專利名稱：電子元器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及在芯片內埋入1個以上線圈的電子元器件。
作為以往的這種電子元器件，在圖2中給出多層電感器的側面剖視圖。
在圖2中，20為多層電感器，由磁性材料形成的長方芯體片21、埋入芯片21內的螺旋狀線圈22及設置在芯片21縱向兩端的一對端電極23構成。圖中，線圈22的旋繞中心線Y與連接端電極23的方向(芯片縱向)垂直，線圈22的端部引出到芯片端部表面并與各端電極23連接。
當將該多層電感器20安裝在基板的導體圖形上時有兩個方向，一個如圖3所示線圈22的旋繞中心線Y與基板Z的安放面垂直，另一個如圖4所示線圈22的旋繞中心線Y與基板Z的安放面平行。
對于圖3的安放方向及圖4的安放方向，由于線圈22與基板Z的位置關系不同，使得對于芯片外部磁通的磁阻產生差異，這表現(xiàn)出為電感量的差異。特別是對于使用相對磁導率低的材料作為芯片材料的多層電感器，因安放方向不同產生較大的磁阻差，表現(xiàn)出電感量有很大差異。
為了解決這樣的問題，提出一種不因安放方向不同而改變線圈旋繞中心線相對于基板面的方向的多層電感器(特開平8-55726號公報)。
該多層電感器一般稱為縱向多層型電感器，如圖5至7所示，在連接端電極的方向上形成多層構造。
即圖5至圖7所示縱向多層型電感器30的芯片31是將上層磁性材料片A、線圈層磁性材料片B1-B4及下層磁性材料片C疊層而形成。在上層磁性材料片A上形成矩形引出導體Pa，使其與通孔h重疊。在線圈層磁性材料片B1～B4上，形成4種近似U字形狀的線圈用導體Pb1～Pb4，使其端部與通孔h重疊。另外，在下層磁性材料片C上，形成矩形引出導體Pc，使其與通孔h重疊。再在芯片31的疊層方向兩端形成端電極33，從而構成縱向多層型電感器30。
這里線圈用導體Pb1～Pb4之間通過通孔h連接而形成線圈32，線圈32的兩端分別通過在上層及下層磁性材料片A及C形成的多個引出導體Pa及Pc而構成的引出導體34a及34b與端電極33相連。
在圖5至圖7所示構成的縱向多層型的多層電感器30中，當電流流過電感器時，產生與線圈32的旋繞中心線Y平行的磁通及沿著以引也導體34a和34b為中心的圓周而旋繞的磁通，由于這些磁通形成了芯片的電感量。
但是，當將該多層電感器30安裝在基板Z上時，對于圖8所示的安放方向及圖9所示的安放方向、即正反面反過來安放的狀態(tài)，引出導體34a及34b與基板Z之間的距離產生差異。因此出現(xiàn)這樣的問題，即對于這些引出導體34a及34b周圍產生的磁通的磁阻產生差異，從而由于安放方向不同導致電感量產生差異。
本發(fā)明的目的在于提供具有不因安放方向不同導致電感量產生差異的線圈的電子元器件。
在本發(fā)明的電子元器件中，在具有長方體形狀的芯片內埋入線圈，在芯片兩端分別具有與線圈端連接的端電極，將線圈的旋繞中心線設定在形成端電極的一對相對的芯片端面的各自中心點相連直線上，同時將從旋繞中心線方向看的線圈旋繞軌跡及線圈端與前述端電極連接的引出導體配置成這樣的位置及(或)狀態(tài)，使得安放在基板上時至少即使反過來安放也保持線圈的旋繞軌跡及引出導體與基板之間有相同的距離。
具有這樣構成的電子元器件，例如如果垂直于線圈旋繞中心線的芯片截面是正方形，則安放在基板上時，除芯片端面以往的四個面中，即使任何一個面對著基板，線圈及引出導體與基板之間的距離都相同。這樣，任何一個安放方向的磁阻都相同，線圈及引出導體產生的電感量不會因安放方向不同而變化。因而上述電子元器件不會產生因安放方向不同導致電感量產生差異。另外，當芯片形狀為長方體且垂直于線圈旋繞中心線的芯片截面不是正方形時，即使安放在基板上時將正反面反過來安放，但任何一種情況的引出導體與基板之間的距離仍然相同。因而，當垂直于線圈旋繞中心線的芯片截面為正方形以外的形狀時，即使將正反面反過來安放在基板上，也不會因安放方向不同導致電感量產生差異。
再有，在本發(fā)明中，芯片做成圓柱形狀時也與上述相同，構成的電子元器件不會因安放方向不同導致電感量產生差異。例如，在具有圓柱形狀的芯片內埋入線圈、在芯片兩端分別具有與線圈端連接的端電極的電子元器件中，將線圈的旋繞中心線設定在形成端電極的一對相對的芯片端面的各自中心點相連直線上，同時將從旋繞中心線方向看的線圈旋繞軌跡與線圈旋繞中心線通過的中心點的距離設定為在繞圈旋繞中心線垂直相交的任意芯片截面中總是保持一定，而且分別在芯片兩端將連接線圈端與端電極的引出導體設置在線圈旋繞中心線上。
附圖簡要說明

圖1所示為本發(fā)明第1實施形態(tài)中多層電感器的立體圖。
圖2所示為以往例的多層電感器的側面剖面圖。
圖3所示為以往例的多層電感器安放狀態(tài)舉例。
圖4所示為以往例的多層電感器安放狀態(tài)舉例。
圖5所示為以往例的縱向多層型多層電感器的側面剖面圖。
圖6所示為以往例的縱向多層型多層電感器的立體圖。
圖7所示為以往例的縱向多層型多層電感器的多層構造圖。
圖8所示為以往例的多層電感器安放狀態(tài)的側面剖視圖。
圖9所示為以往例的多層電感器安放狀態(tài)的側面剖視圖。
圖10所示為本發(fā)明第1實施形態(tài)中多層電感器的多層構造分解立體圖。
圖11所示為本發(fā)明第2實施形態(tài)中多層電感器的立體圖。
圖12所示為本發(fā)明第2實施形態(tài)中多層電感器的多層構造分解立體圖。
圖13a至圖13f所示為本發(fā)明第2實施形態(tài)有關的其他的線圈旋繞軌跡圖。
圖14所示為本發(fā)明第3實施形態(tài)中多層電感器的立體圖。
圖15所示為本發(fā)明第3實施形態(tài)中從線圈旋繞中心線方向看的線圈旋繞軌跡圖。
圖16所示為本發(fā)明第4實施形態(tài)中多層電感器的立體圖。
圖17所示為本發(fā)明第5實施形態(tài)中多層電感器的立體圖。
圖18所示為本發(fā)明第5實施形態(tài)中從線圈旋繞中心線方向看的線圈旋繞軌跡圖。
圖19所示為本發(fā)明第5實施形態(tài)中多層電感器的多層構造分解立體圖。
圖20所示為本發(fā)明第6實施形態(tài)中多層電感器的立體圖。
圖21所示為本發(fā)明第6實施形態(tài)中引出導體的形成位置圖。
圖22所示為本發(fā)明第7實施形態(tài)中多層電感器的立體圖。
圖23所示為本發(fā)明第7實施形態(tài)中引出導體的形成位置圖。
圖24所示為本發(fā)明第8實施形態(tài)中多層電感器的立體圖。
圖25所示為本發(fā)明第8實施形態(tài)中從線圈旋繞中心線方向看的線圈旋繞軌跡圖。
圖26所示為本發(fā)明第8實施形態(tài)中多層電感器的多層構造分解立體圖。
圖27所示為本發(fā)明第9實施形態(tài)中多層電感器的立體圖。
圖28所示為本發(fā)明第9實施形態(tài)中多層電感器的側面剖面圖。
圖29所示為本發(fā)明第9實施形態(tài)中多層電感器的多層構造分解立體圖。
圖30所示為本發(fā)明第9實施形態(tài)中從線圈旋繞中心線方向看的引出導體配置圖。
圖31所示為本發(fā)明第9實施形態(tài)有關的引出導體的其他配置舉例。
圖32所示為本發(fā)明第10實施形態(tài)中多層電感器的側面剖面圖。
圖33所示為本發(fā)明第10實施形態(tài)中第1引出導體長度的其他設定舉例。
