專利名稱：：使用底層涂料的材料沉積方法及裝置的制作方法
背景技術：
：1、本發(fā)明的領域本發(fā)明涉及在襯底上沉積復合(化合物)材料的高質(zhì)量膜的方法，及實施這種方法的轉(zhuǎn)置。更具體地，本發(fā)明涉及通過對圓片施加液體前體、然后使施加的液體干燥以形成一種集成電路元件的集成電路的制造。2、相關技術的說明用于沉積復合化合物如鐵電體及在集成電路中作高介電常數(shù)應用的金屬氧化物之薄膜的現(xiàn)有技術方法包括真空蒸發(fā)(即，電子束、激光燒蝕等)；真空濺射(即，電子束、D.C.，R.F.，離子束等)；粉末治金；反應化學汽相沉積，包括金屬有機物化學汽相沉積(MOCVD)；及使用溶膠-凝膠(醇鹽)或羧化物的液體應用方法。但是，這些公知方法中無一種能夠產(chǎn)生出用于集成電路上的具有足夠好特性的金屬氧化物。例如，對于鐵電體應用所產(chǎn)生的金屬氧化物均很快的疲勞及對于高介電常數(shù)應用所產(chǎn)生的金屬氧化物均具有過大的漏電流。此外，現(xiàn)有技術方法除濺射外無一種能產(chǎn)生用于集成電路的足夠薄的膜，及所產(chǎn)生的膜具有顯著的物理缺陷，如開裂，剝落等。利用現(xiàn)有技術的方法，尤其是濺射不可能可靠且重復地生產(chǎn)具有在集成電路所需容差內(nèi)特定化學計量成分的金屬氧化物。某些方法，如CVD可能有危險或有毒。所有方法都需要高溫度，這會破壞集成電路并對要覆蓋的襯底提供了差的“臺階覆蓋(stepcoverage)”；這即為，現(xiàn)有技術導致在襯底上任何間斷處的邊界上形成相當多的沉積聚集。在現(xiàn)有技術的液體沉積方法中，不可能以集成電路制造所需的精確度來控制厚度。其結(jié)果是，直至現(xiàn)今，除去一或二種特殊的相對昂貴的應用外金屬氧化物還未用于集成電路中，這些昂貴的應用例如為在鐵電體集成電路中濺射的PZT的使用，但預期它具有短的工作壽命。近來，一些美國發(fā)明人描述了生產(chǎn)用于集成電路應用的薄膜的一種霧化沉積方法及裝置，見美國專利NO,5456,945，頒布日為1995年10月10日。雖然其中所述的方法在約1000?；蚋〉谋∧し矫嫦鄬ΜF(xiàn)有技術方法提供了大的改善，但在臺階覆蓋及膜質(zhì)量方面產(chǎn)生了嚴重問題。因為愈薄的膜允許得到愈緊湊的集成電路，因而非常期待能具有生產(chǎn)用于集成電路及其它應用的厚度小于1000埃的復合化合物如金屬氧化物的高質(zhì)量薄膜的方法及裝置。發(fā)明概述本發(fā)明通過在US專利NO.5,456,945中所描方法中結(jié)合進底層涂料沉積步驟克服了與公知方法相關的許多問題和缺點。該底層涂料在沉積前體之前或與其同時地施加。在該裝置中結(jié)合了一個底層涂料霧發(fā)生器。本發(fā)明提供一種制造集成電路的方法，該方法包括以下步驟(a)提供一種液體底層涂料；(b)提供一種液體前體；(c)將襯底放置到封閉的沉積室內(nèi)；(d)產(chǎn)生液體底層涂料的底層涂料霧；(e)使底層涂料霧流過沉積室以在襯底上形成底層涂料液體層；(f)產(chǎn)生液體前體的前體霧；(g)使前體霧流過沉積室中以在襯底上形成前體液體層；(h)對沉積在襯底上的各液體層進行處理以形成固體材料膜；及(i)完成集成電路的制造，以使該集成電路的元件中至少包含固體材料膜的一部分。最好，該液體底層涂料包括從下列組中選出的一種涂料溶劑2甲氧基乙醇、二甲苯類、n-乙酸丁酯。六甲基-二硅氧烷(HMDS)底層涂料也被證實是可使用的。最好，前體包括在一種前體溶劑中的金屬化合物，該金屬化合物是從下列組中選出的金屬醇鹽及金屬羧酸鹽，以及金屬烷氧基羧酸鹽。最好前體熔劑是與涂料溶劑相同的。最好，在各霧流入沉積室中的步驟進行時將襯底保持在環(huán)境溫度上，并在沉積室中保持真空。最好，使底層涂料霧流入沉積室的步驟及使前體霧流入沉積室的步驟是同時進行的。最好，其真空在約100乇和800乇之間。最好，該方法還包括在流入步驟以前過濾底層涂料霧的步驟。最好，流入步驟包括底層涂料霧在緊靠及圍繞襯底一側(cè)的處射入到沉積室中并在緊靠及圍繞襯底相對側(cè)的周邊的區(qū)域上使底層涂料霧從沉淀室排出，以形成在襯底上的實質(zhì)地均勻分布的底層涂料霧流。最好，該方法包括在沉積室外部混合多種不同底層涂料霧以形成一種底層涂料霧混合物并被流入到沉積室中的附加步驟。最好，該方法還包括當霧流過沉積室時對底層涂料霧及前體霧之一施加紫外線照射的附加步驟。最好，處理步驟包括對沉積在襯底上的底層涂料層及前體層之一施加紫外線照射。最好，產(chǎn)生底層涂料霧的步驟包括使一定量的液體底層涂料超聲地振動以形成底層涂料霧。最好，超聲地振動的步驟包括通過控制超聲波振動的頻率及幅度之一來調(diào)整底層涂料霧的顆粒尺寸。最好產(chǎn)生前體霧的步驟包括使一定量的液體前體超聲地振動以形成前體霧，該超聲地振動的步驟包括通過控制超聲波振動的頻率及幅度之一來調(diào)節(jié)前體霧的顆粒尺寸。最好，處理的步驟包括使沉積在襯底上的層干燥、加熱及退火的一組步驟中的一個或多個步驟。最好，處理步驟包括使沉積在襯底上的液體底層涂料及液體前體層干燥。最好，干燥的步驟包括在沉積室中保持低于大氣壓的壓力。另一方面，本發(fā)明提供了一種制造集成電路的方法，該方法包括以下步驟(a)提供一種液體底層涂料；(b)提供一種液體前體；(c)將一襯底放置到封閉的沉積室內(nèi)；(d)產(chǎn)生液體底層涂料的底層涂料霧；(f)產(chǎn)生液體前體的前體霧；(e)使各霧流入沉積室以在襯底上形成底層涂料及前體的液體混合物；(h)對沉積在襯底上的液體混合物進行處理以形成一固體材料膜；及(i)完成集成電路的制造，以使集成電路的元件中至少包含所述固體材料膜的一部分。