專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般來說涉及半導(dǎo)體器件，更特定地說，涉及能夠提高熔絲部分防潮性的、經(jīng)過改良的半導(dǎo)體器件。
圖13為包括熔絲部分的現(xiàn)有半導(dǎo)體器件的平面圖。圖14為圖13中所示的半導(dǎo)體器件的熔絲部分的沿ⅩⅣ-ⅩⅣ線的剖面圖。參照這些圖，在半導(dǎo)體襯底1上將第1電路4與第2電路5設(shè)置成互相分離的狀態(tài)。第1電路4與第2電路5是通過熔絲部分2連接的。通過設(shè)置在半導(dǎo)體襯底1上的絕緣膜3來保護(hù)熔絲部分2。
在現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件中，熔絲部分2是使用與電路4、5內(nèi)的布線相同的材料(鋁、鎢或硅化鎢)制作的。
圖15為進(jìn)行了激光燒斷后的半導(dǎo)體器件平面圖。圖16為沿著圖15中ⅩⅥ-ⅩⅥ線的剖面圖。用激光進(jìn)行熔絲燒斷，由此把熔絲部分2切斷。通過熔絲部分2的切斷，對(duì)第1電路4與第2電路5進(jìn)行電分離。在切斷熔絲部分2之部位6處，在上部復(fù)蓋的氧化膜3同時(shí)也被破壞。因此，相對(duì)于從上部浸入的水份，熔絲部分2的端面2a露出。
圖17為用于說明現(xiàn)有半導(dǎo)體器件的問題的圖。圖18為沿著圖17中ⅩⅧ-ⅩⅧ線的剖面圖。
參照?qǐng)D17及圖18，在現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件中，因?yàn)槿劢z部分的端面2a相對(duì)于從上部浸入的水分露出，所以，在熔絲部分2的材料是耐潮性差的材料的情況下，有時(shí)腐蝕沿熔絲部分2進(jìn)入，破壞電路5內(nèi)的布線及其它熔絲部分，導(dǎo)致器件不合格。圖中，參照符號(hào)29所表示的部分表示熔絲2被腐蝕了的部分。
一般來說，作為熔絲部分的材料選擇導(dǎo)電性層。但是，因?yàn)閮?yōu)先考慮縮小布局及易于燒斷的條件，所以，選擇耐腐蝕性強(qiáng)的材料來使用是非常困難的。
圖19為在2個(gè)部位上存在熔絲部分2的現(xiàn)有半導(dǎo)體器件的平面圖。圖20為沿著圖19中ⅩⅩ-ⅩⅩ線的剖面圖。因?yàn)槌嗽?個(gè)部位上存在熔絲部分2以外其他方面與圖13中所示的現(xiàn)有半導(dǎo)體器件相同，所以，對(duì)相同或相當(dāng)?shù)牟糠止矘?biāo)以相同的參照符號(hào)，不重復(fù)其說明。
圖21為在2個(gè)部位上有熔絲部分的現(xiàn)有半導(dǎo)體器件在激光燒斷后平面圖。圖22為沿著圖20的ⅩⅫ-ⅩⅫ線的剖面圖。對(duì)與圖15中所示器件相同或相當(dāng)?shù)牟糠种粯?biāo)以相同的參照符號(hào)，不重復(fù)其說明。
圖23為示出在2個(gè)部位有熔絲部分的半導(dǎo)體器件的問題的圖。圖24為沿著圖23中ⅩⅩⅣ-ⅩⅩⅣ線的剖面圖。對(duì)與圖17中所示器件相同或相當(dāng)?shù)牟糠种粯?biāo)以相同的參照符號(hào)，不重復(fù)其說明。
在現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件中，用激光燒斷進(jìn)行了切斷的熔絲部分也是半導(dǎo)體器件中防潮性最低的部分。由于該部分防潮性的程度很低，所以從已切斷的熔絲部分的端面產(chǎn)生腐蝕，這種腐蝕沿著熔絲部分進(jìn)入，進(jìn)而，破壞電路及其它熔絲部分，結(jié)果，存在使半導(dǎo)體器件變成不合格的問題。
