專利名稱：采用微摻雜漏極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到可高速工作的、源-漏區(qū)采用微摻雜漏極(LDD)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制備方法。
目前，要求大規(guī)模集成電路有更高的集成度和更快的工作速度，同時(shí)要求采用可高速工作及可進(jìn)一步小型化的場效應(yīng)MOS晶體管。然而，當(dāng)場效應(yīng)MOS晶體管進(jìn)一步小型化后，源-漏區(qū)耐壓性能下降的問題也隨之出現(xiàn)了，同時(shí)，由于熱電子的作用，會導(dǎo)致柵極閾值電壓及其導(dǎo)電性發(fā)生變化，以及由于短路而引發(fā)擊穿等事故。
例如，N溝道場效應(yīng)MOS晶體管小型化后其特性參數(shù)出現(xiàn)變化的主要原因是由漏極附近存在的強(qiáng)電場中的熱電子所致。所以，為了提高N溝道場效應(yīng)MOS晶體管的可靠性，必須可適當(dāng)減弱漏極附近的電場。
漏極附近的強(qiáng)電場位于夾斷點(diǎn)(pinch-off point)到漏極之間的耗盡層內(nèi)，最大電場位于P型硅襯底和漏極N+區(qū)之間的金相接合面上。
最大電場的值將隨著雜質(zhì)分布不均勻性的增加而增大。然而，如果采用LDD(微摻雜漏極)結(jié)構(gòu)以均勻漏極內(nèi)的雜質(zhì)分布，則電場也會隨之減弱。
然而，如果采用了LDD結(jié)構(gòu)，則柵極的有效長度將會縮短，從而更容易引起象擊穿這類事故。于是，為了避免產(chǎn)生擊穿現(xiàn)象，建議形成一種含雜質(zhì)的空穴區(qū)的結(jié)構(gòu)，其雜質(zhì)濃度要高于襯底的濃度。

圖1所示為含空穴區(qū)的普通N溝道場效應(yīng)MOS晶體管的剖面圖。
在含空穴區(qū)的普通N溝道MOS晶體管中，在P型硅襯底41上形成了一個(gè)場氧化物層42和一個(gè)柵極絕緣層43。在柵極絕緣層43上面形成了由多晶硅構(gòu)成的柵極44。在柵極44側(cè)面形成了一個(gè)側(cè)壁45。
另外，在側(cè)壁45下面的硅襯底表面形成了一個(gè)摻入低濃度N型雜質(zhì)的低濃度區(qū)47。在低濃度區(qū)47的下面和柵極44的側(cè)面形成了一個(gè)摻入P型雜質(zhì)的空穴區(qū)48。在側(cè)壁45和場氧化物層42的中間、柵極氧化物層41下面的硅襯底41表面形成了一個(gè)摻入高濃度N型雜質(zhì)的高濃度區(qū)46。LDD結(jié)構(gòu)的源一漏區(qū)便是這樣制成的。
在含空穴區(qū)48的MOS晶體管中，由于從源一漏極向外擴(kuò)展的耗盡層在向外擴(kuò)展時(shí)受到抑制，這樣就避免了擊穿現(xiàn)象的發(fā)生。
然而，在含空穴區(qū)的普通MOS晶體管中，與漏極側(cè)相同的空穴區(qū)位于源極側(cè)，這樣引起了溝道電阻的增加并導(dǎo)致了流過晶體管電流的減小。
由此，為在不降低電流的前提下減小短路影響，建議在N溝道MOS晶體管中僅在漏極旁形成空穴區(qū)。(日本未決專利公布(Kokai)No.Hei 9-181307)。
然而，如果僅在漏極旁形成空穴區(qū)，則會增加到襯底的漏電流。
本發(fā)明的目的之一是在縮短柵極長度上不降低特性參數(shù)的前提下在半導(dǎo)體器件中采用LDD結(jié)構(gòu)，其適用于高速操作；并提供了制造這種半導(dǎo)體器件的方法。
根據(jù)本發(fā)明的采用LDD結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件包括一個(gè)第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底以及在該襯底表上面形成的一個(gè)場效應(yīng)MOS晶體管。這個(gè)場效應(yīng)MOS晶體管由一個(gè)在半導(dǎo)體襯底上形成的柵極，一個(gè)漏極區(qū)及一個(gè)源極區(qū)組成。漏極區(qū)包括在半導(dǎo)體襯底表面形成的第二導(dǎo)電類型第一擴(kuò)散層，該第二導(dǎo)電類型與上述的第一導(dǎo)電類型相反，以及在半導(dǎo)體襯底上比第二導(dǎo)電類型第一擴(kuò)散層距離柵極更近的地方形成的第二導(dǎo)電類型的第二擴(kuò)散層，它的摻雜濃度要比第一擴(kuò)散層的低。源極區(qū)包括在半導(dǎo)體襯底上形成的第二導(dǎo)電類型第三擴(kuò)散層，以及在半導(dǎo)體襯底表面較第三擴(kuò)散層更接近柵極的地方形成的第二導(dǎo)電類型第四擴(kuò)散層，它的摻雜濃度要比第三擴(kuò)散層的低。第四擴(kuò)散層的雜質(zhì)擴(kuò)散系數(shù)要比第二擴(kuò)散層的小。
