專利名稱：氧化鋅薄膜、光電轉(zhuǎn)換元件、及它們的生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氧化鋅薄膜、生產(chǎn)該氧化鋅薄膜的方法、具有該氧化鋅薄膜的光電轉(zhuǎn)換元件、和生產(chǎn)該光電轉(zhuǎn)換元件的方法。更具體地說，本發(fā)明涉及形成具有光密效果的很不均勻的表面形狀以便使晶體組織增加的氧化鋅薄膜、具有該氧化鋅薄膜的光電轉(zhuǎn)換元件、和生產(chǎn)它們的方法。
至今，人們一直使用具有半導(dǎo)體層的光電轉(zhuǎn)換元件，在該半導(dǎo)體層背面有一層反射層以便改善長波處的捕集效果，所述半導(dǎo)體層由氫化的無定型硅、氫化的無定型硅鍺、氫化的無定型碳化硅、微晶硅、多晶硅等組成。該反射層較理想地證實了在吸收較小的半導(dǎo)體材料光帶邊緣附近的波長如800-1200nm處的有效反射特征。
充分滿足這一條件的材料是金屬，如金、銀、銅和鋁、以及它們的合金。
還有，也可使用在預(yù)定波長范圍內(nèi)向光透明層提供不均勻性從而獲得光密性的其它技術(shù)。通常，人們所做過的嘗試是在前述金屬層和半導(dǎo)體層之間設(shè)置一個具有不均勻性的透明導(dǎo)電層，以便有效利用反射光從而改善短路電流密度Jsc。
另外，透明導(dǎo)電層防止了由分路引起的特征值的下降。
還有，為了有效利用入射光從而改善短路電流密度Jsc，另一個嘗試是在半導(dǎo)體層入射光一側(cè)設(shè)置一個具有不均勻性的透明導(dǎo)電層從而增加入射光在半導(dǎo)體層中的路徑長度。
最普遍的是，這些層例如由真空汽相沉積和濺射方法形成，并且在短路電流密度Jsc方面，它們表現(xiàn)出1毫安/平方厘米或更大的改進(jìn)。
其實例是現(xiàn)有技術(shù)1:“29p-MF-22在不銹鋼基體上a-SiGe太陽能電池中的光密效應(yīng)”增補文摘(第51屆秋季會議，1990)；日本應(yīng)用物理協(xié)會，第747頁，現(xiàn)有技術(shù)2:“P-IA-15具有光帶間隙輪廓的a-SiC/a-Si/a-SiGe多光帶間隙疊層太陽能電池”，Sannomiya等人，Technical Digest of The InternationalPVSEC-5，京都、日本、第381頁、1990等，它們描述了由銀原子組成的反射層的反射性和組織結(jié)構(gòu)。
這些實例描述通過在不同基體溫度下沉積兩種銀層從而形成有效不均勻性來形成反射層，該反射層通過與氧化鋅層結(jié)合從而通過光密效應(yīng)而使短路電流增加。
另一方面，“氧化鋅膜陰極生長的電解質(zhì)最佳選擇”、MIZAKI和T.omi,J.Electrochem.Soc.,Vol.143、1996年3月，L53，和日本專利申請(延遲公開)8-217443描述了一種通過使含有鋅離子和硝酸根離子的水溶液電解來均勻地制備具有優(yōu)異透光率的氧化鋅膜(作為上述透明導(dǎo)電層)的方法。
如上所述，此前公開的通過真空氣相沉積或濺射而形成的透明導(dǎo)電層具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換特征。但由于按Bravais規(guī)則它們是具有沿C軸定向的晶體結(jié)構(gòu)的氧化鋅薄膜，因此形成具有不均勻結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電層需要在高溫下制備或增加厚度。
此前，人們還沒有做過電解沉積氧化鋅薄膜從而向它提供表現(xiàn)出良好光密效應(yīng)的不均勻形狀的嘗試。
因此，為解決以上問題而完成本發(fā)明，并且本發(fā)明的目的是提供一種晶體組織量得到增加和短路電流密度(Jsc)得到改進(jìn)、而即不需要在高溫條件下制備也不需要增加厚度的氧化鋅薄膜，和由該氧化鋅薄膜組成的光電轉(zhuǎn)換元件。
因此，本發(fā)明提供了一種在氧化鋅晶體(103)晶面上具有X-射線衍射峰的氧化鋅薄膜。本發(fā)明也提供了一種具有在氧化鋅(103)晶面上X-射線衍射強度為在氧化鋅(002)晶面上X-射線衍射強度的1/3或更大的X-射線衍射圖的氧化鋅薄膜。
還有，本發(fā)明提供了一種具有在氧化鋅(103)晶面上X-射線衍射強度不小于在氧化鋅(101)晶面上X-射線衍射強度的X-射線衍射圖的氧化鋅薄膜。
本發(fā)明也提供了一種具有在氧化鋅(103)晶面上X-射線衍射強度為在氧化鋅(002)晶面上X-射線衍射強度的1/3或更大和不小于在氧化鋅(101)晶面上X-射線衍射強度X-射線衍射圖的氧化鋅薄膜。
還有，本發(fā)明提供了一種用電晶化法來生產(chǎn)氧化鋅薄膜的方法。該方法包括控制上述氧化鋅晶體的定向。
另外，本發(fā)明提供了一種光電轉(zhuǎn)換元件及其生產(chǎn)方法，該元件包括基體、第一透明導(dǎo)電層、半導(dǎo)體層、和第二透明導(dǎo)電層，其中至少一個透明導(dǎo)電層是上述氧化鋅薄膜。
圖1是用于解釋氧化鋅晶體平面定向的示圖。
圖2是表示作為本發(fā)明光電轉(zhuǎn)換元件技術(shù)方案的一個光電元件實例的層狀結(jié)構(gòu)的剖面示圖。
圖3是表示用于生產(chǎn)本發(fā)明氧化鋅薄膜的生產(chǎn)裝置實例的局部示圖。
圖4A是用于解釋本發(fā)明太陽能電池實例的分電池構(gòu)造和布置的透視圖，而圖4B是圖4A所示的分電池的放大平面圖。