本發(fā)明是為了解決上述那樣的問題而完成的，其目的在于提供一種能夠提高保險(xiǎn)部分的防潮性的改良了的半導(dǎo)體器件。
與本發(fā)明第1方面有關(guān)的半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體襯底。在上述半導(dǎo)體襯底上，將使第1電路與第2電路設(shè)置成互相離開的狀態(tài)，熔絲部分把上述第1電路與上述第2電路連接起來。在上述熔絲部分的中間，夾有用耐腐蝕性強(qiáng)的材料形成的連結(jié)部分。
根據(jù)該發(fā)明，因?yàn)樵谌劢z部分的中間夾有用耐腐蝕性強(qiáng)的材料形成的連結(jié)部分，所以，即使在把熔絲部分切斷以后，其端面露出，也能夠利用由耐腐蝕性強(qiáng)的材料形成的上述連結(jié)部分防止腐蝕的進(jìn)行。
根據(jù)本發(fā)明第2方面，上述熔絲部分包括連接到上述第1電路上的第1金屬部分和連接到該第1金屬部分上的第1連結(jié)部分。上述第1連結(jié)部分包括在上述半導(dǎo)體襯底的表面上形成的第1溝；在該第1溝的底部上形成的第1摻雜層；以及沿上述第1溝設(shè)置的、把上述第1金屬部分與上述第1摻雜層連結(jié)起來的第1栓(plug)部分。
根據(jù)該發(fā)明，因?yàn)橛媚透g性強(qiáng)的第1摻雜層形成連結(jié)部分，所以，當(dāng)即使熔絲部分被切斷，第1金屬部分的端面露出，導(dǎo)致該露出部分受到腐蝕，也能夠利用第1摻雜層防止腐蝕的進(jìn)行。
根據(jù)與本發(fā)明第3方面有關(guān)的半導(dǎo)體器件，用鎢或硅化鎢形成上述第1栓部分。它們是容易用激光切斷的材料。
根據(jù)與本發(fā)明第4方面有關(guān)的半導(dǎo)體器件，上述第1摻雜層為摻雜多晶硅層。這樣的摻雜層可以使用把雜質(zhì)摻到硅襯底中的簡(jiǎn)單方法來形成。
根據(jù)與本發(fā)明第5方面有關(guān)的半導(dǎo)體器件，上述熔絲部分包括連接到上述第2電路上的第2金屬部分和連接到該第2金屬部分上的第2連結(jié)部分。上述第2連結(jié)部分包括在上述半導(dǎo)體襯底的表面上形成的第2溝；在該第2溝的底部上形成的第2摻雜層；以及沿上述第2溝設(shè)置的、把上述第2金屬部分與上述第2摻雜層連結(jié)起來的第2栓部分。
與該發(fā)明有關(guān)的器件，在第1電路與第2電路之間，在2個(gè)部位上有熔絲。在這樣的情況下，也防止腐蝕的進(jìn)行。
根據(jù)本發(fā)明第6方面所述的半導(dǎo)體器件，上述第2栓部分是用鎢或硅化鎢形成的。因而，變成用激光容易切斷的熔絲部分。
根據(jù)本發(fā)明第7方面，上述第2摻雜層是用摻雜多晶硅層形成的，該摻雜層是僅在多晶硅中摻雜而簡(jiǎn)單地形成的。
圖1為與實(shí)施例1有關(guān)的半導(dǎo)體器件的平面圖；圖2為沿圖1中Ⅱ-Ⅱ線的剖面圖；圖3為激光燒斷后的半導(dǎo)體器件的平面圖；圖4為沿圖3中Ⅳ-Ⅳ線的剖面圖；圖5為用于說明與實(shí)施例1有關(guān)的半導(dǎo)體器件的效果的圖；圖6為沿圖5中Ⅵ-Ⅵ線的剖面圖；圖7為與實(shí)施例2有關(guān)的半導(dǎo)體器件的平面圖；圖8為沿圖7中Ⅷ-Ⅷ線的剖面圖；圖9為激光燒斷后的半導(dǎo)體器件的平面圖；圖10為沿圖9中Ⅹ-Ⅹ線的剖面圖；圖11為用于說明與實(shí)施例2有關(guān)的半導(dǎo)體器件