在本發(fā)明中，由于源極區(qū)的第四擴(kuò)散層的雜質(zhì)擴(kuò)散系數(shù)要比漏極區(qū)的第二擴(kuò)散層的小，第四擴(kuò)散層擴(kuò)展到柵極之下的程度不如第二擴(kuò)散層劇烈。而且，漏極區(qū)到柵極以下區(qū)域的雜質(zhì)濃度分布要比源極區(qū)到柵極以下區(qū)域的雜質(zhì)濃度分布狀況均勻。因此，當(dāng)柵極長度縮短時(shí)可在不降低場效應(yīng)MOS晶體管特性參數(shù)的前提下減少短路的不良影響。也即，這種半導(dǎo)體器件可在不降低場效應(yīng)MOS晶體管特性參數(shù)的前提下適應(yīng)更高速度工作的要求。
根據(jù)本發(fā)明，采用LDD結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的制備方法包括以下步驟在一個(gè)制備了用于形成漏極的漏極結(jié)構(gòu)布置區(qū)和用于形成源極的源極結(jié)構(gòu)布置區(qū)的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底上形成柵極；有選擇地在半導(dǎo)體襯底的漏極結(jié)構(gòu)布置區(qū)內(nèi)摻入第二導(dǎo)電類型第一雜質(zhì)來形成第一擴(kuò)散層，第二導(dǎo)電類型與第一導(dǎo)電類型相反；有選擇地在半導(dǎo)體襯底的源極結(jié)構(gòu)布置區(qū)內(nèi)摻入第二導(dǎo)電類型第二雜質(zhì)來形成第二擴(kuò)散層，它的雜質(zhì)擴(kuò)散系數(shù)小于第一擴(kuò)散層；在柵極的一側(cè)表面形成一個(gè)側(cè)壁；用柵極和側(cè)壁作為掩模，在半導(dǎo)體襯底表面摻入濃度高于第一和第二雜質(zhì)的第二導(dǎo)電類型第三雜質(zhì)來形成第三擴(kuò)散層。
圖1所示為含空穴區(qū)的普通N溝道MOS晶體管的剖面圖；圖2A到2F所示為按照本發(fā)明第一實(shí)施例的形成步驟進(jìn)行的半導(dǎo)體器件制備方法的剖面圖；圖3A到3E所示為按照本發(fā)明第二實(shí)施例的形成步驟進(jìn)行的半導(dǎo)體器件制備方法的剖面圖；圖4所示為以柵極長度為橫坐標(biāo)及以耐壓值為縱坐標(biāo)繪制的曲線圖；和圖5所示為以導(dǎo)通電流為橫坐標(biāo)及以襯底漏電流為縱坐標(biāo)繪制的曲線圖。
以下參照附圖按照本發(fā)明的實(shí)施例對半導(dǎo)體器件及其制備方法進(jìn)行的詳細(xì)解釋。圖2A到2F為按照本發(fā)明第一實(shí)施例進(jìn)行的半導(dǎo)體器件制備方法的剖面圖。
首先，如圖2A所示，按照LOCOS方法有選擇地在P型硅襯底1上形成場氧化物層2。在場氧化物層2之間采用熱氧化法形成7.5nm厚的柵極絕緣層3。然后，在整個(gè)表面形成厚度為100到300nm的柵極材料層。接著，在柵極絕緣層3上采用光刻法或類似技術(shù)形成長度為0.31μM的柵極4。
然后，如圖2B所示，在將要形成源極區(qū)的地方(源極結(jié)構(gòu)布置區(qū))形成光刻膠圖形5，并在將要形成漏極區(qū)的地方(漏極結(jié)構(gòu)布置區(qū))利用光刻技術(shù)形成一個(gè)開口。接著，用光刻膠圖形5和柵極4作為掩模摻入磷(P)離子。采用的加速電源電壓可選為15KV，而摻入的劑量可選為2×1013cm-2。加速電源電壓可選的范圍為10到30KV，摻入劑量的范圍可選為1×1013cm-2到5×1013cm-2。通過摻入磷離子，在漏極結(jié)構(gòu)布置區(qū)上形成一個(gè)低濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層6。