圖34所示為本發(fā)明第11實施形態(tài)中多層電感器的側面剖面圖。
圖35所示為本發(fā)明第12實施形態(tài)中多層電感器的側面剖面圖。
圖36所示為本發(fā)明第13實施形態(tài)中多層電感器的多層構造分解立體圖。
圖37所示為本發(fā)明第14實施形態(tài)中多層電感器的側面剖面圖。
圖38所示為本發(fā)明第1 5實施形態(tài)中多層電感器的側面剖面圖。
圖39所示為本發(fā)明第15實施形態(tài)中多層電感器的平面剖面圖。
圖40所示為本發(fā)明第15實施形態(tài)中多層電感器的多層構造分解立體圖。
圖41所示為本發(fā)明第16實施形態(tài)中多層電感器的側面剖面圖。
圖42所示為本發(fā)明第16實施形態(tài)中芯片內間隙形成狀態(tài)的說明圖。
圖43所示為本發(fā)明第17實施形態(tài)中多層電感器的側面剖面圖。
圖44所示為本發(fā)明第17實施形態(tài)中芯片內間隙浸漬合成樹脂的狀態(tài)的說明圖。
下面參照附圖更詳細地說明本發(fā)明。
圖1所示為本發(fā)明第1實施形態(tài)中多層電感器10的立體圖。圖10所示為該多層構造的分解立體圖。在圖中，11為磁性或非磁性絕緣材料構成的具有多層構造的長方體形狀芯片，12為將埋入芯片11內的內部導體螺旋狀連接而成的線圈，13a及13b為在芯片11縱向兩端即芯片11的多層構造中疊層方向兩端設置的一對端電極。
在這里，形成的線圈12其旋繞中心線Y位于形成端電極13a及13b的芯片端面中心相連的直線上，線圈12的兩端利用配置在線圈12旋繞中心線Y上的引出導體14a及14b與各端電極13a及13b連接。
芯片11如圖10所示，將呈長方形的規(guī)定厚度的絕緣材料片構成的上層片41、連接片42、47、線圈層片43～46及下層片48一層或若干層疊層而形成。
以下面的說明中，與圖10相對應將片41至48的疊層方向作為上下方向加以說明。
線圈12是將若干片長方形的線圈層片43～46疊層而形成的，在線圈層片43～46上形成一端具有充填了導體的通孔h而近似U字形狀的線圈用內部導體Pb1～Pb4。當將該線圈層片43～46疊層時，上下層的線圈用內部導體Pb1～Pb4的一端與另一端通過通孔h內導體連接，利用在多層中形成的線圈用內部導體Pb1～Pb4形成螺旋狀線圈12。
另外，形成的線圈12使從旋繞中心線Y方向看的線圈旋繞軌跡相對于旋繞中心線Y通過的中心點構成點對稱。
在下面的說明中，將充填了導體的通孔簡單稱為通孔而“與通孔連接”“利用通孔連接”分別意味著“與通孔內部充填的導體連接”“利用通孔內部充填的導體連接”。
另外，在線圈層片43的上面疊層表面具有一端形成通孔h的連接導體Pa1的連接片42，連接導體Pa1與線圈用內部導體Pb1通過該通孔h連接。
再在連接片42的上面疊層1層以上的在中央通孔h處形成引出導體Pa的上層片41，疊層時引出導體Pa與連接導體Pa1的另一端連接。
另外，在線圈層片46的下面疊層表面具有一端形成通孔h的連接導體Pc1的連接片47，連接導體Pc1的另一端與線圈用內部導體Pb4通過上層的線圈層片46形成的通孔h連接。
再在連接片47的下面疊層1層以上的在中央通孔h處形成引出導體Pc的下層片48，疊層時引出導體Pc與連接導體Pc1的一端連接。
這樣，利用多個引出導體Pc形成引出導體14a，利用多個引出導體Pc形成引出導體14b。
下面說明前述多層傳感器的制造方法。
在制造時首先制備各部分的片41～48。
形成線圈12部分的線圈層片43～46是這樣制成的，在以BaO、TiO2系陶瓷材料為主要成分的未加工絕緣片的規(guī)定位置形成通孔h后，分別形成4種U字形狀的線圈用內部導體Pb1～Pb4，并使其端部與該通孔h重疊。眾所周知，該線圈用內部導體Pb1～Pb4的形狀，除了U字形狀以外還可以采用L字形狀等非環(huán)形形狀。
上層片及下層片41及48是這樣制成的，在上述同樣的未加工絕緣片中央位置即上述線圈12的旋繞中心線位置形成通孔h后，分別形成矩形形狀的引出導體Pa及Pc，并使其與該通孔h重疊。
連接片42及47是這樣制成的，在上述同樣的絕緣片的規(guī)定位置形成通孔h后，分別形成與線圈用內部導體Pb1～Pb4及引出導體Pa和Pc兩方面重疊的連接導體Pa1及Pc1。
上述通孔h，當未加工絕緣片用薄膜支承時利用激光照射形成，而當未加工絕緣片不用薄膜支承時則用模具沖孔形成通孔h。
接著，將制備的各片41～48在附帶薄膜時將其剝去并按前述順序疊層，用500kg/cm2左右的壓力對其加壓壓接形成多片疊層體。另外，上層片及下層片41及48采用相當于層厚的片數(shù)，而線圈層片43～46采用相當于線圈圈數(shù)的片數(shù)。
接著，將上述多片疊層體在900℃左右的溫度下燒結。然后在利用燒結而得到的芯片11的疊層方向兩端利用浸漬法等方法涂布導電膏，將其燒結形成端電極13a及13b，通過這樣得到多層電感器10。在這里，根據(jù)需要也可以對端電極13a及13b施行鍍Sn-Pb等處理。
前述多層電感器10其芯片11為長方體形狀，線圈12的旋繞中心線Y設定在形成端電極13a及13b的芯片端面中央相連的直線上，同時引出導體14a及14b配置在旋繞中心線Y上。因此當使圖1中芯片11的上面或底面相對基板面將多層電感器10安放在基板上時，這兩種情況下線圈12及引出導體14a及14b與基板之間的距離(位置關系)沒有變化。所以對于線圈12及引出導體14a及14b周圍產生磁通的磁阻近似相同，電感量沒有發(fā)生變化。
另外，當除了圖1中芯片11的端面之外使某一個側面相對基板面將多層電感器10安放在基板上時，即使將上下面反過來使任何一面相對基板面，線圈12及引出導體14a及14b與基板之間的距離(位置關系)也沒有變化。因而對于線圈12及引出導體14a及14b周圍產生磁通的磁阻近似相同，電感量沒有發(fā)生變化。
下面說明本發(fā)明第2實施形態(tài)。
圖11所示為第2實施形態(tài)中多層電感器的立體圖，圖12所示為其多層構造分解立體圖。在圖中，與前述第1實施形態(tài)相同構成部分具有相同符號并省略其說明。
另外，第2實施形態(tài)與前述第1實施形態(tài)的不同點在于，將引出導體不是配置在線圈12的旋繞中心線Y上，而在在相對于旋繞中心線Y的對稱位置配置2個導體。
即在第2實施形態(tài)的多層電感器50中，如圖11所示，在芯片11的兩端分別在芯片端面一條對角線上的離旋繞中心線Y通過的中心點等距離的位置處形成端部露出且與旋繞中心線Y平行的引出導體51a及51b和52a及52b。
這些引出導體51a及51b和52a及52b分別與第1實施形態(tài)中引出導體14a及14b相同，通過在上層片及下層片41及48形成通孔h及引出導體Pa及Pc而制得。
另外，在連接片42及47上形成連接導體Pd1及Pd2，其形狀能夠將線圈12的端部與引出導體51a、51b、52a及52b連接。
在前述第2實施形態(tài)的多層電感器50中也能夠得到與第1實施形態(tài)相同的效果。