在氧化鋅晶體中，(103)晶面的X-射線衍射強度是(002)晶面的X-射線衍射強度的預(yù)定比值或更大的特征增加了晶體組織，這是基于這樣一種認(rèn)識，即在氧化鋅晶體平面定向關(guān)系中，如果與(103)晶面平行的表面平行于基體生長的趨勢變得強于與(002)晶面平行的表面生長的趨勢，就可較容易地獲得具有足夠不均勻性的表面構(gòu)造，而不用采取如在高溫下制備或增加膜厚度的任何措施，本發(fā)明人經(jīng)過廣泛而細(xì)致的研究，結(jié)果獲得了以上知識從而解決了上述問題。
這將會進(jìn)一步詳細(xì)地描述。圖1是用于表示六方系統(tǒng)氧化鋅晶體平面定向關(guān)系的附圖。
當(dāng)晶體沿著使C軸變得垂直于基體的方向生長時，與(002)晶面平行的表面在上表面發(fā)育。(002)晶面是氧化鋅晶體密堆積晶面。當(dāng)與該晶面平行的表面在上表面發(fā)育時，晶體變得更可能使表面構(gòu)造具有較小的不均勻性。
另一方面，如圖1所示，(103)晶面具有相對于氧化鋅晶體密堆積晶面傾斜的趨勢。當(dāng)與該晶面平行的表面平行于基體生長的趨勢較強時，晶體變得更可能使表面構(gòu)造具有足夠的不均勻性。其具體的原因現(xiàn)在還不清楚，但估計背離Bravais規(guī)則增加了沉積率的位置依賴性。
氧化鋅薄膜可具有不同的定向，這取決于它們的生產(chǎn)方法和形成條件。如上所示，當(dāng)主定向是其中與(002)晶面平行的表面出現(xiàn)在上表面時，晶體會使表面構(gòu)造具有較小的不均勻性。因而，需要在高溫下形成氧化鋅薄膜，或增加氧化鋅薄膜的厚度以獲得晶體組織結(jié)構(gòu)。
在該情況下，在高溫下生產(chǎn)存在成本不利的缺點，而增加膜厚度會由于膜的吸收而增加光損耗。
另一方面，如果與(103)晶面平行的表面平行于基體生長的趨勢增加，就可較容易地獲得具有足夠不均勻性的表面構(gòu)造而無需采取在高溫下生產(chǎn)或增加厚度的措施。這對于晶體組織生長是更有利的。
對于本發(fā)明氧化鋅薄膜來說，優(yōu)選的是(103)晶面的X-射線衍射強度不小于(101)晶面的X-射線衍射強度。原因如下。
具體地說，(101)晶面相對于(002)晶面的傾斜進(jìn)一步大于(103)晶面相對于(002)晶面的傾斜。如果與該相對于(002)晶面傾斜更大的晶面平行的表面平行于基體生長的趨勢較強，表面將變得可能具有不規(guī)則裂縫和反常凸起。其具體的原因還不清楚，但估計當(dāng)背離Bravais規(guī)則更大的表面占優(yōu)勢時，達(dá)不到晶體顆粒之間的應(yīng)力平衡。
另一方面，當(dāng)(103)晶面的X-射線衍射強度大于(101)晶面的X-射線衍射強度時，可獲得具有足夠不均勻性的表面構(gòu)造而沒有不規(guī)則裂縫和反常凸起。
還有，本發(fā)明的氧化鋅薄膜優(yōu)選地用電晶化法生產(chǎn)。
有各種已知用于形成氧化鋅薄膜的方法，其中電阻加熱或電子束真空氣相沉積、濺射、離子鍍膜、和CVD涉及到增加成本的因素，其包括較高的靶材料制備成本，較大的真空系統(tǒng)折舊費用；和不太高的材料利用效率；相反，當(dāng)通過電晶化法在導(dǎo)電基體上形成氧化鋅薄膜時，可在更加有利的材料成本和運轉(zhuǎn)成本以及生產(chǎn)裝置采取較簡單的結(jié)構(gòu)的條件下來生產(chǎn)具有較高質(zhì)量的氧化鋅薄膜。
當(dāng)上述氧化鋅薄膜用于具有透明導(dǎo)電層的光電轉(zhuǎn)換元件的透明導(dǎo)電層時，因為氧化鋅薄膜能在較低的成本、較高的光電轉(zhuǎn)換效率、較少的不規(guī)則裂縫的條件下獲得，所以光電轉(zhuǎn)換元件能以較好的生產(chǎn)率來生產(chǎn)并具有良好的均勻性。
下面描述的是其中用本發(fā)明氧化鋅薄膜形成作為光電轉(zhuǎn)換元件的太陽能電池的實例。
圖2是本發(fā)明光電元件實例的剖面示圖。
附圖中導(dǎo)電基體201包括支撐體201-1，并具金屬層201-2和/或透明導(dǎo)電層201-3(在需要的情況下)。
還有，數(shù)字202代表透明導(dǎo)電層，203代表半導(dǎo)體層，204代表透明導(dǎo)電層，而205代表集電器電極。
在本發(fā)明中，由于在上述光電元件中使用本發(fā)明氧化鋅薄膜形成透明導(dǎo)電層202和/或透明導(dǎo)電層204，可實現(xiàn)高生產(chǎn)率和均勻性地生產(chǎn)光電元件。
太陽光射在光電元件204一側(cè)上。大多數(shù)波長短于500nm的光被下面的半導(dǎo)體層203吸收。
另一方面，波長大于約700nm的光(其波長大于半導(dǎo)體帶吸收邊緣)有一部分透射過半導(dǎo)體層203進(jìn)而通過為透射層的透明導(dǎo)電層202。隨后，光被金屬層201-2或支撐體201-1反射并再一次通過透明導(dǎo)電層202。隨后，一部分或大多數(shù)的光被半導(dǎo)體層203吸收。
如果在支撐體201-1和/或金屬層201-2和/或透明導(dǎo)電層201-3、透明層202和/或半導(dǎo)體層203和/或透明導(dǎo)電層204上形成不均勻性構(gòu)造，并且該不均勻性足以使光的路徑彎曲，通過光路徑的彎曲光穿過半導(dǎo)體層203的路徑長度就變得較長，并且可望增加吸收。
由于光路徑長度延長而導(dǎo)致的光吸收增加在透明層中是很小的，但在一些吸收出現(xiàn)的區(qū)域如光的波長靠近物質(zhì)吸收邊緣的區(qū)域該吸收呈指數(shù)地增加。
由于透明導(dǎo)電層202和/或透明導(dǎo)電層204對在可見光到紅外光附近區(qū)域中的光是透明的。所以在此處吸收是不明顯的。另一方面，光路徑長度的增加導(dǎo)致在半導(dǎo)體層203中600-1200nm的光吸收極大。