又一方面，本發(fā)明提供了一種用于制造集成電路的裝置，該裝置包括(a)沉積室；(b)位于沉積室中的襯底保持器；(c)用于產(chǎn)生液體底層涂料霧的裝置；(d)用于產(chǎn)生液體前體霧的裝置；(e)用于使底層涂料霧及前體霧流入沉積室以便在襯底上形成液體層的裝置，該液體層包括底層涂料液體及前體液體；及(h)用于處理沉積在襯底上的液體層以在襯底上形成固體材料膜的裝置。在沉積金屬氧化物前使用底層涂料可產(chǎn)生出顯示更好表面形態(tài)的金屬氧化物膜及具有低漏電流的電介質(zhì)?？梢灾圃斐鲑|(zhì)量極佳的復合化合物薄膜，其厚度是用現(xiàn)有技術方法及裝置所能制造的最薄高質(zhì)量膜之厚度的一半或甚至為三分之一。從以下結(jié)合附圖的詳細說明中將使本發(fā)明的另外目的優(yōu)點及特征變得更加顯明。附圖的簡要說明圖1是根據(jù)本發(fā)明的霧化沉積系統(tǒng)的沉積室部分的剖割側(cè)視圖；圖2是圖1中系統(tǒng)的輸入及排出噴嘴組件的一個平面圖；圖3是圖1及2的系統(tǒng)的輸入噴嘴的放大平面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的霧化沉積系統(tǒng)的霧發(fā)生器的概要側(cè)視圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的緩沖室及相關入口及出口部分的概要平面圖6是表示根據(jù)本發(fā)明的集成電路制造方法的流程圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明的霧化沉積系統(tǒng)的優(yōu)選實施例的頂視圖；圖8和9表示兩個不同位置的擋極組件及襯底，用于說明擋板及襯底之間的可調(diào)節(jié)關系；圖10是表示在根據(jù)本發(fā)明的沉積室內(nèi)放置紫外線照射源的一個透視圖；圖11表示使用本發(fā)明方法及裝置制成的集成電路圓片一部分的一橫截面?zhèn)纫晥D；圖12是對于使用及不使用底層涂料制造的各BST膜比較其BST薄膜的膜厚度、介電常數(shù)、及用各BST膜制造的電容器的漏電流的座標圖；圖13是使用底層涂料制造的BST電容器的一橫截面的電子顯微照片圖；及圖14是未使用底層涂料制造的BST電容器的一橫截面的電子顯微照片圖。優(yōu)選實施例的說明1、綜述根據(jù)本發(fā)明的方法的優(yōu)選實施例之流程圖表示在圖6中，并且用該方法制造的該集成電路的一部分被示出在圖11中。在步驟P1上，提供一個襯底5。在本技術中，術語“襯底”表示兩種意思，在通常意義上它可以是任何一個或多個材料層5，其上沉積一利益(interest)層1130，及在專門意義上它是指硅片1122，在其上形成集成電路1110。除非文中另有所指，詞“襯底”在這里將指在其上使用本發(fā)明的方法和裝置沉積一層材料的任何物體。在步驟P1中所設的襯底最好包括P型硅片1122。在步驟P2上，制作出初始集成電路層1124，1126及1128以形成一襯底5，在其上沉積金屬氧化物層1130。首先，濕式地生長約5000埃的二氧化硅絕緣層1124。典型地，該SiO2層被蝕刻以形成所需形狀，一旦沉積了適當?shù)拟亴?126、鉑層1128、介電層1130及鉑層1132時便產(chǎn)生出一個給定的集成電路器件1112。底電極1127包括最好通過原位濺射而沉積在二氧化硅1124上的鈦金屬薄層1126，及最好通過原位濺射而沉積在鈦1126上的2000埃厚度的鉑電極。“原位”意為鈦和鉑兩者被濺射時沒有破壞真空。鈦層1126是任選的。在使用時，它擴散到二氧化硅及鉑中并有助于鉑1128粘附在二氧化硅1124上。然后使用以下將討論的本發(fā)明方法及裝置沉積一個材料層1130，例如為PZT或BST。另外一個2000埃的鉑層沉積在層1130上。接著該片1110被退火，并用光掩模處理形成圖樣，再蝕刻至電極層1128以便生產(chǎn)出電容集成電路器件1112，它們中的一個以截面圖表示在圖11上，通過將試驗裝置的一根導線與鉑電極層1128相連接及將與該測試裝置的另一根導線相連接的一個細探頭與另一電極層1132相接觸，對該器件進行了測試。在步驟P6上制備出一種底層涂料。在該優(yōu)選實施例中，該步驟包括提供一定量的單溶劑，例如2甲氧基乙醇、二甲苯類、n-乙酸丁酯、或六甲基一二硅氧烷(HMDS)，但它也可包括組合幾種溶劑的步驟，例如組合上述四種溶劑中的二種或多種。這種優(yōu)選溶劑，不管是單溶劑或溶劑的組合均為前體的最后溶劑，也就是說，在步驟P22中施加的前體的溶劑將在下面被描述?？杀皇褂脼榈讓油苛系哪承┤軇┻B同它們的沸點包括醇類，例如1-丁醇(117℃)，1-戊醇(117℃)，2-戊醇(119℃)，1-己醇(157℃)，2-己醇(136℃)，3-己醇(135℃)，2-乙基-1-丁醇(146℃)，2-甲氧基乙醇(124℃)，2-乙氧基乙醇(135℃)及2-甲基-1-戊醇(148℃)；酮類，如2-己酮(甲基、丁基(甲)酮)(127℃)，4-甲基一2-戊酮(甲基·異丁基(甲)酮)(118℃)，3-庚酮(丁基·乙基(乙)烯酮)(123℃)，及環(huán)己酮(156℃)；酯類，如乙酸丁酯(127℃)，2-醋酸甲氧基乙酯(145℃)及2-醋酸乙氧基乙酯(156℃)；醚類，如2-甲氧基乙基醚(162℃)及2-乙氧基乙醚(190℃)；及芳香烴類，如二甲苯(138℃-143℃)，甲苯(111℃)，乙苯(136℃)及六甲基一二硅氧烷(HMDS)(125℃)。在步驟P8上，將底層涂料施加在襯底5上。在該優(yōu)選實施例中，如以下詳細描述的，該底層涂料被霧化，用網(wǎng)篩過濾器310過篩及在一沉積室2中被施加在襯底5上。這里用的術語“霧”是定義為由氣體攜帶的液體微粒。該術語“霧”包括一種浮質(zhì)，它通常定義為固體或液體顆粒在氣體中的膠態(tài)懸浮。