專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的技術(shù)，特別涉及一種制造具有改進(jìn)的CSP(芯片尺寸封裝)密封性能的低成本半導(dǎo)體器件的技術(shù)。
本發(fā)明是本發(fā)明人的研究成果，概括如下。
CSP是一種芯片尺寸小而薄半導(dǎo)體器件，經(jīng)常用于制造成便攜式電子裝置的印刷電路板上。
CSP的一般結(jié)構(gòu)包括薄膜布線基片，其上安裝有作為外部端子的突點(diǎn)電極；電連接于半導(dǎo)體芯片的電極焊盤上的引線；設(shè)置于半導(dǎo)體芯片和薄膜布線基片之間的彈性體(彈性結(jié)構(gòu))，其尺寸形成得接近薄膜布線基片；及密封電極焊盤和與之相連的薄膜布線基片的引線的密封部件。
本發(fā)明人為了進(jìn)行比較而研究的CSP結(jié)構(gòu)例如見(jiàn)Nikkei BP Co.于1997年4月1日發(fā)表的“Nikkei Microdevices”(April 1，1997，No.142，pp.44-53，)，具體見(jiàn)第48頁(yè)上的圖6中表示的下一代CSP(比較例)。
這種CSP包括具有形成于其主表面上的電極焊盤的半導(dǎo)體芯片；設(shè)置于半導(dǎo)體芯片內(nèi)作為外部端子的突點(diǎn)電極；及半導(dǎo)體芯片外的輪廓。
然而，在具有上述一般結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)CSP中，密封樹(shù)脂容易流到半導(dǎo)體芯片各側(cè)面上。這會(huì)影響CSP外形尺寸的精確性，所以，在某些情況下，無(wú)法將其插入其插座。
換言之，存在著CSP的外形形狀不固定的問(wèn)題。
如果試圖減少密封樹(shù)脂的量來(lái)解決此問(wèn)題，則薄膜布線基片的引線會(huì)暴露出來(lái)。密封部件的密封性能因而不符合要求，結(jié)果是耐濕性很不可靠。
與現(xiàn)有技術(shù)的CSP比較，如果外形制造成隔離結(jié)構(gòu)，則制造成本將增加。
在具有常規(guī)結(jié)構(gòu)的CSP中，在形成突點(diǎn)電極的焊料回流期間，因彈性體中的濕汽和氣體膨脹的緣故，內(nèi)部壓力升高，結(jié)果，密封部件被破壞，導(dǎo)致了“爆米花”現(xiàn)象。
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種成本低且密封性能提高了的芯片尺寸半導(dǎo)體器件其及制造方法。
本發(fā)明再一目的是提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，可以防止這種爆米花現(xiàn)象的發(fā)生。
通過(guò)下面的說(shuō)明及附圖，本發(fā)明的這些和其它特性將變得更清楚。
下面簡(jiǎn)單說(shuō)明一下本發(fā)明的典型實(shí)例的要點(diǎn)。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件是一種芯片尺寸封裝，具有設(shè)置于其主表面外圍上的連接端子。該封裝包括設(shè)置于半導(dǎo)體芯片主表面上但將連接端子暴露出來(lái)的彈性結(jié)構(gòu)；薄膜布線基片，包括其上具有布線的基片主體，布線的一端通過(guò)引線電連接到前述端子上，另一端電連接到作為外部端子的突點(diǎn)電極上，還包括基片伸出部分，該部分具有使連接端子暴露出來(lái)的開(kāi)口，該部分伸出在開(kāi)口和半導(dǎo)體芯片之外；及密封部件，用于密封半導(dǎo)體芯片的連接端子，并密封薄膜布線基片的引線，基片主體和薄膜布線基片的伸出部分形成一種單片結(jié)構(gòu)。
由于基片伸出部分與基片主體不是分開(kāi)的，而是與之形成為一單片結(jié)構(gòu)，所以基片伸出部分無(wú)須由昂貴的材料構(gòu)成。
所以，制造半導(dǎo)體器件的成本下降。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件是一種具有設(shè)置于其主表面外圍上的連接端子的芯片尺寸結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置于半導(dǎo)體芯片主表面上的彈性結(jié)構(gòu)，該彈性結(jié)構(gòu)包括具有使連接端子暴露出來(lái)的開(kāi)口的彈性伸出部分；薄膜布線基片，該基片包括其上具有布線的基片主體，布線的一端通過(guò)引線與前述端子電連接，另一端與作為外部端子的突點(diǎn)電極電連接，還包括具有使連接端子暴露出來(lái)的開(kāi)口的基片伸出部分，該部分伸出在開(kāi)口和半導(dǎo)體芯片之外；及密封部件，用于密封半導(dǎo)體芯片的連接端子，并密封薄膜布線基片的引線，基片主體和薄膜布線基片的伸出部分形成一種單片結(jié)構(gòu)，且薄膜布線基片和彈性結(jié)構(gòu)的尺寸基本相同。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件是一種具有設(shè)置于其主表面外圍上的連接端子的芯片尺寸結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置于半導(dǎo)體芯片主表面上的彈性結(jié)構(gòu)，所說(shuō)半導(dǎo)體芯片具有暴露于外部的部分，用于暴露連接端子；薄膜布線基片，該基片包括其上具有布線的基片主體，布線的一端通過(guò)引線與前述端子電連接，另一端與作為外部端子的突點(diǎn)電極電連接，還包括使前述連接端子暴露出來(lái)的開(kāi)口；及密封部件，用于密封半導(dǎo)體芯片的連接端子，并密封薄膜布線基片的引線。
根據(jù)本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器件的方法包括以下步驟制備具有芯片尺寸結(jié)構(gòu)的薄膜布線基片，其上具有設(shè)置于其主表面外圍上的連接端子，所說(shuō)基片包括帶有布線的基片主體，還包括伸出在開(kāi)口之外的伸出部分，開(kāi)口中引線連接到該布線上，并且所說(shuō)基片伸出部分與基片主體形成為單片結(jié)構(gòu)；連接彈性結(jié)構(gòu)與薄膜布線基片的基片主體；連接半導(dǎo)體芯片的主表面與彈性結(jié)構(gòu)，以便在薄膜布線基片的開(kāi)口中暴露半導(dǎo)體芯片的連接端子；電連接半導(dǎo)體芯片的連接端子與薄膜布線基片的對(duì)應(yīng)引線；用包括低硅石材料的密封樹(shù)脂密封半導(dǎo)體芯片的連接端子及薄膜布線基片的引線，以形成密封部件；電連接基片主體的布線，以便形成突點(diǎn)電極；及同時(shí)切割基片伸出部分和形成于其中的密封部件成要求的外形尺寸。
根據(jù)本發(fā)明制造半導(dǎo)體器件的方法包括以下步驟制備具有芯片尺寸結(jié)構(gòu)的薄膜布線基片，其上具有設(shè)置于其主表面外圍上的連接端子，所說(shuō)基片包括具有與彈性結(jié)構(gòu)連接的布線和其中引線連接到該布線上的開(kāi)口的基片主體，其中基片主體由彈性結(jié)構(gòu)的支撐部件支撐于基片框上；連接半導(dǎo)體芯片的主表面與彈性結(jié)構(gòu)，使半導(dǎo)體芯片的連接端子暴露于薄膜布線基片的開(kāi)口中；電連接半導(dǎo)體芯片的連接端子與薄膜布線基片的對(duì)應(yīng)引線；樹(shù)脂密封半導(dǎo)體芯片的連接端子及薄膜布線基片的引線，以形成密封部件；電連接基片主體的布線，以便形成突點(diǎn)電極；及切割彈性結(jié)構(gòu)的支撐部件，以便將基片主體與基片框分離；暴露彈性結(jié)構(gòu)的暴露部分。


圖1是展示本發(fā)明第一實(shí)施例的透過(guò)半導(dǎo)體器件(CSP)的典型結(jié)構(gòu)的密封部件的平面圖。
圖2(a)至2(c)是展示圖1所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖2(a)是穿過(guò)圖1中的線A-A的剖面圖，圖2(b)是穿過(guò)圖1中的線B-B的剖面圖，圖2(c)是穿過(guò)圖1中的線C-C的剖面圖。
圖3(a，b，c，d)是展示用于圖1所示半導(dǎo)體器件的部件的規(guī)格實(shí)例的規(guī)格表。
圖4是制造圖1所示半導(dǎo)體器件的典型工藝的制造過(guò)程。
圖5是展示圖4所示制造工藝的各階段的典型處理?xiàng)l件的流程圖。
圖6(a)和6(b)是展示制造用于本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)的薄膜布線基片的典型方法的局部平面圖。
圖7(a)和7(b)是展示制造用于本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)的薄膜布線基片的典型方法的局部平面圖。
圖8(a)和8(b)是展示制造用于本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)的薄膜布線基片的典型方法的局部平面圖。
圖9(a)和9(b)是展示制造本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)的典型方法的示意圖，其中圖9(a)是展示彈性體固定情況的局部平面圖，圖9(b)是展示半導(dǎo)體芯片固定情況的局部平面圖。
圖10是展示制造本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)的方法中切割位置實(shí)例的局部平面圖。
圖11(a)和11(b)是展示制造本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)的方法中引線切割法實(shí)例的透視圖。
圖12(a)、12(b)和12(c)是展示制造本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)的方法中彈性體固定狀態(tài)實(shí)例的透視圖。
圖13(a)和13(b)是展示制造本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)的方法中引線鍵合法實(shí)例的透視圖。
圖14是穿過(guò)密封部件的根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)結(jié)構(gòu)實(shí)例的平面圖。
圖15(a)至15(c)是展示圖14所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖15(a)是穿過(guò)圖14中的線A-A的剖面圖，圖15(b)是穿過(guò)圖14中的線B-B的剖面圖，圖15(c)是穿過(guò)圖14中的線C-C的剖面圖。
圖16是展示穿過(guò)密封部件的根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)結(jié)構(gòu)實(shí)例的平面圖。
圖17(a)至17(c)是展示圖16所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖17(a)是穿過(guò)圖16中的線A-A的剖面圖，圖17(b)是穿過(guò)圖16中的線B-B的剖面圖，圖17(c)是穿過(guò)圖16中的線C-C的剖面圖。
圖18是展示密封部件的根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)結(jié)構(gòu)實(shí)例的平面圖。
圖19(a)至19(c)是展示圖18所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖19(a)是穿過(guò)圖18中的線A-A的剖面圖，圖19(b)是穿過(guò)圖18中的線B-B的剖面圖，圖19(c)是穿過(guò)圖18中的線C-C的剖面圖。
圖20是展示密封部件的根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)結(jié)構(gòu)的實(shí)例的平面圖。
圖21(a)至21(c)是展示圖20所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖21(a)是穿過(guò)圖20中的線A-A的剖面圖，圖21(b)是穿過(guò)圖20中的線B-B的剖面圖，圖21(c)是穿過(guò)圖20中的線C-C的剖面圖。
圖22是展示密封部件的根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)結(jié)構(gòu)的實(shí)例的平面圖。
圖23(a)至23(c)是展示圖22所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖23(a)是穿過(guò)圖22中的線A-A的剖面圖，圖23(b)是穿過(guò)圖22中的線B-B的剖面圖，圖23(c)是穿過(guò)圖22中的線C-C的剖面圖。
圖24是展示密封部件的根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)結(jié)構(gòu)的實(shí)例的平面圖。
圖25(a)至25(c)是展示圖24所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖25(a)是穿過(guò)圖24中的線A-A的剖面圖，圖25(b)是穿過(guò)圖24中的線B-B的剖面圖，圖25(c)是穿過(guò)圖24中的線C-C的剖面圖。
圖26是展示圖24所示半導(dǎo)體器件(CSP)的下表面的底面圖。
圖27是展示圖8所示薄膜布線基片的具體結(jié)構(gòu)的局部放大平面圖。
圖28是展示密封部件的根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)結(jié)構(gòu)的實(shí)例的平面圖。
圖29(a)至29(c)是展示圖28所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖29(a)是穿過(guò)圖28中的線A-A的剖面圖，圖29(b)是穿過(guò)圖28中的線B-B的剖面圖，圖29(c)是穿過(guò)圖28中的線C-C的剖面圖。
圖30是展示密封部件的根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)結(jié)構(gòu)的實(shí)例的平面圖。
圖31(a)至31(c)是展示圖30所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖31(a)是穿過(guò)圖30中的線A-A的剖面圖，圖31(b)是穿過(guò)圖30中的線B-B的剖面圖，圖31(c)是穿過(guò)圖30中的線C-C的剖面圖。
圖32是展示密封部件的根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)結(jié)構(gòu)的實(shí)例的平面圖。
圖33(a)至33(c)是展示圖32所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖33(a)是穿過(guò)圖32中的線A-A的剖面圖，圖33(b)是穿過(guò)圖32中的線B-B的剖面圖，圖33(c)是穿過(guò)圖32中的線C-C的剖面圖。
圖34是展示密封部件的根據(jù)本發(fā)明第十一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)結(jié)構(gòu)的實(shí)例的平面圖。
圖35(a)至35(c)是展示圖34所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖35(a)是穿過(guò)圖34中的線A-A的剖面圖，圖35(b)是穿過(guò)圖34中的線B-B的剖面圖，圖35(c)是穿過(guò)圖34中的線C-C的剖面圖。
圖36是展示密封部件的根據(jù)本發(fā)明第十二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)結(jié)構(gòu)的實(shí)例的平面圖。
圖37(a)至37(c)是展示圖36所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖37(a)是穿過(guò)圖36中的線A-A的剖面圖，圖37(b)是穿過(guò)圖36中的線B-B的剖面圖，圖37(c)是穿過(guò)圖36中的線C-C的剖面圖。
圖38是展示密封部件的根據(jù)本發(fā)明第十三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)結(jié)構(gòu)的實(shí)例的平面圖。
圖39(a)至39(c)是展示圖38所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖39(a)是穿過(guò)圖38中的線A-A的剖面圖，圖39(b)是穿過(guò)圖38中的線B-B的剖面圖，圖39(c)是穿過(guò)圖38中的線C-C的剖面圖。
圖40(a)、40(b)、40(c)是展示本發(fā)明第十四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中的未連接引線的示意圖，其中圖40(a)是在使未連接引線變形時(shí)的剖面圖，圖40(b)、40(c)是在不使未連接引線變形時(shí)的剖面圖。
圖41(a)、41(b)、41(c)是展示本發(fā)明第十五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中利用單層表面布線的薄膜布線基片的典型結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖42(a)、42(b)、42(c)是展示本發(fā)明第十五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中利用兩層薄膜布線結(jié)構(gòu)的典型結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖43(a)、43(b)、43(c)、43(d)是展示本發(fā)明第十六實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件方法中的引線端處理工藝實(shí)例的局部放大剖面圖，圖43(a)是鍵合前，圖43(b)是鍵合時(shí)，圖43(c)是鍵合后，圖43(d)是密封時(shí)。
圖44(a)、44(b)、44(c)是展示本發(fā)明第十六實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件方法中的引線端處理工藝的另一實(shí)例的局部放大剖面圖，用于與圖43的引線端處理工藝進(jìn)行比較，圖44(a)是鍵合前，圖44(b)是鍵合時(shí)，圖44(c)是密封后。