然后，如圖2C所示，除去光刻膠圖形5。接著，在漏極結(jié)構(gòu)布置區(qū)上形成光刻膠圖形7并在源極結(jié)構(gòu)布置區(qū)上形成開口。接著，用光刻膠圖形7和柵極4作為掩模，摻入擴(kuò)散系數(shù)小于磷的砷(As)離子。采用的加速電源電壓可選為30KV，摻入劑量可選為4×1013cm-2。加速電源電壓可選的范圍為20到50KV，摻入劑量可選的范圍為3×1013cm- 2到7×1013cm-2。通過摻入砷離子，在源極結(jié)構(gòu)布置區(qū)上制成了一個(gè)低濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層8。
然后，如圖2D所示，除去光刻膠圖形7，接著，在整個(gè)表面上形成一層厚120nm的氮化硅絕緣層9。
此后，如圖2E所示，利用各向異性腐蝕法按照預(yù)定數(shù)量除去絕緣層9的一部分從而在柵極4的一側(cè)形成一個(gè)側(cè)壁10。
然后，如圖2F所示，用柵極4和側(cè)壁10作為掩模，摻入砷(As)離子。采用的加速電源電壓可選為30KV，摻入劑量可選為5×1015cm-2。加速電源電壓可選的范圍為20到50KV，摻入劑量可選的范圍為3×1015cm-2到7×1015cm-2。通過摻入砷離子，在漏極結(jié)構(gòu)布置區(qū)和源極結(jié)構(gòu)布置區(qū)上形成高濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層11。
按照本發(fā)明第一實(shí)施例的上述步驟形成的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)如圖2F所示。更具體地說，摻入砷的低濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層8和摻入砷的高濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層11都在源極區(qū)內(nèi)形成。摻入磷的低濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層6和摻入砷的高濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層11都在漏極區(qū)內(nèi)形成。如前述，砷的擴(kuò)散系數(shù)小于磷，源極區(qū)內(nèi)形成的低濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層8內(nèi)擴(kuò)散到柵極以下區(qū)域的數(shù)量要少于漏極區(qū)內(nèi)形成的低濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層6的擴(kuò)散量。
因此，根據(jù)第一實(shí)施例，由于源極區(qū)和漏極區(qū)之間可以保持足夠安全的距離，短路現(xiàn)象應(yīng)該可以避免。而且，由于在漏極區(qū)內(nèi)制造的低濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層6中攙入的磷的擴(kuò)散系數(shù)較大，這樣其濃度分布可以較為緩和。因此，電場強(qiáng)受到抑制，從而使由自由電子作用而引起的柵極耐壓和導(dǎo)電性的變化減弱了。
接下來對第二實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。圖3A到3E所示為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例按照形成步驟進(jìn)行的半導(dǎo)體器件形成方法的剖面圖。
首先，如圖3A所示，按照LOCOS方法有選擇地在P型半導(dǎo)體21上形成場氧化物層22。按照熱氧化法在場氧化物層22之間形成厚度為7.5nm的柵極絕緣層23。接著，在整個(gè)表面形成厚度為100到300nm的柵極材料層。然后，采用如第一實(shí)施例中所述的光刻法或類似技術(shù)有選擇地在柵極絕緣層22上形成柵極24。
然后，如圖3B所示，形成覆蓋源極結(jié)構(gòu)布置區(qū)的光刻膠圖形25，在漏極結(jié)構(gòu)布置區(qū)形成開口。接著，用光刻膠圖形25和柵極24作為掩模，如第一實(shí)施例所述在漏極結(jié)構(gòu)布置區(qū)摻入磷離子，這樣就制成了低濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層26。