術語“霧”也包括蒸氣、霧翳以及在氣體中前體溶劑的另外噴霧懸浮。因為上述各詞取自于通用詞的用法。其定義不一定精確、有重合，并由不同的著者會有不同的使用。這里，術語“浮質(zhì)”試圖包括在“浮質(zhì)科學和技術”文中所包含的所有懸浮體，該文由ParkerC.Reist著寫，McGraw-Hill公司，紐約，1983年出版，在這里它被結(jié)合作為參考。這里所用的術語“霧”試圖廣于術語“浮質(zhì)”的含義，且包括在術語浮質(zhì)、蒸汽、霧翳下未包括的懸浮體。當?shù)讓油苛响F流入并通過沉積室2中時或當它施加到襯底5上后，對底層涂料霧施以紫外線(UV)輻射，分別如虛線P11和P12所示。但是在該優(yōu)選實施例中，這兩步驟P11和P12被跳過。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在沉積前體前使用底層涂料可產(chǎn)生出比不使用底層涂料步驟P8具有更好表面形態(tài)及更低的漏電流的膜。在步驟P20上制備一種前體液體。該前體最好是如1996年5月7日頒布的美國專利序列號NO.5,514,822中描述的金屬烷氧基羧酸鹽，它的一個詳細例子給出在下文中。在步驟P20中制備的前體通常是大量制備的并存儲到需要時為止。在施加前體的緊前面，將進行溶劑交換步驟、濃度調(diào)節(jié)步驟或這兩步驟，以提供用于施加的最佳前體。溶劑交換步驟詳細地描述在美國專利申請序列號NO.08/165,082中。最后的前體溶液最好用作為跟在施加底層涂料后的整個沉積工序的唯一源。但是，本發(fā)明也考慮并列地或串聯(lián)地使用多個前體源。特別是，也可并聯(lián)使用另外的源用于對最后所需化合物進行摻雜或改變。本發(fā)明中所使用的前體液體是穩(wěn)定的溶液。這里“穩(wěn)定”意味著所需最后化學化合物的關鍵的氧一金屬鍵是在前體形成工序中形成的，并在這樣形成后就是穩(wěn)定的。這有兩方面，第一方面，當在適度長的周期上存儲時溶液不反應或變質(zhì)；第二方面，在形成前體時形成的鍵在整個沉積工序中保持穩(wěn)定及至少形成最終所需化學化合物中的部分鍵。這就是，在前體中的金屬-氧鍵保持穩(wěn)定并通過沉積工序以形成最終所需金屬-氧化合物的金屬-氧鍵。根據(jù)本發(fā)明的方法，前體液體篩濾過的霧在環(huán)境溫度下均勻地流進并流到襯底5上。這里環(huán)境溫度是指周圍環(huán)境的溫度。這就是，除來自環(huán)境的熱外沒有附加的熱施加給襯底。當施加UV射線時，環(huán)境溫度將比室溫度高一些，而當不施加UV射線但施以真空來處理襯底時，環(huán)境溫度將比室溫低一些。基于上述情況，通常環(huán)境溫度可在約-50℃和100℃之間。最好環(huán)境溫度在約15℃和40℃之間。如下面將要描述的，流入工序的關鍵方面是霧通過多個輸入口流經(jīng)襯底5并通過多個排出口從襯底5上方的區(qū)域排出，并且這些口分布在緊靠或圍繞襯底5的周邊，以便產(chǎn)生流經(jīng)襯底5的基本均勻分布的霧流。在沉積期間、以后或沉積期間及以后，前體液體被處理以形成襯底5上的固體材料的薄膜。在該文中，“處理”意味著以下任一種或其組合曝露在真空中，紫外線照射，電成極，干燥，加熱及退火。在該優(yōu)選實施例中，在步驟P24上在沉積期間對前體溶液施加UV照射。最好也在步驟P28上的沉積以后施加紫外線照射。在沉積后；在該優(yōu)選實施例中為液體的沉積在襯底5上的材料最好也曝露于真空中一定時間，然后被加熱并接著被退火。UV處理工序的化學原理還未完全了解。但確信，UV有助于金屬氧化物顆?；蚱渌ㄋ枳詈蠡瘜W化合物的元素從溶劑及有機物或前體化合物的另外碎塊中離解出來。許多合成薄膜如鐵電體膜的一個重要參數(shù)是要求它們非常地薄(例如在200埃至5000埃的范圍中)。通過根據(jù)本發(fā)明的方法及裝置能夠容易地獲得這種膜厚度。如果需要的話，本發(fā)明也能用來產(chǎn)生厚得多的膜。本發(fā)明尤其適于沉積化合物的高質(zhì)量薄膜，如鐵電體、超導體、具有高介電常數(shù)的材料以及寶石等的薄膜。例如本發(fā)明可用于沉積具有ABO3的通用成分、包括PbT1O3，PbxZryTiO3，PbxLayZrzTiO3及YMnO3的鐵電體材料的薄膜，其中Y代表任何稀土元素。此外本發(fā)明也可用于沉積鈦酸鋇鍶[(Ba，Sr)TiO3]、鈦酸鍶(SrTiO3)及另外多元素化合物的薄膜，例如在1996年5月21日頒布的美國專利NO.5,519,234中的所描述的。2、沉積裝置如圖1中所示，它表示根據(jù)本發(fā)明一個示范實施例的薄膜沉積裝置，該裝置總地以標號1表示。裝置1包括一個沉積室2，它包含襯底保持器4、擋板6、輸入噴嘴組件8、排出噴嘴組件10及一個紫外線照射源16。該沉積室2包括一個主體12，一個可固定在主體12上以限定沉積室2中封閉空間的蓋14。該室與以下要描述的多個外部真空源相連接。蓋14使用以18表示的鉸鏈與主體12形成樞軸地連接。在操作時，霧及惰性載體氣體通過管45在方向43上輸入，并通過輸入噴嘴組件8，從那里霧將沉積到襯底5上。超量的霧及載體氣氣體經(jīng)過排出噴嘴10被從沉積室2抽出。襯底保持器4由兩個導電材料作的圓形極板3，3’組成，例如是不銹鋼作的，通過一個電絕緣材料7如“delrin”使頂極板3與底極板(場極板)3’相絕緣。在一個示范實施例中，使用5英寸直徑的襯底5，襯底保持器4通常為6英寸直徑并支承在一旋轉(zhuǎn)軸20上，旋轉(zhuǎn)軸20再與電動機18相連接，以使得在沉積工序期間保持器4與襯底5能夠轉(zhuǎn)動。絕緣軸22使支承其上的襯底保持器4及襯底5與施加到沉積室主體12上的DC電壓電絕緣，由此可在襯底保持器4及擋板6之間(通過室主體12)形成一個DC偏置。