的效果的圖；圖12為沿圖11中Ⅻ-Ⅻ線的剖面圖；圖13為現(xiàn)有半導(dǎo)體器件的平面圖；圖14為沿圖13中ⅩⅣ-ⅩⅣ線的剖面圖；圖15為現(xiàn)有半導(dǎo)體器件經(jīng)激光燒斷后的平面圖；圖16為沿圖15中ⅩⅥ-ⅩⅥ線的剖面圖；圖17為示出現(xiàn)有半導(dǎo)體器件的問題的平面圖；圖18為沿圖17中ⅩⅧ-ⅩⅧ線的剖面圖；圖19為另一現(xiàn)有半導(dǎo)體器件的平面圖；圖20為沿圖19中ⅩⅩ-ⅩⅩ線的剖面圖；圖21為另一現(xiàn)有半導(dǎo)體器件經(jīng)激光燒斷后的平面圖；圖22為沿圖21中ⅩⅫ-ⅩⅫ線的剖面圖23為示出另一現(xiàn)有半導(dǎo)體器件的問題的平面圖；圖24為沿圖23中ⅩⅩⅣ-ⅩⅩⅣ線的剖面圖。
下面參照


本發(fā)明的實(shí)施例。
實(shí)施例1圖1為與實(shí)施例1有關(guān)的半導(dǎo)體器件的平面圖。圖2為沿圖1中Ⅱ-Ⅱ線的剖面圖。參照這些圖，與實(shí)施例1有關(guān)的半導(dǎo)體器件具備半導(dǎo)體襯底1。在半導(dǎo)體襯底1上，將第1電路4與第2電路5設(shè)置成互相分離的狀態(tài)。用熔絲部分2把第1電路4與第2電路5連接起來，在熔絲部分2的中間，夾有用耐腐蝕性強(qiáng)的材料形成的連結(jié)部分7。為了復(fù)蓋熔絲部分2，把絕緣膜3設(shè)置在半導(dǎo)體襯底1上。
參照?qǐng)D2，如果更詳細(xì)地說明的話，熔絲部分2包括連接到第1電路4上的第1金屬部分8和連接到第1金屬部分8上的第1連結(jié)部分9。第1連結(jié)部分9包括在半導(dǎo)體襯底1的表面上形成的第1溝10；在第1溝10的底部上形成的第1摻雜層11；以及沿第1溝10設(shè)置的、把第1金屬部分8與第1摻雜層11連結(jié)起來的第1栓部分100。
熔絲部分2還包括連接到第2電路5上的第2金屬部分12和連接到第2金屬部分12上的第2連結(jié)部分13。第2連結(jié)部分13包括在半導(dǎo)體襯底1的表面上形成的第2溝14；在第2溝14的底部上形成的第2摻雜層15；以及沿第2溝14設(shè)置的、把第2金屬部分12與第2摻雜層連結(jié)起來的第2栓部分101。
用鎢或硅化鎢形成第1及第2栓部分100、101。第1及第2摻雜層11、15為摻雜多晶硅層。第1及第2金屬部分8、12由鋁形成，易于受到腐蝕，但是，第1及第2栓部分100、101由鎢或硅化鎢形成，難于受到腐蝕。摻雜多晶硅層11、15則完全不受腐蝕。
圖3為激光燒斷后的半導(dǎo)體器件的平面圖。圖4為沿圖3中Ⅳ-Ⅳ線的剖面圖。參照這些圖，參照符號(hào)6所示部分表示用激光燒斷已被破壞的部位。
圖5為用于說明與實(shí)施例1有關(guān)的半導(dǎo)體器件效果的半導(dǎo)體器件的平面圖。圖6為沿圖5的Ⅵ-Ⅵ線的剖面圖。參照這些圖，在與實(shí)施例1有關(guān)的半導(dǎo)體器件中，也與以往相同，在熔絲部分2中產(chǎn)生腐蝕。即，從由于切斷而露出的端面2a開始進(jìn)行腐蝕。但是，在熔絲部分2的中間夾有用耐腐蝕性強(qiáng)的材料形成的第1及第2連結(jié)部分9、13。利用該部分9、13，使腐蝕停止。進(jìn)而，使第1及第2電路4、5內(nèi)的布線不被破壞，故不產(chǎn)生不合格的器件。再者，圖中，參照符號(hào)16所示的部分表示已腐蝕了的部分。這樣，根據(jù)與實(shí)施例1有關(guān)的半導(dǎo)體器件，因?yàn)樵谌劢z部分2的中間夾有用耐腐蝕性強(qiáng)的材料形成的連接部分9、13，所以，變成耐腐蝕性非常強(qiáng)的器件。結(jié)果是，在選擇熔絲的材料時(shí)，消除了必須選擇耐腐蝕性強(qiáng)的材料的限制，使布局非常自由。