通過電晶化可形成本發(fā)明氧化鋅薄膜，例如使用圖3所示的裝置。
在附圖中標(biāo)記數(shù)301指裝有水溶液302的抗腐蝕容器，該水溶液含有硝酸根離子、鋅離子、和碳水化合物。
為了獲得所希望的透明導(dǎo)電膜202和/或204，硝酸根離子和鋅離子的濃度均希望在0.001-1.0摩爾/升的范圍內(nèi)，更希望在0.01-0.5摩爾/升的范圍內(nèi)，并且進(jìn)一步希望在0.1-0.25摩爾/升的范圍內(nèi)。
對硝酸根離子和鋅離子的來源沒有特別的限制，但它們可是為兩種離子源的硝酸鋅，或為硝酸根離子源的水溶性硝酸鹽如硝酸銨與為鋅離子源的鋅鹽如硫酸鋅的混合物。
對碳水化合物的種類沒有特別的限制。但可使用單糖化物如葡萄糖(葡萄糖)或果糖(果糖)，雙糖化物如麥芽糖(麥芽糖)或蔗糖(蔗糖)，多糖化物如糊精或淀粉，和它們的混合物。
為了獲得具有優(yōu)異不均勻性和粘結(jié)性而又沒有反常生長的氧化鋅薄膜，碳水化合物在水溶液中的數(shù)量希望在0.001-300克/升的范圍內(nèi)，更希望在0.005-100克/升的范圍內(nèi)，而進(jìn)一步希望在0.01-60克/升的范圍內(nèi)。
數(shù)字303代表上述導(dǎo)電基體，其用作陰極。數(shù)字304指反電極，而反電極304的材料可以是通過液相沉積法沉積的金屬鋅，或鉑或碳。反電極304用作陽極。
陰極導(dǎo)電基體303和陽極反電極304通過承載電阻器306和電源305相連從而固定，以便使幾乎恒定的電流在兩個電極之間流動。為了獲得所希望的透明導(dǎo)電膜202和/或204，電流密度希望即不小于10毫安/分米又不大于10安/分米。
在本發(fā)明技術(shù)方案中，為了攪拌溶液以便在層形成的過程中減少不均勻性并提高涂層形成速度從而增加效率，使用溶液循環(huán)系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括具有多個溶液流入孔的流入條308、類似地具有多個溶液流出孔的溶液流出條307、溶液循環(huán)泵311、連接溶液流入條308和溶液循環(huán)泵311的溶液流入管路309、和連接溶液流出條307和溶液循環(huán)泵311的溶液流出管路310。溶液循環(huán)系統(tǒng)沿圖3溶液流入管路箭頭309所示的方向使溶液循環(huán)。
如果系統(tǒng)是小規(guī)模的，磁生攪拌器318可代替以上溶液循環(huán)系統(tǒng)。
通過使用加熱器312和熱電偶313對水溶液的溫度進(jìn)行控制，同時監(jiān)測該溫度。
為了獲得所希望的透明導(dǎo)電膜202和/或204，希望水溶液溫度不低于50℃。
透明導(dǎo)電膜202和/或204均可是單膜或?qū)盈B的多膜。為了在氧化鋅薄膜制備前加熱基體303而設(shè)置熱水浴314，并且使熱水保持在用加熱器315和熱電偶316對之調(diào)整的溫度下，進(jìn)而預(yù)熱基體303。在圖3中，數(shù)字317均代表加熱器電源。
在本發(fā)明中使用的導(dǎo)電基體201是具有各種磁性或非磁性金屬支撐體201-1基層的基體。
支撐體201-1的優(yōu)選材料是不銹鋼板、鋼板、銅板、黃銅板、鋁板等，它們都較便宜。這些金屬板可切割成一定形狀或可以長板形狀使用，這取決于其厚度。
在長板形狀的情況下，由于板可以卷成線圈形狀，所以適用性良好，同時可連續(xù)生產(chǎn)，而儲存和運輸也較容易。
還有，也可使用硅晶體基體或玻璃板或陶瓷板。這取決于它們的應(yīng)用。可將支撐體表面拋光，但如果加工良好，例如它像經(jīng)過光亮退火的不銹鋼板，它可直接使用。
金屬層201-2不是不可缺少的，但當(dāng)使用本身具有較低反射率的支撐體如不銹鋼或鐵板、或由本身具有較低導(dǎo)電性的材料如玻璃或陶瓷形成的支撐體時，優(yōu)選地在支撐體上設(shè)置具有較高反射率的金屬層201-2，如銀、銅、金、或鋁。
當(dāng)鋁用作金屬層201-2時，為了防止鋁溶解在水溶液中，通過濺射等方法在金屬層201-2上設(shè)置一很薄的透明導(dǎo)電層201-3是優(yōu)選的。
在本發(fā)明中使用的半導(dǎo)體層203是由具有光敏結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料組成以便產(chǎn)生電動勢，并且該結(jié)構(gòu)的實例是PN結(jié)、管腳(pin)結(jié)、肖特基結(jié)、異質(zhì)結(jié)等。半導(dǎo)體材料的實例是無定型半導(dǎo)體材料如a-Si:H(氫化無定型硅的簡稱)、a-Si:F、和a-Si:H:F，微晶半導(dǎo)體材料如μc-Si:H(氫化微晶硅的簡稱)、μc-Si:F和μc-Si:H:F等。
可對半導(dǎo)體層進(jìn)行價電子控制和帶隙控制。具體地說，在半導(dǎo)體層形成期間可通過將含有一種元素的源化合物引入到沉積空間中，該元素單獨地作為價電子控制劑或帶隙控制劑或與形成沉積膜的源氣體或與稀釋氣體一起加入。
還有，通過價電子控制可對半導(dǎo)體層至少一部分進(jìn)行p-型和n-型摻雜，從而形成至少一個管腳(pin)結(jié)。
由選自下列方法的形成方法來形成半導(dǎo)體層各種CVD法如微波等離子體CVD法、RF等離子體CVD法、光CVD法、熱CVD法、和MOCVD法；各種蒸發(fā)法如EB蒸發(fā)、MBE、離子鍍膜，和離子束法；濺射、噴射、印刷等。工業(yè)上優(yōu)選使用的方法是等離子體CVD法，它包括由等離子體分解源氣體并沉積在基體上。作為反應(yīng)裝置，可使用批型裝置和連續(xù)膜形成裝置(如果希望)。