該DC偏置例如可用于當薄膜正在沉積到襯底5上時使薄膜電場極化。絕緣軸22通過聯(lián)軸器21與軸20及軸20’相連接。電源102在工作中由導線106連接到沉積室2的主體12上的連接點108，及通過穿管23用導線104連接到黃銅套環(huán)25上，以在電場極板3’及擋板6之間產(chǎn)生DC偏壓。擋板6由導電材料如不銹銅作成，并具有足夠大尺寸，以便基本上平行地延伸在襯底5的上方，使得通過輸入管26及噴嘴組件8射出的蒸氣源或霧被強制地在擋板6及襯底保持器4之間流到襯底5上。擋板6最好具有與襯底5相同的直徑。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，如果在平行于襯底的平面中擋板6的面積相對襯底5的面積變化10％或更小可獲得最佳效果。這就是，擋板6的面積比襯底5的面積大至多10％或是比襯底5的面積小至多10％。如圖1所示擋板6最好通過多個桿24與蓋14相連接，以使得蓋打開時板6將從襯底5移開。圖8及9表示位于距襯底保持器4各種距離上的隔板6。通常每個桿24是連接在沉積室蓋14上的不銹鋼桿。每個桿24被鉆孔以便接納一螺桿35(圖1)，利用該螺桿將桿24連接到擋板6。每個桿24開有邊孔以接納調(diào)節(jié)螺絲36，它將螺桿35固定在桿24上。通過松開調(diào)節(jié)螺絲36，重新相對螺桿35定位桿24，然后重緊上調(diào)節(jié)螺絲36，可使每個桿的有效長度調(diào)節(jié)至多1/2英寸，而不需要使桿24從室蓋14上拆下。每個桿24是可拆的，這允許多組不同長度L、L’等的桿相替換，以便根據(jù)源材料、流速等粗調(diào)檔板6及襯底保持器4(及襯底5)之間的相應距離S，S’等。例如，桿長度L可被調(diào)節(jié)以便提供在0.10-2.00英寸范圍內(nèi)的距離S。一旦就位后，桿24也可如上所述地調(diào)節(jié)。因此，桿24、螺桿35及調(diào)節(jié)螺絲36組成用于調(diào)節(jié)檔板6的調(diào)節(jié)裝置。當如以下制備的鈦酸鋇鍶前體液體被沉積時，襯底5和擋板6之間的距離最好約在0.35英寸和0.4英寸之間。最好擋板6具有的平滑度公差至多為擋板6與襯底5之間距離的5％。這就是，在任何給定點上襯底5和擋板6之間的距離與任何另外點上襯底5和擋板6間的距離的差別為襯底5和擋板6之間平均距離的5％或更小。例如，如果襯底5和擋板6之間的平均距離為0.38英寸，在襯底上不會有距擋板大于0.40英寸或距擋板小于0.36英寸的點。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在上述公差范圍中的擋板，即擋板具有的面積接近與襯底面積相同及其平滑度為5％或更小時，可提供比上述公差外的擋板情況下更好的厚度均勻性及更高的沉積速率。圖7是本發(fā)明一示范實施例裝置的頂視圖。如圖7中所示，一個0-1000乇的溫度補償電容式壓力計710監(jiān)視著沉積室2中的壓力，及它的信號用于控制一個下游控制值(未示出)以保持沉積室2中的精確壓力。沉積室2被抽吸到低于5.0×10-6乇以下的高真空是當閥713打開時完成的。沉積室2的高真空度抽吸被用于促進在沉積操作前從室壁上并從位于室內(nèi)的襯底5上吸出潮氣。在沉積操作期間沉積室被真空抽到約100到800乇之間的壓力上。沉積室排放系統(tǒng)包括通過閥726與處理室2相連接的液體氮冷卻彎管709。從沉積室2到一個外部室(未示出)的接通是通過一空氣操作的槽閥703提供的。沉積室2在沉積操作期間可通過觀察口718來觀察。對前體液體設有質(zhì)流控制器708及VCR閥725-3，以便通過對惰性氣體流如從源736到霧發(fā)生器46-1的氬氣流的調(diào)節(jié)來控制通過緩沖室42進入沉積室2的前體沉積速率。附加的質(zhì)流控制器748及閥725-4與霧發(fā)生器46-2相連接，后者通過VCR閥725-5與緩沖室42相連接，以便通過對惰性氣體流如從源736到霧發(fā)生器46-2的氬氣流的調(diào)節(jié)來控制通過緩沖室42進入沉積室2的底層涂料的沉積速率。一個單獨的質(zhì)流控制器758用來將來自于源738的氧氣和/或另外的惰性氣體或處理作用氣體通過VCR閥725-7導入到緩沖室42中。對于輸入噴嘴組件8和排出噴嘴組件10將參照圖2作更具體地說明。輸入噴嘴組件8包括一個輸入管26，它從如下面參照圖5所討論的緩沖室42接收霧狀溶液。輸入管26與弧形管28相連接，后者具有多個小孔或輸入口31，用于接收可拆卸的螺絲30及可拆卸的輸入噴嘴33，各噴嘴沿管28的內(nèi)圓周以中心對中心相隔1/4英寸地布置。圖3中表示一個輸入噴嘴33的平面圖。它包括具有一加大的中空螺絲頭301的螺絲33，螺絲頭301具有一邊緣303及中空的螺絲莖39(圖2)，以及一網(wǎng)孔過濾器310。最好在頭301與莖39連接之前將網(wǎng)孔過濾器310摩擦地固定在螺絲頭301的內(nèi)部，但也可以釬焊在邊緣303的外表面上。最好所有噴嘴部分33包括網(wǎng)孔過濾器310均由不銹鋼制作。網(wǎng)孔過濾器310最好是由網(wǎng)絲之間具有約一平方微米間隙315的不銹鋼織網(wǎng)過濾器。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在其它方面相同時，使用該網(wǎng)孔過濾器使沉積速率會有些降低，但通過增加口31數(shù)目和/或該口的尺寸易于克服它。相信該過濾器使霧成直線，因此到襯底上的霧流更均勻且很少擾動，故在霧流中很少出現(xiàn)會引起非均勻性的反?，F(xiàn)象。排放噴嘴組件10包括一弧形排放管29，它具有多個小孔或帶可拆卸螺絲30的排放口31’。