圖45(a)、45(b)、45(c)是展示本發(fā)明第十六實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件方法中的引線端處理工藝的再一實(shí)例的局部放大剖面圖，用于與圖43的引線端處理工藝進(jìn)行比較，圖45(a)是鍵合前，圖45(b)是鍵合時(shí)，圖45(c)是密封后。
圖46是展示用于本發(fā)明第十七實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)的彈性體(彈性結(jié)構(gòu))的著色規(guī)格的實(shí)例的彈性體規(guī)格表。
圖47(a)-47(h)是展示本發(fā)明第十八實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中的典型彈性體構(gòu)成的示意圖。
圖48(a)-48(e)是展示本發(fā)明第十八實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中的典型彈性體構(gòu)成的示意圖。
圖49(a)和49(b)展示了本發(fā)明第十九實(shí)施例的彈性體的構(gòu)架層和粘合層的厚度實(shí)例。
圖50是展示圖20所示半導(dǎo)體器件(CSP)的底層的底面的示圖。
圖51(a)、51(b)、51(c)、51(d)是展示本發(fā)明第二十一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)實(shí)例的示意圖，其中圖51(a)是底面圖，圖51(b)是側(cè)面圖，圖51(c)是局部切除的平面圖，圖51(d)是前視圖。
圖52(a)、52(b)、52(c)是展示圖51所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)實(shí)例的示意圖，其中圖52(a)是穿過(guò)圖51中的線A-A的剖面圖，圖52(b)是穿過(guò)圖51中的線B-B的剖面圖，圖52(c)是穿過(guò)圖51中的線C-C的剖面圖。
圖53(a)、53(b)是展示圖52所示半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的剖面圖，其中圖53(a)是展示圖52(b)中的D部分的示圖，圖53(b)是展示圖52(c)中的E部分的示圖。
圖54(a)-54(f)是展示制造用于本發(fā)明第二十一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的薄膜布線基片的方法的實(shí)例的示圖，其中圖54(a)、54(c)、54(e)是局部平面圖，圖54(b)、54(d)、54(f)分別是穿過(guò)A-A線的剖面圖。
圖55(a)-55(d)是展示制造用于本發(fā)明第二十一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的薄膜布線基片的方法的實(shí)例的示圖，其中圖55(a)、55(c)是局部平面圖，圖55(b)、55(d)分別是穿過(guò)A-A線的剖面圖。
圖56(a)-56(f)是展示制造用于本發(fā)明第二十一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的薄膜布線基片的方法的實(shí)例的示圖，其中圖56(a)、56(d)是局部平面圖，圖56(b)、56(e)分別是穿過(guò)A-A線的剖面圖，圖56(c)、56(f)分別是穿過(guò)B-B線的剖面圖。
圖57(a)-57(f)是展示制造用于本發(fā)明第二十一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的薄膜布線基片的方法的實(shí)例的示圖，其中圖57(a)、57(d)是局部平面圖，圖57(b)、57(e)分別是穿過(guò)A-A線的剖面圖，圖57(c)、57(f)分別是穿過(guò)B-B線的剖面圖。
圖58(a)-58(f)是展示制造用于本發(fā)明第二十一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的薄膜布線基片的方法的實(shí)例的示圖，其中圖58(a)、58(d)是局部平面圖，圖58(b)、58(e)分別是穿過(guò)A-A線的剖面圖，圖58(c)、58(f)分別是穿過(guò)B-B線的剖面圖。
圖59(a)、59(b)、59(c)是展示制造用于本發(fā)明第二十二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的薄膜布線基片的方法的實(shí)例的示圖，其中圖59(a)是側(cè)視圖，圖59(b)平面圖，圖59(c)是前視圖。
圖60(a)、60(b)、60(c)、60(d)是展示本發(fā)明第二十三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的實(shí)例的示圖，其中圖60(a)是底面圖，圖60(b)是側(cè)視圖，圖60(c)是平面圖，圖60(d)是前視圖。
圖61(a)、61(b)是展示本發(fā)明第二十三實(shí)施例的制造方法中完成密封時(shí)狀態(tài)實(shí)例的示圖。
圖62(a)、62(b)、62(c)是圖61(a)平面圖的剖面圖，其中圖62(a)是展示平面A-A的剖面圖，圖62(b)是展示平面B-B的剖面圖，圖62(c)是展示平面C-C的剖面圖。
圖63(a)、63(b)、63(c)是展示本發(fā)明第二十三實(shí)施例的制造方法中完成密封時(shí)狀態(tài)實(shí)例的示圖，其中圖63(a)是平面圖，圖63(b)是側(cè)視圖，圖63(c)是底面圖。
圖64是根據(jù)本發(fā)明第二十三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中氣體釋放情況的示意圖。
圖65(a)-65(e)是展示本發(fā)明第二十四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的實(shí)例的示圖，其中圖65(a)是底面圖，圖65(b)是側(cè)視圖，圖65(c)是平面圖，圖65(d)是前視圖，圖65(e)是穿過(guò)圖65(c)中C-C線的剖面圖。
圖66(a)、65(b)、66(c)是展示本發(fā)明第二十五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的實(shí)例的示圖，其中圖66(a)是平面圖，圖66(b)是側(cè)視圖，圖66(c)是底面圖。
圖67是展示制造本發(fā)明第二十五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件方法中完成密封時(shí)狀態(tài)實(shí)例的平面圖。
圖68(a)、68(b)是圖67的平面圖的剖面圖。
圖69(a)、69(b)是展示根據(jù)本發(fā)明第二十五實(shí)施例的制造方法中完成密封時(shí)狀態(tài)實(shí)例的示圖，其中圖69(a)是底面圖，圖69(b)是展示去掉的半導(dǎo)體芯片的底面圖。
圖70是在本發(fā)明第二十五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中留有氣體的狀態(tài)實(shí)例的示圖。
下面結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。
實(shí)施例1圖1是透過(guò)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)典型結(jié)構(gòu)的密封部件的平面圖。圖2(a)至2(c)是展示圖1所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖2(a)是穿過(guò)圖1中的線A-A的剖面圖，圖2(b)是穿過(guò)圖1中的線B-B的剖面圖，圖2(c)是穿過(guò)圖1中的線C-C的剖面圖。圖3(a，b，c，d)是展示用于圖1所示半導(dǎo)體器件的部件的規(guī)格實(shí)例的規(guī)格表。圖4是制造圖1所示半導(dǎo)體器件的典型工藝的制造過(guò)程。圖5是展示圖4所示制造工藝的各階段的典型處理?xiàng)l件的流程圖。圖6、圖7和圖8是展示制造用于本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)的薄膜布線基片的典型方法的局部平面圖。圖9(a)和9(b)是展示制造本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)的典型方法的示意圖，其中圖9(a)是展示彈性體固定情況的局部平面圖，圖9(b)是展示半導(dǎo)體芯片固定情況的局部平面圖。圖10是展示制造本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)的方法中切割位置實(shí)例的局部平面圖。圖11(a)和11(b)是展示制造本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)的方法中引線切割法實(shí)例的透視圖。圖12(a)、12(b)和12(c)是展示制造本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)的方法中彈性體固定狀態(tài)實(shí)例的透視圖。圖13(a)和13(b)是展示制造本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)的方法中引線鍵合法實(shí)例的透視圖。圖27是展示圖8所示薄膜布線基片的具體結(jié)構(gòu)的局部放大示圖。
根據(jù)圖1和2所示的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP11)是一種其封裝尺寸接近芯片尺寸的小型結(jié)構(gòu)。該器件包括半導(dǎo)體芯片1，具有主表面1a和形成于主表面1a外圍部分上的電極焊盤1b(連接端子或鍵合焊盤)；作為設(shè)置于半導(dǎo)體芯片1內(nèi)部的外端子的突點(diǎn)電極2。焊盤形成于芯片的外圍且突點(diǎn)電極設(shè)置于芯片內(nèi)的這種結(jié)構(gòu)此后將稱為外圍焊盤扇入CSP。
在外部端子為突點(diǎn)電極時(shí)，CSP11還是一種電極柵陣列。
下面說(shuō)明這種CSP11的結(jié)構(gòu)，這種CSP11包括設(shè)置于半導(dǎo)體芯片1的主表面1a上的彈性體3(彈性結(jié)構(gòu))，用于使電極焊盤1b暴露出來(lái)；薄膜布線基片4，包括具有布線4d的基片主體4a，布線4d的一端通過(guò)引線1c與半導(dǎo)體芯片1的電極焊盤1b電連接，其另一端與突點(diǎn)電極2電連接，還包括暴露電極焊盤1b的開(kāi)口4e及伸出這些開(kāi)口4e和半導(dǎo)體芯片1之外的基片伸出部分4b；密封部件5，用于密封半導(dǎo)體芯片1的電極焊盤1b和薄膜布線基片4的引線4c；薄膜布線基片4的基片主體4a和基片伸出部分4b形成為單片結(jié)構(gòu)。(關(guān)于本發(fā)明的目的，“布線”應(yīng)理解為形成在載帶上的部件，“引線”應(yīng)理解為從包括布線的載帶上突起的部件。)示于圖1的CSP11的平面圖是示于圖2的密封部件5的平面圖，以便展示半導(dǎo)體芯片1的電極1b和薄膜布線基片4的引線4c。
因此，盡管示于圖2的密封部件5實(shí)際上形成于示于圖1的CSP11的薄膜布線基片4的開(kāi)口4e中，但圖1的CSP11的平面圖略去了上述密封部件5(這也是此后實(shí)施例2-20的情況)。
在該第一實(shí)施例中，多個(gè)電極焊盤1b設(shè)置于與矩形半導(dǎo)體芯片1的主表面1a的縱向成直角的兩短邊(此后稱為短邊方向)的外圍，作為外部端子的十二個(gè)突點(diǎn)電極2由此呈柵形設(shè)置于半導(dǎo)體芯片1內(nèi)。
因此，每一個(gè)矩形開(kāi)口4e形成于對(duì)應(yīng)于薄膜布線基片4內(nèi)面對(duì)半導(dǎo)體芯片1主表面的短邊方向的外邊緣位置。
結(jié)果，在半導(dǎo)體芯片1固定于彈性體3上時(shí)，通過(guò)薄膜基片4的開(kāi)口4e暴露出面對(duì)半導(dǎo)體芯片1短邊方向的多個(gè)電極焊盤1b，開(kāi)口4e設(shè)置于相應(yīng)的位置。
本發(fā)明第一實(shí)施例的CSP11的薄膜布線基片4包括具有布線4d的基片主體4a、兩個(gè)開(kāi)口4e和伸出基片主體4a及兩個(gè)開(kāi)口4e的基片伸出部分4b。
在半導(dǎo)體芯片1固定于彈性體3上時(shí)，基片主體4a、彈性體3和半導(dǎo)體芯片1疊置在一起，薄膜布線基片4的伸出部分4b呈砧形伸出半導(dǎo)體芯片1之外。
與布線4d電連接且其上將安裝突點(diǎn)電極2的十二個(gè)突點(diǎn)區(qū)4f(圖8(a))設(shè)置于基片主體4a上。
支撐半導(dǎo)體芯片1的彈性體3是絕緣彈性材料，設(shè)置于薄膜布線基片4和半導(dǎo)體芯片1之間。第一實(shí)施例的彈性體3包括伸出半導(dǎo)體芯片1外的伸出部分3b(彈性伸出部分)。組裝CSP11后，彈性體3的預(yù)定側(cè)面3a(這里，兩側(cè)面3a的方向與半導(dǎo)體芯片1的縱向相同)暴露于外部。
如圖1或2(c)所示，在彈性體3固定于薄膜布線基片4上時(shí)，彈性體3中伸出半導(dǎo)體芯片1的彈性伸出部分3b位于薄膜布線基片4的基片伸出部分4b之上。
通過(guò)樹(shù)脂密封半導(dǎo)體芯片1的電極焊盤1b和與這些焊盤相連的引線4c、半導(dǎo)體芯片1短邊方向上的整個(gè)相對(duì)側(cè)面1c、及接近半導(dǎo)體芯片1縱向上兩相對(duì)側(cè)面1c的兩端部的區(qū)域，形成密封部件5。由于靠近半導(dǎo)體芯片1形成薄膜布線基片4的基片伸出部分4b，所以，密封樹(shù)脂在密封部件5中的基片伸出部分4b和半導(dǎo)體芯片1之間形成橋(跨接)。
下面將參照?qǐng)D3(a，b，c，d)說(shuō)明CSP11和每個(gè)部件的規(guī)格(材料，尺寸及厚度)。然而，應(yīng)該明白，這些規(guī)格只是給出的實(shí)例，本發(fā)明并不限于這些實(shí)例。
作為薄膜布線基片4的基本材料的載帶由聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成，其厚度為25-75微米。設(shè)置于薄膜布線基片4上的布線4d(包括引線4c和突點(diǎn)區(qū)4f)為18-25微米厚的銅箔。布線4d的兩側(cè)面上鍍有1.5微米的Au鍍層，或在電極焊盤1b的那一面和突點(diǎn)電極2那一面鍍不同厚度的Au/Ni鍍層，由此鍍敷布線4d。
在用于第一實(shí)施例的薄膜布線基片4中，布線4d是單層結(jié)構(gòu)，如圖2(a)所示。也稱為“單敷層背面布線”，其中布線4d只形成于載帶基材(圖6(a)中的載帶基材4g)的下表面上。
彈性體3為三層結(jié)構(gòu)(圖47)，包括兩面上具有粘合層3e的基層(構(gòu)架層3d，也稱為芯層)。其應(yīng)用的實(shí)例有圖3(a，b，c，d)所示的規(guī)格①和規(guī)格②。日本專利申請(qǐng)平9-149106給出了規(guī)格①的具體情況，日本專利申請(qǐng)平8-136159給出了規(guī)格②的具體情況。
用于第一實(shí)施例的彈性體3還是無(wú)色的，因此第一實(shí)施例的彈性體3是透光的有效透明結(jié)構(gòu)。
從孔隙率和防水性能考慮，還要求彈性體3的基層(構(gòu)架層3d)由多孔氟化物樹(shù)脂構(gòu)成，即要求用規(guī)格①的彈性體。
這里，由多孔氟化物樹(shù)脂形成的彈性體3包括具有3維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的構(gòu)架層3d。
這種3維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)是通過(guò)纖維化合物的3維盤繞形成的無(wú)紡纖維。
作為形成密封部件5的密封材料的密封樹(shù)脂為圖3(a，b，c，d)所示的規(guī)格①或規(guī)格②。
在密封后的固化烘烤期間，由于溶劑的汽化，會(huì)在溶劑性液態(tài)樹(shù)脂中形成空洞，因此要求采用規(guī)格①的樹(shù)脂。
用于第一實(shí)施例的CSP11的密封樹(shù)脂是揮發(fā)性相對(duì)高的材料。然而，通過(guò)在涂敷步驟中加長(zhǎng)封裝噴嘴(未示出)的移動(dòng)時(shí)間(例如涂敷半導(dǎo)體芯片1一面上的六個(gè)電極焊盤1b的時(shí)間約為30秒)，或通過(guò)加熱密封樹(shù)脂，可以采用揮發(fā)性相對(duì)高的密封樹(shù)脂，這樣一來(lái)便可以在基片伸出部分4b和半導(dǎo)體芯片1間形成橋接。
另外，較好是采用含硅石樹(shù)脂，以減少密封固化期間收縮產(chǎn)生的殘余應(yīng)力，更好是采用含至少50wt％硅石的樹(shù)脂。
突點(diǎn)電極2的材料是Sn/Pb共晶焊料或其它高熔點(diǎn)焊料，或鍍Au的Ni等，其直徑為0.3-0.6mm。
第一實(shí)施例的CSP11(半導(dǎo)體器件)具有以下優(yōu)點(diǎn)。
薄膜布線基片4的基片主體4a和基片伸出部分4b形成單片結(jié)構(gòu)。由于基片伸出部分4b不是與基片主體4a分離的結(jié)構(gòu)，所以不必由昂貴材料形成基片伸出部分4b。
因此，可以降低制造CSP11(半導(dǎo)體器件)的成本。
由于基片伸出部分4b伸出薄膜布線基片4的開(kāi)口4e之外，所以，在通過(guò)開(kāi)口4e涂敷密封樹(shù)脂時(shí)，可以形成作為基片伸出部分4b和半導(dǎo)體芯片1之間橋接的密封部件5。
由于可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的密封，所以可以提高密封性能，結(jié)果，耐濕性更可靠。
密封樹(shù)脂至少含50wt％的硅石，所以，可以減小固化烘烤期間的收縮造成的殘余應(yīng)力。
因此，密封部件5的可靠性提高。
構(gòu)成彈性結(jié)構(gòu)的彈性體3的基層由多孔氟化物樹(shù)脂構(gòu)成，與半導(dǎo)體芯片1的縱向同方向的彈性體3的兩相對(duì)側(cè)面3a暴露于外部。由此，可以將回流期間吸收的潮汽造成的水蒸汽釋放出來(lái)，回流性能改善，由于多孔氟化物樹(shù)脂中氟化物的防水性能，可以防止水進(jìn)入到CSP11中。所以，減輕了CSP11的電特性的退化。
下面將說(shuō)明制造第一實(shí)施例的CSP11(半導(dǎo)體器件)的方法及由此實(shí)現(xiàn)的優(yōu)點(diǎn)。
