧片63避免。
為了參照，在這個(gè)修改例子中，具有導(dǎo)電性的彈簧片用于連接介質(zhì)基片52和上金屬外殼130；但是，也可以如此安排，即，由導(dǎo)電材料形成的隔離物59連接到上導(dǎo)體外殼131。換句話說，只要上下導(dǎo)體外殼的電氣連接，則任何其它配置都可以使用，以避免不想要的振蕩。
另外，用圖10描述第四實(shí)施例的第二個(gè)修改例子。圖10是圖8中的壓控振蕩器相同部分的截面圖。對于和圖13所示傳統(tǒng)壓控振蕩器111相同的部分以及和圖9中根據(jù)第四實(shí)施例的第一修改例子的壓控振蕩器相同的部分，給出相同的符號，并且省略了詳細(xì)的描述。
和圖9中第四實(shí)施例不同的是，這個(gè)修改例子的壓控振蕩器71具有形成在介質(zhì)基片72上的短路導(dǎo)體72c。
如圖10所示，介質(zhì)基片72具有厚度的相對介電常數(shù)，其上形成有導(dǎo)電體72a和72b，導(dǎo)電體72a和72b的兩個(gè)主表面上有開口，其中兩個(gè)主表面上的開口相對。介質(zhì)基片72的導(dǎo)電體72a和72b中的開口的尺寸根據(jù)預(yù)定的頻率定義。還有，通過形成在介質(zhì)基片72的一側(cè)表面上的短路導(dǎo)體72c連接導(dǎo)電體72a和72b。
如上所述的介質(zhì)基片72的導(dǎo)電體72a和導(dǎo)電體72b之間的電氣連接允許從介質(zhì)基片72的厚度方向的中心看時(shí)有垂直的均勻電磁場分布。因此，可以得到穩(wěn)定的振蕩頻率。
其原因是，如果導(dǎo)電體72a和導(dǎo)電體72b不電氣連接的話，會(huì)引起從沿介質(zhì)基片72的厚度方向的中心看時(shí)垂直的電磁場分布不均勻。即，當(dāng)從沿介質(zhì)基片72的厚度方向的中心看時(shí)垂直的電磁場分布不均勻時(shí)，并想要的頻率接近于介質(zhì)基片72上形成的諧振部分的通過區(qū)域，故可能發(fā)生不想要的頻率的振蕩。在這個(gè)修改的例子中，這種不想要的頻率振蕩由短路導(dǎo)體72避免。
另外，用圖11描述第四實(shí)施例的第四修改例子。圖11是和圖8中壓控振蕩器相同部分的截面圖。對于和圖13所示的傳統(tǒng)壓控振蕩器相同的部分以及圖9所示的第四實(shí)施例的第一修改例子的壓控振蕩器相同的部分，給出相同的符號，并且省略了詳細(xì)的描述。
和圖9中的第四實(shí)施例的第一相同例子不同的是，修改例子的壓電振蕩器81介質(zhì)基片82中具有通孔82c和短路導(dǎo)體82d。
如圖11所示，介質(zhì)基片82具有恒定的相對介電常數(shù)，其上形成有導(dǎo)電體82a和82b，導(dǎo)電體82a和82b的兩個(gè)主表面上有開口，其中兩個(gè)主表面上的開口是相對的。介質(zhì)基片82的導(dǎo)電體82a和82b中的開口尺寸根據(jù)預(yù)定的頻率定義。通過開口安排諧振部分。
還有，沿厚度方向穿過的通孔82c形成在介質(zhì)基片82內(nèi)，短路導(dǎo)體82d形成在通孔的內(nèi)圍表面上。介質(zhì)基片82的導(dǎo)電體82a和82b通過短路導(dǎo)體82d電氣連接。
上述的配置允許提供和圖10所示的第四實(shí)施的第二修改例子相同的效果。為了參照，已經(jīng)描述了關(guān)于第四實(shí)施例及其修改的例子，其中使用壓控振蕩器；但是，不限于此，還可以進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)的諧振器配置，例如沒有諧振頻率改變的功能的配置。