排放噴嘴組件10的結(jié)構基本與輸入噴嘴8組件的結(jié)構相同，所不同的是它未包括輸入噴嘴33及具有一個導入真空/排放源(未示出)的管34。管28及29的端帽32可以拆卸以便清洗。輸入噴嘴組件8的弧形管28及排放噴嘴組件10的相應弧形管29各圍繞著襯底保持器4的兩對立配置的圓周部分4-1，4-2。在其中將沉積BST膜的一個示范實施例中，管28和29中孔31，31′的中心被標定地位于襯底保持器4上方0.375英寸。但是，如圖8和9所示，該距離可調(diào)節(jié)以適合具體的沉積工序。每個管28，29通常由1/4″O、D不銹鋼制成，其內(nèi)徑約為3/16″。每個管28、29的內(nèi)壁最好被電拋光。管28、29中的孔31，31′中心對中心分別距離1/4″，并被攻絲以接納4-40(1/8″)的插頭式螺絲。通過該結(jié)構，并通過選擇地將噴嘴33插入到弧形管28的螺絲30的位置上來調(diào)節(jié)噴嘴33的位置，及通過選擇地拆下弧形管29中的螺絲30來調(diào)節(jié)開通的排放孔31′的位置，對于襯底5上方的蒸氣的溶液或霧流可以很好地在其各種溶液及流速等方面進行控制，以獲得襯底5上薄膜的均勻沉積。參照圖1和2，襯底保持器4、擋扳6、輸入噴嘴組件8及排放噴嘴組件10共同協(xié)調(diào)工作并確定出一個相對小的半封閉沉積區(qū)域17，該區(qū)域圍繞著襯底5的上部/曝露的表面，在整個沉積工序中蒸氣的溶液被基本包含在該區(qū)域內(nèi)。雖然已經(jīng)描述及圖解了襯底保持器4、擋板6、輸入噴嘴組件8及輸出噴嘴組件10的示范實施例但可以理解，在本發(fā)明的范圍內(nèi)這些結(jié)構的各種變型均可被使用。例如，弧形輸入及排出管28和29可被另外結(jié)構的管如V形和U形管代替，或可簡單地被多個單獨的噴嘴及單獨的排出口代替。圖5表示根據(jù)本發(fā)明的支管組件的40的橫截面圖。該支管組件40用于向輸入噴嘴組件8提供蒸氣的溶液(霧或浮質(zhì))并通常包括一個緩沖室42；多個入口44，它們通過各閥725-2，725-5，725-7連接到相應的霧發(fā)生器；一沉積閥725-1，用于調(diào)節(jié)從緩沖室42到噴嘴組件8的霧流；及一個排氣閥725-6。本發(fā)明的一個特征是，來自閥725-2，725-5和725-7的入口44與到沉積閥725-1的出口49成90度。緩沖室42足夠地大，以使得霧平均在室中要花約1至5分鐘、最好為約2.5分鐘。該時間范圍及入口44和出口49之間的90度允許使會引起膜表面形態(tài)問題的任何大霧滴。即大于2微米的霧滴沉淀出來。當在同時使用不止一種霧時，例如當共同導入底層涂料及前體時(見下文)，它能使各霧相混合直至它們形成一個單一的均勻的霧。在該優(yōu)選實施例中，緩沖室42最好是內(nèi)徑為3英寸(圖5垂直方向)及長約4英寸(圖5水平方向)的一圓柱體并由不銹鋼作成。在使用中，利用一個或多個霧發(fā)生器46-*來產(chǎn)生一種或多種不同的霧，然后它們通過閥725-*及入口44流入緩沖室42。流入緩沖室42的各霧被混合成一單一的均勻的霧化的溶液，它接著以適當?shù)牧魉偻ㄟ^閥725-1及輸入管26流入沉積室2。閥725-1可選擇為關斷，以便在需要時使沉積室2抽氣或必要時清洗及凈化支管系統(tǒng)。類似地，排出閥725-6的出口連接到真空源(未示出)，以便當必要使一個或多個霧發(fā)生器46排放/清除時，能關斷閥725-1，閥725-6及一個或多個閥725-*可開通，及可通過泵(未示出)提供一真空或使用標準負壓抽吸型排出口抽吸緩沖室42以清洗及凈化霧發(fā)生器46及緩沖室42。將穩(wěn)定的前體溶液用超聲波攪拌以使溶液霧化或形成噴霧，以便在它們導入沉積室2前產(chǎn)生一種穩(wěn)定前體溶液的霧。圖4表示在本發(fā)明中使用的霧產(chǎn)生裝置的一個示范實施便的概要側(cè)視圖。霧發(fā)生器46包括一個封閉容器54，液密地及真空密封地裝在容器54的底部中的一個TDKTU-26B或等效的超聲波發(fā)送器56，及一個電源72，其頻率及幅值是可調(diào)的。容器54是一種改型的沒有內(nèi)部過濾器支架的微孔片罩T形管(MilliporeWaferguardT-Line)氣體過濾器單元(產(chǎn)品目錄號No.YY5000500)，由箭頭420所指的氣體流的方向與過濾器常規(guī)操作時使用的方向相反。發(fā)送器56被安裝在霧發(fā)生器46底部的一槽孔中。霧發(fā)生器46還包括一入口60及一出口62用于使載體氣體通過容器54。電源72包括一個頻率控制裝置，即可被轉(zhuǎn)動以調(diào)節(jié)發(fā)送器56的頻率的頻率控制撥盤73及一個幅度控制裝置75，即可被轉(zhuǎn)動以調(diào)節(jié)發(fā)送器56輸出的幅度的幅度控制拔盤75。通過調(diào)節(jié)發(fā)送器的頻率和幅度，可控制霧的顆粒尺寸。調(diào)節(jié)顆粒尺寸就能使人調(diào)節(jié)表面形態(tài)、臺階覆蓋及沉積工序的沉積速率。在操作前將預定量的前體液體64導入到容器54中。在操作期間，發(fā)送器56被電啟動以產(chǎn)生前體液體的霧66，及通過口60將惰性載體氣體通入霧60，在那里載體氣體變潮濕或被霧飽和，然后該潮濕的載體氣體從出口62流入到支管組件40。載體氣體通常為情性氣體如氬、氦或氮，但在適當條件下也可包括反應氣體。圖4中所示的霧發(fā)生器46特別有利，因為它產(chǎn)生能有效地流入或射入沉積室2的蒸氣的溶液，而不會有困難如結(jié)冰。圖10是表示在沉積室2中放置紫外線照射源16的透視圖。本發(fā)明方法的光增強是通過在沉積工序期間及其后通過提供UV(紫外)光來實現(xiàn)的，該UV照射被認為可促進從前體中離解溶劑和有機物，由此加速干燥過程。