按圖4所示順序，參照?qǐng)D5的工藝條件說(shuō)明該方法。
示于圖9、10、12和13的彈性體3包括開(kāi)口3c。這些圖記載了制造以后將說(shuō)明的第十六或十七實(shí)施例的制造CSP16，17的方法，但考慮到基本制造方法與第一實(shí)施例是相同的，所以第一實(shí)施例也使用圖9、10、12和13。
首先，提供包括基片主體4a、基片伸出部分4b的薄膜布線基片4，其中基片主體4a包括布線4d，基片伸出部分4b伸出于引線4c與布線4d于其中連接的開(kāi)口4e之外。
下面參照?qǐng)D6-8說(shuō)明制造薄膜布線基片4的方法。
首先，制備圖6(a)所示的包括聚酰亞胺樹(shù)脂的載帶基材4g。并在該基材4g的上下表面上涂敷用于圖7(b)所示的粘附銅箔的粘合劑。
接著，如圖6(b)所示，在載帶基材4g的兩面上以約相等的間隔形成輸送載帶用的預(yù)制孔4i。
接著，通過(guò)沖壓在兩面上形成十二個(gè)突點(diǎn)開(kāi)口4j和兩個(gè)布線連接孔4e，如圖7(a)所示，并在載帶基材4g上層疊銅箔4h，如圖7(b)所示。
如圖8(a)所示，通過(guò)腐蝕將銅箔4h加工成要求圖形。由此形成突點(diǎn)區(qū)4f和電源線4k。
鍍敷銅箔4h后，為了使前述鍍金電反應(yīng)，必須將相鄰的電源線4k連接在一起。
腐蝕銅箔4h形成布線圖形后，為銅箔4h鍍金。這種金層的規(guī)格正是圖3(a，b，c，d)所示的那種布線鍍層。它可以是厚度為1.5微米(示于圖3(a，b，c，d)中的布線鍍層①)的鍍金層、有不同鍍層厚度的金/鎳(示于圖3(a，b，c，d)中的布線鍍層②)或其它類型的鍍層。
然后，如圖11(a)所示，用切割機(jī)6的沖壓模具6a切割如圖8(a)所示連接在一起的布線引線，以便分離如圖8(b)所示的引線4c。
關(guān)于沖壓模具6的切割刀片的寬度，要求使用寬度為50-200微米更好為100-150微米的小切割刀片，以便在如圖11(b)的切割后將引線4c成型為束狀41。
通過(guò)利用125微米的小切割刀片，可以以125微米的尺寸形成引線4c的切割部分，結(jié)果，在安裝半導(dǎo)體芯片1(圖1)時(shí)，可以縮短半導(dǎo)體芯片1和基片伸出部分4b間的距離。
因此，可以使密封部件5的密封區(qū)變窄，所以改善了密封性能。
另外，由于半導(dǎo)體芯片1和基片伸出部分4b間的距離可以縮短，所以能將CSP11小型化。
通過(guò)切割使引線4c成型為如圖11(b)所示的束狀41，制造如圖8(b)所示的薄布線基片4。
下面參照?qǐng)D8和27說(shuō)明用于第一實(shí)施例的薄膜布線基片4的具體結(jié)構(gòu)。
如圖27所示，圍繞基片主體4a形成有效對(duì)應(yīng)于基片主體4a的四個(gè)側(cè)邊的四個(gè)長(zhǎng)孔4q。
形成這些長(zhǎng)孔4q的目的是在切掉基片主體4a時(shí)減小截面積，使切割容易進(jìn)行，并在清理時(shí)或切割為細(xì)長(zhǎng)形的薄膜布線基片4時(shí)減輕形變。
在切割期間定位用的定位孔4p設(shè)置于基片主體4a的上下長(zhǎng)孔4q外(根據(jù)該實(shí)施例總共設(shè)置三個(gè)孔，即一個(gè)上部長(zhǎng)孔和兩個(gè)下部長(zhǎng)孔，但如果這些定位孔4p設(shè)置于上下長(zhǎng)孔4q之外，其數(shù)目不限于這些)。
由與布線圖形相同的銅箔構(gòu)成的識(shí)別圖形4n也設(shè)置于基片主體4a的上下長(zhǎng)孔4q內(nèi)。
這些識(shí)別圖形4n用于在切割期間等識(shí)別薄膜布線基片4的位置，并且它們也可以在鍵合期間從薄膜布線基片4的反面(沒(méi)有布線圖形的一面)被識(shí)別。具體說(shuō)，它們跨立在長(zhǎng)孔4q的端部，以便能夠從薄膜布線基片4的上表面和下表面被識(shí)別出來(lái)。
如圖27所示的薄膜布線基片4包括相對(duì)于輸送方向水平設(shè)置成行的多個(gè)基片主體4a，然而，也可以水平設(shè)置多行基片主體4a(例如兩行)。
這種情況下，可以提高制造CSP11的效率。
隨后進(jìn)行圖4所示的供應(yīng)薄膜布線基片20和供應(yīng)彈性體21，然后進(jìn)行彈性體固定步驟22。
為了固定彈性體3，根據(jù)固定條件，如圖5中給出的實(shí)例，如圖9(a)所示連接薄膜布線基片4的基片主體4a和彈性體3。
以此方式，組裝薄膜布線基片4和彈性體3。
在固定彈性體3時(shí)，彈性體3和基片主體4a間可以有如圖12(a)、12(b)、12(c)所示的三種位置關(guān)系。
首先，圖12(a)示出了基片主體4a的邊緣伸出彈性體3一個(gè)伸出量P的情況。
圖12(b)示出了基片主體4a的邊緣與彈性體3的邊緣對(duì)準(zhǔn)的情況。圖12(c)示出了基片主體4a比彈性體3短Q那么多的情況。
一般情況下，施加密封材料(這里是密封樹(shù)脂)后的熱固化期間，密封材料的揮發(fā)性成分產(chǎn)生揮發(fā)氣體。由于這些揮發(fā)氣體的比重小于密封材料的比重，所以揮發(fā)氣體從密封材料上部脫出到外界。
然而，在超過(guò)此后將說(shuō)明的P值預(yù)定范圍，且彈性體3的邊緣不超出基片主體4a的邊緣(P＞300微米)時(shí)，由于基片主體4a的邊緣擋住了上部，基片主體4a內(nèi)部而不是邊緣產(chǎn)生的揮發(fā)氣體不能脫出密封材料外，這樣這些殘留的氣體成為密封材料中的氣泡。
熱固化密封材料后，氣泡中的揮發(fā)氣體成分部分通過(guò)密封材料中的細(xì)間隙(分子間)脫出，所以可以減小氣泡的內(nèi)壓。
于是在密封材料產(chǎn)生氣泡的地方形成了空洞、空洞形成了應(yīng)該用密封材料填充的未填充空間，并且空洞對(duì)半導(dǎo)體器件的耐濕性和溫度循環(huán)可靠性有不良影響。
因此，要求P值在0≤P≤300微米的P值預(yù)定范圍內(nèi)，較好在0≤P≤100微米，以便揮發(fā)氣體的脫出路徑不被基片主體4a阻擋，所產(chǎn)生的揮發(fā)氣體可以釋放到密封材料外。
如果這樣，則不會(huì)在密封材料中形成空洞。
另一方面，在此后將說(shuō)明的Q值預(yù)定范圍過(guò)大，且彈性體3邊緣超出基片主體4a邊緣(Q＞100微米)時(shí)，由于引線4c的部分由彈性體3固定，這樣一來(lái)，在鍵合引線4c時(shí)不能形成正確有布線結(jié)構(gòu)。這對(duì)溫度循環(huán)可靠性有不良影響。
因此，要求彈性體3的邊緣相對(duì)于基片主體4a邊緣的位置在例如0≤Q≤100微米的Q值預(yù)定范圍內(nèi)，較好是在0≤Q≤50微米，以便可以正確地鍵合引線4c。
因此，通過(guò)確保P和Q在預(yù)定范圍內(nèi)，可以制造密封材料中沒(méi)有空洞的高可靠CSP11，并且能夠正確鍵合引線4c。
隨后，進(jìn)行第23步(圖4)供應(yīng)芯片，提供在主表面1a的外圍上具有電極焊盤1a的半導(dǎo)體芯片1，如圖2(a)所示。根據(jù)圖5所示芯片固定條件進(jìn)行如圖4所示的芯片固定步驟24。
這里，在芯片固定步驟24，如圖2(a)所示，半導(dǎo)體芯片1的主表面1a與彈性體3連接，但半導(dǎo)體芯片1的電極焊盤1a暴露于薄膜布線基片4的開(kāi)口4e中，如圖1所示。
具體說(shuō)，如圖9(b)所示，半導(dǎo)體芯片1固定于彈性體3的上部。
然后，根據(jù)圖5所示的后芯片固定固化條件進(jìn)行圖4所示的彈性體固化烘烤步驟25，以便提高彈性體3與半導(dǎo)體芯片1間的連接強(qiáng)度。
接著，根據(jù)圖5所示的內(nèi)引線連接條件，進(jìn)行圖4所示的內(nèi)引線連接步驟26。圖5示出了兩組內(nèi)引線連接條件①和②，然而，內(nèi)引線連接條件不限于這些。
首先，如圖13(a)所示，焊頭7降低到預(yù)定位置，然后焊頭7將薄膜布線基片4的一根引線4c壓到半導(dǎo)體芯片1的相應(yīng)電極焊盤1b上，從而將引線4c與電極焊盤1b電連接。
第一實(shí)施例的鍵合方法是單獨(dú)鍵合。
鍵合后，利用焊頭7將引線4d向上推，使之剛好位于電極焊盤1b之上。如果將引線4c的錐形端部產(chǎn)生的應(yīng)力除以基片主體4a邊緣產(chǎn)生的應(yīng)力得到的值定義為抗彎強(qiáng)度比α，則此抗彎強(qiáng)度比α由以下表達(dá)式根據(jù)錐形引線4c的尺寸給出α＝L×(K-J)/(M×K) (圖13(a))因此將4c的尺寸和形狀設(shè)計(jì)為使抗彎強(qiáng)度比α在1.0-1.75的范圍內(nèi)。
然后，如圖4所示，供應(yīng)作為密封材料的密封樹(shù)脂，即進(jìn)行第27步供應(yīng)密封材料。
具體說(shuō)，利用圖3(a，b，c，d)的密封材料規(guī)格中所示的密封材料(密封樹(shù)脂)進(jìn)行圖4所示的樹(shù)脂密封步驟28。
該步中，可以通過(guò)利用封裝噴嘴(未示出)的封裝方法從圖1所示的薄膜布線基片4的開(kāi)口4e滴下密封樹(shù)脂，密封半導(dǎo)體芯片1的電極焊盤1b和薄膜布線基片4的引線4c，從而形成密封部件5。對(duì)于一面上的開(kāi)口4e來(lái)說(shuō)，滴樹(shù)脂的時(shí)間例如可以是30秒。
由于在第一實(shí)施例的CSP11中可以以橋形密封基片伸出部分4b和半導(dǎo)體芯片1間的空間，所以可以進(jìn)行穩(wěn)定的樹(shù)脂密封步驟28，并且因此密封部件5的耐濕性更可靠。
接著，根據(jù)圖5所示的后密封固化條件，進(jìn)行圖4所示的密封材料固化烘烤步驟29。
另外，進(jìn)行電極供應(yīng)步驟30(圖4)，將圖3(a，b，c，d)的突點(diǎn)電極規(guī)格所示的突點(diǎn)電極材料提供給突點(diǎn)開(kāi)口4j(圖7(a))。
然后，根據(jù)圖5所示的形成突點(diǎn)的回流條件，進(jìn)行圖4所示的突點(diǎn)形成步驟31。
進(jìn)行突點(diǎn)形成步驟31，把供應(yīng)電極材料得到的材料通過(guò)回流爐延展到基片主體4a的開(kāi)口4j中，未示出。
這樣一來(lái)電連接了布線4d與突點(diǎn)電極2，如圖1和2所示。
在根據(jù)第一實(shí)施例形成突點(diǎn)電極2時(shí)，即使CSP11吸收了潮汽，并經(jīng)過(guò)回流，彈性體3預(yù)定方向的側(cè)面3a(這里，為與半導(dǎo)體芯片1的縱向相同方向上的兩相對(duì)側(cè)面3a)暴露于外，以便回流期間產(chǎn)生的水汽可以通過(guò)彈性體3散發(fā)到外部。
因此，提高了回流容差。
接著，進(jìn)行標(biāo)記步驟32(圖4)，標(biāo)記產(chǎn)品(CSP11)的數(shù)目。
然后，在圖10所示的切割位置8進(jìn)行圖4所示的切割步驟33，以便得到要求尺寸的不同CSP11。
實(shí)施例2圖14是穿過(guò)根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)典型結(jié)構(gòu)的密封部件的平面圖。圖15(a)至15(c)是展示圖14所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖15(a)是穿過(guò)圖14中的線A-A的剖面圖，圖15(b)是穿過(guò)圖14中的線B-B的剖面圖，圖15(c)是穿過(guò)圖14中的線C-C的剖面圖。
第二實(shí)施例的CSP12(半導(dǎo)體器件)是象第一實(shí)施例的CSP11那樣的外圍焊盤扇入(fan-in)CSP。它基本上具有與CSP11相同的結(jié)構(gòu)，然而，與第一實(shí)施例的不同在于，圖4所示突點(diǎn)形成步驟31后的切割步驟33，在形成于伸出部分4b上的密封部件5的區(qū)域中，基片伸出部分4b和密封部件5被同時(shí)切割成所要求的尺寸。以此方式，CSP12甚至可以制成比圖1所示CSP11更小型。
為達(dá)到這樣的效果，必須采用具有低硅石比的低硅石密封樹(shù)脂作密封樹(shù)脂。具體說(shuō)，密封樹(shù)脂中硅石(填料)的比必須在0-50wt％的范圍內(nèi)，較好在0wt％。
這里所述的硅石是極硬的，但它可以降低圖4所示密封材料固化烘烤期間密封樹(shù)脂的殘余應(yīng)力。
第二實(shí)施例的CSP12結(jié)構(gòu)和其制造方法的其余特點(diǎn)與第一實(shí)施例的CSP11相同，所以這里不再重述。
第二實(shí)施例的CSP12和其制造方法的優(yōu)點(diǎn)如下。
第一，在形成于基片伸出部分4b的密封部件5的區(qū)域中，基片伸出部分4b和密封部件5同時(shí)被切割成所要求的尺寸。由于不管密封樹(shù)脂在基片伸出部分4b中的延展程度如何(形成于基片伸出部分4b上的密封部件5的尺寸)，都進(jìn)行這樣的切割，所以可以將CSP12制造得更小型。
密封樹(shù)脂中硅石的比例很低，密封樹(shù)脂硬化后，密封部件5的硬度可以降低，所以可以延長(zhǎng)用于切割基片伸出部分4b和密封部件5的切割模具的壽命。
第二實(shí)施例的CSP12及其制造方法的其它優(yōu)點(diǎn)與第一實(shí)施例的CSP11相同，所以這里不再重述。
實(shí)施例3圖16是展示穿過(guò)根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)典型結(jié)構(gòu)的密封部件的平面圖。圖17(a)至17(c)是展示圖16所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖17(a)是穿過(guò)圖16中的線A-A的剖面圖，圖17(b)是穿過(guò)圖16中的線B-B的剖面圖，圖17(c)是穿過(guò)圖16中的線C-C的剖面圖。
第三實(shí)施例的CSP13(半導(dǎo)體器件)是象圖14和15所示的第二實(shí)施例的CSP12那樣的外圍焊盤扇入CSP。它基本上具有與CSP11相同的結(jié)構(gòu)，然而，與第二實(shí)施例CSP12的不同在于，圖4所示樹(shù)脂密封步驟28，對(duì)在如圖17(c)所示的半導(dǎo)體芯片1的縱向上的兩相對(duì)側(cè)面1c進(jìn)行樹(shù)脂密封步驟28及第一實(shí)施例的樹(shù)脂密封步驟28。
在對(duì)半導(dǎo)體芯片1縱向上的兩相對(duì)側(cè)面1c進(jìn)行樹(shù)脂密封步驟28期間，第一實(shí)施例的密封材料固化烘烤步驟29后，暫時(shí)將CSP13的上表面和下表面反過(guò)來(lái)。
然后，從半導(dǎo)體芯片1的下表面(相對(duì)主面1a的反面)再向在半導(dǎo)體芯片1的縱向上的兩相對(duì)側(cè)面1c及鄰近的基片伸出部分4b上施加密封樹(shù)脂，重復(fù)樹(shù)脂密封步驟28。
隨后，在圖4所示的切割步驟33中，同時(shí)將基片伸出部分4b、彈性體3的彈性伸出部分3b及形成于其中的密封部件5切割成要求尺寸。
所以，在第三實(shí)施例的CSP13中，對(duì)圖17所示的半導(dǎo)體芯片1的所有四個(gè)側(cè)面1c進(jìn)行樹(shù)脂密封步驟28，由此在半導(dǎo)體芯片1的所有四個(gè)側(cè)面上形成密封部件5。
第三實(shí)施例的CSP13的結(jié)構(gòu)和其制造方法的其余特點(diǎn)與第二實(shí)施例的CSP12相同，所以這里不再重述。
第三實(shí)施例的CSP13和其制造方法的優(yōu)點(diǎn)如下。
在CSP13中，半導(dǎo)體芯片1的所有四個(gè)側(cè)面皆為樹(shù)脂所覆蓋，所以提高了半導(dǎo)體芯片1的密封性能(這里是指耐濕性)。
所以可以獲得小型且高可靠的CSP13。
第三實(shí)施例的CSP13及其制造方法的其它優(yōu)點(diǎn)與第二實(shí)施例的CSP12相同，所以這里不再重述。
實(shí)施例4圖18是展示穿過(guò)根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)典型結(jié)構(gòu)的密封部件的平面圖。圖19(a)至19(c)是展示圖18所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖19(a)是穿過(guò)圖18中的線A-A的剖面圖，圖19(b)是穿過(guò)圖18中的線B-B的剖面圖，圖19(c)是穿過(guò)圖18中的線C-C的剖面圖。
第四實(shí)施例的CSP14(半導(dǎo)體器件)是象圖16和17所示的第三實(shí)施例的CSP13那樣的外圍焊盤扇入CSP。它基本上具有與CSP13相同的結(jié)構(gòu)，然而，與第三實(shí)施例CSP13的不同在于，彈性體3與薄膜布線基片4的基片主體4a形成有基本相同的尺寸，如圖18所示。
換言之，第四實(shí)施例的CSP14中的彈性體3不包括第一至第三實(shí)施例中的彈性體伸出部分3b。
因此，在利用與第三實(shí)施例的樹(shù)脂密封步驟28相同的方法進(jìn)行樹(shù)脂密封步驟28時(shí)，彈性體3的所有四個(gè)側(cè)面3a及半導(dǎo)體芯片1的所有四個(gè)側(cè)面1c皆為密封樹(shù)脂所覆蓋。
相應(yīng)的，一起覆蓋半導(dǎo)體芯片1和彈性體3的所有外側(cè)面1c、3a，構(gòu)成密封部件5，覆蓋所有外側(cè)面1c、3a的密封部件5還直接與薄膜布線基片4的基片伸出部分4b相連。
另外，彈性體3的所有表面皆為密封部件5、基片主體4a和半導(dǎo)體芯片1所覆蓋。
第四實(shí)施例的CSP14結(jié)構(gòu)和其制造方法的其余特點(diǎn)與第三實(shí)施例的CSP13相同，所以這里不再重述。
第四實(shí)施例的CSP14和其制造方法的優(yōu)點(diǎn)如下。
在CSP14中，由于彈性體3的所有表面皆被覆蓋，所以不能得到與彈性體3的側(cè)面3a暴露時(shí)的相同優(yōu)點(diǎn)。然而，由于覆蓋了半導(dǎo)體芯片1和彈性體3的所有側(cè)面1c、3a以形成密封部件5，且所有外圍密封部件5直接與薄膜布線基片4的基片伸出部分4b相連，所以進(jìn)一步提高了半導(dǎo)體芯片1的密封性能(耐濕性)。
第四實(shí)施例的CSP14及其制造方法的其它優(yōu)點(diǎn)與第三實(shí)施例的CSP13相同，所以這里不再重述。
實(shí)施例5圖20是展示穿過(guò)根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)典型結(jié)構(gòu)的密封部件的平面圖。圖21(a)至21(c)是展示圖20所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖21(a)是穿過(guò)圖20中的線A-A的剖面圖，圖21(b)是穿過(guò)圖20中的線B-B的剖面圖，圖21(c)是穿過(guò)圖20中的線C-C的剖面圖。