在第一、第二、第三和第四實(shí)施例中，使用隔離物，以在介質(zhì)基片和支持部件之間具有恒定的間隔；但是，不限于此。唯一需要的是在上述物體之間具有恒定的距離；因此，其它的安排也是可能的。例如，可以使用大于諸如介電基片和支持部件之類的導(dǎo)電板進(jìn)行配置，以允許適應(yīng)于其中，并將凸出之類的部分安排在內(nèi)壁，以使介質(zhì)基片和支持部件等等保持恒定的距離。唯一的需要是保持它們之間的距離恒定。還有，隔離物的形狀可以是任何的形狀。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，電路元件，諸如諧振器和引線(傳統(tǒng)地是安排在相同的介質(zhì)基片上)分別配置在介質(zhì)基片和支持部件上；按照這種方式，諸如介質(zhì)諧振器和介質(zhì)濾波器之類的整體水平尺寸減小了。
特別地，在根據(jù)權(quán)利要求2、11和18的權(quán)利要求中，使用多個(gè)支持部件分別安排電路元件。這允許進(jìn)一步減小元件的整體水平尺寸。
在本發(fā)明中，根據(jù)權(quán)利要求8和15，在支持基片中還安排了諧振部分，從而支持部件的諧振部分與介質(zhì)基片的諧振部分重疊。在這種情況下，形成在介質(zhì)基片上的諧振部分和形成在支持部件上的諧振部分之間的距離減小，加強(qiáng)了諧振部分之間的耦合。
在本發(fā)明中，根據(jù)權(quán)利要求3、6和13，傳統(tǒng)上形成在所需同一介質(zhì)基片上的輸入/輸出引線形成在獨(dú)立的支持部件上。因此，處于元件安裝狀態(tài)中的水平尺寸可以減小。
在本發(fā)明中，根據(jù)權(quán)利要求10和17，和在同一介質(zhì)基片上形成引線的傳統(tǒng)配置相比，間接耦合的水平尺寸也可以在元件安排狀態(tài)中減小。
在本發(fā)明中，根據(jù)權(quán)利要求19，使用通過在介質(zhì)基片上形成具有開口的導(dǎo)電體進(jìn)行安排的諧振部分，介質(zhì)基片的厚度小于傳統(tǒng)的1、、模式介質(zhì)諧振器的情況。相應(yīng)地，和傳統(tǒng)的諧振器相比，本發(fā)明可以更薄，并且整體更小。另外，由于使用通過在介質(zhì)基片上形成具有開口的導(dǎo)電體進(jìn)行安排的諧振部分，故電磁場的限制性良好，只和安排在開口附近的電極耦合，并不和其它電極耦合。由此，由于其它的電極可以安排在除了開口附近的任何位置，故允許更為自由的布線設(shè)計(jì)。
在本發(fā)明中，根據(jù)權(quán)利要求22，由于介質(zhì)基片的導(dǎo)電體電氣連接到導(dǎo)電板，故可以得到穩(wěn)定的振蕩頻率特性。另外，在本發(fā)明中，根據(jù)權(quán)利要求23，介質(zhì)基片的兩個(gè)主表面中的導(dǎo)電體電氣連接，可以得到振蕩頻率特性。
工業(yè)應(yīng)用性從如上所述可見，根據(jù)本發(fā)明的介質(zhì)諧振器、介質(zhì)濾波器、介質(zhì)雙工器和振蕩器可以被廣泛使用于例如移動(dòng)通信系統(tǒng)終端、各種基站的電子器件等等。
權(quán)利要求
1.一種介質(zhì)諧振器，其特征在于包含介質(zhì)基片，形成在所述介質(zhì)基片的一個(gè)主表面上的第一導(dǎo)電體，形成在所述介質(zhì)基片的另一個(gè)主表面上的第二導(dǎo)電體，形成在所述第一導(dǎo)電體上的第一開口，從而所述介質(zhì)基片暴露于所述第一導(dǎo)電體，形成在第二導(dǎo)電體上的第二開口，從而介質(zhì)基片暴露于第二導(dǎo)電體，第一導(dǎo)電板，所述第一導(dǎo)電板和所述第一導(dǎo)電體分開，以便覆蓋至少所述第一開口，第二導(dǎo)電板，所述第二導(dǎo)電板和所述第二導(dǎo)電體分開，以便覆蓋至少所述第二開口，由所述第一開口和所述第二開口定義的諧振部分，支持部件，所述支持部件沿所述介質(zhì)基片的厚度方向和介質(zhì)基片分開，及形成在支持部件上的電極。