此外，在沉積工序前使用UV照射可促使從沉積室2及從襯底5中除去(吸收)潮濕。紫外光源16在沉積室中的位置是不嚴格的，因為事實上紫外射線被沉積室2的不銹鋼壁反射到輸入噴嘴8與排出噴嘴10之間的空間中，并也反射到襯底5上，在這里其照射可提供上述光增強效應。UV源16包括至少一個位于沉積室2中的UV燈，用于在其中施加一種紫外線浴?？墒褂玫墓庾V源包括紫外線燈及激發(fā)物激光器。在每種情況下，由UV源16施加的射線浴可被調(diào)節(jié)以便優(yōu)化從溶劑及有機物或另外碎塊中離解出所需化學化合物。當在第一種情況下，由激光物激光器發(fā)射的射線在頻譜上受到調(diào)節(jié)，以便與在沉積工序期間離解或分裂溶劑鍵，前體化學化合物鍵和/或任何在此期間形成的中間有機復合鍵所需的能量相適應，該沉積工序在給定前體液體中保持所需化合物。另一方式是，如果UV源16是一個UV燈(或多個燈)，則通過以具有更理想頻譜的另一個(或一組)UV燈來更換這一個(或這一組)UV燈來完成“調(diào)節(jié)”。如果從一個蒸氣的烷氧基羧酸鹽源沉積出一種鐵電體藻膜，例如當如下述地沉積一種前體以形成鈦酸鋇鍶(BST)時，最好使用丹聶爾森(Danielson)矩陣光電管PSM-275UV射線源16，它發(fā)射具有的波長約為180-260毫微米的UV射線。在該波長范圍中的UV射線對于使在蒸氣的烷氧基羧酸鹽、溶膠-液膠，MOD或另外液體化學源中保持BST的鍵的諧振及離解特別有效。圖1中所示的裝置1包括電裝置102，用于在沉積操作期間在沉積室2中施加DC偏壓。電裝置102包括DC輸入端104及輸出端106。施加在輸入套環(huán)25及沉積室主體12之間的直流(DC)電位通常為350V。該DC偏壓在鐵電膜原處上獲得增加膜質(zhì)量的極化。常需要沿晶體C軸(主極化軸)的偶極排列，及所產(chǎn)生的排列會使負責疲勞及牢固問題的脫位密度下降。大于或小于350V的DC偏壓也可用來產(chǎn)生上述結(jié)果。此外，當發(fā)生沉積時，可以在室2中一起地或順序地，及重復施加紫外照射和DC偏壓的組合。一個附加的加熱裝置如加熱板(未示出)可用來對預先沉積在襯底上的前體液體膜進行烤焙和/退火。該烤焙及退火雖然能在沉積室12中進行，但最好在一輔助室中進行，如結(jié)合圖6的步驟P11及P12所討論的。退火最好在氧氣燃燒爐中進行。高能量密度的紫外線照射，如來自擴散激發(fā)物激光器源的射線也是退火的一種優(yōu)選方式。3.方法例以下給出制備鈦酸鋇鍶(BST)前體及制作采用BST作為電容介質(zhì)的電容器的方法的詳細例子。在表1中，“FW”表示公式權重“grams”為重量的單位“克”，“mmoles”表示毫克分子，及</tables>“Equiv”表示溶液中克分子等價數(shù)目。表1中所示的材料量被測量以開始步驟P20(圖6)。鋇被放置到100ml的2甲氧基乙醇中并允許反應。對混合物施加第一計量的2-乙基己酸并攪拌。然后在混合物中加入鍶。一旦反應結(jié)束，對混合物施加第二計量的2-乙基己酸。該混合物被加熱到最高溫度115℃及攪拌并鎦出所有的水，使混合物冷卻。將異丙氧基鈦加入到混合物中，然后用附加的2-甲氧基乙醇稀釋到220ml。將該混合物加熱到最高溫度116℃并攪拌。然后鎦出所有的異丙醇及水并完成步驟P20。在步驟P21上，再用附加2-甲氧基乙醇將混合物稀釋到正好200ml。所生成的混合物具有0.490M的濃度，其中Ba與Sr的比＝0.69986∶0.30014。該化學反應涉及由2-乙基己酸鋇，2-乙基己酸鍶，2-甲氧基乙醇鈦組成的前體溶液的形成如下所述示例I，2-乙基己酸鋇(鋇金屬)+(2-乙基己酸)→(2-乙基己酸鋇)+(氫氣)示例II，2-乙基己酸鍶(鍶金屬)+(2-乙基己酸)→(2-乙基己酸鍶)+(氫氣)例III，(2-甲氧基乙醇鈦)(異丙氧化鈦(titaniumisopropoxide)+(2-甲氧基乙醇)→(2-甲氧基乙醇鈦)+(異丙醇).使用2-甲氧基乙醇作為溶劑能夠使由蒸鎦出現(xiàn)的水除去，因為2-甲氧基乙醇的較高沸點能使其在H2O蒸鎦走后仍可留下。于是，所生成的前體基本上是無水的。使用了鋇及鍶的2-乙基己酸鹽是因為使用象在前體中這樣的中等鏈長的羧酸鹽形成的薄膜在烤培時不會出現(xiàn)象使用長鏈的羧酸鹽形成的薄膜那樣的破裂、產(chǎn)生氣泡或剝落。鋇及鍶的2-甲氧基乙醇鹽受到考驗，但證明是過份對空氣及水敏感的。2-甲氧基乙醇鈦得到比對空氣不敏感的2-乙基己酸鈦更好的膜，但雖然2-甲氧基乙醇鈦是對空氣敏感的，但它沒有異丙氧化鈦對空氣敏感。如上述所形成的BST前體被用于圖6所示的本發(fā)明方法中，并使用圖1-5及7-10所示的本發(fā)明裝置來制造如圖11所示的電容器。將如上所述的BST前體放置到霧發(fā)生器46-1的容器54中(圖7)，及將2-甲氧基乙醇溶劑放置到霧發(fā)生器46-2的容器54中。起初，將包括沉積其上的具有二氧化硅層及鉑層的硅片之襯底放在一爐中在大氣壓力(@ColoradoSprings，Colorado)及180℃預烤烘10分鐘。將該襯底置到沉積室中的襯底保持器4上。通過與閥726連接的初級泵(未示出)將沉積室抽吸到0.4乇。接著使襯底旋轉(zhuǎn)電動機18被啟動以旋轉(zhuǎn)襯底保持器4。然后使UV源16啟動以吸收沉積室中的濕氣及襯底上的任何濕氣沉積室通過閥727及707緩慢地向回充入惰性氣體源704、如氬或氮以達到約595乇的壓力。接著，該工序的真空管路702被打開以使沉積室壓力穩(wěn)定在約595乇上。閥725-6被關閉及噴射閥725-1和沉積閥725-4和725-5然后被打開，以開始使來自源736的氬氣流通過超聲霧發(fā)生器46-2，后者然后被啟通1分鐘，以便使約100埃的底層涂料薄膜在環(huán)境溫度下被沉積在襯底上。