第五實(shí)施例的CSP15(半導(dǎo)體器件)是象圖18和19所示的第四實(shí)施例CSP14那樣的外圍焊盤扇入CSP。它基本上具有與CSP14相同的結(jié)構(gòu)，然而，與第四實(shí)施例CSP14的不同在于，除暴露電極焊盤1b的開(kāi)口4e外，在對(duì)應(yīng)于薄膜布線基片4的基片伸出部分4b中的半導(dǎo)體芯片1(圖21(c))縱向上的兩相對(duì)側(cè)面的位置處設(shè)置密封開(kāi)口4m，如圖20所示。
具體說(shuō)，在半導(dǎo)體芯片1的兩側(cè)上暴露電極焊盤1b的位置設(shè)置兩開(kāi)口4e，兩相對(duì)密封開(kāi)口4m設(shè)置于第四實(shí)施例的CSP14的薄膜布線基片4中與開(kāi)口4e成直角的方向上。
因此，在進(jìn)行圖4所示樹(shù)脂密封步驟28時(shí)，可以通過(guò)開(kāi)口4e和密封開(kāi)口4m從薄膜布線基片4的上表面施加密封樹(shù)脂。
因此，由此鍵合方法，半導(dǎo)體芯片1的四個(gè)側(cè)面1c皆為密封樹(shù)脂所覆蓋。
第五實(shí)施例的CSP15結(jié)構(gòu)和其制造方法的其余特點(diǎn)與第四實(shí)施例的CSP14相同，所以這里不再重述。
第五實(shí)施例的CSP15和其制造的優(yōu)點(diǎn)如下。
在CSP15中，由于通過(guò)開(kāi)口4e和密封開(kāi)口4m從薄膜布線基片4的上表面(一側(cè))施加密封樹(shù)脂，由此進(jìn)行樹(shù)脂密封步驟28，所以不需要在樹(shù)脂密封步驟期間將CSP15倒置，提高了生產(chǎn)率。
第五實(shí)施例的CSP15及其制造方法的其它優(yōu)點(diǎn)與第四實(shí)施例的CSP14相同，所以這里不再重述。
實(shí)施例6圖22是展示穿過(guò)根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)典型結(jié)構(gòu)的密封部件的平面圖。圖23(a)至23(c)是展示圖22所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖23(a)是穿過(guò)圖22中的線A-A的剖面圖，圖23(b)是穿過(guò)圖22中的線B-B的剖面圖，圖23(c)是穿過(guò)圖22中的線C-C的剖面圖。
第六實(shí)施例的CSP16(半導(dǎo)體器件)是象圖14和15所示的第二實(shí)施例CSP12那樣的外圍焊盤扇入CSP。它基本上具有與CSP12相同的結(jié)構(gòu)，然而，與第二實(shí)施例CSP12的不同在于，在彈性體3中也設(shè)置與薄膜布線基片4的開(kāi)口對(duì)應(yīng)的開(kāi)口3c，以暴露半導(dǎo)體芯片1的電極1b，如圖22所示。
具體說(shuō)，CSP16中的彈性體3包括暴露電極1b的兩個(gè)開(kāi)口3c，和伸出這些開(kāi)口3c和半導(dǎo)體芯片1的彈性體伸出部分3b(彈性結(jié)構(gòu)伸出部分)。
因此，將彈性體3固定于薄膜布線基片4上時(shí)，能夠?qū)?zhǔn)這些部件中的兩開(kāi)口4e與3c的位置。
第六實(shí)施例的彈性體伸出部分3b繞彈性體3的整個(gè)外圍設(shè)置。
第六實(shí)施例的CSP16中的樹(shù)脂密封步驟28(圖4)與第二實(shí)施例的樹(shù)脂密封步驟28相同。
在彈性體3中設(shè)置且伸出開(kāi)口3c的彈性體伸出部分3b具有防止密封樹(shù)脂流動(dòng)的隔墻的附加效果。
因此，在第六實(shí)施例的CSP16中，可以在圖4所示的切割步驟33中同時(shí)切割薄膜布線基片4的基片伸出部分4b和疊置于其上的彈性體伸出部分3b，所以芯片封裝可以制造成小型封裝。
具體說(shuō)，在切割步驟33中，將薄膜布線基片4和彈性體3的外形有效地切割成相同尺寸。
另外，在CSP16中，由于切割步驟33中沒(méi)有切割樹(shù)脂密封步驟28中形成的密封部件5，所以可以采用包括50wt％或更多硅石的密封樹(shù)脂。
第六實(shí)施例的CSP16結(jié)構(gòu)和其制造方法的其余特點(diǎn)與第二實(shí)施例的CSP12相同，所以這里不再重述。
第六實(shí)施例的CSP16和其制造的優(yōu)點(diǎn)如下。
在CSP16中，設(shè)置于彈性體3中的彈性體伸出部分3b可以防止樹(shù)脂密封步驟28期間密封樹(shù)脂的泄漏。
由于圍繞彈性體3的整個(gè)外圍設(shè)置彈性體伸出部分3b，所以可以防止密封樹(shù)脂泄漏到薄膜布線基片4的整個(gè)基片伸出部分4b上。
因此，切割步驟33中不需要切割密封樹(shù)脂，且可以形成小型的CSP16的外形。
另外，由于切割步驟33中沒(méi)有切割密封樹(shù)脂，所以，可以采用包括50wt％或更多硅石的密封樹(shù)脂。
由此可以減小圖4所示樹(shù)脂材料固化烘烤步驟29中密封樹(shù)脂的收縮系數(shù)，減小密封樹(shù)脂中的殘余應(yīng)力。
第六實(shí)施例的CSP16及其制造方法的其它優(yōu)點(diǎn)與第二實(shí)施例的CSP12相同，所以這里不再重述。
實(shí)施例7圖24是展示穿過(guò)根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)典型結(jié)構(gòu)的密封部件的平面圖。圖25(a)至25(c)是展示圖24所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖25(a)是穿過(guò)圖24中的線A-A的剖面圖，圖25(b)是穿過(guò)圖24中的線B-B的剖面圖，圖25(c)是穿過(guò)圖24中的線C-C的剖面圖。
第七實(shí)施例的CSP17(半導(dǎo)體器件)是象圖23和24所示的第六實(shí)施例CSP16那樣的外圍焊盤扇入CSP。它基本上具有與CSP16相同的結(jié)構(gòu)，然而，與第六實(shí)施例CSP16的不同在于，彈性體3制成相當(dāng)厚，在組裝CSP17時(shí)，彈性體3的彈性體伸出部分3b包圍半導(dǎo)體芯片1的四個(gè)側(cè)面，如圖25(a)、25(b)和25(c)所示。
在CSP17中，由于彈性體3制作得厚，所以可以由多孔氟化物樹(shù)脂構(gòu)成彈性體3。
因此，第七實(shí)施例的CSP17中，固定半導(dǎo)體芯片1時(shí)，只由彈性體3的彈性體伸出部分3b(彈性結(jié)構(gòu)伸出部分)包圍外圍側(cè)面1c，如圖25(c)所示。
圖26展示了CSP17中的布線4d的布局。
下面說(shuō)明圖25(c)所示的固定半導(dǎo)體芯片1的方法。
為進(jìn)行圖4所示芯片固定步驟24，利用彈性體3為多孔氟化物樹(shù)脂這樣一個(gè)事實(shí)，將半導(dǎo)體芯片1推向彈性體3。
由于彈性體3是多孔氟化物樹(shù)脂，所以可以用比較小的負(fù)載將它壓縮。
因此，正位于半導(dǎo)體芯片1下的彈性體3的厚度可以制造成遠(yuǎn)小于半導(dǎo)體芯片1外圍的厚度。
所以，半導(dǎo)體芯片1可以形成這樣一種結(jié)構(gòu)，即由圍繞外圍形成的彈性體伸出部分3b包圍外圍上的側(cè)面1c。
然后，通過(guò)薄膜布線基片4的開(kāi)口4e和彈性體3的開(kāi)口3c施加密封樹(shù)脂，以在半導(dǎo)體芯片1的兩端形成密封部件5。
因此，CSP17中，通過(guò)將半導(dǎo)體芯片1壓向彈性體3，在半導(dǎo)體芯片1縱向上的相對(duì)側(cè)面的中心附近的區(qū)域被彈性體3的彈性體伸出部分3b覆蓋，而沒(méi)有被密封樹(shù)脂密封，如圖25(c)所示。
第七實(shí)施例的CSP17結(jié)構(gòu)和其制造方法的其余特點(diǎn)與第六實(shí)施例的CSP16相同，所以這里不再重述。
第七實(shí)施例的CSP17和其制造方法的優(yōu)點(diǎn)如下。
在CSP17中，由于彈性體3是多孔氟化物樹(shù)脂，且由于正位于半導(dǎo)體芯片1下的彈性體3的厚度遠(yuǎn)小于半導(dǎo)體芯片1外圍的厚度，所以可以將半導(dǎo)體芯片1固定成其外圍上的側(cè)面1c由彈性體伸出部分3b包圍。
因此，彈性體伸出部分3b可以防止圖4的樹(shù)脂密封步驟28期間密封樹(shù)脂流到外面，且不必切割密封樹(shù)脂，所以可以制成小型的CSP17。
第七實(shí)施例的CSP17及其制造方法的其它優(yōu)點(diǎn)與第六實(shí)施例的CSP16相同，所以這里不再重述。
實(shí)施例8圖28是展示穿過(guò)根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)典型結(jié)構(gòu)的密封部件的平面圖。圖29(a)至29(c)是展示圖28所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖29(a)是穿過(guò)圖28中的線A-A的剖面圖，圖29(b)是穿過(guò)圖28中的線B-B的剖面圖，圖29(c)是穿過(guò)圖28中的線C-C的剖面圖。
第八實(shí)施例的CSP18(半導(dǎo)體器件)是象圖14所示的第二實(shí)施例CSP12那樣的外圍焊盤扇入CSP。它基本上具有與CSP12相同的結(jié)構(gòu)，然而，與第二實(shí)施例CSP12不同在于，在芯片安裝側(cè)上，在薄膜布線基片4的基片伸出部分4b的表面上，圍繞開(kāi)口4e設(shè)置敞開(kāi)式矩形隔片34，以防止樹(shù)脂密封步驟28(圖4)中密封樹(shù)脂的泄漏。
這些隔片34由硬化環(huán)氧涂層樹(shù)脂等形成。
在CSP18中，由于在切割步驟33(圖4)中沒(méi)有切割密封步驟28中形成的密封部件5，所以可以采用包括50wt％或更多硅石的密封樹(shù)脂作密封材料。
另外，在CSP18中，平行于半導(dǎo)體芯片1縱向的兩相對(duì)側(cè)面1c沒(méi)有密封，而是暴露的。
第八實(shí)施例的CSP18結(jié)構(gòu)和其制造方法的其余特點(diǎn)與第二實(shí)施例的CSP12相同，所以這里不再重述。
第八實(shí)施例的CSP18和其制造的優(yōu)點(diǎn)如下。
在CSP18中，由于在薄膜布線基片4的基片伸出部分4b中設(shè)置隔片34，用以防止樹(shù)脂密封步驟28中密封樹(shù)脂的泄漏，所以不必切割密封樹(shù)脂，可以制造小外形CSP18。
另外，由于切割步驟33中沒(méi)有切割密封樹(shù)脂，所以可以采用包括50wt％或更多硅石的密封樹(shù)脂。
由此可以減小圖4所示樹(shù)脂材料固化烘烤步驟29中密封樹(shù)脂的收縮系數(shù)，減小密封樹(shù)脂中的殘余應(yīng)力。
第八實(shí)施例的CSP18及其制造方法的其它優(yōu)點(diǎn)與第二實(shí)施例的CSP12相同，所以這里不再重述。
實(shí)施例9圖30是展示穿過(guò)根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)典型結(jié)構(gòu)的密封部件的平面圖。圖31(a)至31(c)是展示圖30所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖31(a)是穿過(guò)圖30中的線A-A的剖面圖，圖31(b)是穿過(guò)圖30中的線B-B的剖面圖，圖31(c)是穿過(guò)圖30中的線C-C的剖面圖。
第九實(shí)施例的CSP19(半導(dǎo)體器件)是象圖28所示的第八實(shí)施例CSP18那樣的外圍焊盤扇入CSP。它基本上具有與CSP18相同的結(jié)構(gòu)，然而，與第八實(shí)施例CSP18不同在于，在芯片安裝側(cè)上，在薄膜布線基片4的基片伸出部分4b的表面上，設(shè)置隔片34，該隔片34形成為圍繞基片伸出部分4b的整個(gè)外圍的框形。
因此，第九實(shí)施例的CSP19中的彈性體3不包括彈性體伸出部分3b(圖28)。
由于第九實(shí)施例的CSP19中，隔片34形成為在基片伸出部分4b的整個(gè)外圍上的框形，所以，對(duì)半導(dǎo)體芯片1的所有四個(gè)側(cè)面進(jìn)行樹(shù)脂密封步驟28。
第九實(shí)施例的CSP19結(jié)構(gòu)和其制造方法的其余特點(diǎn)與第八實(shí)施例的CSP18相同，所以這里不再重述。
第九實(shí)施例的CSP19和其制造的優(yōu)點(diǎn)如下。
在CSP19中，由于彈性體3的所有表面皆被覆蓋，所以不能得到與彈性體3的側(cè)面3a暴露出來(lái)時(shí)的相同優(yōu)點(diǎn)。然而，由于覆蓋了半導(dǎo)體芯片1和彈性體3的所有側(cè)面1c、3a以形成密封部件5，且所有外圍密封部件5直接與薄膜布線基片4的基片伸出部分4b相連，所以進(jìn)一步提高了半導(dǎo)體芯片1的密封性能(耐濕性)。
第九實(shí)施例的CSP19及其制造方法的其它優(yōu)點(diǎn)與第八實(shí)施例的CSP18相同，所以這里不再重述。
實(shí)施例10圖32是展示穿過(guò)根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)典型結(jié)構(gòu)的密封部件的平面圖。圖33(a)至33(c)是展示圖32所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖33(a)是穿過(guò)圖32中的線A-A的剖面圖，圖33(b)是穿過(guò)圖32中的線B-B的剖面圖，圖33(c)是穿過(guò)圖32中的線C-C的剖面圖。
第十實(shí)施例的CSP40(半導(dǎo)體器件)是象圖22所示的第六實(shí)施例CSP16那樣的外圍焊盤扇入CSP。它基本上具有與CSP16相同的結(jié)構(gòu)，然而，與第六實(shí)施例CSP16的不同在于，除暴露電極焊盤1b的開(kāi)口4e外，在薄膜布線基片4的基片伸出部分4b和彈性體3的彈性伸出部分3b上對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體芯片1(圖33(c))縱向上的兩相對(duì)側(cè)面的位置處設(shè)置的密封開(kāi)口4m、3f。
具體說(shuō)，在半導(dǎo)體芯片1的兩側(cè)上暴露電極焊盤1b的位置設(shè)置兩開(kāi)口4e和兩相對(duì)開(kāi)口3c，兩密封開(kāi)口4m和兩密封開(kāi)口3f設(shè)置于與開(kāi)口4e和開(kāi)口3c成直角的方向上的相對(duì)位置上，且形成的薄膜布線基片4和彈性體3形狀基本相同。
因此，在進(jìn)行圖4所示的樹(shù)脂密封步驟28時(shí)，可以通過(guò)開(kāi)口4e、開(kāi)口3c、密封開(kāi)口4m和密封開(kāi)口3f從薄膜布線基片4的上表面施加密封樹(shù)脂。
因此，由此鍵合方法，半導(dǎo)體芯片1的所有四個(gè)側(cè)面皆為密封樹(shù)脂所覆蓋。
而且，由于彈性體3包括伸出半導(dǎo)體芯片1的四個(gè)側(cè)邊之外的彈性體伸出部分3b，所以可以對(duì)半導(dǎo)體芯片1的所有四個(gè)側(cè)面進(jìn)行樹(shù)脂密封步驟28。
第十實(shí)施例的CSP40結(jié)構(gòu)和其制造方法的其余特點(diǎn)與第六實(shí)施例的CSP16相同，所以這里不再重述。
第十實(shí)施例的CSP40和其制造方法的優(yōu)點(diǎn)如下。
在CSP40中，由于半導(dǎo)體芯片1的所有四個(gè)側(cè)面皆被密封，所以提高了半導(dǎo)體芯片1的密封性能(耐濕性)。
另外，由于彈性伸出部分3b防止了樹(shù)脂密封步驟28中密封樹(shù)脂的泄漏，所以切割步驟33中不切割密封樹(shù)脂，可以形成小外形CSP40。
由于可以從相同方向?qū)⒚芊鈽?shù)脂施加到四個(gè)位置上，即一個(gè)開(kāi)口3c、一個(gè)開(kāi)口4e、密封開(kāi)口4m和開(kāi)口3f，所以密封步驟容易進(jìn)行，且提高了生產(chǎn)率。
第十實(shí)施例的CSP40及其制造方法的其它優(yōu)點(diǎn)與第六實(shí)施例的CSP16相同，所以這里不再重述。
實(shí)施例11圖34是展示穿過(guò)根據(jù)本發(fā)明第十一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)典型結(jié)構(gòu)的密封部件的平面圖。圖35(a)至35(c)是展示圖34所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖35(a)是穿過(guò)圖34中的線A-A的剖面圖，圖35(b)是穿過(guò)圖34中的線B-B的剖面圖，圖35(c)是穿過(guò)圖34中的線C-C的剖面圖。
第十一實(shí)施例的CSP41(半導(dǎo)體器件)是象圖32所示的第十實(shí)施例CSP40那樣的外圍焊盤扇入CSP。它基本上具有與CSP40相同的結(jié)構(gòu)，然而，與第十實(shí)施例CSP40的不同在于，在組裝CSP41時(shí)，彈性體3形成得比CSP40的彈性體3厚，其厚度達(dá)到通過(guò)密封部件5由彈性體3的伸出部分3b包圍半導(dǎo)體芯片1的四個(gè)側(cè)壁的程度，如圖35所示。
在CSP41中，由于彈性體3由多孔氟化物樹(shù)脂構(gòu)成，所以可以形成得很厚。
因此，第十一實(shí)施例的CSP41中，固定半導(dǎo)體芯片1時(shí)，通過(guò)密封部件5由彈性體3的彈性體伸出部分3b包圍其外圍上的外側(cè)面1c，如圖35(c)所示。
下面說(shuō)明圖35(c)所示的固定半導(dǎo)體芯片1的固定方法。
為進(jìn)行圖4所示芯片固定步驟24，利用彈性體3為多孔氟化物樹(shù)脂這樣一個(gè)事實(shí)，將半導(dǎo)體芯片1推向彈性體3。由于彈性體3是多孔氟化物樹(shù)脂，所以可以用比較小的負(fù)載將它壓縮。因此，正位于半導(dǎo)體芯片1下的彈性體3的厚度可以制造成遠(yuǎn)小于半導(dǎo)體芯片1外圍的厚度。
所以，半導(dǎo)體芯片1可以形成這樣一種結(jié)構(gòu)，即由圍繞外國(guó)形成的彈性體伸出部分3b包圍外圍上的側(cè)面1c。
然后，通過(guò)薄膜布線基片4的開(kāi)口4e和彈性體3的開(kāi)口3c及薄膜布線基片4的密封開(kāi)口4和彈性體3的密封開(kāi)口3f施加密封樹(shù)脂。
因此，密封部件5形成為半導(dǎo)體芯片1的主表面1a的外圍和四個(gè)側(cè)面1c間、及基片伸出部分4b、彈性伸出部分3b和半導(dǎo)體芯片1間的橋接。
第十一實(shí)施例的CSP41結(jié)構(gòu)和其制造方法的其余特點(diǎn)與第十實(shí)施例的CSP40相同，所以這里不再重述。