然后，如圖3C所示，除去光刻膠圖形25。接著，形成覆蓋漏極結(jié)構(gòu)布置區(qū)的光刻膠圖形27，在源極結(jié)構(gòu)布置區(qū)形成開口。接著，用光刻膠圖形27和柵極24作為掩模，如第一實(shí)施例所述在源極結(jié)構(gòu)布置區(qū)摻入擴(kuò)散系數(shù)小于磷的砷離子來形成低濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層28。
此外，用光刻膠圖形27和柵極14作為掩模，摻入導(dǎo)電性類型與磷和砷相反的硼(B)離子。采用的加速電源電壓可選為30KV，摻入劑量可選為2×1013cm-2。加速電源電壓可選的范圍為20到40KV，摻入劑量可選的范圍為1×1015cm-2到3×1015cm-2。如圖3D所示，通過摻入硼離子，在源極結(jié)構(gòu)布置區(qū)內(nèi)制成了雜質(zhì)濃度高于半導(dǎo)體襯底21的空穴區(qū)29。
然后，如圖3E所示，除去光刻膠圖形27。接著，如第一實(shí)施例所述在柵極24一側(cè)形成側(cè)壁30。用柵極24和側(cè)壁30作為掩模，在漏極結(jié)構(gòu)布置區(qū)和源極結(jié)構(gòu)布置區(qū)摻入砷離子來形成高濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層31。
按照上述第二實(shí)施例形成的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)如圖3E所示。特別指出，摻入砷的低濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層28和摻入砷的高濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層11都在源極區(qū)內(nèi)形成。摻入磷的低濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層26和摻入砷的高濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層31都在漏極區(qū)內(nèi)形成。如前述，砷的擴(kuò)散系數(shù)小于磷，源極區(qū)內(nèi)形成的低濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層28擴(kuò)散到柵極以下區(qū)域的數(shù)量要少于漏極區(qū)內(nèi)形成的低濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層26的擴(kuò)散量，如第一實(shí)施例所述。另外，在第二實(shí)施例中，由P型雜質(zhì)擴(kuò)散層組成的空穴區(qū)29是在源極區(qū)內(nèi)的低濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層28周圍形成的。因此，根據(jù)第二實(shí)施例，應(yīng)該比第一實(shí)施例能更有效地抑制擊穿現(xiàn)象。
接下來，將對通過第一種和第二實(shí)施例所能達(dá)到的抑制短路和漏電的效果進(jìn)行說明。
圖4所示為以柵極長度為橫坐標(biāo)以柵極耐壓為縱坐標(biāo)繪制的曲線圖，圖5所示為以導(dǎo)通電流為橫坐標(biāo)以襯底漏電流為縱坐標(biāo)繪制的曲線圖。在圖4和圖5中，符號◆表示根據(jù)第一實(shí)施例的N溝道MOS晶體管的特性參數(shù)，符號▲表示根據(jù)第二實(shí)施例的N溝道MOS晶體管的特性參數(shù)。符號×表示無空穴區(qū)的普通N溝道場效應(yīng)MOS晶體管的特性參數(shù)，符號●表示含通過摻入P型雜質(zhì)而產(chǎn)生空穴區(qū)的普通N溝道MOS晶體管的特性參數(shù)。
如果符號◆所表示的特性參數(shù)和符號×表示的無空穴區(qū)MOS晶體管的特性參數(shù)相比，則第一實(shí)施例中的耐壓值可在如圖4所示柵極更短的區(qū)域進(jìn)行測量。
而且，如果符號▲所表示的特性參數(shù)和符號●表示的含空穴區(qū)MOS晶體管的特性參數(shù)相比，則第二實(shí)施例中的耐壓值可在如圖4所示柵極更短的區(qū)域進(jìn)行測量。