然后，沉積閥725-1被關閉，接著閥725-6被打開及發(fā)送器56連同霧發(fā)生器46-2被關斷，并通過排氣口705使緩沖室42排氣，直到霧發(fā)生器46-2達到室溫為止。通過施加來自源736的氬氣及通過排氣口705使緩沖室42被清除。然后閥725-4和725-5被關閉。沉積閥725-1重新被打開及閥725-3和725-2也被打開，以使氬氣從源736流過超聲波霧發(fā)生器46-1，后者接著被導通10分鐘，以使約600埃的膜在環(huán)境溫度下沉積在襯底上。該沉積工序使用氬氣載體氣體使底層涂料霧及BST前體霧兩者流到襯底5的上方。在足夠量的BST前體被沉積在襯底上并產(chǎn)生一薄膜后，霧發(fā)生器46-1及襯底旋轉(zhuǎn)電動機被關斷。沉積閥725-1被關閉及閥725-6被打開，以通過排氣口705使緩沖室42排氣直到霧發(fā)生器46-1達到室溫為止。通過施加來自源736的氬氣并通過排氣口705使緩沖室42被清除。同時硅片保留在沉積室中，該室被緩慢地抽吸到0.4乇。然后關斷UV源16。接著，閥713被關斷及沉積室被排氣到大氣壓力。該硅片然后被從沉積室中取出并在400℃下“后烤焙”兩分鐘。然后該片在氧氣氛中800℃下被退火80分鐘。接著使用公知的光刻技術使該片蝕刻以產(chǎn)生多個電子器件1112。用該方法制作的一個樣品以下稱為樣品A。對另一樣品(稱為樣品B)重復上述工序，所不同的是步驟P8被跳過。這就是，對于樣品B不施加底層涂料，而直接將BST前體施加給襯底5。器件A和B兩者是由包括圖11所示的平板電容器的硅片的一半，及包括在兩個不同層之間的一系列上及下的臺階的該片的另一半制成，如圖13和圖14中所示。對于形成在兩個工序的每個中制作的半片中的平板電容器上的電容器樣品A和B，測量了BST薄膜1130的厚度、BST薄膜1130的介電常數(shù)及通過BST薄膜1130的漏電流密度。在每個情況下，測量漏電流時的電場為每厘米500千伏。其結(jié)果作為樣品的函數(shù)表示在圖12中。漏電流密度的標度在圖的右側(cè)，并以每平方厘米安培數(shù)來表示。介電常數(shù)的標度給在圖左側(cè)。對于施加過底層涂料的樣品A其介電常數(shù)顯著地增高，提高了100以上，即1/3。對于施加過底層涂料的樣品漏電流密度為2.2×10-8安培/cm2，相比之下，未離加過底層涂料的樣品B為6×10-8安培/cm2。這些結(jié)果表明，使用底層涂料可顯著改善電特性，這些電特性對于集成電路性能來說是關鍵的。對于每個電容器A和B的表面形態(tài)及臺階覆蓋特性作出了觀察。對于每個平表面拍下顯微照片。使用了底層涂料的樣品A的表面是平滑的并僅具有單個小針孔缺陷。該表面非常地平滑，足以制造集成電路器件。未使用底層涂料的樣品B的表面具有多個針孔缺陷并在許多區(qū)域上膜是斷開的。該表面遠不適用于制造可靠的集成電路。圖13和14分別為在電容結(jié)構的臺階區(qū)域上拍攝的樣品A和B的實際器件一部分的電子顯微照片的圖。這就是，圖13表示通過在沉積BST電介質(zhì)前使用底層涂料制造的電容器的一個截面的電子顯微照片，而圖14表示通過在沉積BST電介質(zhì)前未使用底層涂料制造的電容器的一個截面的電子顯微照片。在這兩種情況下，器件除去臺階結(jié)構外如參照圖11所描述的那樣，該臺階結(jié)構包括一個硅片1122，一個SiO2層1124，一個底電極1127，一個BST層1130及一個鉑的上電極1132。底電極示出為單層，而非鈦和鉑的分開層，因為在退火后它們在其界面上擴散到彼此中并在電子顯微照片上它們基本上不能相區(qū)別。在每個圖中，臺階1310、1410形成在層1124中，在該層上方沉積了底電極1127，再上面是BST層1130。比較圖13和圖14，BST層1130的厚度非常均勻。在臺階1310的“高”部分1314中，厚度被測得為45毫微米(nm)，而臺階1310的“低”部分1314中厚度測得為52nm，其差為7nm。作為比較，在圖14中高部分1414中厚度被測得為51nm，而低部分1416中厚度測得為78nm，其差為27nm。在圖13中，BST更好地跟隨臺階的輪廓，在其最薄點1312及最厚點1318之間的差明顯地小于圖14中點1412和1418之間的差。最后，圖13中層1130總體較薄。該特征表明，對于非常薄的膜，用底層涂料形成的電介質(zhì)要優(yōu)越得多。對于較厚的膜相對差值較不明顯，盡管仍存在。當使用底層涂料時對于較厚的膜，該方法的質(zhì)量和可靠性也顯著地增高?？梢岳斫猓诰哂屑安痪哂型縿┑姆椒ㄖg表面張力的差別可通常解釋其結(jié)果的區(qū)別。在比較圖12和圖13及14時觀察到一個異?，F(xiàn)象。在片的平坦區(qū)域中，使用底層涂料形成的電介質(zhì)1130較厚，而在片的臺階區(qū)域，不使用底層涂料形成的電介質(zhì)1130較厚。這沒有完全弄清楚，但它能如下地解釋在平坦區(qū)域的情況下，使用同位素探測儀來測量厚度，而在臺階區(qū)域，其厚度是由電子顯微照片作出的測量來檢測的。這兩種測量形式不完全一致，它可能是這樣的，對于使用底層涂料的工序，在平坦及臺階區(qū)域中的厚度基本相同，或至少比圖12和圖13所示的接近得多。如果在同時，在未用底層涂料工序的情況下前體更多地趨于聚集在低區(qū)域中，則將會引起圖12和圖13及14之間區(qū)別。在以上例子中應該注意的一個重要特征是通過本發(fā)明的方法制作出適用于集成電路的約50毫微米的高質(zhì)量BST薄膜。尚未有現(xiàn)有技術公知已成功地生產(chǎn)出如此高質(zhì)量及如此薄的BST薄膜。在現(xiàn)有技術霧化沉積方法中，通常如果必須成功地制作適用于集成電路的電介質(zhì)時，BST膜需作得厚得多。如果必須達到集成電路的質(zhì)量時，用另外的方法如濺射甚至要作更厚的膜。