第十一實(shí)施例的CSP41和其制造方法的優(yōu)點(diǎn)如下。
在CSP41中，由于彈性體3是多孔氟化物樹(shù)脂，且由于正位于半導(dǎo)體芯片1下的彈性體3的厚度遠(yuǎn)小于半導(dǎo)體芯片1外圍的彈性體厚度，所以可以將半導(dǎo)體芯片1固定成其外圍上的側(cè)面1c由彈性體伸出部分3b包圍。
因此，彈性體伸出部分3b可以防止圖4的樹(shù)脂密封步驟28期間密封樹(shù)脂流到外面，且不必切割密封樹(shù)脂，所以可以制成小外形的CSP41。
第十一實(shí)施例的CSP41及其制造方法的其它優(yōu)點(diǎn)與第十實(shí)施例的CSP40相同，所以這里不再重述。
實(shí)施例12圖36是展示穿過(guò)根據(jù)本發(fā)明第十二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)典型結(jié)構(gòu)的密封部件的平面圖。圖37(a)至37(c)是展示圖36所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖37(a)是穿過(guò)圖36中的線A-A的剖面圖，圖37(b)是穿過(guò)圖36中的線B-B的剖面圖，圖37(c)是穿過(guò)圖36中的線C-C的剖面圖。
第十二實(shí)施例的CSP42(半導(dǎo)體器件)是象圖32所示的第十實(shí)施例CSP40那樣的外圍焊盤扇入CSP。它基本上具有與CSP40相同的結(jié)構(gòu)，然而，與第十實(shí)施例CSP40的不同在于，電極焊盤1b形成于半導(dǎo)體芯片1的主表面1a的四側(cè)的外圍上。
由于分別于薄膜布線基片4和相應(yīng)相同位置處的彈性體3中形成的四個(gè)開(kāi)口4e和四個(gè)開(kāi)口3c，半導(dǎo)體芯片1的四側(cè)上的電極焊盤1b通過(guò)這些開(kāi)口4e、3c暴露出來(lái)。
在樹(shù)脂密封步驟28中，通過(guò)這些開(kāi)口4e、3c施加密封樹(shù)脂，以圍繞四個(gè)開(kāi)口4e、3c形成密封部件5。
第十二實(shí)施例的CSP42結(jié)構(gòu)和其制造方法的其余特點(diǎn)與第十實(shí)施例的CSP40相同，所以這里不再重述。
第十二實(shí)施例的CSP42和其制造方法的優(yōu)點(diǎn)如下。
在CSP42中，甚至電極焊盤1b設(shè)置于半導(dǎo)體芯片1的主表面1a的四側(cè)的外圍上時(shí)，也分別在薄膜布線基片4和彈性體3中形成四個(gè)開(kāi)口4e和四個(gè)開(kāi)口3c。因此，通過(guò)四個(gè)開(kāi)口4e和四個(gè)開(kāi)口3c進(jìn)行樹(shù)脂密封步驟28，可以使耐濕性更可靠，并可以得到小外形CSP42。
第十二實(shí)施例的CSP42及其制造方法的其它優(yōu)點(diǎn)與第十實(shí)施例的CSP40相同，所以這里不再重述。
實(shí)施例13圖38是展示穿過(guò)根據(jù)本發(fā)明第十三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)典型結(jié)構(gòu)的密封部件的平面圖。圖39(a)至39(c)是展示圖38所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖39(a)是穿過(guò)圖38中的線A-A的剖面圖，圖39(b)是穿過(guò)圖38中的線B-B的剖面圖，圖39(c)是穿過(guò)圖38中的線C-C的剖面圖。
第十三實(shí)施例的CSP43(半導(dǎo)體器件)是象圖24所示的第七實(shí)施例CSP17那樣的外圍焊盤扇入CSP。它基本上具有與CSP17相同的結(jié)構(gòu)，然而，與第七實(shí)施例CSP17的不同在于，電極焊盤1b形成于半導(dǎo)體芯片1的主表面1a的四側(cè)的外圍上。
因此，在薄膜布線基片4和彈性體3中的相應(yīng)位置形成四個(gè)開(kāi)口4e和四個(gè)開(kāi)口3c，以暴露半導(dǎo)體芯片1的四側(cè)上的電極焊盤1b。
在樹(shù)脂密封步驟28中，通過(guò)這些開(kāi)口4e、3c施加密封樹(shù)脂，以圍繞四個(gè)開(kāi)口4e、3c形成密封部件5。
第十三實(shí)施例的CSP43結(jié)構(gòu)和其制造方法的其余特點(diǎn)與第七實(shí)施例的CSP17相同，所以這里不再重述。
第十三實(shí)施例的CSP43和其制造方法的優(yōu)點(diǎn)如下。
在CSP43中，通過(guò)分別在薄膜布線基片4和彈性體3中形成四個(gè)開(kāi)口4e和四個(gè)開(kāi)口3c，即使電極焊盤1b設(shè)置于半導(dǎo)體芯片1的主表面1a的四側(cè)的外圍上，也可以得到具有提高了耐濕性的小型CSP43。
由于可以在樹(shù)脂密封步驟28中從相同方向向所有四個(gè)開(kāi)口4e和3c施加密封樹(shù)脂，所以密封步驟容易進(jìn)行，且可以提高產(chǎn)生率。
另外，由于由彈性體伸出部分3b或密封部件5密封半導(dǎo)體芯片1的四個(gè)側(cè)面，所以，可以提高半導(dǎo)體芯片1的密封性能(耐濕性)。
第十三實(shí)施例的CSP43及其制造方法的其它優(yōu)點(diǎn)與第七實(shí)施例的CSP17相同，所以這里不再重述。
實(shí)施例14圖40(a)-40(c)是展示本發(fā)明第十四實(shí)施例半導(dǎo)體器件的不連接引線的典型結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖40(a)是彎曲不連接引線情況的剖面圖，圖40(b)和40(c)是不彎曲不連接引線情況的剖面圖。
根據(jù)第十四實(shí)施例，實(shí)施例1-13所示半導(dǎo)體器件(CSP)具有不連接引線35(未與半導(dǎo)體芯片1的電極焊盤1b連接的引線4c之一)。這種不連接引線35可以彎曲或也可以不彎曲。
由于不連接引線35的緣故，可以改變CSP的模式，以改變功能，通過(guò)選擇連接或不連接相同布線圖形的每根引線4c，可以設(shè)定不同布線結(jié)構(gòu)4d。
因此，如果選擇引線4c不連接，即，不連接引線35，通過(guò)鍵合步驟中的焊頭(圖13)進(jìn)行任何類型的不連接。
選實(shí)施例7所示的CSP17作為實(shí)例，描述圖40所示的不連接引線35。
然而，應(yīng)該明白，相同的特點(diǎn)不僅可以應(yīng)用到第七實(shí)施例，而且也可以應(yīng)用到第一至第十三實(shí)施例。
在圖40(a)所示的CSP17中，將不連接引線35彎向半導(dǎo)體芯片1的電極焊盤1b。
該工藝中，用焊頭7將引線4c向下(在半導(dǎo)體芯片1的主表面1a的方向)壓到使之未與電極焊盤1b接觸的程度，代替鍵合步驟中用焊頭7進(jìn)行連接。
在圖40(b)和(c)中，不彎曲不連接引線35。
圖40(b)所示的CSP17表示不彎曲的不連接引線密封于密封部件5中的情況。
圖40(c)中的CSP17表示沒(méi)有彎曲的不連接引線35端部伸出密封部件5的狀態(tài)。由于在密封樹(shù)脂固化時(shí)，密封部件5的表面有點(diǎn)壓縮，所以不連接引線35伸出。
從密封性能角度看，在半導(dǎo)體器件(CSP)包括不連接引線35時(shí)，要求不連接引線35在半導(dǎo)體芯片1的主表面方向彎曲，如圖40(a)所示，但不是絕對(duì)必需彎曲，也可以不彎曲，如圖40(b)和(c)所示。
第十四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)結(jié)構(gòu)的其余特點(diǎn)與第一至第十三實(shí)施例相同，所以這里不再重述。
CSP不必包括第十四實(shí)施例中所述的不連接引線，可以根據(jù)CSP的功能使用這種未連接的引線35。
應(yīng)該明白，不連接引線不僅可以應(yīng)用于第七實(shí)施例，還可以應(yīng)用于第一至第十三實(shí)施例。
下面說(shuō)明從第十四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)得到的效果。
在CSP中，通過(guò)利用共用圖形選擇連接/不連接引線4c可以構(gòu)成所要求的電路，所以不必為每種產(chǎn)品提供單獨(dú)的布線圖形。
因此，對(duì)不同CSP可以使用共用部件，所以可以降低CSP的制造成本。在CSP具有不連接引線35時(shí)，通過(guò)向半導(dǎo)體芯片1的電極焊盤1b彎曲不連接引線35，在樹(shù)脂密封后，密封部件5的外面不會(huì)暴露有不連接引線35，所以提高了耐濕性。
另外，通過(guò)向半導(dǎo)體芯片1的電極焊盤1b彎曲不連接引線35，可以牢固地將不連接引線35密封于密封部件5內(nèi)，甚至是密封部件5的表面被壓縮的情況下也如此。
這可以減小對(duì)密封樹(shù)脂的限制，增加可用的密封樹(shù)脂數(shù)。
實(shí)施例15
圖41(a)、41(b)、41(c)是展示本發(fā)明第十五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中利用單層表面布線的薄膜布線基片的典型結(jié)構(gòu)的剖面圖，圖42(a)、42(b)、42(c)是展示本發(fā)明第十五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中利用兩層布線的薄膜布線結(jié)構(gòu)的典型結(jié)構(gòu)的剖面圖。
首先，盡管第一至第十四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)中的薄膜布線基片4的布線4d為僅形成于載帶基材的反面上(彈性體側(cè))的單層布線，但第十五實(shí)施例的薄膜布線基片4既可以是布線僅形成于載帶表面?zhèn)鹊膯螌颖砻娌季€，也可以是兩層布線。下面將利用第一實(shí)施例(CSP11)、第二實(shí)施例(CSP12)和第七實(shí)施例(CSP17)為實(shí)例進(jìn)行說(shuō)明。
首先，圖41展示了薄膜布線基片4為單層表面布線的情況。圖41(a)展示了半導(dǎo)體器件的外部結(jié)構(gòu)是載帶結(jié)構(gòu)的情況(例如，第一實(shí)施例的CSP11)。圖41(b)展示了半導(dǎo)體器件的外部結(jié)構(gòu)是密封外形的情況(例如，第二實(shí)施例的CSP12)。圖41(c)展示了半導(dǎo)體器件的外部結(jié)構(gòu)是彈性體結(jié)構(gòu)的情況(例如，第七實(shí)施例的CSP17)。
這里，單層表面布線是形成于薄膜布線基片4的載帶基材4g上表面上的布線4d，在載帶基材4g上不包括突點(diǎn)區(qū)4f的點(diǎn)形成厚約10-30微米的為絕緣涂層的焊料抗蝕劑4r(圖27)。
利用這種單層表面布線，由于焊料抗蝕劑4r的厚度只為10-30微米，相對(duì)較薄，所以抑制了突點(diǎn)電極2的突點(diǎn)區(qū)的焊料侵蝕，且減輕了突點(diǎn)電極2的固定高度的不一致。
圖42展示了薄膜布線基片4具有兩層布線的情況。圖42(a)展示了半導(dǎo)體器件的外部結(jié)構(gòu)是載帶結(jié)構(gòu)的情況(例如，第一實(shí)施例的CSP11)。圖42(b)展示了半導(dǎo)體器件的外部結(jié)構(gòu)是密封外形的情況(例如，第二實(shí)施例的CSP12)。圖42(c)展示了半導(dǎo)體器件的外部結(jié)構(gòu)是彈性體結(jié)構(gòu)的情況(例如，第七實(shí)施例的CSP17)。
在兩層布線的情況下，在薄膜布線基片的載帶基材4g的上表面和反面上形成布線4d。上面和反面的布線4d借通孔4w電連接，在載帶基材4g上表面上不包括突點(diǎn)區(qū)4f的點(diǎn)形成厚約10-30微米的為絕緣涂層的焊料抗蝕劑4r。
第十五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)結(jié)構(gòu)的其余特點(diǎn)與第一至第十四實(shí)施例相同，這里不再重述。
CSP不必具有第十五實(shí)施例所述的兩個(gè)單層表面布線和兩層布線，可以僅有單層表面布線。另外，應(yīng)該理解，這些特點(diǎn)不僅可以應(yīng)用于第一、第二和第七實(shí)施例，還可以應(yīng)用于第一至第十四實(shí)施例中的任一個(gè)。
根據(jù)第十五實(shí)施例，甚至在突點(diǎn)電極2數(shù)量增多，且進(jìn)行復(fù)雜布線時(shí)，也可以通過(guò)通孔4w在載帶基材4g的上面和反面上形成布線4d，以此可以進(jìn)行復(fù)雜的布線。
所以，甚至在突點(diǎn)電極數(shù)增多時(shí)也可以制造CSP。
實(shí)施例16圖43(a)-43(d)是展示本發(fā)明第十六實(shí)施例的半導(dǎo)體器件制造方法中的引線端處理工藝的實(shí)例的局部放大剖面圖，圖43(a)是鍵合前，圖43(b)是鍵合時(shí)，圖43(c)是鍵合后，圖43(d)是密封后。
圖44(a)-44(c)是展示半導(dǎo)體器件制造方法中的引線端處理工藝的另一實(shí)例的局部放大剖面圖，用于與圖43的引線端處理工藝進(jìn)行比較，圖44(a)是鍵合前，圖44(b)是鍵合時(shí)，圖44(c)是密封后。
圖45(a)-45(c)是展示制造半導(dǎo)體器件方法中的引線端處理工藝的再一實(shí)例的局部放大剖面圖，用于與圖43的引線端處理工藝進(jìn)行比較，圖45(a)是鍵合前，圖45(b)是鍵合時(shí)，圖45(c)是密封后。
第十六實(shí)施例涉及第一至第十五實(shí)施例所示半導(dǎo)體器件(CSP)中鍵合期間引線4c的端部處理。
下面利用第七實(shí)施例所述的CSP17作實(shí)例說(shuō)明第十六實(shí)施例。
首先，在圖44所示的比較例中，圖44(a)所示的距離P相對(duì)較長(zhǎng)，焊頭7移動(dòng)(下降)以進(jìn)行如圖44(b)所示的鍵合，然后，進(jìn)行樹(shù)脂密封步驟28(圖4)，不對(duì)引線4c進(jìn)行處理，以形成如圖44(c)所示的密封部件5。
這種情況下，由于圖44(a)所示的距離P相對(duì)較長(zhǎng)，所以，鍵合后引線4c的整個(gè)端部完全密封于密封部件5內(nèi)，如圖44(c)所示。
在圖45所示的比較例中，圖45(a)所示的距離P相對(duì)較短。焊頭7移動(dòng)(下降)以進(jìn)行如圖45(b)所示的鍵合，然后，進(jìn)行樹(shù)脂密封步驟28(圖4)，不對(duì)引線4c進(jìn)行處理，以形成如圖44(c)所示的密封部件5。
這種情況下，由于圖45(a)所示的距離P相對(duì)較短，所以，不進(jìn)行鍵合后引線4c的端部處理，所以鍵合后引線4c的端部伸出密封部件5外，所以其暴露于外，如圖45(c)所示。
另一方面，在圖43所示的第十六實(shí)施例的CSP17中，焊頭7向下向著半導(dǎo)體芯片1的電極焊盤1b直線下降，然后，電極焊盤1b和薄膜布線基片4的引線4c借助焊頭7的壓力作用電連接，如圖43(b)所示。然后，在引線4c的端部方向(水平位移)實(shí)際平行于半導(dǎo)體芯片1的主表面1a移動(dòng)焊頭7，如圖43(c)所示。
具體說(shuō)，鍵合后，撤去焊頭7的壓力，焊頭7的端部在引線4c端部方向位移一定量(例如，10-300微米，但較好是30-200微米)，然后進(jìn)行樹(shù)脂密封步驟28，以形成密封部件5，如圖43(d)所示。因此，可以減小引線4c端部附近的飛濺角(splash angle)。
在對(duì)引線4c端部進(jìn)行處理時(shí)，在撤掉焊頭7的壓力的同時(shí)焊頭7可以首先抬高一定量(如5-100微米，但較好是10-60微米)，然后在引線4c端部方向水平位移一定量(如10-300微米，但較好是30-200微米)。
關(guān)于引線4c的端部處理，僅在與伸出引線4c的長(zhǎng)度L和彈性體3的厚度E相比至少距離P相對(duì)較短(如P≤L-E，但較好是P≤L-E-100微米)時(shí)，焊頭7可以在引線4c端部方向移動(dòng)一定量(如300微米，但較好是30-200微米)。在不滿足關(guān)于圖43(a)所示的P、L、E的條件時(shí)，不必對(duì)引線4c的端部進(jìn)行處理。
而且，應(yīng)該理解，在不管圖43(a)所示的距離P、長(zhǎng)度L和厚度E時(shí)，尤其不必對(duì)引線4c的端部進(jìn)行處理。
第十六實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)的其余特點(diǎn)與第一至第十五實(shí)施例相同，所以這里不再重述。
第十六實(shí)施例所述的引線4c的端部處理不是必需的，可以省去。
應(yīng)該理解，這些特點(diǎn)不僅可以應(yīng)用于第七實(shí)施例，也可以應(yīng)用于第一至第十五實(shí)施例中的任一個(gè)。
根據(jù)第十六實(shí)施例，關(guān)于引線4c的連接，不管半導(dǎo)體芯片1上的電極焊盤1b的位置如何，甚至在鍵合要求長(zhǎng)度較長(zhǎng)的引線4c時(shí)，也可以防止引線4c的額外長(zhǎng)度的端部比在半導(dǎo)體芯片的上表面(主表面1a)所必需的更突出。
因此，甚至在引線4c和電極焊盤1b的樹(shù)脂密封步驟28形成密封部件5后，也可以防止引線4c的端部暴露于密封部件外，所以，可以使半導(dǎo)體器件(CSP17)的耐濕性更可靠。
實(shí)施例17圖46展示了用于本發(fā)明第十七實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)的彈性體結(jié)構(gòu)(彈性結(jié)構(gòu))的典型著色情況的彈性體規(guī)格。
在該實(shí)施例中，將說(shuō)明著色的彈性體用于第一至第十六實(shí)施例所示半導(dǎo)體器件(CSP)的情況。
具體說(shuō)，第一至十六實(shí)施例中的CSP的彈性體3是無(wú)色的，是透光的實(shí)際透明體。
另一方面，第十七實(shí)施例的彈性體3(彈性結(jié)構(gòu))在形成于構(gòu)架層3d的兩側(cè)上的粘合層3e中包括著色劑(以后將說(shuō)明的圖47所述)。
著色彈性體3的規(guī)格的具體實(shí)例有圖46所示的規(guī)格①和規(guī)格②。這里所用著色劑是碳。
按圖46所示的著色彈性體規(guī)格①和規(guī)格②，構(gòu)架層3d兩側(cè)上的粘合層3e含有著色劑，然而，本發(fā)明并不限于這種情況，只在一側(cè)上形成的粘合層3e也可以含著色劑。
按第十七實(shí)施例的圖46所示規(guī)格①和規(guī)格②，粘合層3e含有著色劑，但作為構(gòu)架層3d的中間層也可以含有著色劑，或者，粘合層3e和構(gòu)架層3d都可以含有著色劑。