即第2實施形態(tài)的多層電感器50中線圈12的旋繞中心線Y設定在端電極13a及13b形成的芯片端面中心相連方向上，同時形成的線圈12使在旋繞中心線方向看的線圈12旋繞軌跡處于相對于旋繞中心線Y通過的中心點的點對稱位置，而且連接線圈端與端電極13a及13b的引出導體51a、51b、52a及52b在相對于線圈12旋繞中心線Y的對稱位置配置2個導體。因此，當安放在基板上時，即使將正反面反過來安放，在任一種情況下線圈12與基板之間的距離及引出導體51a、51b、52a及52b與基板之間的距離都相同。因而不同安放方向的磁阻相同，由線圈12及引出導體51a、51b、52a及52b所決定的電感量不因安放方向不同而變化。
另外，在第二實施形態(tài)中是將引出導體51a、51b、52a及52b形成于芯片端面的對角線上，但本發(fā)明不限定于此。只要引出導體形成于相對線圈12旋繞中心線Y的對稱位置也能得到上述效果，形成位置及形成數(shù)量可適當決定。
另外，在前述第1及第2實施形態(tài)中，形成的線圈12是使從線圈12的旋繞中心線Y方向看的線圈12旋繞軌跡為長方形，但不限定于此。只要形成的線圈12使從旋繞中心線Y方向看的線圈旋繞軌跡相對于旋繞中心線Y通過的中心點為點對稱，也能夠得到相同的效果。例如如圖13a至圖13f所示，從旋繞中心線Y方向看的線圈12的旋繞軌跡Loc只要相對于旋繞中心線Y通過的中心點Yp為點對稱即可，旋繞軌跡Loc即使是略微傾斜的長方形、正方形、圓形、橢圓形或略微傾斜的橢圓形，都能夠得到同樣的效果。
下面說明本發(fā)明第3實施形態(tài)。
圖14所示為第3實施形態(tài)中多層電感器60的立體圖，圖15所示為從該線圈旋繞中心線方向看的線圈旋繞軌跡圖。
在圖中，61為磁性或非磁性絕緣材料構成的具有多層構造的長方體形狀芯片，62為將埋入芯片61內的內部導體螺旋狀連接而成的線圈，63a及63b為在芯片61縱向兩端即芯片多層構造中疊層方向兩端設置的一對端電極。另外，64a及64b為將線圈62兩端分別與端電極63a及63b連接的引出導體。
這里線圈62的旋繞中心線Y設定在芯片61的端面中心相連的直線上，再有引出導體64a及64b配置在旋繞中心線Y上。
第3實施形態(tài)的構成與前述第1實施形態(tài)的多層電感器10基本相同，其不同點在于，形成的線圈62使線圈62的旋繞軌跡Loc相對于直線X為對稱的位置，該直線X與除了芯片61的端面以外的4個側面中的一個側面(圖14的底面)平行且與線圈62的旋繞中心線Y垂直。
即圖15所示的線圈62的旋繞軌跡Loc為將通過中心點Yp的直線X作為底邊的垂直等分線的等腰三角形。
由前述構成而形成的多層電感器60，其線圈62的旋繞中心線Y設定在端電極63a及63b形成的芯片端面中心相連的直線上。另外，形成的線圈62使從旋繞中心線Y方向看的線圈62旋繞軌跡Loc相對于直線X為對稱的位置，該直線X與除了芯片端面以外的4個側面中的一個側面平行且與旋繞中心線Y垂直。再有，連接線圈62端子與端電極63a及63b的引出導體64a及64b配置在線圈62的旋繞中心線Y上。因此，當將多層電感器60安放在基板Z上時，將相對于與旋繞中心線Y垂直的直線X平行的2個芯片側面(圖14中底面及上面)作為正反面，即使將這些芯片側面任一面相對基板面安放在基板Z上，在任何一種情況下線圈62及引出導體64a及64b與基板Z之間的距離都相同。因而不同安放方向的磁阻相同，由線圈62及引出導體64a及64b所決定的電感量不因安放方向不同而變化。
下面說明本發(fā)明第4實施形態(tài)。
圖16所示為第4實施形態(tài)中多層電感器的立體圖。在圖中，與前述第3實施形態(tài)相同構成部分具有相同符號并省略其說明。
另外，第4實施形態(tài)與前述第3實施形態(tài)的不同點在于，將引出導體不是配置在線圈62的旋繞中心線Y上，而是在相對于旋繞中心線Y的對稱位置配置2個導體。
即在第4實施形態(tài)的多層電感器60＇中，如圖16所示，分別在芯片61的兩端在芯片端面一條對角線上的離旋繞中心線Y通過的中心點等距離的位置處形成端部露出且與旋繞中心線Y平行的引出導體65a及65b和66a及66b。
這些引出導體65a及65b和66a及66b分別與前述相同，通過在上層片及下層片41及48形成通孔h及引出導體Pa及Pc而制得。
另外不用說，在連接片42及47上形成連接導體，其形狀要能夠將線圈62的端部與引出導體65a及65b、66a及66b連接。
在前述第4實施形態(tài)的多層電感器60＇中也能夠得到與第3實施形態(tài)相同的效果。
即在多層電感器60＇中，線圈62的旋繞中心線Y設定在端電極63a及63b形成的芯片端面中心相連的直線上。另外，形成的線圈62使從旋繞中心線方向看的線圈62的旋繞軌跡處于相對于一條直線的對稱位置，該直線與除了芯片端面以外的4個側面中的一個側面平行且與旋繞中心線Y垂直。再有，連接線圈端與端電極63a及63b的引出導體65a及65b、66a及66b在相對于線圈62的旋繞中心線Y的對稱位置配置2個導體。因此，當將多層電感器60＇安放在基板上時，將相對于與旋繞中心線Y垂直的直線平行的2個芯片側面作為正反面，即使將這些芯片側面任一面相對基板面安放在基板Z上，在任何一種情況下線圈62及引導出導體65a及65b、66a及66b與基板之間的距離都相同。因而不同安放方向的磁阻相同，由線圈62及引出導體65a及65b、66a及66b所決定的電感量不因安放方向不同而變化。
另外，在第4實施形態(tài)中是將引出導體65a及65b、66a及66b形成于芯片端面的對角線上，但不限定于此。只要引出導體形成于相對線圈62的旋繞中心線Y的對稱位置也能得到上述效果，形成位置及形成數(shù)量可適當決定。
另外，在前述第3及第4實施形態(tài)中，形成的線圈62是使從線圈62的旋繞中心線Y方向看的線圈62的旋繞軌跡為等腰三角形，但不限定于此。只要形成的線圈62使從旋繞中心線Y方向看的線圈旋繞軌跡處于相對于直線X的對稱位置，該直線X與除了芯片61端面以外的4個側面中的一個側面平行且與線圈62的旋繞中心線Y垂直，也能夠得到相同的效果。
下面說明本發(fā)明第5實施形態(tài)。
圖17所示為第5實施形態(tài)中多層電感器70的立體圖。圖18所示為從該線圈的旋繞中心線方向看的線圈旋繞軌跡圖。圖19所示該多層構造的分解立體圖。
在圖中，71為磁性或非磁性絕緣材料構成的具有多層構造的長方體形狀芯片，72為將埋入芯片71內的內部導體螺旋狀連接而成的線圈。73a及73b為在芯片71縱向兩端即芯片的多層構造中疊層方向兩端設置的一對端電極。
圖中，形成端電極73a及73b的芯片端面71a為正方形。另外，形成的線圈72使其旋繞中心線Y位于形成端電極73a及73b的芯片端面71a的中心相連的直線上，而且使從旋繞中心線Y方向看的線圈72的旋繞軌跡處于分別相對于芯片端面71a的2個對角線的線對稱位置。
再有，線圈72兩端通過配置在線圈72旋繞中心線Y上的引出導體74a及74b與各端電極73a及73b連接。
線圈72是將若干片正方形的線圈層片83～86疊層而形成的，在線圈層片83～86上形成一端具有充填于導體的通孔h而為U字形狀的線圈用內部導體Pe1～Pe4。當將該線圈層片83～86疊層時，上下層的線圈用內部導體Pe1～Pe4的一端與另一端通過通孔h內的導體連接，利用在多層中形成的線圈用內部導體Pe1～pe4形成螺旋狀線圈72。
另外，在第5實施形態(tài)中形成的線圈72使從線圈72旋繞中心Y方向看的線圈72旋繞軌跡為具有分別與芯片端面71a的2條對角線重疊的對角線的正方形。
在線圈層片83的上面疊層表面具有形成通孔h的連接用導體Pf1的正方形連接片82，連接導體Pf1與線圈內部導體Pe1通過該孔h連接。