2.如權(quán)利要求1所述的介質(zhì)諧振器，其特征在于為介質(zhì)基片沿其厚度方向安排多個(gè)支持部件。
3.如權(quán)利要求1或2所述的介質(zhì)諧振器，其特征在于通過電極安排引線。
4.如權(quán)利要求1或2所述的介質(zhì)諧振器，其特征在于電極是調(diào)頻電極。
5.一種介質(zhì)濾波器，其特征在于包含介質(zhì)基片，形成在所述介質(zhì)基片的一個(gè)主表面上的第一導(dǎo)電體，形成在所述介質(zhì)基片另一個(gè)主表面上的第二導(dǎo)電體，形成在所述第一導(dǎo)電體上的第一開口，從而介質(zhì)基片暴露于第一導(dǎo)電體，形成在所述第二導(dǎo)電體上的第二開口，從而介質(zhì)基片暴露于第二導(dǎo)電體，第一導(dǎo)電板，所述第一導(dǎo)電板和所述第一導(dǎo)電體分開，以便覆蓋第一開口，第二導(dǎo)電板，所述第二導(dǎo)電板和所述第二導(dǎo)電體分開，以便覆蓋第二開口，由所述第一開口和所述第二開口定義的諧振部分，支持部件，所述支持部件沿介質(zhì)基片的厚度方向與所述介質(zhì)基片分開，及形成在支持部件上的電極。
6.如權(quán)利要求5所述的介質(zhì)濾波器，其特征在于用于進(jìn)行電磁場耦合的輸入/輸出終端電極通過諧振部分處的電極安排。
7.如權(quán)利要求5所述的介質(zhì)濾波器，其特征在于電極是調(diào)頻電極。
8.如權(quán)利要求5所述的介質(zhì)濾波器，其特征在于支持部件是介質(zhì)基片，電極形成在支持部件的兩個(gè)主表面上，開口形成在隔離主表面上的電極上，諧振部分由開口形成。
9.如權(quán)利要求5、6、7或8中的任一條所述的介質(zhì)濾波器，其特征在于存在多個(gè)第一開口和多個(gè)第二開口，從而存在由所述第一開口和第二諧振部分定義的多個(gè)諧振部分。
10.如權(quán)利要求9所述的介質(zhì)濾波器，其特征在于用于通過電磁場耦合多個(gè)諧振部分的耦合電極形成在支持部件上。
11.如權(quán)利要求5、6、7、8或9任一條所述的介質(zhì)濾波器，其特征在于沿相對于介質(zhì)基片的方向安排多個(gè)支持部件。
12.一種介質(zhì)雙工器，其特征在于包含介質(zhì)基片，形成在所述介質(zhì)基片的一個(gè)主表面上的第一導(dǎo)電體，形成在所述介質(zhì)基片的另一個(gè)主表面上的第二導(dǎo)電體，形成在所述第一導(dǎo)電體上的多個(gè)第一開口，形成在所述第二導(dǎo)電體上的多個(gè)第二開口，第一導(dǎo)電板，所述第一導(dǎo)電板和所述第一導(dǎo)電體分開，以便覆蓋至少所述多個(gè)第一開口，第二導(dǎo)電板，所述第二導(dǎo)電板和所述第二導(dǎo)電體分開，以便覆蓋至少所述多個(gè)第二開口，由所述多個(gè)第一開口和所述多個(gè)第二開口定義的多個(gè)諧振部分，由多個(gè)諧振部分組成的第一組諧振部分構(gòu)成的第一濾波器，由不同于第一組諧振部分的多個(gè)諧振部分組成的第二組諧振部分構(gòu)成的第二濾波器，沿介質(zhì)基片的厚度方向和介質(zhì)基片分開的支持部件，及形成在支持部件上的電極。