實(shí)施例2圖7為與實(shí)施例2有關(guān)的半導(dǎo)體器件的平面圖。圖8為沿圖7中Ⅷ-Ⅷ線的剖面圖。在與實(shí)施例2有關(guān)的器件中，與實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件不同之點(diǎn)在于，在2個(gè)部位上存在激光燒斷的部分。參照?qǐng)D7，熔絲部分2把第1電路4與第2電路5連接起來。與實(shí)施例1的器件不同，在熔絲部分2中，在第1電路4與第2電路5之間，在3個(gè)部位上設(shè)有用耐腐蝕性強(qiáng)的材料形成的連結(jié)部分7。
圖8中，正中間的第3連結(jié)部分17包括在半導(dǎo)體襯底1的表面上形成的第3溝18；在第3溝18的底部上形成的第3摻雜層19；以及沿第3溝18設(shè)置的、把第3金屬部分20a、20b與第3摻雜層19連結(jié)起來的第3栓部分102。第3金屬部分20a、20b由鋁形成，雖然易于受到腐蝕，但是，第3栓部分102由鎢或硅化鎢形成，難于受到腐蝕。摻雜的多晶硅19則完全不受腐蝕。
圖9為激光燒斷后的半導(dǎo)體器件的平面圖。圖10為沿著圖9中Ⅹ-Ⅹ線的剖面圖。圖中，參照符號(hào)6所示的部分表示用激光已被破壞的地方。
圖11為示出與實(shí)施例2有關(guān)的半導(dǎo)體器件的效果的圖。圖12為沿圖11中Ⅻ-Ⅻ線的剖面圖。在這些圖中，參照符號(hào)16所示部分表示已腐蝕了的部分。與實(shí)施例1的器件相同，雖然在與實(shí)施例2有關(guān)的半導(dǎo)體器件中也產(chǎn)生腐蝕，但是，因?yàn)樵谌劢z部分2的中間，設(shè)有用耐腐蝕性強(qiáng)的材料形成的第1、第2及第3連結(jié)部分9、13、17，所以用該部分使腐蝕停止。因而，熔絲部分的防潮性顯著提高。結(jié)果，在不破壞電路內(nèi)的布線及其它熔絲部分的情況下，成為良好的器件。
根據(jù)與本發(fā)明第1方面有關(guān)的半導(dǎo)體器件，因?yàn)樵谌劢z部分的中間夾有耐腐蝕性強(qiáng)的材料形成的連結(jié)部分，所以，切斷熔絲部分以后，即使其端面露出，通過上述連結(jié)部分也能夠防止腐蝕的進(jìn)行。結(jié)果，可起到能夠得到使熔絲部分的防潮性提高的半導(dǎo)體器件的效果。
根據(jù)與本發(fā)明第2方面有關(guān)的半導(dǎo)體器件，因?yàn)橛媚透g性強(qiáng)的第1摻雜層形成連結(jié)部分，所以，即使把熔絲部分切斷、第1金屬部分的端面露出，該露出部分受到腐蝕，也可通過第1摻雜層防止腐蝕的進(jìn)行。結(jié)果，可起到能夠得到使熔絲部分的防潮性提高的半導(dǎo)體器件的效果。
根據(jù)與本發(fā)明第3方面有關(guān)的半導(dǎo)體器件，因?yàn)橛面u或硅化鎢形成第1栓部分，所以，可起到成為用激光容易切斷的熔絲部分的效果。
根據(jù)與本發(fā)明第4方面有關(guān)的半導(dǎo)體器件，第1摻雜層為摻雜多晶硅層。這樣的摻雜層可以使用把雜質(zhì)摻到硅襯底中的簡(jiǎn)單方法來形成。
根據(jù)與本發(fā)明第5方面有關(guān)的半導(dǎo)體器件，在第1電路與第2電路之間，在2個(gè)部位上有熔絲。在這樣的情況下，也能夠防止腐蝕的進(jìn)行，故可起到成為使防潮性提高的半導(dǎo)體器件的效果。