再在連接片82的上面疊層1層以上的在上述位置通孔h形成引出導體Pa的正方形上層片81，疊層時引出導體Pa與連接導體Pf1連接。
另外，在線圈層片86的下面疊層表面具有形成通孔h的正方形連接導體Pf2的連接片87，連接導體Pf2與線圈用內部導體Pe4通過上層的線圈層片86形成的通孔h連接。
再在連接片87的下面疊層1層以上的在上述位置通孔h形成引出導體Pc的正方形下層片88，疊層時引出層體Pc與連接導體Pf2連接。
這樣，利用多個引出導體Pa形成引出導體74a，利用多個引出導體Pc形成引出導體74b。
在由前述構成而形成的多層電感器70中，形成的線圈72使垂直于線圈72旋繞中心線Y的芯片截面為正方形，而且從旋繞中心線Y方向看的線圈72旋繞軌跡處于分別相對于芯片截面2條對角線的線對稱位置。因此即使將芯片71的上下面或側面中的任何一面相對基板安裝在基板上，線圈72與基板之間的距離(位置關系)及引出導體74a及74b與基板之間的距離(位置關系)始終都相同。因而多層電感器70在選擇任何一種安放方向時，磁阻及電感量都相同。
下面說明本發(fā)明第6實施形態(tài)。
圖20所示為第6實施形態(tài)中多層感器的立體圖。圖21為該引出導體形成位置的說明圖。在圖中，與前述第5實施形態(tài)相同構成部分具有相同符號表示并省略其說明。
另外，第6實施形態(tài)與前述第5實施形態(tài)的不同點在于，將引出導體不是配置在線圈72的旋繞中心線Y上，而是分別在芯片兩端在芯片截面對角線上且相對于線圈72旋繞中心線Y的對稱位置配置2個導體。
即在第6實施形態(tài)的多層電感器70＇中，如圖所示，分別在芯片71的兩端在芯片端面一條對角線上的離旋繞中心線Y通過的中心點Yp等距離D的位置處形成端部露出且與旋繞中心線Y平行的引出導體75a及75b和75c及75d。
這此引出導體75a及75b和75c及75d分別與第5實施形態(tài)中的引出導體74a及74b相同，通過在上層片及下層片81及88形成通孔及引出導體而制得。
另外，在連接片82及87上形成連接導體，其形狀能夠將線圈72的端部與引出導體75a、75b、75c及75d連接。
在采用前述第6實施形態(tài)的多層電感器70＇的情況下，也能夠得到與第5實施形態(tài)相同的效果。
即多層電感器70＇的與線圈72旋繞中心線Y垂直的芯片截面為正方形，形成的線圈72使從旋繞中心線方向看的線圈72旋繞軌跡處于分別相對于與線圈72旋繞中心線Y垂直相交的任意2條正交直線的線對稱位置。再有，引出導體75a～75d在芯片截面對角線上且相對于線圈72旋繞中心線對稱位置至少配置2個導體。因此，即使安放在基板上的方向可能有幾個方向時，由于線圈72及引出導體75a～75d與基板之間的距離始終相同，所以當安放在基板的幾個方向中以任一方向安放時，即將除了芯片端面以外的4個側面任何一面相對基板面而安放在基板上時，線圈72及引出導體75a～75d與基板之間的距離始終相同。因而，不同安放方向的磁阻相同，由線圈72及引出導體75a～75a所決定的電感量不因安放方向不同而變化。
下面說明本發(fā)明第7實施形態(tài)。
圖22所示為第7實施形態(tài)中多層電感器70″的立體圖。圖23為其引出導體形成位置的說明圖。在圖中，與前述第5實施形態(tài)相同構成部分具有相同符號表示并省略其說明。
另外，第7實施形態(tài)與前述第5實施形態(tài)的不同點在于，將引出導體不是配置在線圈72的旋繞中心線Y上，而是分別在芯片兩端在以線圈72的旋繞中心線為中心的旋轉90度對稱的4個不同位置形成。
即在第7實施形態(tài)的多層電感器70″中，如圖所示，分別在芯片71的兩端在芯片端面與旋繞中心線Y相交的任意2條垂直直線X1及X2上離旋繞中心線Y通過的中心點Yp等距離D的位置處形成端部露出且與旋繞中心線Y平行的引出導體76a～76d及76e～76h。
這些引出導體76a～76h分別與第5實施形態(tài)中的引出導體74a及74b相同，通過在上層片及下層片81及88形成通孔及引出導體而制得。
另外，在連接片82及87上形成連接導體，其形狀能夠將線圈72的端部與引出導體76a～76h連接。
在前述第7實施形態(tài)的多層電感器70″中，也能夠得到與第5實施形態(tài)相同的效果。
另外，在第5至第7實施形態(tài)中，形成的線圈72從線圈72旋繞中心線Y方向看的線圈72旋繞軌跡Loc為具有分別與芯片端面71a的2條對角線重疊的對角線的正方形，但不限定于此，只要形成的線圈72使從旋繞中心線Y方向看的線圈72旋繞軌跡為與芯片截面平行且處于分別相對于與線圈72旋繞中心線Y相交的任意2條垂直直線的線對稱位置，也能夠得到相同的效果。
下面說明本發(fā)明第8實施形態(tài)。
圖24所示為第8實施形態(tài)中多層電感器90的立體圖，圖25所示為從其線圈旋繞中心線方向看的線圈旋繞軌跡，圖26所示為其多層構造的分解立體圖。
在圖中，91為磁性或非磁性絕緣材料構成的具有多層構造的圓柱形狀芯片，92為將埋入芯片91內的內部導體螺旋狀連接而成的線圈。另外，93a及93b為在芯片91縱向兩端即芯片的多層構造中疊層方向兩端設置的一對端電極。
圖中，形成端電極93a及93b的芯片端面91a為圓形，形成的線圈92使其旋繞中心線Y位于形成端電極93a及93b的芯片端面91a中心相連的直線上，而且從旋繞中心線Y方向看的線圈92旋繞軌跡Loc為在任意芯片截面中以旋繞中心線Y通過的中心點Yp為中心的圓形。即形成的線圈92使從線圈92旋繞中心線Y方向看的線圈92旋繞軌跡Loc處于離旋繞中心線Y等距離D的位置。
再有，線圈92兩端通過配置在線圈92旋繞中心線Y上的引出導體94a及94b與各端電極93a及93b連接。
線圈92是將若干片圓形的線圈層片103及104疊層而形成的，在線圈層片103及104上形成一端具有充填了導體的通孔h且為圓弧形狀的線圈用內部導體Pg1及Pg2。當將該線圈層片103及104疊層時，上下層的線圈用內部導體Pg1及Pg2的一端與另一端通過通孔h內的導體連接，利用在多層中形成的線圈用內部導體Pg1及Pg2形成螺旋狀線圈92。
在線圈層片103的上面疊層表面具有形成通孔h的連接用導體Ph1的圓形連接片102，連接導體Ph1與線圈用內部導體Pg1通過該通孔h連接。
再在連接片102的上面疊層1層以上的在中心位置通孔h形成引出導體Pa的圓形上層片101，疊層時引出導體Pa與連接導體Ph1連接。
另外，在線圈層片104的下面疊層表面具有形成通孔h的圓形連接導體Ph2的連接片105，連接導體Ph2與線圈用內部導體Pg2通過上層的線圈層片104形成的通孔h連接。
再在連接片105的下面疊層1層以上的在中心位置通孔h形成引出導體Pc的圓形下層片106，疊層時引出導體Pc與連接導體Ph2連接。
這樣，利用多個引出導體Pa形成引出導體94a，利用多個引出導體Pc形成引出導體94b。
在由前述構成形成的多層電感器90中，由于形成的線圈92使線圈92的旋繞中心線Y設定在形成端電極93a及93b的芯片端面91a中心相連的方向上，同時從旋繞中心線Y方向看的線圈92旋繞軌跡Loc與旋繞中心線Y通過的中心點的距離在旋繞中心線垂直相交的任意芯片截面中始終為一定值，而且將線圈92與端電極93a及93b連接的引出導體94a及94b配置在線圈92的旋繞中心線Y上，因此當安放在基板上時，即使隨便怎么安放，若線圈旋繞中心線Y與基板面基本平行，則線圈92及引出導體94a及94b與基板Z之間的距離相同，因此不同安放方向的磁阻相同，由線圈92及引出導體94a及94b所決定的電感量不因安放方向不同而變化。