還進行了另一種沉積工序，它與上述例中所述的工序相似，所不同的是底層涂料步驟P8與前體沉積步驟P22同時地進行。這就是，霧發(fā)生器46-1及46-2被開通及閥725-1，725-2，725-3，725-4和725-5全部同時打開，前體及底層涂料霧在進入到沉積室12以前在緩沖室42中相混合。然后閥725-1被關閉，霧發(fā)生器46-1和46-2被關斷，閥725-6被打開及霧發(fā)生器46-1和46-2均被排放到大氣，直到它們冷卻至室溫為止。該工序也產(chǎn)生出比無底層涂料工序更好的膜表面形態(tài)及更小的漏電流，盡管結(jié)果沒有步驟P8和P22分開進行的結(jié)果那樣好。但相信，當通過該工序在沉積過程參數(shù)方面獲得更多經(jīng)驗時，它將成為優(yōu)選的工序。本發(fā)明在沉積合成的材料薄膜方面是有利的，這些藻膜材料例如為鐵電體、超導體、具有高介電常數(shù)的材料、寶石等，但它不局限于沉積這些合成薄膜。雖然所已描述的是現(xiàn)在考慮為本發(fā)明優(yōu)選實施例，但應理解，本發(fā)明可用不偏離本發(fā)明精神和基本特征的另外具體方法來實現(xiàn)。因此，現(xiàn)有的實施例是考慮在各個方面作出說明而非限制性的。本發(fā)明的范圍是由附設的權利要求書，而非由以上描述限定的。權利要求1.一種制造集成電路(1110)的方法，所述方面包括以下步驟(a)提供一種液體前體(64)；(b)將襯底(5)放置到封閉的沉積室(2)內(nèi)；(c)產(chǎn)生所述液體前體的前體霧；(d)使所述前體霧流過所述沉積室以在所述襯底上形成所述前體液體的層；(e)對沉積在襯底上的所述液體層進行處理以形成固體材料的膜(1130)；及(f)完成所述集成電路(1110)的制造，以使所述集成電路的元件(1112)中至少包含所述固體材料膜的一部分；所述方法的特征在于還包括以下的步驟(g)提供一種液體底層涂料；(h)產(chǎn)生所述液體底層涂料的霧；及(i)使所述底層涂料霧流過所述沉積室(2)以便在流過所述前體霧的步驟前在所述襯底(5)上形成所述底層涂料液體的層。2.一種制造集成電路(1110)的方法，所述方法包括以下步驟(a)提供一種液體前體(64)；(b)將襯底(5)放置到封閉的沉積室(2)內(nèi)；(c)產(chǎn)生所述液體前體的前體霧(66)；所述方法的特征在于還包括以下步驟(d)提供一種液體底層涂料；(e)產(chǎn)生所述液體底層涂料的底層涂料霧；(f)使所述前體和底層涂料霧流過所述沉積室以在所述襯底上形成所述底層涂料和前體的液體混合物；(g)對所述沉積在襯底上的液體混合物進行處理以形成一個固體材料的膜(1130)；及(h)完成所述集成電路(1110)的制造，以使所述集成電路的元件(1112)中至少包含所述固體材料膜的一部分。3.一種用于制造集成電路(1110)的裝置(1)，所述裝置包括(a)沉積室(2)；(b)位于所述沉積室中的襯底保持器(4)；(c)用于產(chǎn)生液體前體霧的裝置(46-1)，所述裝置其特征在于還包括以下裝置(d)用于產(chǎn)生液體底層涂料霧的裝置(46-2)；(e)用于使所述底層涂料霧及所述前體霧流過所述沉積室(2)以便在所述襯底(5)上形成液體層的裝置(8、10、736，725，等)，所述液體層包括所述底層涂料液體及所述前體液體；及(f)用于處理沉積在襯底上的所述液體層以在所述襯底(5)上形成固體材料膜(1130)的裝置(16)。4.根據(jù)權利要求1或2的方法，或權利要求3的裝置，其中所述液體底層涂料包括一種底層涂料溶劑。5.根據(jù)權利要求4的方法或裝置，其中所述底層涂料溶劑包括一種從下列組中選擇出的溶劑2-甲氧基乙醇，二甲苯類，n-乙酸丁酯及六甲基-二硅氧烷。6.根據(jù)權利要求5的方法或裝置，其中所述前體包括一種前體溶劑中的金屬化合物，所述金屬化合物是從下列組中選出的金屬醇鹽及金屬羧酸鹽，以及金屬烷氧基羧酸鹽。7.根據(jù)權利要求5的方法或裝置，其中所述前體溶劑是與所述底層涂料溶劑相同的。8.根據(jù)權利要求1或2的方法，其中所述各霧流入所述沉積室中同時使所述襯底保持在環(huán)境溫度上。9.根據(jù)權利要求1的方法，其中所述各霧同時地流入到所述沉積室中。10.根據(jù)權利要求1或2的方法，其中所述各霧流入所述沉積室中同時在所述沉積室中保持真空。11.根據(jù)權利要求1或2的方法，包括在所述沉積室外部混合多種不同底層涂料霧以形成一種底層涂料霧混合物并再流入到沉積室中的附加步驟。12.根據(jù)權利要求1或2的方法，包括當所述霧流過沉積室時對所述底層涂料霧及所述前體霧之一施加紫外線照射的附加步驟。13.根據(jù)權利要求1或2的方法，其中所述處理步驟包括對沉積在所述襯底上的所述底層涂料層及所述前體層之一施加紫外線照射。14.根據(jù)權利要求1或2的方法，包括在所述沉積室(2)和所述襯底(5)之間施加一個DC偏壓的步驟。全文摘要將液體底層涂料霧化并使其流入到沉積室(2)中并沉積在襯底(5)上。將液體前體(64)霧化,使其流入到沉積室(2)中并沉積在襯底(5)上。該底層涂料及前體被干燥并形成固體薄膜,然后該薄膜被退火并形成一集成電路(1110)中電子元件(1112)的一部分,例如另一存儲器單元中的電介質(zhì)。底層涂料是一種溶劑,及前體包括前體溶劑中的金屬羧酸鹽,金屬醇鹽或金屬烷氧基羧酸鹽。最好,底層涂料及前體的溶劑是相同的溶劑,如2－甲氧基乙醇、二甲苯類,n－乙酸丁酯及六甲基－二硅氧烷。文檔編號H01L21/02GK1180447SQ97190141公開日1998年4月29日申請日期1997年3月4日優(yōu)先權日1997年3月4日發(fā)明者林慎一郎,拉里·D·麥克米倫,吾妻正道,卡洛斯·A·帕斯·得阿勞霍申請人:塞姆特里克斯公司,松下電子工業(yè)株式會社