換言之，即使包括彈性體3的各部分中至少一部分含有著色劑便已足夠。
按圖46的規(guī)格①和規(guī)格②，著色劑是碳顆粒，然而，著色材料并不限于此，可以是其它的無(wú)機(jī)顏料或有機(jī)染料。
按圖46的規(guī)格①和規(guī)格②，著色劑是黑碳，但著色劑可以是紅、蘭、綠、粉紅、黃、或其它顏色或中間色。
第十七實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)的其余特點(diǎn)與第一至第十六實(shí)施例相同，所以這里不再重述。
應(yīng)該注意，第十七實(shí)施例的CSP中的彈性體3不是絕對(duì)必須含有著色劑。
然而，通過(guò)使第十七實(shí)施例的彈性體3含有一定量的著色劑，可以降低彈性體3的透明度，而不會(huì)影響彈性體的一些基本特性，如彈性模量、熱膨脹系數(shù)、阻燃性和吸濕性。
以此方式，半導(dǎo)體芯片1的電路可以是不透光的。所以，可以阻擋會(huì)引起半導(dǎo)體芯片1的誤操作的紫外光等，增強(qiáng)CSP電路的穩(wěn)定性。
利用碳作著色劑，可以以小添加量得到預(yù)定不透光效應(yīng)。所以，可以將彈性體3的基本特性的退化抑制到最小。
另外，由于在彈性體3的至少一層粘合層3e而非構(gòu)架層3d中引入著色劑，所以可以降低彈性體3著色的成本。
實(shí)施例18圖47(a)-47(h)是展示本發(fā)明第十八實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中的彈性體具體構(gòu)成的典型實(shí)例的示意圖。圖48(a)-48(e)是展示本發(fā)明第十八實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中的彈性體具體構(gòu)成的典型實(shí)例的構(gòu)件圖。圖48(a)-(d)展示了三層結(jié)構(gòu)，圖48(e)展示了5層結(jié)構(gòu)。
實(shí)施例18涉及第一一第十七實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)中的彈性體3的每個(gè)構(gòu)件的具體材料。
這里，圖47(a)和48(a)-48(d)展示了彈性體3包括三層的情況，圖48(a)展示了彈性體3包括五層的情況。
在五層結(jié)構(gòu)中，在構(gòu)架層3d和兩(最外層)粘合層3e之間形成有另外的薄粘合層3e。根據(jù)第十八實(shí)施例，圖48(e)展示了這五層結(jié)構(gòu)的具體實(shí)例，但圖47和48中，在構(gòu)架層3d的兩側(cè)上形成薄膜層代替彈性體3的涂層時(shí)用這五層結(jié)構(gòu)特別有效。
在其外層和下層為薄膜層的彈性體3中，利用這種五層結(jié)構(gòu)進(jìn)一步減小薄膜層(粘合層3e)的剛性。
所以，也可以降低彈性體3的剛性，因而，彈性體容易模制成引線4c的形狀，并可以改善彈性體3的接觸。
這里，彈性體3每個(gè)構(gòu)件的材料不限于圖47和48所示的第十八實(shí)施例的那些，彈性體可以是多層結(jié)構(gòu)，層數(shù)不限于三或五。
較好是，用包括3維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的多孔材料(這種多孔材料的具體結(jié)構(gòu)見(jiàn)第一實(shí)施例)作構(gòu)架層3d。
第十八實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)的其余特點(diǎn)與第一至第十七實(shí)施例相同，所以這里不再重述。
實(shí)施例19圖49(a)和(b)是展示本發(fā)明第十九實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的彈性體中構(gòu)架層和粘合層的典型厚度的示圖。
第十九實(shí)施例涉及第一至第十八實(shí)施例所示半導(dǎo)體器件(CSP)的彈性體(彈性結(jié)構(gòu))中的粘合層3e(圖47和圖48)和構(gòu)架層3d的厚度。
圖49展示了彈性體3包括三層的情況。
首先，彈性體3中，載帶側(cè)粘合層3g制作得比載帶基材4g的布線4d厚(如至少為1.2倍或1.5倍)。
具體說(shuō)，在例如布線4d的厚度為18微米時(shí)，載帶側(cè)粘合層3g的厚度至少為21.6微米，或較好至少為27微米。
另外，在例如布線4d的厚度為25微米時(shí)，載帶側(cè)粘合層3g的厚度至少為30微米，或較好至少為37.5微米。
圖49(a)展示了載帶側(cè)粘合層3g與芯片側(cè)粘合層3h有相同厚度的情況。例如，這兩層的厚度為30微米，作為中間層的構(gòu)架層3d的厚度為100微米。
如果布線層4d的厚度例如為18微米，由于上下粘合層3e的厚度(這里為載帶側(cè)粘合層3g和芯片側(cè)粘合層3h)為30微米，且構(gòu)架層3d的厚度為100微米，所以彈性體3的總厚度為160微米。
圖49(b)展示了載帶側(cè)粘合層3g(鄰近薄膜布線基片的粘合層)比芯片側(cè)粘合層3h厚的情況。例如，載帶側(cè)粘合層3g的厚度為75微米，芯片側(cè)粘合層3h的厚度為50微米，作為中間層的構(gòu)架層的厚度為25微米。
如果布線層4d的厚度例如為18微米，由于載帶側(cè)粘合層3g的厚度為75微米，芯片側(cè)粘合層3h的厚度為50微米，且構(gòu)架層3d的厚度為25微米，所以彈性體3的總厚度為150微米。
應(yīng)該注意，圖49給出的厚度僅為一個(gè)實(shí)例，本發(fā)明并不限于此。
第十九實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)的其余特點(diǎn)與第一至第十八實(shí)施例相同，所以這里不再重述。
而且，載帶側(cè)粘合層3g和芯片側(cè)粘合層3h的厚度可以相同或不同。
根據(jù)第十九實(shí)施例，通過(guò)將載帶側(cè)粘合層3g的厚度設(shè)成大于布線4d的厚度(至少為1.2倍，或至少1.5倍)，由于可以覆蓋形成于載帶側(cè)基材4g的粘合表面上的布線4d的起伏，所以改善了載帶側(cè)粘合層3g的接觸情況。這可以提高CSP的可靠性。
另外，將載帶側(cè)粘合層3g和芯片側(cè)粘合層3h設(shè)置成具有相同厚度，改善了載帶基材4g和半導(dǎo)體芯片1間的接觸情況，可以制造高效低成本的彈性體3。
最后，將載帶側(cè)粘合層3g的厚度設(shè)置成大于芯片側(cè)粘合層3h的厚度，甚至可以在對(duì)彈性體整體所確定的厚度條件范圍內(nèi)，在由于布線層4d造成的載帶粘合層3g起伏的情況下，也可以得到較好的接觸。
實(shí)施例20圖50是展示本發(fā)明第二十實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的下表面結(jié)構(gòu)的基面圖。
第二十實(shí)施例涉及第一至第十九實(shí)施例所示半導(dǎo)體器件(CSP)中的薄膜布線基片4的布線4d的寬度。
下面用第七實(shí)施例的CSP17作實(shí)例說(shuō)明第二十實(shí)施例。
在圖50的CSP17中，與形成于薄膜布線基片4上的布線4d的突點(diǎn)區(qū)4f連接的連接部分4s的布線寬度寬于遠(yuǎn)離連接部分4s的點(diǎn)處布線4d的布線寬度，連接部分4s的布線寬度隨著離突點(diǎn)區(qū)4f的距離的增大而連續(xù)變窄。
具體說(shuō)，從形成于載帶基材4g(圖27)上的突點(diǎn)區(qū)4f到達(dá)引線4c的布線4d中，與突點(diǎn)區(qū)4f連接的連接部分4s的布線寬度寬于遠(yuǎn)離這些連接部分4s的點(diǎn)處的布線4d的寬度，所以連接部分4s的布線寬度隨著離突點(diǎn)區(qū)4f的距離增大而逐漸變窄。
在圖50所示的CSP17中，所有十二個(gè)連接部分4s的布線寬度形成得較寬，這些寬連接部分4s隨離突點(diǎn)區(qū)4f的距離的增大而連續(xù)變窄。
第二十實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)的其余特點(diǎn)與第一至第十九實(shí)施例相同，所以這里不再重述。
然而，并非絕對(duì)必需形成第二十實(shí)施例所述的連接部分4s，可以略去它們。
在形成于載帶基材4g上的布線中，從與突點(diǎn)區(qū)4f連接的連接部分4伸出且直接鄰近引線4c的布線離開(kāi)引線4c的距離較短。
因此，在負(fù)載加于引線4c和布線4d上時(shí)，應(yīng)力集中于直接與引線鄰近且與突點(diǎn)區(qū)4f連接的連接部分4s中。
因此，要求在形成連接部分4s時(shí)，這些直接鄰近引線4c且與突點(diǎn)區(qū)4f連接的連接部分4s形成得寬于其它部件。
顯然應(yīng)該明白，本發(fā)明的這些特點(diǎn)不僅可用第七實(shí)施例，還可以用于第一-第十九實(shí)施例中的任一個(gè)。
根據(jù)第二十實(shí)施例，布線4d和突點(diǎn)區(qū)4f間的連接部分4s形成得較寬，所以應(yīng)力不容易集中于這些連接部分4s上。
因此，溫度循環(huán)期間，甚至在載帶基材4g和布線4d因熱收縮和膨脹變形時(shí)，布線4d和突點(diǎn)區(qū)4f間的連接部分4s也不會(huì)斷開(kāi)。
實(shí)施例21圖51(a)-51(d)是展示本發(fā)明第二十一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件典型結(jié)構(gòu)實(shí)例的示意圖，其中圖51(a)是底面圖，圖51(b)是側(cè)面圖，圖51(c)是局部切除的平面圖，圖51(d)是前視圖。圖52(a)-52(c)是展示圖51所示半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖52(a)是穿過(guò)圖51中的線A-A的剖面圖，圖52(b)是穿過(guò)圖51中的線B-B的剖面圖，圖52(c)是穿過(guò)圖51中的線C-C的剖面圖。圖53(a)、53(b)是展示圖52所示半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)局部放大剖面圖，其中圖53(a)是展示圖52(b)中的D部分的示圖，圖53(b)是展示圖52(c)中的E部分的示圖。圖54(a)-54(f)是展示制造用于本發(fā)明第二十一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的薄膜布線基片的方法的實(shí)例的示圖，其中圖54(a)、54(c)、54(e)是局部平面圖，圖54(b)、54(d)、54(f)分別是穿過(guò)A-A線的剖面圖。圖55(a)-55(d)是展示制造用于本發(fā)明第二十一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的薄膜布線基片的方法的實(shí)例的示圖，其中圖54(a)、54(c)走局部平面圖，圖54(b)、54(d)分別是穿過(guò)A-A線的剖面圖。圖56(a)-56(f)是展示制造用于本發(fā)明第二十一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的薄膜布線基片的方法的實(shí)例的示圖，其中圖56(a)、56(d)是局部平面圖，圖54(b)、54(e)分別是穿過(guò)A-A線的剖面圖，圖56(c)、56(f)分別是穿過(guò)B-B線的剖面圖。圖57(a)-57(f)是展示制造用于本發(fā)明第二十一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的薄膜布線基片的方法的實(shí)例的示圖，其中圖57(a)、57(d)是局部平面圖，圖57(b)、57(e)分別是穿過(guò)A-A線的剖面圖，圖57(c)、57(f)分別是穿過(guò)B-B線的剖面圖。圖58(a)-58(f)是展示制造用于本發(fā)明第二十一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的薄膜布線基片的方法的實(shí)例的示圖，其中圖58(a)、58(d)是局部平面圖，圖58(b)、58(e)分別是穿過(guò)A-A線的剖面圖，圖58(c)、58(f)分別是穿過(guò)B-B線的剖面圖。
第二十一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP51)是象圖24所示的第七實(shí)施例的CSP17那樣的外圍焊盤扇入CSP。它基本上具有與CSP17相同的結(jié)構(gòu)，然而，與第七實(shí)施例不同之處在于，薄膜布線基片4不包括圖24所示的基片伸出部分4b，而且作為彈性結(jié)構(gòu)的彈性體3(圖51(a))包括暴露于外的暴露部分3i，如圖51(b)所示。
具體說(shuō)，盡管第一至第二十實(shí)施例的CSP的結(jié)構(gòu)中至少薄膜布線基片4包括伸出半導(dǎo)體芯片1的外圍的基片伸出部分4b，但第二十一實(shí)施例的CSP51的結(jié)構(gòu)中薄膜布線基片4不包括基片伸出部分4b。
因此，CSP51不包括設(shè)置于圖24所示CSP17的彈性體中的彈性體伸出部分3b。
下面說(shuō)明第二十一實(shí)施例的CSP51的具體結(jié)構(gòu)。
CSP51包括彈性體3(彈性結(jié)構(gòu))，其具有設(shè)置于半導(dǎo)體芯片1的主表面1a上的暴露部分3i，用于暴露電極焊盤1b(連接端子)；基片主體4a，其具有布線4d，布線4d的一端通過(guò)引線4c與電極焊盤1b電連接，布線4c的另一端與突點(diǎn)電極2(外部端子)電連接，薄膜布線基片4包括暴露電極焊盤1b的開(kāi)口；及密封半導(dǎo)體芯片1的電極焊盤1b及薄膜布線基片4的密封部件5。
在圖51所示的CSP51中，提供有20個(gè)突點(diǎn)電極2。
CSP51包括在圖51(b)所示的兩長(zhǎng)側(cè)面51a上的彈性體3(圖51(a))的暴露部分3i，每個(gè)CSP51的兩側(cè)51a上皆具有四個(gè)暴露部分3i。
第二十一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)的其余特點(diǎn)與第七實(shí)施例的CSP17相同，所以這里不再重述。
下面說(shuō)明制造第二十一實(shí)施例的CSP51的方法。
首先，如圖54和圖55所示，制備與包括布線4d的基片主體4a連接的彈性體3，形成包括與布線4d連接的引線4c的開(kāi)口4e，并制備薄膜布線基片4(圖55(c))，其中基片主體4a借助彈性體3的支撐體3j支撐于基片框4t上。
下面參照?qǐng)D54和55說(shuō)明制造薄膜布線基片4的方法。
制造圖54(a)所示的包括聚酰亞胺樹(shù)脂的載帶基材4g。在載帶基材4g的上表面、下表面或上下表面上涂敷粘合劑，以粘合銅箔4h，如圖54(c)所示。
接著，在載帶基材4g的兩側(cè)上以大概相等的間距形成用于載帶傳輸?shù)臉?biāo)準(zhǔn)孔4i。
然后，如圖54(a)所示，形成20個(gè)突點(diǎn)開(kāi)口4j。利用沖壓模具在兩側(cè)上形成兩個(gè)布線連接開(kāi)口4e和兩個(gè)長(zhǎng)切孔4q，另外如圖54(c)、54(d)所示在載帶基材4g上層疊銅箔4h。
通過(guò)腐蝕將銅箔4h形成圖54(e)所示要求形狀，以便形成布線圖形。
然后，將載帶基材4g固定到彈性體3上，如圖55(a)和55(b)所示。
用于第二十一實(shí)施例的彈性體3每側(cè)包括四個(gè)長(zhǎng)支撐部件3j(兩側(cè)總共八個(gè))，如圖55(a)所示。這些支撐部件3j跨著薄膜布線基片4的四個(gè)長(zhǎng)孔4q，并且其長(zhǎng)度足以到達(dá)基片框4t。
然而，支撐部件3j的數(shù)量不限于八個(gè)，可以為任何數(shù)目。
這些支撐部件3j的數(shù)量相當(dāng)于CSP51的暴露部分3i的數(shù)量。
因此，將彈性體3固定于薄膜布線基片4上，彈性體3的主體固定于薄膜布線基片4的基片主體4a上，彈性體3的八個(gè)支撐部件3j設(shè)置成跨著薄膜布線基片4的長(zhǎng)孔4q，以便將它們固定于基片框4t上。
然后，切割圖55(a)所示的支撐基片主體4a的四個(gè)懸掛部件4u，以便借助彈性體3的支撐部件3j將基片主體4a支撐于基片框4t上。
換言之，圖55(c)所示的薄膜布線基片4的基片主體4a借助固定于其上的彈性體支撐。
所以，如圖55(c)、55(d)和圖56(a)至56(c)所示，形成彈性體3固定于其上的薄膜布線基片4。
然后，通過(guò)薄膜布線基片4的開(kāi)口4e暴露半導(dǎo)體芯片1的電極焊盤1b(圖51)，并連接半導(dǎo)體芯片1的主表面1a和彈性體3。
換言之，如圖56(d)至56(f)所示，半導(dǎo)體芯片1固定于彈性體3上。
然后，如圖57(a)所示，電連接半導(dǎo)體芯片1(圖51)的電極焊盤1b和薄膜布線基片4的相應(yīng)引線4c。
然后，通過(guò)利用密封樹(shù)脂的密封方法，進(jìn)行樹(shù)脂密封半導(dǎo)體芯片1的電極焊盤1b和薄膜布線基片4的引線4c的步驟28(圖4)，以形成密封部件5，如圖57(d)至57(f)所示。
還可以用傳遞模塑法進(jìn)行樹(shù)脂密封步驟28。
然后，在基片主體4a的突點(diǎn)開(kāi)口4j上施加突點(diǎn)極性材料，使組件穿過(guò)回流爐(未示出)形成如圖58(a)-(c)所示的突點(diǎn)電極2。
以此方式，電連接基片主體4a的布線4d(圖51或52)與突點(diǎn)電極2。
然后，切割彈性體3的支撐部件3j，將它們與基片主體4a的基片框4t分割開(kāi)，由此暴露通過(guò)切割支撐部件3j形成的彈性體3的暴露部分3i(圖58(e))。
由此，可以制備圖58(d)至(f)或圖51所示的CSP51。
制造CSP51方法的其余特點(diǎn)與第七實(shí)施例的CSP17相同，所以這里不再重述。
應(yīng)該理解，還可以將上述第十四至二十實(shí)施例的技術(shù)應(yīng)用于第二十一實(shí)施例的CSP51。
第二十一實(shí)施例的CSP51及其制造方法的優(yōu)點(diǎn)如下。
如果彈性體3的內(nèi)部壓力因形成突點(diǎn)電極時(shí)焊料回流期間水蒸汽和氣體膨脹而升高，這種氣體(蒸汽)通過(guò)圖51(a)所示的氣體釋放通道36從彈性體3的暴露部分3i釋放出來(lái)(氣體可以從八個(gè)暴露部分3i中任一個(gè)中釋放)。
換言之，氣體可以通過(guò)彈性體3的暴露部分3i釋放出來(lái)。由此，可以防止密封部件5破裂的爆玉米花現(xiàn)象的發(fā)生。
所以，提高了CSP51的可靠性。