下面進(jìn)一步描述的是使用特別適合于本發(fā)明光電元件的硅基非單晶半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體層。
(1)I-型半導(dǎo)體層(本征半導(dǎo)體層)在使用硅基非單晶半導(dǎo)體材料的光電元件中，用于管腳結(jié)的I-型層是產(chǎn)生和傳播接受入射光的載流子的重要的一層。
作為I-型層，也可使用基本上是I型但多少也是P-型或N-型的半導(dǎo)體層。硅基非單晶半導(dǎo)體材料含有如上所述的氫原子(H,D)或鹵原子(X)。這些原子具有明顯的作用。
I-型層中含有的氫原子(H,D)或鹵原子(X)具有補償I-型層非結(jié)合鍵(懸掛鍵)的作用。因而增加了I-型層中載流子遷移率和壽命的積。
這些原子也具有校正P-型層和I-型層之間或N-型層和I-型層之間界面處界面狀態(tài)的作用。因此獲得使光電元件的電動勢、光電流、和光響應(yīng)度增加的效果。在I-型層中氫原子和/或鹵原子的最佳含量是1-40原子％。特別是，優(yōu)選的分布圖是這樣的，即在P-型層和I-型層之間和N-型層和I-型層之間的界面?zhèn)葰湓雍?或鹵原子的含量較高。在靠近界面的部分處氫原子和/或鹵原子的含量優(yōu)選地為本體中的含量的1.1-2倍。還有，氫原子和/或鹵原子的含量優(yōu)選地隨硅原子的含量而變化。
用a-Si:H、a-Si:F、a-Si:H:F、μc-Si:H、μc-Si:F、μc-Si:H:F等表示無定型硅和微晶硅，這取決于用于補償懸掛鍵的元素。
還有，作為適用于本發(fā)明光電元件的I-型半導(dǎo)體層，可優(yōu)選地使用這樣的半導(dǎo)體層，即其中氫原子(CH)含量為1.0-25.0％、用AM1.5和100mW/cm2的太陽模擬器的輻射下光電導(dǎo)率(σp)不小于1.0×10-7S/cm，暗電導(dǎo)率(σd)不大于1.0×10-9S/cm、用恒定光電流方法(CPM)測量Urbach能量不大于55毫電子伏特、而固定狀態(tài)密度不大于1017/cm3的。
(2)摻雜層(P-型半導(dǎo)體層或N-型半導(dǎo)體層)摻雜層(P-型半導(dǎo)體層或N-型半導(dǎo)體層)也是影響本發(fā)明光電元件特性的重要的層。
摻雜層的無定型材料(簡寫為a-)或微晶材料(簡寫為μC-)的實例是用較高濃度的P-型價電子控制劑(周期表中的Ⅲ族元素B、Al、Ga、In或Tl)或N-型價電子控制劑(周期表中的Ⅴ族元素P、As、Sb、或Bi)摻雜的下列材料a-Si:H、a-Si:HX、a-SiC:H、a-SiC:HX、a-SiGe:H、a-SiGe:HX、a-SiGeC:H、a-SiGeC:HX、a-SiO:H、a-SiO:HX、a-SiN:H、a-SiN:HX、a-SiON:H、a-SiON:HX、a-SiOCN:H、a-SiOCN:HX、μc-Si:H、μc-Si:HX、μc-SiC:H、μc-SiC:HX、μc-SiO:H、μc-SiO:HX、μc-SiN:H、μc-SiN:HX、μc-SiGeC:H、μc-SiGeC:HX、μc-SiON:H、μc-SiON:HX、μc-SiOCN:H、μc-SiOCN:HX等。多晶材料(簡寫為多-)的實例是用較高濃度的P-型價電子控制劑(周期表中的Ⅲ族元素B、Al、Ga、In、或Tl)或N-型價電子控制劑(周期表中的Ⅴ族元素P、As、Sb、或Bi)摻雜的下列材料多-Si:H、多-Si:HX、多-SiC:H、多-SiC:HX、多-SiO:H、多-SiO:HX、多-SiN:H、多-SiN:HX、多-SiGeC:H、多-SiGeC:HX、多-SiON:H、多-SiON:HX、多-SiOCN:H、多-SiOCN:HX、多-Si、多-SiC、多-SiO、多-SiN等等。
特別是，對于光入射側(cè)的P-型層或N-型層，光吸收較小的晶體半導(dǎo)體層或帶隙較寬的無定型半導(dǎo)體層是合適的。
P-型層或N-型層中包含的氫原子(H,D)或鹵原子具有補償P-型層或N-型層中懸掛鍵的功能，從而增加P-型層或N-型層的摻雜效果。加入到P-型層或N-型層中的氫原子或鹵原子的優(yōu)選數(shù)量是0.1-50％，并且在P-型層或N-型層是無定型的情況下，氫原子或鹵原子的數(shù)量更優(yōu)選是1-40％。當(dāng)P-型層或N-型層是晶體時，氫原子或鹵原子的最佳數(shù)量是0.1-10％。
對于光電元件P-型層和N-型層的電性能來說，激活能量優(yōu)選地不大于0.2電子伏特，而最優(yōu)選不大于0.1電子伏特。
電阻率優(yōu)選地不大于100Ωcm，而最優(yōu)選不大于1Ωcm。還有，P-型層和N-型層的厚度優(yōu)選地是1-50nm，而最優(yōu)選是3-10nm。
(3)形成半導(dǎo)體層的方法適合于形成本發(fā)明光電元件半導(dǎo)體層適用的硅基非單晶半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)方法是使用高頻波的等離子體CVD法。高頻波的頻率優(yōu)選地為10MHz-3GHz。具體地說，高頻波例如是13.56MHz的RF波、100MHz的VHF波、或2.45GHz的微波等。
適合于沉積本發(fā)明光電元件中適用的硅基非單晶半導(dǎo)體層的源氣體是含有硅原子的氣化化合物。