此外，如圖5所示，即使在很高的導(dǎo)通電流下，符號◆和符號▲所代表的按本發(fā)明實(shí)現(xiàn)方法形成的MOS晶體管的襯底漏電流要低于符號×和符號●所代表的普通MOS晶體管特性。特別的是，含空穴區(qū)的普通MOS晶體管的襯底漏電流要顯著高于按本發(fā)明實(shí)現(xiàn)方法形成的MOS晶體管。
在源極區(qū)內(nèi)形成低濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層時(shí)所選用的雜質(zhì)不只限于砷，在漏極區(qū)內(nèi)形成低濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層時(shí)所選用的雜質(zhì)也不只限于磷。例如，源極區(qū)內(nèi)的低濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層可通過摻銻(Sb)來形成，而漏極區(qū)內(nèi)的低濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層可通過摻磷來形成。
另外，在形成空穴區(qū)時(shí)所摻入的雜質(zhì)不只限于硼。例如，空穴區(qū)可通過摻氟化硼(BF2)離子來形成。
本發(fā)明的應(yīng)用范圍不只限于N溝道MOS晶體管。本發(fā)明也可用于P溝道MOS晶體管。如果本發(fā)明用于P溝道MOS晶體管，在源極區(qū)內(nèi)形成低濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層時(shí)可選用氟化硼離子，而在漏極區(qū)內(nèi)形成低濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層時(shí)可選用硼離子。這樣，源極區(qū)內(nèi)的雜質(zhì)擴(kuò)散系數(shù)才會小于漏極區(qū)內(nèi)的雜質(zhì)擴(kuò)散系數(shù)。
而且，當(dāng)本發(fā)明用于P溝道MOS晶體管時(shí)，在源極區(qū)形成空穴區(qū)時(shí)可摻入N型雜質(zhì)。這種情況下通常摻入的是砷離子，磷離子或類似物。
另外，通過摻離子法來形成源極區(qū)和漏極區(qū)的順序可以顛倒。也即，可以首先用摻離子法來形成源極區(qū)。
權(quán)利要求
1．采用LDD結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成的場效應(yīng)MOS晶體管；所述場效應(yīng)MOS晶體管包括在所述半導(dǎo)體襯底上形成的柵極；漏極區(qū)，所述漏極區(qū)包括在所述半導(dǎo)體襯底表面形成的第二導(dǎo)電類型第一擴(kuò)散層，所述第二導(dǎo)電類型與第一導(dǎo)電類型相反；和在所述半導(dǎo)體襯底表面上較所述第一擴(kuò)散層更接近所述柵極的地方形成第二導(dǎo)電類型第二擴(kuò)散層，其雜質(zhì)濃度要低于所述第一擴(kuò)散層；和源極區(qū)，所述源極區(qū)包括在所述半導(dǎo)體襯底表面形成的第二導(dǎo)電類型第三擴(kuò)散層，和在所述半導(dǎo)體襯底表面上較所述第三擴(kuò)散層更接近所述柵極的地方形成第二導(dǎo)電類型第四擴(kuò)散層，且其雜質(zhì)濃度要低于所述第三擴(kuò)散層；在所述第四擴(kuò)散層內(nèi)的雜質(zhì)擴(kuò)散系數(shù)要小于所述第二擴(kuò)散層中雜質(zhì)的擴(kuò)散系數(shù)。
2．如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其特征為所述源極區(qū)包括在所述第四擴(kuò)散層周圍形成的第一導(dǎo)電類型第五擴(kuò)散層，其雜質(zhì)濃度高于所述半導(dǎo)體襯底的雜質(zhì)濃度。
3．如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其特征為所述半導(dǎo)體襯底為P型，所述第二擴(kuò)散層內(nèi)的雜質(zhì)為磷，和所述第四擴(kuò)散層內(nèi)的雜質(zhì)為砷或銻，