下面說明本發(fā)明第9實施形態(tài)。
圖27所示為第9實施形態(tài)中多層電感器110的立體圖，圖28為其側面剖面圖，圖29所示為其多層構造的分解立體圖，圖30所示為從線圈旋繞中心線方向看的引出導體配置圖。在圖中，與前述第1實施形態(tài)相同構成部分具有相同符號表示并省略其說明。另外，第1實施形態(tài)與第9實施形態(tài)的不同點在于，將線圈112的兩端設在相對于芯片11中心的對稱位置，同時分別連接線圈112兩端與端電極13a及13b的引出導體也形成相對于芯片11中心的對稱位置。
即在第9實施形態(tài)中，分別將線圈112的兩端配置在從旋繞中心線Y方向看的線圈旋繞軌跡上，同時設定在相對于芯片11中心的對稱位置。
另外，分別連接線圈112兩端與端電極13a及13b的引出導體由第1引出導體1 14a及114b、第一連接導體115a及115b和連接導體(第2連接導體)116a及116b構成。
第1引出導體114a及114b配置在旋繞中心線Y上，其一端與連接導體116a及116b連接，另一端露出芯片11端面與端電極13a及13b連接。
第1連接導體115a及115b相對于旋繞中心線Y平行配置，其一端與線圈112端連接，另一端與連接導體116a及116b連接。
連接導體116a及116b構成相對于線圈112旋繞中心線Y垂直的L字形狀。另外，連接導體116a與連接導體116b以芯片11中心點為基準互相對稱配置。
芯片11如圖29所示，是將規(guī)定厚度的長方形絕緣材料片構成的第1至第3上層片121A及121C、線圈層片122～126及第1至第3下層片127a～127c疊層一層或數(shù)層而形成。
在下面的說明中，對應圖29將片121至127的疊層方向作為上下方向進行說明。
線圈112是將若干片長方形的線圈層用片122～126疊層而形成的，在線圈層片122～126上形成一端具有充填了導體的通孔h而近似U字形狀的線圈用內部導體Pj1～Pj5。當將該線圈層片112～116疊層時，上下層的線圈用內部導體Pj1～Pj5的一端與另一端通過通孔h內的導體連接，利用在多層中形成的線圈用內部導體Pj1～Pj5形成螺旋狀線圈112。
另外，形成的線圈112使從其旋繞中心線Y方向看的線圈旋繞軌跡相對于旋繞中心線Y通過的中心點構成點對稱。
另外，在線圈層片122的上面疊層1層以上的在通孔h形成連接導體Pk1的第3上層片121C，在疊層時連接導體Pk1與線圈用內部導體Pj1及連接導體116a連接。
另外，在第3上層片121C的上面疊層表面上具有一端形成通孔h的連接導體116a的第2上層片121B，通過該通孔h與第3上層片121C的連接導體Pk1連接。
再在第2上層片121B的上面疊層一層以上的在中央通孔h形成引出導體Pk2的第1上層片121A，在疊層時引出導體Pk2與連接導體116a的另一端連接。
另外，在線圈層片126的下面疊層一層以上的在通孔h形成連接導體PI1的第1下層片127A，在疊層時連接導體PI1與線圈用內部導體Pj5及連接導體116b連接。
另外，在第1下層片127A的下面疊層表面上具有一端形成通孔h的連接導體116b的第2下層片127B，通過上層的第1下層片127A形成的通孔h與連接導體PI1連接。
再在第2下層片127B的下面疊層一層以上的中央通孔h形成引出導體PI2的第3下層片127C，在疊層時引出導體PI2與連接導體116b的另一端連接。
這樣，利用多個連接導體Pk1形成一端的第1連接導體115a，利用多個連接導體PI1形成另一端的第1連接導體115b。另外，利用多個引出導體Pk2形成一端的第1引出導體114a，利用多個引出導體PI2形成另一端的第1引出導體114b。再有，線圈112的兩端分別配置于從旋繞中心線Y方向看的線圈旋繞軌跡上，同時設定在相對于芯片11中心的對稱位置。
這里，連接導體116a及116b構成第2連接導體。另外，第2引出導體是利用第1連接導體115a及115b和連接導體(第2連接導體)116a及116b構成。
前述多層電感器110的芯片11為長方體形狀，線圈112的旋繞中心線Y設定在形成端電極13a及13b的芯片端面中央相連的直線上，同時將線圈112的兩端設定在相對于芯片11中心的對稱位置。再有，將分別連接線圈112兩端與端電極13a與13b的第1引出導體114a及114b、第1連接導體115a及115b和連接導體(第2連接導體)116a及116b配置在相對于芯片11中心的對稱位置上。因此，當使圖27中的芯片11的上面或底面相對基板面、將多層電感器110安放在基板上時，在這兩種情況下，線圈112、第1引出導體114a及114b、第1連接導體115a及115b和連接導體(第2連接導體)116a及116b與基板之間的位置關系從芯片整體來考慮是沒有變化、也就是說，即使將多層電感器110上下面反過來安放在基板上，線圈112相對于基板的位置關系也沒有變化。另外，當將多層感器110的上下面反過來安放在基板上時，線圈112一端的第1引出導體114a、第1連接導體115a及連接導體(第2連接導體)116a相對于基板的位置關系和另一端的第1引出導體114b、第1連接導體115b及連接導體(第2連接導體)116b相對于基板的位置關系互相反過來，但從多層電感器110的整體來考慮，可以認為綜合的位置關系沒有變化。
因而，對于線圈112、第1引出導體114a及114b、第1連接導體115a及115b和連接導體(第2連接導體)116a及116b周圍產生的磁通的磁阻近似相同，電感量沒有發(fā)生變化。
另外，當圖27中除了芯片11的端面以外使任何一側面相對基板面將多層電感器110安放在基板上時，即使將上下面反過來使任何一面相對基板面，則線圈112、第1引出導體114a及114b、第1連接導體115a及115b和連接導體(第2連接導體)116a及116b和基板之間的整體的位置關系也沒有變化。因而，對于線圈112、第1引出導體114a及114b、第1連接導體115a及115b和連接導體(第2連接導體)116a及116b周圍產生的磁通的磁阻基本相同，電感量沒有發(fā)生變化。
再有，由于將連接導體116a及116b做成L字形狀并配置在線圈112旋繞軌跡上，因此能夠增加線圈112的電感量。
另外，第1引出導體114a及114b、第1連接導體115a及115b和連接導體(第2連接導體)116a及116b的位置及形狀不限定于上述的位置及形狀，若相對于芯片11中心是對稱的，則能夠得到相同的效果。
另外，芯片11做成正方柱，即垂直于線圈112旋繞中心線的截面形成正方形也是同樣的。這種情況下，只要將形成芯片11的各片121～127做成正方形即可。再有，在這種情況下，例如如圖31所示，通過將第1連接導體115a及115b的位置配置在與線圈112旋繞中心線垂直的截面的對角線上，將連接導體116a及116b配置在對角線上，則上下翻轉或轉動并安裝在電路基板上也能夠得到相同的效果。
下面說明本發(fā)明第10實施形態(tài)。