制造第二十一實(shí)施例CSP51方法的其余優(yōu)點(diǎn)與第七實(shí)施例的CSP17相同，所以這里不再重述。
實(shí)施例22圖59(a)-59(c)是展示制造用于本發(fā)明第二十二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的薄膜布線基片的方法的實(shí)例的示圖，其中圖59(a)是側(cè)視圖，圖59(b)是平面圖，圖59(c)是前視圖。
第二十二實(shí)施例的CSP52(半導(dǎo)體器件)是象圖51所示的第二十一實(shí)施例的CSP51那樣的外圍焊盤扇入CSP。它基本上具有與CSP51相同的結(jié)構(gòu)，然而，與第二十一實(shí)施例CSP51不同之處在于，彈性體3(圖51(a))的所有側(cè)面皆暴露于CSP52的側(cè)面，如圖59所示、換言之，在CSP52中，完成制造后，彈性體3的所有側(cè)面皆暴露出來(lái)作為暴露部分3i，如圖59所示。
第二十二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件(CSP)的其余特點(diǎn)與第二十一實(shí)施例的CSP51相同，所以這里不再重述。
應(yīng)該明白，上述第十四到第二十實(shí)施例的技術(shù)也可以應(yīng)用于第二十二實(shí)施例的CSP52。
第二十二實(shí)施例的CSP52及其制造方法的優(yōu)點(diǎn)如下。
在CSP52中，由于彈性體3的整個(gè)側(cè)面構(gòu)成暴露部分3i，所以彈性體3的暴露表面積增大。
因此，由于彈性體3的暴露區(qū)3i的緣故加強(qiáng)了氣體釋放效應(yīng)。所以，CSP52的可靠性進(jìn)一步提高。
制造第二十二實(shí)施例CSP52及其制造方法的其余優(yōu)點(diǎn)與第二十一實(shí)施例的CSP51相同，所以這里不再重述。
實(shí)施例23
圖60(a)-60(d)是展示本發(fā)明第二十三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的實(shí)例的示圖，其中圖60(a)是底面圖，圖60(b)是側(cè)視圖，圖60(c)是平面圖，圖60(d)是前視圖。圖61(a)、61(b)是展示本發(fā)明第二十三實(shí)施例的制造方法中完成密封時(shí)狀態(tài)實(shí)例的示圖。圖61(a)是平面圖，圖61(b)是底面圖。圖62(a)-62(c)是圖61(a)平面圖的剖面圖，其中圖62(a)是穿過(guò)線A-A的剖面圖，圖62(b)是穿過(guò)線B-B的剖面圖，圖62(c)是穿過(guò)線C-C的剖面圖。圖63(a)-63(c)是展示本發(fā)明第二十三實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件方法中完成密封時(shí)狀態(tài)實(shí)例的示圖，其中圖63(a)是平面圖，圖63(b)是側(cè)視圖，圖63(c)是底面圖。圖64是將根據(jù)本發(fā)明第二十三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中氣體釋放情況實(shí)例的示意圖。
第二十三實(shí)施例的CSP53(半導(dǎo)體器件)是象圖51所示的第二十一實(shí)施例CSP51那樣的外圍焊盤扇入CSP。它基本上具有與CSP51相同的結(jié)構(gòu)，然而，與第二十一實(shí)施例的CSP51的不同之處在于，只靠近半導(dǎo)體芯片1的兩端形成密封部件5，如圖60(a)所示。因此，該器件包括相當(dāng)于彈性體3的整個(gè)側(cè)面的暴露部分3i，和通過(guò)暴露靠近器件上下表面上外圍部分左側(cè)和右側(cè)的中心的區(qū)域而形成的暴露部分3i，如圖60(b)、60(c)所示。
換言之，在CSP53中，不對(duì)半導(dǎo)體芯片1的所有側(cè)面1c進(jìn)行樹(shù)脂密封步驟28，而只在電極焊盤1b(圖51)附近進(jìn)行樹(shù)脂密封步驟。
這里，圖61和62展示了按制造CSP63的工藝完成了樹(shù)脂密封步驟28后的結(jié)構(gòu)。圖61(a)是平面圖，圖61(b)是從底面看的底面圖。
在半導(dǎo)體芯片1的短側(cè)面1c上和長(zhǎng)側(cè)面1c的兩端形成密封部件5，如圖61(b)所示。由于密封部件5沒(méi)有形成于側(cè)面1c的中心附近，所以彈性體3的上下表面外圍部件的左側(cè)和右側(cè)的中心附近區(qū)域是暴露的。
在第二十三實(shí)施例的CSP53中，彈性體3的形狀基本與載帶基材4g的形成相同，如圖61所示。
換言之，彈性體3的形狀制成有效地配合包括開(kāi)口4e、長(zhǎng)孔4q和懸掛部件4u的薄膜布線基片4的形狀。
圖63展示了在切割圖61所示薄膜布線基片4的懸掛部件4u和彈性體3的懸掛片3k以隔開(kāi)基片主體4a和基片框4t時(shí)樹(shù)脂密封后的情況。
第二十三實(shí)施例的CSP53及其制造方法的其余特點(diǎn)與第二十一實(shí)施例的CSP51相同，所以這里不再重述。
應(yīng)該明白，上述第十四至第二十實(shí)施例的技術(shù)也可以應(yīng)用于第二十三實(shí)施例的CSP53。
第二十三實(shí)施例的CSP53及其制造方法的優(yōu)點(diǎn)如下。
在CSP53中，彈性體3上下表面外圍部件的左側(cè)和右側(cè)中心附近的區(qū)域是暴露的，由于在切割位置處附加的暴露部分3i使得彈性體3的暴露表面積增大。因此，在通過(guò)圖64所示的氣體釋放通道36釋放氣體時(shí)，進(jìn)一步加強(qiáng)了氣體釋放效果。
另外，通過(guò)形成形狀基本上與載帶基材4g相同的彈性體3，增強(qiáng)了CSP53中薄膜布線基片4的強(qiáng)度。所以，減少了CSP53的缺陷，提高了成品率。
第二十三實(shí)施例CSP53及其制造方法的其余優(yōu)點(diǎn)與第二十一實(shí)施例的CSP51相同，所以這里不再重述。
實(shí)施例24圖65(a)-65(e)是展示本發(fā)明第二十四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的實(shí)例的示圖，其中圖65(a)是底面圖，圖65(b)是側(cè)視圖，圖65(c)是平面圖，圖65(d)是前視圖，圖65(e)是穿過(guò)圖65(c)中C-C線的剖面圖。
第二十四實(shí)施例的CSP54(半導(dǎo)體器件)是象圖51所示的第二十一實(shí)施例的CSP51那樣的外圍焊盤扇入CSP。它基本上具有與CSP51相同的結(jié)構(gòu)，然而，與第二十一實(shí)施例的CSP51的不同之處在于，在圖65(c)、65(e)所示的薄膜布線基片4上設(shè)置有暴露彈性體3的開(kāi)口4v，且除圖65所示的開(kāi)口4v以外，不再有暴露彈性體3的位置。
在第二十四實(shí)施例的CSP54中，在薄膜布線基片4的基片主體4a內(nèi)設(shè)置兩個(gè)開(kāi)口4v。
所以，當(dāng)組裝CSP54時(shí)，通過(guò)這些開(kāi)口4v暴露彈性體3。因此，彈性體3的暴露部分3i由開(kāi)口4v構(gòu)成。在CSP54中，除開(kāi)口4v外，不再有暴露彈性體3的位置。
換言之，如圖65(a)至65(d)所示，在所有側(cè)面1c上進(jìn)行樹(shù)脂密封步驟28，不暴露半導(dǎo)體芯片1的側(cè)面1c。
在第二十四實(shí)施例的CSP54中，在薄膜布線基片4的基片主體4a上形成開(kāi)口4v，這些開(kāi)口可以形成于在組裝了CSP54后使彈性體3暴露的任何位置處。
而且，開(kāi)口4v數(shù)沒(méi)有具體限定。
第二十四實(shí)施例的CSP54及其制造方法的其余特點(diǎn)與第二十一實(shí)施例的CSP51相同，所以這里不再重述。
應(yīng)該明白，上述第十四到第二十實(shí)施例的技術(shù)也可以應(yīng)用于第二十四實(shí)施例的CSP54。
第二十四實(shí)施例的CSP54及其制造方法的優(yōu)點(diǎn)如下。
在CSP54中，對(duì)半導(dǎo)體芯片1的所有側(cè)面1c進(jìn)行樹(shù)脂密封步驟28，所以，改善了半導(dǎo)體芯片1的密封性能。
所以，減少了半導(dǎo)體芯片1中的缺陷，提高了CSP54的可靠性。
另外，由于在薄膜布線基片4上設(shè)置開(kāi)口4v，所以，甚至在對(duì)半導(dǎo)體芯片1的所有側(cè)面進(jìn)行了樹(shù)脂密封步驟28后，也可以通過(guò)這些開(kāi)口4v釋放氣體。
因此，加強(qiáng)了彈性體3氣體的釋放，改善了半導(dǎo)體芯片1的密封性能。
制造第二十四實(shí)施例CSP54的其余優(yōu)點(diǎn)與第二十一實(shí)施例相同，所以這里不再重述。
實(shí)施例25圖66(a)、66(b)、66(c)是展示本發(fā)明第二十五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件典型結(jié)構(gòu)的示圖，其中圖66(a)是平面圖，圖66(b)是側(cè)視圖，圖66(c)是底面圖。圖67是展示制造本發(fā)明第二十五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件方法中完成密封狀態(tài)實(shí)例的局部平面圖。圖68(a)、68(b)是穿過(guò)圖67的局部平面圖的剖面圖。圖69(a)、69(b)是展示根據(jù)本發(fā)明第二十五實(shí)施例的制造方法中完成密封時(shí)狀態(tài)實(shí)例的示圖，其中圖69(a)是底面圖，圖69(b)是展示去掉的半導(dǎo)體芯片的底面圖。圖70是本發(fā)明第二十五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中氣體釋放情況實(shí)例的示圖。
第二十五實(shí)施例的CSP55(半導(dǎo)體器件)是一種焊盤形成于芯片外圍的結(jié)構(gòu)，焊盤電極1b形成于芯片內(nèi)和外，如圖66所示。此后，將這種CSP稱為扇入/扇出CSP。與第二十一實(shí)施例的CSP51的不同之處在于，電極焊盤1b設(shè)置于半導(dǎo)體芯片1的主表面1a的四周，作為外部端子的突點(diǎn)電極2設(shè)置于半導(dǎo)體芯片1的內(nèi)部(基片主體4a)和外部(基片伸出部分4b)。
CSP55包括彈性體3，彈性體3包括用于暴露設(shè)置于半導(dǎo)體芯片1主表面1a上的電極焊盤1b(連接端子)的暴露部分3i，和伸出半導(dǎo)體芯片1的外圍的彈性體伸出部分3b；薄膜布線基片4，該基片4又包括具有布線4d的基片主體4a，布線4d的一端通過(guò)引線4c(圖51)與電極焊盤1b電連接，其另一端與突點(diǎn)電極2電連接，還包括基片伸出部分4b，其上具有暴露電極焊盤1b(圖51)的開(kāi)口4e，這些伸出部分伸出開(kāi)口4e和半導(dǎo)體芯片1之外；及密封半導(dǎo)體芯片1的電極焊盤1b和薄膜布線基處片4的引線4c的密封部件5。薄膜布線基片4和彈性體3按大概相同的尺寸形成，突點(diǎn)電極2設(shè)置于基片主體4a上。
因此，在CSP55中，薄膜布線基片4包括與基片主體4a及其外圍以單片結(jié)構(gòu)形成的基片伸出部分4b，突點(diǎn)電極2設(shè)置于半導(dǎo)體芯片1之外的這些基片伸出部分4b上。
圖67至69展示了完成樹(shù)脂密封步驟28后的CSP55的結(jié)構(gòu)。圖67是平面圖，圖68是剖面圖，圖69(a)是從底面看的底面圖，圖69(b)是通過(guò)半導(dǎo)體芯片1從底面看載帶基材4g的示圖。
基片主體4a和基片伸出部分4b通過(guò)形成基片主體4a的外圍上的四個(gè)開(kāi)口4e(圖68(a))靠基片主體4a的四個(gè)角片的懸掛部件4u連接和支撐。
在基片伸出部分4b的外圍，形成切割時(shí)用的四個(gè)長(zhǎng)孔4q，基片伸出部分4b靠四外角片的懸掛部件4u支撐于基片框4t上。
第二十五實(shí)施例的彈性體3的形狀形成為基本與圖67所示的薄膜布線基片4的基片主體4a和基片伸出部分4b相配合，如圖69(a)所示。
因此，設(shè)置由懸掛片3k(圖69(b))支撐的彈性體伸出部分3b，其形狀形為與基片伸出部分4b基本相同，形成與薄膜布線基片的開(kāi)口4e有相同尺寸的四個(gè)開(kāi)口3c。
密封部件5只形成于薄膜布線基片4的四個(gè)開(kāi)口4e中，即，半導(dǎo)體芯片1的電極焊盤1b附近，如圖68(a)所示，因此，組裝完成時(shí)，為扇入/扇出結(jié)構(gòu)的CSP55中，除被半導(dǎo)體芯片1覆蓋的部件(彈性體伸出部分3b)外，彈性體3的下表面上所有點(diǎn)及所有側(cè)面1a皆為暴露的，構(gòu)成暴露部分3i，如圖66(b)、66(c)所示。
圖66展示了樹(shù)脂密封后的狀態(tài)，其中在圖67所示的薄膜布線基片4的基片伸出部分4b的角片的懸掛部件4u處切割半導(dǎo)體器件，以便將基片主體4a和基片伸出部分4b與基片框4t隔離開(kāi)。
第二十五實(shí)施例的CSP54結(jié)構(gòu)的其余特點(diǎn)與第二十一實(shí)施例的CSP51相同，所以這里不再重述。
下面說(shuō)明制造第二十五實(shí)施例的CSP55的方法。
首先，形成包括布線4d的基片主體和在其外圍上的基片伸出部分4b，將之與實(shí)際具有與基片伸出部分4b和基片主體4a相同形狀的彈性體3連接，并制備包括開(kāi)口4e的薄膜布線基片4，開(kāi)口4e中包括與布線4d連接的引線4c。
然后，連接半導(dǎo)體芯片1的主表面1a與彈性體3，在薄膜布線基片4的開(kāi)口4e中暴露半導(dǎo)體芯片1的電極焊盤1b(圖51)。
將半導(dǎo)體芯片1的電極焊盤1b與薄膜布線基片4的相應(yīng)引線4c電連接。
然后，對(duì)半導(dǎo)體芯片1的電極焊盤1b和薄膜布線基片4的引線4c進(jìn)行樹(shù)脂密封步驟28，形成密封部件5。
密封完成后的器件狀態(tài)示于圖67、圖68和69。
然后，在基片主體4a和基片伸出部分4b上形成突點(diǎn)電極2，從而將它們與布線4d電連接。
切割圖67所示的基片伸出部分4b的外角片處的四個(gè)懸掛部件4u，使基片主休4a和基片伸出部分4b與基片框4t隔離開(kāi)。
切割后的器件狀態(tài)示于圖66(a)至66(c)。
制造第二十五實(shí)施例的CSP54的方法的其余特點(diǎn)與第二十一實(shí)施例的CSP51相同，所以這里不再重述。
應(yīng)該明白，上述第十四到第二十實(shí)施例的技術(shù)也可以應(yīng)用于第二十五實(shí)施例的CSP55。
第二十五實(shí)施例的CSP55及其制造方法的優(yōu)點(diǎn)如下。
在CSP55中，甚至在扇入/扇出結(jié)構(gòu)中，也可以通過(guò)穿過(guò)設(shè)置于彈性體3上的懸掛部件3k(圖69(b))的氣體脫出通道36釋放出氣體(蒸汽)，如圖70所示。
由此防止了損傷密封部件5的的爆玉米花現(xiàn)象的發(fā)生，所以CSP55的可靠性提高。
第二十五實(shí)施例的CSP55及其制造方法的其余特點(diǎn)與第二十一實(shí)施例的CSP51相同，所以這里不再重述。
以上根據(jù)第一至第二十五實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明，然而，本發(fā)明并不限于這二十五個(gè)實(shí)施例，在本發(fā)明范圍內(nèi)可以有各種改形。
例如，在第一至第二十五實(shí)施例，圖3(a，b，c，d)中所示構(gòu)件的規(guī)格和圖5所示工藝條件只是最佳條件的實(shí)例，本發(fā)明不限于圖3(a，b，c，d)和圖5所示的實(shí)例。
而且，在上述的第一至第二十五實(shí)施例中，所述的半導(dǎo)體芯片1是長(zhǎng)形的，但半導(dǎo)體芯片1也可以是方形的。
設(shè)置于半導(dǎo)體芯片1上的電極焊盤1b不必設(shè)置于半導(dǎo)體芯片1的兩端，可以設(shè)置于任何其它位置，這些位置位于半導(dǎo)體芯片1的主表面1a的外圍。例如它們可以設(shè)置于整個(gè)外圍部分上。
設(shè)置于半導(dǎo)體芯片1上的電極焊盤1b和突點(diǎn)電極2不限于12個(gè)或20個(gè)，可以為小于12、13-19或大于20。
薄膜布線基片4的開(kāi)口4e和彈性體3的開(kāi)口3c的形狀不限于矩形，可以是能夠暴露半導(dǎo)體芯片1的電極焊盤1b的其它形狀。
上述第一到第二十五實(shí)施例所述的半導(dǎo)體器件(CSP)例如可用于DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、S(同步)DRAM、S(靜態(tài))RAM、RAMBUS、快速存儲(chǔ)器、ASIC(專用IC)、CPU(中央處理單元)或柵陣列。器件的典型應(yīng)用是模塊或卡件，但應(yīng)該理解，它們也可以應(yīng)用于除模塊和卡件外的產(chǎn)品。
下面簡(jiǎn)述這里所公開(kāi)的發(fā)明的主要優(yōu)點(diǎn)。
(1)由于半導(dǎo)體器件(CSP)的薄膜布線基片的基片主體和基片伸出部分形成單片結(jié)構(gòu)，所以不單獨(dú)形成基片伸出部分，因此不必使用成本高的材料。所以，降低了器件的制造成本。
(2)通過(guò)在薄膜布線基片的開(kāi)口之外設(shè)置基片伸出部分，在通過(guò)開(kāi)口施加樹(shù)脂密封時(shí)，密封部件形成為基片伸出部分和半導(dǎo)體芯片間的橋。以此方式，可以得到一個(gè)穩(wěn)定的封裝，提高密封性能，隨之改善耐濕性。
(3)在形成突點(diǎn)電極后，由于彈性結(jié)構(gòu)的預(yù)定方法的側(cè)面暴露于外，所以，即使半導(dǎo)體器件吸收了濕汽后進(jìn)行回流，回流期間產(chǎn)生水蒸汽也會(huì)通過(guò)彈性結(jié)構(gòu)釋放到外部，所以提高了回流容差。
(4)通過(guò)形成多孔氟化物樹(shù)脂的彈性結(jié)構(gòu)，回流期間產(chǎn)生的水蒸汽可以釋放到外部，同時(shí)，借助氟化物樹(shù)脂的防水性能防止?jié)衿麧B透到半導(dǎo)體器件中。結(jié)果，減輕了半導(dǎo)體器件電特性的退化。
(5)通過(guò)在彈性結(jié)構(gòu)中引入著色劑，可以降低彈性結(jié)構(gòu)的透光性，但不影響彈性結(jié)構(gòu)的基本物理特性。以此方式，可以將半導(dǎo)體芯片的電路與光屏蔽，阻擋會(huì)引起半導(dǎo)體芯片誤操作的紫外光，半導(dǎo)體器件的工作穩(wěn)定性提高。
(6)在薄膜布線基片中，通過(guò)布線和突點(diǎn)區(qū)間的連接，防止了連接處應(yīng)力的集中。因此，即使由于溫度循環(huán)期間由于布線與載帶基材一起熱收縮和膨脹而使布線變形，也可以防止布線和突點(diǎn)接觸間連接部分4s處的引線斷裂。