根據(jù)與本發(fā)明第6方面有關(guān)的半導(dǎo)體器件，因?yàn)榈?栓部分是用鎢或硅化鎢形成的，所以，可起到成為用激光容易切斷的熔絲部分的效果。
根據(jù)與本發(fā)明第7方面有關(guān)的半導(dǎo)體器件，因?yàn)榈?摻雜層是用摻雜多晶硅層形成的，所以，可起到能使用將雜質(zhì)摻到多晶硅中的簡(jiǎn)單方法形成該摻雜層的效果。
權(quán)利要求
1．一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括半導(dǎo)體襯底1；在所述半導(dǎo)體襯底1上互相分離地設(shè)置的第1電路4及第2電路5；連接所述第1電路4和所述第2電路5的熔絲部分2；以及用耐腐蝕性強(qiáng)的材料形成的連結(jié)部分7，該部分夾在上述熔絲部分2的中間。
2．根據(jù)權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述熔絲部分2包括連接到所述第1電路4上的第1金屬部分8和連接到該第1金屬部分8上的第1連結(jié)部分7，所述第1連接部分7包括在所述半導(dǎo)體襯底1的表面上形成的第1溝10；在該第1溝10的底部上形成的第1摻雜層11；以及沿所述第1溝10設(shè)置的、把所述第1金屬部分8與所述第1摻雜層11連接起來的第1栓部分100。
3．根據(jù)權(quán)利要求2中所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于用鎢或硅化鎢形成所述第1栓部分100。
4．根據(jù)權(quán)利要求2中所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第1摻雜層11為摻雜多晶硅層。
5．根據(jù)權(quán)利要求2中所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述熔絲部分2包括連接到上述第2電路5上的第2金屬部分12和連接到該第2金屬部分12上的第2連結(jié)部分13，上述第2連接部分13包括在上述半導(dǎo)體襯底1的表面上形成的第2溝14；在該第2溝14的底部上形成的第2摻雜層15；以及沿所述第2溝14設(shè)置的、把所述第2金屬部分12與所述第2摻雜層15連接起來的第2栓部分101。
6．根據(jù)權(quán)利要求5中所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于用鎢或硅化鎢形成所述第2栓部分101。
7．根據(jù)權(quán)利要求5中所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述第2摻雜層15為摻雜多晶硅層。
全文摘要
主要目的是提供一種以非常自由地進(jìn)行布局的方式經(jīng)過改良的、包含熔絲部分的半導(dǎo)體器件。將第1電路4與第2電路5以互相分離的方式設(shè)置在半導(dǎo)體襯底1上。熔絲部分2把第1電路4與第2電路5連接起來。在熔絲部分2的中間,夾有用耐腐蝕性強(qiáng)的材料形成的連結(jié)部分7。
文檔編號(hào)H01L21/70GK1218292SQ9811877
公開日1999年6月2日 申請(qǐng)日期1998年8月27日 優(yōu)先權(quán)日1997年11月20日
發(fā)明者永井享浩, 豆谷智治 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社