圖32所示為第10實施形態(tài)中多層電感器131的側面剖面圖。在圖中，與前述第9實施形態(tài)相同構成部分具有相同符號表示并省略其說明。另外，第9實施形態(tài)與第10實施形態(tài)的不同點在于，設定第1連接導體115a及115b的長度L1大于第1引出導體114a及114b的長度L2。
利用上述構成，能夠使第1引出導體114a及114b和連接導體116a及116b遠離線圈112產生的磁通中心。這樣，由于能夠減少因第1引出導體114a及114b和連接導體116a及16b的影響而產生的磁場損失，因而能夠提高電感器的“Q”值。
另外，如圖33所示，通過設定第1引出導體114a及114b的長度L2小于除了芯片11端面以外在其他面形成的端電極13a及13b的長度L3，能夠減少因第1引出導體114a及114b和連接導體116a及116b的影響而產生的磁場損失。
下面說明本發(fā)明第11實施形態(tài)。
圖34所示為第11實施形態(tài)中多層電感器132的側面剖面圖。在圖中，與前述第9實施形態(tài)相同構成部分有相同符號表示并省略其說明。另外，第9實施形態(tài)與第11實施形態(tài)的不同點在于，設定第1連接導體115a及115b的長度L1小于第1引出導體114a及114b的長度L2。
利用上述構成，由于第1連接導體115a及115b與芯片11端面以外部分形成的端電極13a及13b之間的間隔加大，它們之間產生的寄生電容量減少，因此能夠提高電感器的諧振頻率。另外，為了增加這一效果，最好設定第1引出導體114a及114b的長度L2大于除了芯片11端面以外在其他面形成的端電極13a及13b的長度L3。
下面說明本發(fā)明第12實施形態(tài)。
圖35所示為第12實施形態(tài)中多層電感器133的側面剖面圖。在圖中，與前述第9實施形態(tài)相同構成部分具有相同符號表示并省略其說明。在第12實施形態(tài)中，設定第1引出導體114a 114b的長度L2與除了芯片11端面以外在其他面形成的端電極的長度L3相同。若這樣設定第1引出導體114a及114b的長度L2，則能夠抑制第1連接導體115a及115b與端電極13a及13b之間產生的寄生電容量，在此基礎上能夠減少因第1引出導體114a及114b和連接導體(第2連接導體)116a及116b的影響而產生的磁場損失。當線圈112的圈數(shù)較少時，該構成特別有效。
下面說明本發(fā)明第13實施形態(tài)。
圖36所示為第13實施形態(tài)中多層電感器134的多層構造分解立體圖。在圖中，與前述第9實施形態(tài)相同構成部分具有相同符號表示并省略其說明。另外，第9實施形態(tài)與第13實施形態(tài)的不同點在于，將形成線圈112的各線圈導體Pj1～Pj6分別用2片并排連接而疊層。通過這樣能夠減少線圈112的電阻。
下面說明本發(fā)明第14實施形態(tài)。
圖37所示為第14實施形態(tài)中多層電感器135的側面部面圖。在圖中，與前述第9實施形態(tài)相同構成部分具有相同符號表示并省略其說明。另外，第9實施形態(tài)與第14實施形態(tài)的不同點在于，在第14實施形態(tài)中設定第1引出導體114a及114b的粗細比第1連接導體115a及115b的粗細要粗。即設定形成第1引出導體114a及114b的引出導體Pk2及PI2形成的通孔h直徑大于形成第1連接導體115a及115b的連接導體Pk1及PI1形成的通孔h直徑。通過這樣，由于在芯片11的端面第1引出導體114a及114b露出部分面積比以往增大，因此提高了第1引出導體114a及114b與端電極13a及13b之間的連接性能。
下面說明本發(fā)明第15實施形態(tài)。
圖38所示為第15實施形態(tài)中多層電感器136的側面剖面圖，圖39是平面剖面圖。在圖中，與前述第9實施形態(tài)相同構成部分具有相同符號表示并省略其說明。另外，第9實施形態(tài)與第15實施形態(tài)的不同點在于，在第15實施形態(tài)中，連接第1引出導體114a及114b和第1連接導體115a及115b的第2連接導體117a及117b慢慢接近旋繞中心線Y及第1引出導體114a及114b而形成。即如圖40所示，通過利用通孔h將若干片第2上層片絕緣體層分段配置形成的連接導體Pk3及PI3加以連接形成第2連接導體117a及117b。這樣，第2連接導體117a及117b配置成與第1引出導體鈍角相交的近似直線狀導體。
通過這樣使連接第1連接導體115a及115b和第1引出導體114a及114b的第2連接導體117a及117b慢慢接近旋繞中心線Y及第1引出導體114a及114b，能夠得到下面的效果。即由于隨著磁場強度分段衰減而形成第2連接導體117a及117b，因此能夠減少磁場損失，同時能夠抑制端電極之間產生的寄生電容量。當電子元器件由于小型化及線圈112圈數(shù)較多等導致端電極13a及13b罩住線圈112時，該效果特別有效。
下面說明本發(fā)明第16實施形態(tài)。
圖41所示為第16實施形態(tài)中多層電感器137的側面剖面圖。在圖中，與前述第9實施形態(tài)相同構成部分具有相同符號表示并省略其說明。另外，第9實施形態(tài)與第16實施形態(tài)的不同點在于，構成芯片11的絕緣體(磁性體)與內部導體之間形成間隙141。這里所謂內部導體，是構成線圈112、第1引出導體114a及114b、第1連接導體115a及115b和連接導體(第2連接導體)116a及116b的導體。
通過這樣在構成芯片11的磁性體與內部導體之間形成間隙141，即使因外部磁場影響導致構成芯片11的磁性體或內部導體膨脹或收縮，也不會產生因磁性體及內部導體收縮率不一樣而導致內部變形，能夠減少因外部磁場影響而導致電感量數(shù)值的變化，能夠提高可靠性。
在本實施形態(tài)中，如下所述在構成芯片11的磁性體與內部導體之間形成間隙141。
首先，分別秤量49.0mol％的Fe2O3、35.0mol％的NiO、10.0mol％的ZnO、6.0mol％的CuO，將這些化合物與水一起用球磨機混合，得到混合物。
再將該混合物干燥，在大氣中用800℃ 1個小時進行預燒結，形成預燒結物(鐵氧體)。然后將該預燒結物放入球磨機，加水進行15小時粉碎。然后用噴霧干燥機對得到的糊漿進行噴霧干燥，得到預繞結物粉末(鐵氧體粉末)。該鐵氧體粉的表面系數(shù)為2.8m2/g。
再用球磨機將該鐵氧體粉末與以聚乙烯醇縮丁醛為主要成分的粘合劑混合形成糊漿。
再用真空排氣機對該糊漿進行排氣后，用刮漿刀的方法涂布在聚脂薄膜上，干燥后切成規(guī)定的大小，在規(guī)定位置設置通孔，得到厚度約50μm的磁性片。
另外，將70wt％的銀粉末(為球狀粒子，平均粒徑為0.3μm)、9wt％的乙基纖維素，19wt％的二甘醇-丁醇及2wt％的增粘劑攪拌，作成內部導電體圖形用Ag糊膏。
接著用篩網印刷法將上述Ag糊膏構成的導電體圖形一個一個圖形印刷到前述未燒結的磁性片上。
接著在導電體圖形干燥后將該磁性片疊層，用500kg/cm2的壓力加壓使其壓接，使磁性片之間粘接成一體，然后在規(guī)定的位置切成塊狀，形成大量的多層芯片。
接著將該多層芯片加熱，燒結去除粘合劑，然后在900℃溫度下燒結1小時。
接著在多層芯片端面中在最外的導電體圖形端引出的端面涂布Ag糊膏，在大氣中700℃溫度下燒固，形成端電極與導電體圖形端連接狀態(tài)的大量多層電感器137。