具體地說，作為含有硅原子的氣化化合物可使用鏈狀或環(huán)狀硅烷化合物，并且其特定的實例是氣態(tài)的或易于氣化的化合物，如SiH4、Si2H6、SiF4、SiFH3、SiF2H2、SiF3H、Si3H8、SiD4、SiHD3、SiH2D2、SiH3D、SiFD3、SiF2D2、Si2D3H3、(SiF2)5、(SiF2)6、(SiF2)4、Si2F6、Si3F8、Si2H2F4、Si2H3F3、SiCl4、(SiCl2)5、SiBr4、(SiBr2)5、Si2Cl6、SiHCl3、SiH2Br2、SiH2Cl2、Si2Cl3F3等等。
引入到P-型層或N-型層中用作價電子控制物的物質(zhì)包括周期表中的Ⅲ族元素和Ⅴ族元素。
作為有效地用于引入Ⅲ族元素、特別是用于引入硼原子的原始物質(zhì)，可包括氫化硼如B2H6、B4H10、B5H9、B5H11、B6H10、B6H12、和B6H14，鹵化硼如BF3和BCl3等等。它們還可另外包括AlCl3、GaCl3、InCl3、TlCl3等等。特別是，B2H6和BF3是合適的。
作為有效地用于引入Ⅴ族元素、特別是用于引入磷原子的原始物質(zhì)，可包括氫化磷如PH3和P2H4，鹵化磷如PH4I、PF3、PF5、PCl3、PCl5、PBr3、PBr5和PI3等等。它們還可另外包括AsH3、AsF3、AsCl3、AsBr3、AsF5、SbH3、SbF3、SbF5、SbCl3、SbCl5、BiH3、BiCl3、BiBr3等等。特別適用的是PH3和PF3。
可用氣體如H、He、Ne、Ar、Xe、或Kr(在要求的情況下)稀釋上述氣化化合物，從而將它們引入到沉積室中。
特別是，在沉積光吸收被證明是較小的層或具有較寬帶隙的層如微晶或多晶半導(dǎo)體或a-SiC:H的情況下，用氫氣稀釋源氣體及引入較大的高頻功率是優(yōu)選的。
本發(fā)明所用的半導(dǎo)體層203可是用于產(chǎn)生電動勢的疊層結(jié)構(gòu)，已知為串聯(lián)結(jié)構(gòu)。為了有效地利用光譜，在入射光側(cè)的光電元件通常是對短波具有有效轉(zhuǎn)換效率的元件，而下部光電元件則是可有效吸收長波光的元件。為了提高捕集效率而又不會產(chǎn)生由于在半導(dǎo)體層中再結(jié)合所引起的光致載流子的損失，串聯(lián)裝置可由具有相同光譜響應(yīng)的材料制成。串聯(lián)結(jié)構(gòu)可是包括三級或四級的多級。這些串聯(lián)結(jié)構(gòu)可是各光電元件是相同的或不同的結(jié)構(gòu)。也就是，它們可是管腳(pin)結(jié)+管腳結(jié)或管腳結(jié)+肖特基結(jié)的結(jié)構(gòu)。
為了用這些半導(dǎo)體材料生產(chǎn)具有光電結(jié)構(gòu)的元件，可應(yīng)用如真空氣相沉積、濺射、離子鍍膜、和CVD的方法，而特別是，在摻雜劑引入和疊層的過程中CVD是優(yōu)良的。CVD的氣體激勵方法是使用DC、低頻波、RF或微波的方法。作為CVD的源氣體，可使用硅烷、乙硅烷、鍺烷、乙鍺烷等、和它們的衍生物。
在本發(fā)明中，在透明導(dǎo)電層204的一部分區(qū)域上形成捕集器電極205，同時必須保證透明導(dǎo)電層204的電阻率不會太低，并起到降低電極電阻率和光電元件串聯(lián)電阻的作用。作為捕集器電極205的材料，可包括金屬，如金、銀、銅、鋁、鎳、鐵、鉻、鉬、鎢、鈦、鈷、鉭、鈮、和鋯，或合金，如不銹鋼，或使用粉末金屬的導(dǎo)電漿體。捕集器電極205的形狀是枝形以便盡可能地避免攔截照在半導(dǎo)體層上的入射光。
捕集電極的面積占光電裝置總面積的百分率優(yōu)選地不大于15％、更優(yōu)選地不大于10％、而進(jìn)一步更優(yōu)選地不大于5％。
還有，為了形成捕集器電極的圖案，可使用面罩。作為形成捕集電極的方法，可使用氣化、濺射、電鍍、印刷等方法。
當(dāng)本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換元件用于制備具有滿意的輸出電壓和輸出電流的光電裝置(模件卡或操作屏)時，將本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換元件串聯(lián)或并聯(lián)連接，在上表面和后表面形成保護(hù)層，并使輸出端電極等與它們相連。當(dāng)本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換元件串聯(lián)連接時，為了防止逆流，有時可引入二極管。
在下列實施例中，通過作為光電轉(zhuǎn)換元件的太陽能電池的實施例將詳細(xì)地描述本發(fā)明，但應(yīng)該指出無論如何，這些實施例不意味著限制本發(fā)明。在半導(dǎo)體層中使用三個管腳結(jié)來生產(chǎn)圖2的太陽能電池。具體地說，用上述方法將太陽能電池制成如下結(jié)構(gòu)即支撐體201-1(SUS430測量15×15cm2、厚度0.2mm)/金屬層(Ag)201-2/透明導(dǎo)電層(ZnO)202/半導(dǎo)體層203/透明導(dǎo)電層(ITO)204/捕集電極(Cr)205。