(7)通過(guò)在彈性結(jié)構(gòu)中形成暴露部分，甚至是在彈性結(jié)構(gòu)的內(nèi)部壓力因例如回流而升高，也可以從彈性結(jié)構(gòu)的暴露部分中將氣體釋放到外部。以此方式，可以防止損害密封部件的爆玉米花現(xiàn)象等，所以半導(dǎo)體器件的可靠性提高。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括包括其主表面上的多個(gè)半導(dǎo)體元件和包括多個(gè)連接端子的半導(dǎo)體芯片，所說(shuō)多個(gè)連接端子設(shè)置于所說(shuō)半導(dǎo)體芯片外圍上；設(shè)置于所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的主表面上使所說(shuō)連接端子暴露的彈性體；形成于所說(shuō)彈性體上的絕緣帶，包括所說(shuō)連接端子設(shè)置區(qū)域中的開(kāi)口；形成于所說(shuō)絕緣帶的表面上的多根引線，其一端與所說(shuō)端子電連接，另一端設(shè)置于所說(shuō)彈性體上；形成于所說(shuō)多根引線的另一端處的多個(gè)突點(diǎn)電極；及密封所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的所說(shuō)連接端子及所說(shuō)引線的一端的樹(shù)脂體；其中所說(shuō)絕緣帶包括設(shè)置于所說(shuō)半導(dǎo)體芯片內(nèi)的第一部分和在所說(shuō)多個(gè)連接端子設(shè)置于其中的所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的外圍附近伸出所說(shuō)半導(dǎo)體芯片外的第二部分。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所說(shuō)樹(shù)脂體形成為所說(shuō)絕緣帶的所說(shuō)第一部分和所說(shuō)第二部分間的橋。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所說(shuō)第二部分用作防止所說(shuō)樹(shù)脂體流動(dòng)的隔墻。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括形成作為與所說(shuō)絕緣帶的所說(shuō)第二部分中的所說(shuō)絕緣帶隔離體的隔片。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所說(shuō)彈性體包括設(shè)置于所說(shuō)半導(dǎo)體芯片內(nèi)的第一部分，和在所說(shuō)多個(gè)連接端子設(shè)置于其中的所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的外圍附近伸出所說(shuō)半導(dǎo)體芯片外的第二部分，所說(shuō)彈性體的所說(shuō)第二部分設(shè)置于所說(shuō)絕緣帶的第二部分中。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中彈性體由多孔材料構(gòu)成，所說(shuō)彈性體側(cè)面的部分是暴露的。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所說(shuō)絕緣帶和所說(shuō)彈性體的外部形狀基本相同。
8.一種半導(dǎo)體器件，包括具有設(shè)置于基主表面的外圍的連接端子的半導(dǎo)體芯片，還包括設(shè)置于所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的主表面上使所說(shuō)連接端子暴露的彈性體；薄膜布線基片，該基片包括其上具有布線的基片主體，布線的一端通過(guò)引線與所說(shuō)連接端子電連接，另一端與作為外部端子的突點(diǎn)電極電連接，還包括具有使所說(shuō)連接端子暴露出來(lái)的開(kāi)口的基片伸出部分，該部分伸出所說(shuō)開(kāi)口和所說(shuō)半導(dǎo)體芯片之外；及密封部件，用于密封所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的所說(shuō)連接端子，并密封所說(shuō)薄膜布線基片的所說(shuō)引線；所說(shuō)基片主體和所說(shuō)薄膜布線基片的所說(shuō)基片伸出部分形成單片結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中密封開(kāi)口設(shè)置于所說(shuō)薄膜布線基片的所說(shuō)基片伸出部分中對(duì)應(yīng)于所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的側(cè)面的位置。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中所說(shuō)密封部件由密封樹(shù)脂構(gòu)成，所說(shuō)密封樹(shù)脂中所含硅石是含不超過(guò)50％硅石的低硅石材料。
11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中設(shè)置阻擋片，用于防止在所說(shuō)薄膜布線基片的所說(shuō)開(kāi)口周圍進(jìn)行樹(shù)脂密封時(shí)密封樹(shù)脂的泄漏。
12.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中所說(shuō)彈性體包括伸出所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的彈性伸出部分，所說(shuō)彈性體的預(yù)定側(cè)面是暴露的。
13.一種半導(dǎo)體器件，包括具有設(shè)置于其主表面外圍上的連接端子的半導(dǎo)體芯片，還包括設(shè)置于所說(shuō)半導(dǎo)體芯片主表面上的彈性體，具有暴露所說(shuō)連接端子的開(kāi)口，所說(shuō)彈性體包括伸出所說(shuō)開(kāi)口和所說(shuō)半導(dǎo)體芯片之外的彈性體伸出部分；薄膜布線基片，該基片包括其上具有布線的基片主體，布線的一端通過(guò)引線與所說(shuō)連接端子電連接，另一端與作為外部端子的突點(diǎn)電極電連接，還包括具有使所說(shuō)連接端子暴露出來(lái)的開(kāi)口的基片伸出部分，該部分伸出所說(shuō)開(kāi)口和所說(shuō)半導(dǎo)體芯片之外；及密封部件，用于密封所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的所說(shuō)連接端子，并密封所說(shuō)薄膜布線基片的所說(shuō)引線；所說(shuō)基片主體和所說(shuō)薄膜布線基片的所說(shuō)基片伸出部分形成一種單片結(jié)構(gòu)，所說(shuō)薄膜布線基片和所說(shuō)彈性體形成為大概相同的尺寸。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中所說(shuō)半導(dǎo)體芯片固定成其側(cè)面由所說(shuō)彈性體的所說(shuō)彈性體伸出部分包圍。
15.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中密封開(kāi)口設(shè)置于所說(shuō)薄膜布線基片的所說(shuō)基片伸出部分中對(duì)應(yīng)于所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的側(cè)面的位置。
16.一種半導(dǎo)體器件，包括具有設(shè)置于其主表面外圍上的連接端子的半導(dǎo)體芯片，還包括設(shè)置于所說(shuō)半導(dǎo)體芯片主表面上使所說(shuō)連接端子暴露的彈性體，具有暴露于外部的暴露部分；薄膜布線基片，該基片包括其上具有布線的基片主體，布線的一端通過(guò)引線與所說(shuō)連接端子電連接，另一端與作為外部端子的突點(diǎn)電極電連接，還包括暴露所說(shuō)連接端子的開(kāi)口；及密封部件，用于密封所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的所說(shuō)連接端子，并密封所說(shuō)薄膜布線基片的所說(shuō)引線。
17.一種半導(dǎo)體器件，包括具有設(shè)置于其主表面外圍上的連接端子的半導(dǎo)體芯片，還包括設(shè)置于所說(shuō)半導(dǎo)體芯片主表面上使所說(shuō)連接端子暴露的彈性體，具有暴露于外部的暴露部分，所說(shuō)彈性體包括伸出所說(shuō)半導(dǎo)體芯片外的彈性體伸出部分；薄膜布線基片，該基片包括其上具有布線的基片主體，布線的一端通過(guò)引線與所說(shuō)連接端子電連接，另一端與作為外部端子的突點(diǎn)電極電連接，還包括具有使所說(shuō)連接端子暴露出來(lái)的開(kāi)口的基片伸出部分，該部分伸出所說(shuō)開(kāi)口和所說(shuō)半導(dǎo)體芯片之外；及密封部件，用于密封所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的所說(shuō)連接端子，并密封所說(shuō)薄膜布線基片的所說(shuō)引線；所說(shuō)薄膜布線基片和所說(shuō)彈性體形成為大概相同的尺寸，所說(shuō)突點(diǎn)電極形成于所說(shuō)基片主體和所說(shuō)基片突起部分中。
18.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中暴露所說(shuō)彈性體的開(kāi)口設(shè)置于所說(shuō)薄膜布線基片中。
19.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括不與所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的所說(shuō)連接端子連接的不連接引線，所說(shuō)不連接引線向所說(shuō)連接端子彎曲。
20.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所說(shuō)彈性體由多孔氟化物樹(shù)脂形成，包括其上下表面上的粘合層。
21.如權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體器件，其中所說(shuō)彈性體包括由三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)形成的構(gòu)架層。
22.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中所說(shuō)彈性體的兩粘合層之一或全部含有著色劑。
23.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中所說(shuō)彈性體中，所說(shuō)薄膜布線基片粘合層形成得較芯片粘合層厚。
24.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中形成于所說(shuō)薄膜布線基片上的布線中突點(diǎn)區(qū)的連接部分的布線寬度寬于遠(yuǎn)離所說(shuō)連接部分位置處的布線寬度，隨著與所說(shuō)突點(diǎn)區(qū)距離的增大，所說(shuō)連接部分的布線寬度連續(xù)變窄。
25.一種制造包括半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟制備薄膜布線基片，所說(shuō)基片包括帶有布線的基片主體和伸出開(kāi)口之外的基片伸出部分，開(kāi)口中引線連接到布線上并且與基片主體形成為單片結(jié)構(gòu)；連接所說(shuō)薄膜布線基片的基片主體與彈性體；連接所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的主表面與所說(shuō)彈性體，以便在所說(shuō)薄膜布線基片的所說(shuō)開(kāi)口中暴露半導(dǎo)體芯片的所說(shuō)連接端子；電連接所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的所說(shuō)連接端子與所說(shuō)薄膜布線基片的對(duì)應(yīng)引線；用包括含不超過(guò)50％硅石的低硅石材料的密封樹(shù)脂，密封所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的所說(shuō)連接端子及所說(shuō)薄膜布線基片的所說(shuō)引線，以形成密封部件；電連接所說(shuō)基片主體的布線，以便形成突點(diǎn)電極；及同時(shí)切割基片伸出部分和形成于其中的密封部件成要求的外形尺寸。
26.如權(quán)利要求25所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中在所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的所說(shuō)連接端子與所說(shuō)薄膜布線基片的相應(yīng)引線電連接時(shí)，所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的所說(shuō)連接端子與所說(shuō)薄膜布線基片的所說(shuō)引線通過(guò)焊頭的壓力作用連接后，所說(shuō)焊頭按所說(shuō)引線端部的方向基本平行于所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的所說(shuō)主表面移動(dòng)。
27.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所說(shuō)半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體芯片，半導(dǎo)體芯片具有設(shè)置于其主表面的外圍上的連接端子，所說(shuō)方法包括以下步驟提供與包括布線的基片主體連接的彈性體，制備薄膜布線基片，所說(shuō)薄膜布線基片中形成有開(kāi)口，所說(shuō)開(kāi)口中引線與布線連接，所說(shuō)基片主體由所說(shuō)彈性體的支撐部件支撐于基片框上；連接所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的主表面與所說(shuō)彈性體，使所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的所說(shuō)連接端子暴露于所說(shuō)薄膜布線基片的所說(shuō)開(kāi)口中；電連接所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的所說(shuō)連接端子與所說(shuō)薄膜布線基片的對(duì)應(yīng)引線；樹(shù)脂密封所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的連接端子及所說(shuō)薄膜布線基片的所說(shuō)引線，以形成密封部件；電連接所說(shuō)基片主體的所說(shuō)布線，以便形成突點(diǎn)電極；及切割所說(shuō)彈性體的支撐部件，以便將所說(shuō)基片主體與所說(shuō)基片框分離，暴露所說(shuō)彈性體的暴露部分。
28.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所說(shuō)半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體芯片，所說(shuō)方法包括以下步驟制備薄膜布線基片，所說(shuō)薄膜布線基片包括帶有布線的基片主體和伸出所說(shuō)基片主體的外圍之外的基片伸出部分，其中所說(shuō)基片伸出部分和所說(shuō)基片主體連接到有基本相同形狀的彈性體上，并形成開(kāi)口，所說(shuō)開(kāi)口中設(shè)置與所說(shuō)布線連接的引線；連接所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的主表面與所說(shuō)彈性體，使所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的所說(shuō)連接端子暴露于所說(shuō)薄膜布線基片的所說(shuō)開(kāi)口中；電連接所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的所說(shuō)連接端子與所說(shuō)薄膜布線基片的對(duì)應(yīng)引線；用密封樹(shù)脂密封所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的連接端子及所說(shuō)薄膜布線基片的所說(shuō)引線，以形成密封部件；電連接所說(shuō)基片主體的所說(shuō)布線，以便在所說(shuō)基片主體和基片伸出部分上形成突點(diǎn)電極；及從所說(shuō)基片框上分離所說(shuō)基片主體和所說(shuō)基片伸出部分。
29.如權(quán)利要求18所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中在利用密封樹(shù)脂進(jìn)行密封時(shí)，密封所說(shuō)半導(dǎo)體芯片的側(cè)面。
全文摘要
片尺寸半導(dǎo)體封裝,包括外圍設(shè)有多個(gè)連接端的芯片;設(shè)于芯片主表面上使連接端暴露的彈性體;彈性體上的絕緣帶,在連接端處有開(kāi)口;絕緣帶上表面上的多根引線,其一端與連接端連接,另一端設(shè)置于彈性體上;引線另一端上的多個(gè)突點(diǎn)電極;及密封半導(dǎo)體芯片的連接端及引線的一端的密封體,其中絕緣帶在外圍附近伸出芯片,樹(shù)脂體的形狀由絕緣帶的伸出部分限定。彈性體包括多孔材料,具有與絕緣帶相同的形狀,側(cè)面之一暴露于外部環(huán)境。
文檔編號(hào)H01L23/495GK1208252SQ9811600
公開(kāi)日1999年2月17日 申請(qǐng)日期1998年7月10日 優(yōu)先權(quán)日1997年7月11日
發(fā)明者秋山雪治, 下石智明, 大西健博, 嶋田法翁, 江口州志, 西村朝雄, 安生一郎, 坪崎邦宏, 宮崎忠一, 小山宏 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所, 日立超大規(guī)模集成電路系統(tǒng)株式會(huì)社, 秋田電子株式會(huì)社