另外，在上述制造方法中，作為磁性片原料的磁性體粉末的表面系數(shù)，最好是1.0～10.0m2/g，作為前述導電體圖形原料的導電體粉末的表面系數(shù)最好為0.5～5.0m2/g。
這里將磁性體粉末的表面系數(shù)設定為1.0～10.0m2/g是因為，當磁性體粉末的表面系數(shù)為1.0m2/g以下時，不能夠在1000℃以下溫度燒結，而磁性體粉末的表面系數(shù)為10.0m2/g以上時，制造粉末很費工夫，成本高。
另外，將導電體粉末的表面系數(shù)設定為0.5m2/g以上是因為，當磁性體粉末的表面系數(shù)設定為1.0m2/g以上時，如果不將導電體粉末的表面系數(shù)設定為0.5m2/g以上，則不能在兩者之間得到形成間隙141的收縮。
另外，將導電體粉末的表面系數(shù)設定為5.0m2/g以下是因為，當磁性體粉末的表面系數(shù)設定為10.0m2/g以下時，若將導電體粉末的表面系數(shù)設定為5.0m2/g以下，則能夠在兩者之間為得到形成間隙141而產生足夠的收縮。
另外，根據(jù)上述制造方法，如圖42所示，能夠在構成芯片11的磁性體內形成基本均勻而互相連接的間隙。
從利用上述方法在構成芯片11的磁性體與內部導體之間形成間隙141的大量多層電感器137中取樣幾十個，將環(huán)氧樹脂加壓使其浸漬于這些多層電感器137內部，再加熱使環(huán)氧樹脂熱硬化后將其斷裂，觀察其斷裂面，通過這樣確認間隙141的存在。
另外，作為在形成芯片11的磁性體與上述內部導體之間形成間隙的方法有改變其收縮量的方法、改變表面系數(shù)的方法、改變材料粒徑的方法、使磁性片預先含有燒結時蒸發(fā)光的分解樹脂的方法及改變燒結條件的方法等。
另外，由于連接線圈112及端電極13a及13b的引出導體部分、特別是由第1連接導體115a及115b和連接導體116a及116b組成的第2引出導體部分最容易因上述內部變形而斷裂，因此最好至少在該第2引出導體周圍部分形成間隙。
下面說明本發(fā)明第17實施形態(tài)。
圖43所示為第17實施形態(tài)中多層電感器138的側面剖面圖。在圖中，與前述第16實施形態(tài)相同構成部分具有相同符號表示并省略其說明。另外，第16實施形態(tài)與第17實施形態(tài)的不同點在于，在構成芯片11的磁性體內部及磁性體與內部導體之間形成間隙后，在該間隙內浸漬合成樹脂142，再用多孔導電體形成端電極13a及13b，再在端電極13a及13b所含的細孔內浸漬合成樹脂。在這里，所謂上述內部導體是構成線圈112、第1引出導體114a及114b、第1連接導體115a及115b和連接導體(第2連接導體)116a及116b的導體。另外，所謂上述合成樹脂可以使用硅酮樹脂、環(huán)氧樹脂及酚醛樹脂等，但也可以使用除此之外的合成樹脂。
在利用上述第16實施形態(tài)中說明的制造方法制造的多層電感器137中，在構成芯片11的磁性體與內部導體之間形成間隙，同時如圖44所示，在構成芯片11的磁性體內及端電極13a及13b內部形成間隙。通過將合成樹脂浸漬于這些間隙內能夠得到下面的效果。即通過將合成樹脂142浸漬于構成芯片11的磁性體與內部導體之間的間隙內，由于因上述間隙在芯片11內部分浮動的內部導體被固定，因此間隙內的內部導體不會因外部沖擊或急劇變化的電磁力而振動，所以能夠防止內部導體的金屬疲勞。通過這樣能夠提高電子元器件的可靠性。
另外，如圖44所示，一旦在構成芯片11的磁性體143之間的間隙浸漬合成樹脂142，則提高了芯片11疊層方向的粘接強度，因此芯片11難以沿間隙剝離，能夠提高可靠性。
另外，由于用內部間隙連續(xù)的細孔構成的多孔材料形成端電極13a及13b，因此能夠通過端電極13a及13b使芯片11浸漬合成樹脂。通過這樣，容易在芯片11的間隙內浸漬合成樹脂。
再有，由于用內部間隙連續(xù)的細孔構成的多孔材料形成端電極13a及13b，因此端電極13a及13b內浸漬的合成樹脂與芯片11內浸漬的合成樹脂連續(xù)連接，所以提高了端電極13a及13b相對于芯片11的機械連接強度。
為了制造上述多層電感器138，首先形成在第16實施形態(tài)中說明的多層電感器137。這時，作為端電極13a及13b用的銀糊膏使用下面組成的材料。
·銀粉末(為球狀粒子，平均粒徑為0.5μm) …70w％·玻璃料(ZnO-B2O3-SiO2) …4wt％·乙基纖維素(ethyl cellulose)…9wt％·乙酸二甘醇-丁醚(butyl carbitol acetate)與乙基二甘醇-乙醇(ethyl carbitol)混合液(1∶1) …13wt％由于采用上述組成的銀糊膏，端電極13a及13b構成多孔狀，端電極13a及13b所含細孔從端電極13a及13b表面連通至芯片11表面。
然后，將用甲苯稀釋的硅酮樹脂液注入容器內，將形成上述間隙的多層電感器137浸入該硅酮樹脂液中。再將該容器放入減壓容器內，用真空泵減壓至30Toor，在該狀態(tài)下保持約10分鐘。經過該處理，在磁性體間及磁性體與內部導體之間的間隙浸漬了硅酮樹脂液。
接著，將該多層電感器從容器中取出，在200℃加熱1小時，使浸漬在間隙內的硅酮樹脂硬化。
接著，將該多層電感器放入旋轉滾筒內，將端電極13a及13b表面附著的硅酮樹脂去掉，對端電極13a及13b進行電鍍，則完成多層電感器138。
由于一般合成樹脂不耐熱，因此如果不是在端電極13a及13b燒結后不能浸漬合成樹脂，但按照上述制造方法，由于利用多孔導電材料形成端電極13a及13b，因此即使在端電極13a及13b形成后也能夠使芯片11整體浸漬合成樹脂。
另外，由于連接線圈112及端電極13a及13b的引出導體部分、特別是由第1連接導體115a及115b和連接導體116a及116b組成的第2引出導體部分最容易因上述內部變形而斷裂，因此最好至少在該第2引出導體周圍部分形成間隙再浸漬樹脂。
另外，在前述第1至第17實施形態(tài)中以多層電感器為例說明了多層型電子元器件，但本申請發(fā)明不限定于此，不用說若是在多層構造芯片內具有線圈的電子元器件，即使是復合電子元器件也能夠得到相同的效果。
另外，本發(fā)明能夠不離開其精神或主要特征而以其他的各種形式實施。因此前述實施例的所有各點不過只是舉例說明，不能限于上述解釋。本發(fā)明的范圍是根據(jù)權利要求所示的內容，對于說明書文本沒有任何限制。再有，屬于權利要求書范圍的相同范圍的變形或變更全都是在本發(fā)明的范圍內。
權利要求
1．一種電子元器件，在具有長方體形狀的芯片內埋入線圈，在芯片兩端分別具有與線圈端連接的端電極，其特征在于，線圈的旋繞中心線設定在形成所述端電極的一對相對的芯片端面的各中心點相連直線上，同時從所述旋繞中心線方向看的線圈旋繞軌跡及線圈端與所述端電極連接的引出導體配置成這樣的位置及(或)狀態(tài)，使得安放在基板上時至少即使反過來安放也保持所述線圈的旋繞軌跡及引出導體與基板之間的距離相同。
2．如權利要求1所述的電子元器件，其特征在于，從所述旋繞中心線方向看的所述線圈旋繞軌跡形成在相對于所述旋繞中心線通過的中心點的對稱位置。
3．如權利要求1所述的電子元器件，其特征在于，從所述旋繞中心線方向看的所述線圈旋繞軌跡形成于相對于一條直線的對稱位置，該直線與除了所述芯片端面以外的4個側面中的一個側面平行且與所述旋繞中心線垂直。
4．如權利要求1所述的電子元器件，其特征在于，所述引出導體分別配置在芯片兩端的所述線圈旋繞中心線上。