首先，用常規(guī)濺射法在支撐體201-1上形成金屬層(Ag)201-2從而制成導(dǎo)電基體201，隨后使用圖3的裝置將導(dǎo)電基體201浸漬在熱水浴60℃的熱水中從而對它進(jìn)行預(yù)熱。在該預(yù)熱后的導(dǎo)電基體201上，使用含有糊精、硝酸根離子、和鋅離子的水溶液形成厚度為500nm的透明導(dǎo)電層(ZnO)202。此時的條件是溶液溫度為70℃、糊精濃度為0.05克/升、而電流密度為100毫安/分米。用等離子體CVD方法將半導(dǎo)體層203構(gòu)造成下列結(jié)構(gòu)即第一N-型摻雜層a-Si:H:P/第一I-型層a-SiGe:H/第一P-型摻雜層μc-Si:H:B/第二N-型摻雜層a-Si:H:P/第二I-型層a-SiGe:H/第二P-型摻雜層μc-Si:H:B/第三N-型摻雜層a-Si:H:P/第三I-型層a-Si:H/第三P-型摻雜層μc-Si:H:B。用常規(guī)濺射法形成透明導(dǎo)電層(ITO)204，而用常規(guī)真空氣相法形成捕集器電極(Cr)205。通過遮攔在半導(dǎo)體層上形成共100張面積為1cm2的盤從而將透明導(dǎo)電層(ITO)204制成分電池的形式，如圖4A和4B所示，并在每一個分電池上形成捕集電極。除了透明導(dǎo)電層(ZnO)202外，在相同的條件下以下列方式制備五種太陽能電池即此處所用的透明導(dǎo)電層(ZnO)202的(103)晶面與(002)晶面的X-射線衍射強度比為0-1(實施例1-1-實施例1-5)。
在透明導(dǎo)電層形成期間，水溶液中的鋅離子濃度按下列表1所示變化。
用太陽模擬器(AM1.5、100mW/cm2、表面溫度25℃)測量這些太陽能電池的性能。計算每個太陽能電池100個分電池的平均數(shù)，而將由此獲得的平均數(shù)認(rèn)作太陽能電池的性能。
下面的表1示出了實施例1-1-實施例1-5之間的JSC的對比。JSC值是那些通過標(biāo)準(zhǔn)化而獲得的數(shù)值，標(biāo)準(zhǔn)化是將實施例1-1中的值看成1并以此為基準(zhǔn)。從該表中看到(103)晶面的X-射線衍射強度為1/3或大于(002)晶面X-射線衍射強度的樣品的JSC值表現(xiàn)出明顯的增加。以上證明本發(fā)明氧化鋅薄膜比常規(guī)的膜更加優(yōu)異。表1
實施例2]在半導(dǎo)體層中使用三個管腳結(jié)來生產(chǎn)圖2的太陽能電池。具體地說，用上述方法將太陽能電池制成如下結(jié)構(gòu)即支撐體201-1(SUS430測量15×15cm2、厚度為0.2mm)/金屬層(Ag)201-2/透明導(dǎo)電層(ZnO)202/半導(dǎo)體層203/透明導(dǎo)電層(ZnO)204/捕集器電極(Cr)205。
首先，用常規(guī)濺射法在支撐體201-1上形成金屬層(Ag)201-2從而制成導(dǎo)電基體201，隨后使用圖3的系統(tǒng)將導(dǎo)電基體201浸漬在熱水浴60℃的熱水中從而對它進(jìn)行預(yù)熱。在該預(yù)熱后的導(dǎo)電基體201上，使用含有糊精、硝酸根離子、和鋅離子的水溶液形成厚度為500nm的透明導(dǎo)電層(ZnO)202。條件與實施例1相同。用等離子體CVD方法將半導(dǎo)體層203構(gòu)造成下列結(jié)構(gòu)即第一N-型摻雜層a-Si:H:P/第一I-型層a-SiGe:H/第一P-型摻雜層μc-Si:H:B/第二N-型摻雜層a-Si:H:P/第二I-型層a-SiGe:H/第二P-型摻雜層μc-Si:H:B/第三N-型摻雜層a-Si:H:P/第三I-型層a-Si:H/第三P-型摻雜層μc-Si:H:B。用與透明導(dǎo)電層(ZnO)202相同的方法形成透明導(dǎo)電層(ZnO)204，而用常規(guī)真空氣相法形成捕集電極(Cr)205。通過遮攔在半導(dǎo)體層上形成共100張面積為1cm2的園片從而將透明導(dǎo)電層(ZnO)204制成分電池的形式，如圖4A和4B所示，并在每一個分電池上形成捕集電極。除了透明導(dǎo)電層(ZnO)202、204外，在相同的條件下以下列方式制備五種太陽能電池即此處所用的透明導(dǎo)電層(ZnO)202、204的(103)晶面與(002)晶面的X-射線衍射強度比為0-1(實施例2-1-實施例2-5)。
在透明導(dǎo)電層形成期間，水溶液中的鋅離子濃度按下列表2所示變化。
用太陽模擬器(AM1.5、100mW/cm2、表面溫度25℃)測量這些太陽能電池的性能。計算每個太陽能電池100個分電池的平均數(shù)，并將如此獲得的平均數(shù)認(rèn)作太陽能電池的性能。
下面的表2示出了實施例2-1-實施例2-5之間的JSC的對比。JSC值是那些通過標(biāo)準(zhǔn)化而獲得的數(shù)值，標(biāo)準(zhǔn)化是將實施例2-1中的值看成1并以此為基準(zhǔn)。從該表中看到(103)晶面的X-射線衍射強度為1/3或大于(002)晶面X-射線衍射強度的樣品的JSC值表現(xiàn)出明顯的增加。以上證明本發(fā)明氧化鋅薄膜比常規(guī)的膜更加優(yōu)異。表2 在半導(dǎo)體層中使用三個管腳結(jié)來生產(chǎn)圖2的太陽能電池。具體地說，用上述方法將太陽能電池制成如下結(jié)構(gòu)即支撐體201-1(SUS430測量15×15cm2、厚度為0.2mm)/金屬層(Ag)201-2/透明導(dǎo)電層(ZnO)202/半導(dǎo)體層203/透明導(dǎo)電層(ITO)204/捕集電極(Cr)205。