13.如權(quán)利要求12所述的介質(zhì)雙工器，其特征在于包含由電極構(gòu)成的第一輸入/輸出終端電極，它通過電磁場耦合到第一組諧振部分中的至少一個(gè)，由電極構(gòu)成的第二輸入/輸出終端電極，它通過電磁場耦合到第二組諧振部分中的至少一個(gè)，由電極構(gòu)成的第三輸入/輸出終端電極，它通過電磁場耦合到第二組諧振部分中的至少一個(gè)。
14.如權(quán)利要求12或13所述的介質(zhì)雙工器，其特征在于電極是調(diào)頻電極。
15.如權(quán)利要求12所述的介質(zhì)雙工器，其特征在于支持部件是介質(zhì)基片，電極形成在支持部件的兩個(gè)主表面上，開口形成在兩個(gè)主表面上的電極上，諧振部分由開口形成。
16.如權(quán)利要求12、13、14或15的任一條所述的介質(zhì)雙工器，其特征在于存在多個(gè)第一開口和多個(gè)第二開口，從而存在由第一開口和第二諧振部分定義的多個(gè)諧振部分。
17.如權(quán)利要求15或16所述的介質(zhì)雙工器，其特征在于在支持部件上形成通過電磁場耦合多個(gè)諧振部分的耦合電極。
18.如權(quán)利要求12、13、14、15、16或17的任一條所述的介質(zhì)雙工器，其特征在于沿介質(zhì)基片的方向安排多個(gè)支持部件。
19.一種振蕩器，其特征在于包含介質(zhì)基片，形成在所述介質(zhì)基片的一個(gè)主表面上的第一導(dǎo)電體，形成在所述介質(zhì)基片的另一個(gè)主表面上的第二導(dǎo)電體，形成在所述第一導(dǎo)電體上的第一開口，形成在所述第二導(dǎo)電體上的第二開口，和所述第一導(dǎo)電體分開，以便覆蓋至少所述第一開口的第一導(dǎo)電板，和所述第二導(dǎo)電體分開，以便覆蓋至少所述第二開口的第二導(dǎo)電板，由所述第一開口和所述第二開口定義的諧振部分，沿所述介質(zhì)基片的厚度方向與其分開的支持部件，形成在支持部件上，并通過進(jìn)行至諧振部分的電磁場耦合來構(gòu)成諧振電路的主線，及連接到諧振電路的負(fù)電阻電路。
20.如權(quán)利要求19所述的振蕩器，其特征在于諧振電路包含振蕩頻率可變電路。
21.如權(quán)利要求20所述的振蕩器，其特征在于振蕩頻率可變電路由電壓控制。
22.如權(quán)利要求19、20或21中的任一條所述的振蕩器，其特征在于介質(zhì)基片的第一導(dǎo)電體和第二導(dǎo)電體中的至少一個(gè)連接到第一導(dǎo)電板或第二導(dǎo)電板。
23.如權(quán)利要求19、20、21或22任一條所述的振蕩器，其特征在于連接了介質(zhì)基片的第一導(dǎo)電體和第二導(dǎo)電體。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種介質(zhì)諧振器,它可以減小尺寸,并容易地調(diào)節(jié)諧振部分和安排在諧振部分附近的電極之間的耦合。具有開口的導(dǎo)電體(2a和2b)形成在介質(zhì)基片(2)的兩個(gè)主表面上,從而開口可以相對。電極(5)和(6)分別形成在支持部件(3a和3b)的一個(gè)主表面上。支持部件(3a和3b)如此安排,從而其間具有隔離物(9),支持部件(3a和3b)可以沿基片(2)的厚度方向以預(yù)定的間隔與(2)面對。第一和第二導(dǎo)電極(4a和4b)與基片(2)和支持部件(3a和3b)分開預(yù)定的距離。介質(zhì)基片(2)在導(dǎo)電體(2a和2b)的相對的開口之間的部分用作諧振部分。
文檔編號H01P7/10GK1240538SQ97180610
公開日2000年1月5日 申請日期1997年12月5日 優(yōu)先權(quán)日1996年12月12日
發(fā)明者梶川武久, 坂本孝一, 山下貞夫 申請人:株式會(huì)社村田制作所