5．如權利要求1所述的電子元器件，其特征在于，所述引出導體分別在芯片兩端在相對于所述線圈旋繞中心線的對稱位置配置2個以上。
6．如權利要求1所述的電子元器件，其特征在于，與所述線圈旋繞中心線垂直的芯片截面是正方形。
7．如權利要求1所述的電子元器件，其特征在于，與所述線圈旋繞中心線垂直的芯片截面是正方形，同時從所述旋繞中心線方向看的所述線圈旋繞軌跡形成于分別相對于與所述線圈旋繞中心線垂直相交的任意二條垂直直線的線對稱位置。
8．如權利要求1所述的電子元器件，其特征在于，從所述旋繞中心線方向看的所述線圈旋繞軌跡形成于相對于所述旋繞中心線通過的中心點的點對稱位置，同時所述引出導體分別配置在芯片兩端的所述線圈旋繞中心線上。
9．如權利要求1所述的電子元器件，其特征在于，從所述旋繞中心線方向看的所述線圈旋繞軌跡形成于相對于所述旋繞中心線通過的中心點的點對稱位置，同時所述引出導體分別在芯片兩端在相對于所述線圈旋繞中心線的對稱位置配置2個以上。
10．如權利要求1所述的電子元器件，其特征在于，從所述旋繞中心線方向看的所述線圈旋繞軌跡形成在相對于一條直線的對稱位置，該直線與除了所述芯片端面以外的4個側面中的一個側面平行且與所述旋繞中心線垂直，同時所述引出導體分別配置在芯片兩端的所述線圈旋繞中心線上。
11．如權利要求1所述的電子元器件，其特征在于，從所述旋繞中心線方向看的所述線圈旋繞軌跡形成于相對于一條直線的對稱位置，該直線與除了所述芯片端面以外的4個側面中的一個側面平行且與所述旋繞中心線垂直，同時所述引出導體分別在芯片兩端在相對于所述線圈旋繞中心線的對稱位置配置2個以上。
12．如權利要求1所述的電子元器件，其特征在于，與所述線圈旋繞中心線垂直的芯片截面是正方形，同時從所述旋繞中心線方向看的所述線圈旋繞軌跡形成于分別相對于與所述線圈旋繞中心線垂直相交的任意2條垂直直線的線對稱位置，連接所述線圈端及端電極的引出導體分別在芯片兩端在所述芯片截面對角線上且相對于所述線圈旋繞中心線的對稱位置至少配置2個。
13．如權利要求1所述的電子元器件，其特征在于，與所述線圈旋繞中心線垂直的芯片截面是正方形，同時從所述旋繞中心線方向看的所述線圈旋繞軌跡形成于分別相對于與所述線圈旋繞中心線垂直相交的任意2條垂直直線的線對稱位置。分別在芯片兩端將以所述線圈旋繞中心線為中心旋轉90度對稱的4個不同位置作為一組，所述引出導體形成于一組以上的位置。
14．一種電子元器件，在具有長方體形狀的芯片內埋入線圈，在芯片兩端分別具有與線圈端連接的端電極，其特征在于，線圈的旋繞中心線設定在形成所述端電極的一對相對的芯片端面的各中心點相連直線上，同時所述線圈兩端分別形成于以所述芯片中心點為基準的互相對稱的位置，分別與所述線圈兩端連接的引出導體形成于以所述芯片中心點為基準的互相對稱位置。
15．如權利要求14所述的電子元器件，其特征在于，所述引出導體由位于所述旋繞中心線上一端與端電極連接的第1引出導體及連接該第1引出導體的另一端與線圈端的第2引出導體構成。
16．如權利要求15所述的電子元器件，其特征在于，所述第2引出導體由相對于所述線圈旋繞中心線垂直的連接導體構成。
17．如權利要求15所述的電子元器件，其特征在于，所述第2引出導體由與所述旋繞中心線平行的一端與線圈連接的第1連接導體及連接該第1連接導體的另一端與第1引出導體的另一端的第2連接導體構成。
18．如權利要求17所述的電子元器件，其特征在于，所述第2連接導體形成與所述第1引出導體成鈍角相交的近似直線形狀。
19．如權利要求18所述的電子元器件，其特征在于，所述芯片由疊層方向與所述線圈旋繞中心線方向一致的多層體構成，所述第2連接導體通過將分段配置形成的通孔內導體加以連接而形成。
20．如權利要求17所述的電子元器件，其特征在于，形成的所述第2連接導體垂直于所述線圈旋繞中心線。
21．如權利要求17所述的電子元器件，其特征在于，所述第2連接導體形成相對于所述線圈旋繞中心線垂直的L字形狀。
22．如權利要求17所述的電子元器件，其特征在于，所述第2連接導體形成相對于所述線圈旋繞中心線垂直的I字形狀。
23．如權利要求17所述的電子元器件，其特征在于，所述第1連接導體長度設定為大于所述第1引出導體長度。
24．如權利要求17所述的電子元器件，其特征在于，所述第1連接導體長度設定為小于所述第1引出導體長度。
25．如權利要求17所述的電子元器件，其特征在于，所述第1引出導體的粗細設定為比所述第1連接導體的粗細要粗。
26．如權利要求15所述的電子元器件，其特征在于，在所述線圈及引出導體中至少所述第2引出導體與形成所述芯片的材料之間存在間隙。
27．如權利要求26所述的電子元器件，其特征在于，所述端電極由多孔金屬構成，在所述間隙中充填樹脂。
28．如權利要求20所述的電子元器件，其特征在于，所述端電極從所述芯片端面到與該端面相鄰的面連續(xù)形成，同時所述第1引出導體長度設定成大于在所述端面相鄰面上形成的端電極長度。
29．如權利要求20所述的電子元器件，其特征在于，所述端電極從所述芯片端面到與該端面相鄰的面連續(xù)形成，同時所述第1引出導體長度設定成小于在所述端面相鄰面上形成的端電極長度。
30．如權利要求20所述的電子元器件，其特征在于，所述端電極從所述芯片端面到與該端面相鄰的面連續(xù)形成，同時所述第1引出導體長度設定成等于在所述端面相鄰面上形成的端電極長度。
31．如權利要求1或14所述的電子元器件，其特征在于，所述芯片由疊層方向與所述線圈旋繞中心線方向一致的多層體構成，所述線圈采用若干連續(xù)2層以上配置的同一形狀線圈用內部導體并排連接的內部導體螺旋狀連接而成。
32．如權利要求1或14所述的電子元器件，其特征在于，所述芯片由疊層方向與所述線圈旋繞中心線方向一致的多層體構成，所述引出導體的至少與所述線圈旋繞中心線平行的部分利用連接通孔內的導體而形成。
33．一種電子元器件，在具有圓柱形狀的芯片內埋入線圈，在芯片兩端分別具有與線圈端連接的端電極，其特征在于，線圈的旋繞中心線設定在形成所述端電極的一對相對的芯片端面的各中心點相連直線上，同時從所述旋繞中心線方向看的線圈旋繞軌跡及線圈端與所述端電極連接的引出導體配置成這樣的位置及(或)狀態(tài)，使得安裝在基板上時至少即使反過來安裝也保持所述線圈的旋繞軌跡及引出導體與基板之間的距離相同。
34．如權利要求33所述的電子元器件，其特征在于，從所述旋繞中心線方向看的所述線圈旋繞軌跡與所述旋繞中心線通過的中心點的距離在與所述旋繞中心線垂直相交的任意芯片截面中始終一定，而且連接所述線圈端與端電極的引出導體分別配置在芯片兩端的所述線圈旋繞中心線上。
全文摘要
一種電子元器件,在具有長方體形狀的芯片71內埋入的線圈72的旋轉中心線Y設定在形成端電極73a及73b的一對相對的呈正方形的芯片端面各中心點相連直線上,同時配置的線圈72使從旋繞中心線方向看的線圈72旋繞軌跡分別處于與線圈72旋繞中心線Y垂直的任意2條垂直直線的線對稱位置,連接線圈端與端電極73a及73b的引出導體74a及74b分別配置于芯片兩端的線圈72旋繞中心線上,這樣構成的電子元器件具有的線圈不因安放方向不同其電感量不同。
文檔編號H01F17/00GK1222745SQ99100929
公開日1999年7月14日 申請日期1999年1月7日 優(yōu)先權日1998年1月8日
發(fā)明者巖尾秀美 申請人:太陽誘電株式會社