首先，用常規(guī)濺射法在支撐體201-1上形成金屬層(Ag)201-2從而制成導(dǎo)電基體201，隨后使用圖3的系統(tǒng)將導(dǎo)電基體201浸漬在熱水浴60℃的熱水中從而對它進(jìn)行預(yù)熱。在該預(yù)熱后的導(dǎo)電基體201上，使用含有葡萄糖、硝酸根離子、和鋅離子的水溶液形成厚度為500nm的透明導(dǎo)電層(ZnO)202。此時的條件是溶液溫度為60℃、葡萄糖濃度為0.1克/升、電流密度為300毫安/分米。用等離子體CVD方法將半導(dǎo)體層203構(gòu)造成下列結(jié)構(gòu)即第一N-型摻雜層a-Si:H:P/第一I-型層a-SiGe:H/第一P-型摻雜層μc-Si:H:B/第二N-型摻雜層a-Si:H:P/第二I-型層a-SiGe:H/第二P-型摻雜層μc-Si:H:B/第三N-型摻雜層a-Si:H:P/第三I-型層a-Si:H/第三P-型摻雜層μc-Si:H:B。用常規(guī)濺射法形成透明導(dǎo)電層(ITO)204，而用常規(guī)真空氣相法形成捕集電極(Cr)205。通過遮攔在半導(dǎo)體層上形成共100張面積為1cm2的園片從而將透明導(dǎo)電層(ITO)204制成分電池的形式，如圖4A和4B所示，并在每一個分電池上形成捕集電極。除了透明導(dǎo)電層(ZnO)202外，在相同的條件下以下列方式制備五種太陽能電池即此處所用的透明導(dǎo)電層(ZnO)202的(101)晶面與(103)晶面的X-射線衍射強度比為0-1.5(實施例3-1-實施例3-5)。
在透明導(dǎo)電層形成期間，水溶液中的鋅離子濃度按下列表3所示變化。
用太陽模擬器(AM1.5、100mW/cm2、表面溫度25℃)測量這些太陽能電池的性能，并測量每個太陽能電池100個分電池的并聯(lián)電阻。將具有實用所必須的并聯(lián)電阻的分電池確定為殘存的分電池，用其殘存的分電池的數(shù)量來估算每個太陽能電池的發(fā)電量，并在太陽能電池中比較所獲得的發(fā)電量。
下面的表3示出了實施例3-1-實施例3-5之間發(fā)電量的對比。從該表中看到(103)晶面的X-射線衍射強度等于或大于(101)晶面X-射線衍射強度的樣品，發(fā)電量特別優(yōu)異。以上證明本發(fā)明氧化鋅薄膜比常規(guī)的膜更加優(yōu)異。
表3
實施例4]在半導(dǎo)體層中使用三個管腳結(jié)來生產(chǎn)圖2的太陽能電池。具體地說，用上述方法將太陽能電池制成如下結(jié)構(gòu)即支撐體201-1(SUS430測量15×15cm2、厚度為0.2mm)/金屬層(Ag)201-2/透明導(dǎo)電層(ZnO)202/半導(dǎo)體層203/透明導(dǎo)電層(ZnO)204/捕集器電極(Cr)205。
首先，用常規(guī)濺射法在支撐體201-1上形成金屬層(Ag)201-2從而制成導(dǎo)電基體201，隨后使用圖3的系統(tǒng)將導(dǎo)電基體201浸漬在熱水浴60℃的熱水中從而對它進(jìn)行預(yù)熱。在該預(yù)熱后的導(dǎo)電基體201上，使用含有葡萄糖、硝酸根離子、和鋅離子的水溶液形成厚度為500nm的透明導(dǎo)電層(ZnO)202。條件與實施例3相同。用等離子體增強CVD方法將半導(dǎo)體層203構(gòu)造成下列結(jié)構(gòu)即第一N-型摻雜層a-Si:H:P/第一I-型層a-SiGe:H/第一P-型摻雜層μc-Si:H:B/第二N-型摻雜層a-Si:H:P/第二I-型層a-SiGe:H/第二P-型摻雜層μc-Si:H:B/第三N-型摻雜層a-Si:H:P/第三I-型層a-Si:H/第三P-型摻雜層μc-Si:H:B。用與透明導(dǎo)電層(ZnO)202相同的方法形成透明導(dǎo)電層(ZnO)204，而用常規(guī)真空氣相法形成捕集電極(Cr)205。通過遮攔在半導(dǎo)體層上形成共100張面積為1cm2的園片從而將透明導(dǎo)電層(ZnO)204制成分電池的形式，如圖4A和4B所示，并在每一個分電池上形成捕集電極。除了透明導(dǎo)電層(ZnO)202、204外，在相同的條件下以下列方式制備五種太陽能電池即此處所用的透明導(dǎo)電層(ZnO)202、204的(101)晶面與(103)晶面的X-射線衍射強度比為0-1.5(實施例4-1-實施例4-5)。
在透明導(dǎo)電層形成期間，水溶液中的鋅離子濃度按下列表4所示變化。
用太陽模擬器(AM1.5、100mW/cm2、表面溫度25℃)測量這些太陽能電池的性能，并測量每個太陽能電池100個分電池的并聯(lián)電阻。將具有實用所必須的并聯(lián)電阻的分電池確定為殘存的分電池，用其殘存的分電池的數(shù)量來估算每個太陽能電池的發(fā)電量，并在太陽能電池中比較所獲得的發(fā)電量。
下面的表4示出了實施例4-1-實施例4-5之間發(fā)電量的對比。從該表中看到(103)晶面的X-射線衍射強度等于或大于(101)晶面X-射線衍射強度的樣品，發(fā)電量特別優(yōu)異。以上證明本發(fā)明氧化鋅薄膜比常規(guī)的膜更加優(yōu)異。表4
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，通過使用氧化鋅晶體(103)晶面具有X-射線衍射峰的氧化鋅薄膜、更優(yōu)選地使用(103)晶面X-射線衍射強度為(002)晶面X-射線衍射強度的1/3或更大的氧化鋅薄膜，可較容易地獲得具有足夠不均勻性(該不均勻性被證明具有光密性)的表面構(gòu)造而即不需要在高溫條件下制備也不需要增加厚度，因而可以較低的成本獲得晶體組織增加和短路電流密度(JSC)改善的氧化鋅薄膜，而使(103)晶面的X-射線衍射強度等于或大于(101)晶面的X-射線衍射強度可增加發(fā)電量。
還有，通過用本發(fā)明的氧化鋅薄膜形成光電轉(zhuǎn)換元件，可降低生產(chǎn)成本，并能以較高的產(chǎn)量獲得光電轉(zhuǎn)換元件，而且具有改善的均勻性。特別是，可大幅度地減少太陽能電池的生產(chǎn)成本。
權(quán)利要求
1．一種氧化鋅薄膜，在它的氧化鋅晶體(103)晶面上具有x-射線衍射峰。