4．如權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件，其特征為所述半導(dǎo)體襯底為P型，和所述第五擴(kuò)散層內(nèi)的雜質(zhì)為硼。
5．如權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件，其特征為所述半導(dǎo)體襯底為P型，和所述第五擴(kuò)散層內(nèi)摻入氟化硼。
6．如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其特征為所述半導(dǎo)體襯底為N型，所述第二擴(kuò)散層內(nèi)摻入了硼，和所述第四擴(kuò)散層內(nèi)摻入了氟化硼。
7．如權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件，其特征為所述半導(dǎo)體襯底為N型，和所述第五擴(kuò)散層內(nèi)摻入了砷或磷。
8．采用LDD結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的制備方法，包括以下步驟在備有其中要形成漏極的漏極結(jié)構(gòu)布置區(qū)和其中要形成源極的源極結(jié)構(gòu)布置區(qū)的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底上形成柵極；在所述半導(dǎo)體襯底表面的所述漏極結(jié)構(gòu)布置區(qū)內(nèi)通過有選擇地?fù)饺氲诙?dǎo)電類型第一雜質(zhì)來形成第一擴(kuò)散層，所述第二導(dǎo)電類型與所述第一導(dǎo)電類型相反；在所述半導(dǎo)體襯底表面的所述源極結(jié)構(gòu)布置區(qū)內(nèi)通過有選擇摻入第二導(dǎo)電類型第二雜質(zhì)來形成第二擴(kuò)散層，第二雜質(zhì)的擴(kuò)散系數(shù)小于第一雜質(zhì)的擴(kuò)散系數(shù)；在所述柵極一側(cè)表面形成側(cè)壁；和用所述柵極和所述側(cè)壁作為掩模，在所述半導(dǎo)體襯底表面摻入濃度高于所述第一和第二雜質(zhì)的第二導(dǎo)電類型第三雜質(zhì)來形成第三擴(kuò)散層。
9．如權(quán)利要求8的半導(dǎo)體器件制備方法，在形成所述第二擴(kuò)散層的步驟和形成所述側(cè)壁的步驟之間，還包括在所述源極結(jié)構(gòu)布置區(qū)內(nèi)通過摻入第一導(dǎo)電類型第四種雜質(zhì)來形成第四擴(kuò)散層的步驟，其雜質(zhì)濃度高于所述半導(dǎo)體襯底，位于所述第二擴(kuò)散層周圍。
10．如權(quán)利要求8的半導(dǎo)體器件制備方法，其特征為所述半導(dǎo)體襯底為P型，所述第一雜質(zhì)為磷，所述第二雜質(zhì)為砷或銻，
11．如權(quán)利要求9的半導(dǎo)體器件制備方法，其特征為所述半導(dǎo)體襯底為P型，和所述第四種雜質(zhì)為硼或氟化硼。
12．如權(quán)利要求8的半導(dǎo)體器件制備方法，其特征為所述半導(dǎo)體襯底為N型，和所述第一雜質(zhì)為硼，和所述第二雜質(zhì)為硼或氟化硼。
13．如權(quán)利要求9的半導(dǎo)體器件制備方法，其特征為所述半導(dǎo)體襯底為N型，和所述第四種雜質(zhì)為砷或磷。
全文摘要
在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體上形成柵極。接著,在漏極結(jié)構(gòu)布置區(qū)內(nèi)半導(dǎo)體襯底表面有選擇地?fù)饺氲诙?dǎo)電類型第一雜質(zhì)來形成第一擴(kuò)散層。接著,在源極結(jié)構(gòu)布置區(qū)內(nèi)的半導(dǎo)體襯底表面有選擇地?fù)饺霐U(kuò)散系數(shù)小于第一雜質(zhì)的第二導(dǎo)電類型第二雜質(zhì)來形成第二擴(kuò)散層。然后,在柵極一側(cè)表面形成一個(gè)側(cè)壁。接著,用柵極和側(cè)壁作為掩模,將濃度高于第一和第二雜質(zhì)的第二導(dǎo)電類型第三雜質(zhì)摻入半導(dǎo)體襯底表面。
文檔編號H01L21/336GK1211084SQ9811932
公開日1999年3月17日 申請日期1998年9月11日 優(yōu)先權(quán)日1997年9月11日
發(fā)明者小室敏雄 申請人:日本電氣株式會社