2．一種氧化鋅薄膜，它具有下列X-射線衍射圖譜即氧化鋅晶體(103)晶面的x-射線衍射強度為氧化鋅晶體(002)晶面的X-射線衍射強度的1/3或更大。
3．一種氧化鋅薄膜，它具有下列X-射線衍射圖譜即在氧化鋅晶體(103)晶面上X-射線衍射強度不小于在氧化鋅晶體(101)晶面上X-射線衍射強度。
4．一種氧化鋅薄膜，它具有下列X-射線衍射圖譜即在氧化鋅晶體(103)晶面上X-射線衍射強度為在氧化鋅晶體(002)晶面上X-射線衍射強度的1/3或更大和不小于在氧化鋅晶體(101)晶面上X-射線衍射強度。
5．一種用電晶化法生產(chǎn)氧化鋅薄膜的方法，它包括以下控制即使所說的氧化鋅薄膜在氧化鋅晶體(103)晶面上具有x-射線衍射峰。
6．一種用電晶化法生產(chǎn)氧化鋅薄膜的方法，它包括以下控制即使所說氧化鋅薄膜在氧化鋅晶體(103)晶面上x-射線衍射強度為氧化鋅晶體(002)晶面上的X-射線衍射強度的1/3或更大。
7．根據(jù)權(quán)利要求5或6的方法，其中通過所說的控制增加了所說的氧化鋅薄膜的晶體組織。
8．一種用電晶化法生產(chǎn)氧化鋅薄膜的方法，它包括以下控制即使所說氧化鋅薄膜在氧化鋅晶體(103)晶面上X-射線衍射強度不小于在氧化鋅晶體(101)晶面上的X-射線衍射強度。
9．一種用電晶化法生產(chǎn)氧化鋅薄膜的方法，它包括以下控制即使所說氧化鋅薄膜在氧化鋅晶體(103)晶面上X-射線衍射強度為在氧化鋅晶體(002)晶面上的X-射線衍射強度的1/3或更大和不小于在氧化鋅晶體(101)晶面上的X-射線衍射強度。
10．一種光電轉(zhuǎn)換元件，它包括基體、第一透明導(dǎo)電層、半導(dǎo)體層、和第二透明導(dǎo)電層，其中至少一個所說透明導(dǎo)電層包括氧化鋅薄膜，并且該氧化鋅薄膜在它的氧化鋅晶體(103)晶面上具有x-射線衍射峰。
11．一種光電轉(zhuǎn)換元件，它包括基體、第一透明導(dǎo)電層、半導(dǎo)體層、和第二透明導(dǎo)電層，其中至少一個所說透明導(dǎo)電層包括氧化鋅薄膜，并且所說氧化鋅薄膜在氧化鋅晶體(103)晶面上的x-射線衍射強度為在氧化鋅晶體(002)晶面上的X-射線衍射強度的1/3或更大。
12．一種光電轉(zhuǎn)換元件，它包括基體、第一透明導(dǎo)電層、半導(dǎo)體層、和第二透明導(dǎo)電層，其中至少一個所說透明導(dǎo)電層包括氧化鋅薄膜，并且所說氧化鋅薄膜在氧化鋅晶體(103)晶面上的x-射線衍射強度不小于在氧化鋅晶體(002)晶面上的X-射線衍射強度。
13．一種光電轉(zhuǎn)換元件，它包括基體、第一透明導(dǎo)電層、半導(dǎo)體層、和第二透明導(dǎo)電層，其中至少一個所說透明導(dǎo)電層包括氧化鋅薄膜，并且所說氧化鋅薄膜在氧化鋅晶體(103)晶面上的X-射線衍射強度為在氧化鋅晶體(002)晶面上的X-射線衍射強度的1/3或更大和不小于在氧化鋅晶體(101)晶面上的X-射線衍射強度。
14．一種生產(chǎn)光電轉(zhuǎn)換元件的方法，該元件包括在基體上至少層疊第一透明導(dǎo)電層、半導(dǎo)體層、和第二透明導(dǎo)電層，所說方法包括下列步驟用電晶化法沉積氧化鋅薄膜從而形成至少一個所說的透明導(dǎo)電層，其中在所說步驟中進(jìn)行以下控制即使所說氧化鋅薄膜在它的氧化鋅晶體(103)晶面上具有x-射線衍射峰。
15．一種生產(chǎn)光電轉(zhuǎn)換元件的方法，該元件包括在基體上至少層疊第一透明導(dǎo)電層、半導(dǎo)體層、和第二透明導(dǎo)電層，所說方法包括下列步驟用電晶化法沉積氧化鋅薄膜從而形成至少一個所說的透明導(dǎo)電層，其中在所說步驟中進(jìn)行以下控制即使所說氧化鋅薄膜在氧化鋅晶體(103)晶面上的x-射線衍射強度為在氧化鋅晶體(002)晶面上的X-射線衍射強度的1/3或更大。
16．根據(jù)權(quán)利要求14或15的方法，其中通過所說的控制增加了所說氧化鋅薄膜的晶體組織。
17．一種生產(chǎn)光電轉(zhuǎn)換元件的方法，該元件包括在基體上至少層疊第一透明導(dǎo)電層、半導(dǎo)體層、和第二透明導(dǎo)電層，所說方法包括下列步驟用電晶化法沉積氧化鋅薄膜從而形成至少一個所說的透明導(dǎo)電層，其中在所說步驟中進(jìn)行以下控制即使所說氧化鋅薄膜在氧化鋅晶體(103)晶面上的X-射線衍射強度不小于在氧化鋅晶體(101)晶面上的X-射線衍射強度。
18．一種生產(chǎn)光電轉(zhuǎn)換元件的方法，該元件包括在基體上至少層疊第一透明導(dǎo)電層、半導(dǎo)體層、和第二透明導(dǎo)電層，所說方法包括下列步驟用電晶化法沉積氧化鋅薄膜從而形成至少一個所說的透明導(dǎo)電層，其中在所說步驟中進(jìn)行以下控制即使所說氧化鋅薄膜在氧化鋅晶體(103)晶面上的x-射線衍射強度為在氧化鋅晶體(002)晶面上的X-射線衍射強度的1/3或更大和不小于在氧化鋅晶體(101)晶面上X-射線衍射強度。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種在氧化鋅晶體(103)晶面上具有X－射線衍射峰的氧化鋅薄膜、一種具有該氧化鋅薄膜的光電轉(zhuǎn)換元件、和它們的生產(chǎn)方法。通過這些方法,氧化鋅薄膜的晶體組織增加,并向該光電轉(zhuǎn)換元件提供了優(yōu)異的短路電流密度(Jsc)。
文檔編號H01L31/0236GK1215095SQ9810339
公開日1999年4月28日 申請日期1998年7月9日 優(yōu)先權(quán)日1997年7月9日
發(fā)明者近藤隆治 申請人:佳能株式會社