專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及的是顯示裝置，特別是使用發(fā)光有機(jī)材料的顯示裝置。
PCT/WO90/13148中描述了一種類型的場致發(fā)光顯示裝置，在此引入其內(nèi)容作為參考。該裝置的基本結(jié)構(gòu)是在兩個電極之間夾有發(fā)光聚合物膜(例如聚(p-亞苯基乙烯撐)(poly(p-phenylenevinylene))--“PPV”膜)，電極之一注入電子，另一個注入空穴。電子和空穴激發(fā)聚合物膜發(fā)射光子。這些裝置作為平板顯示裝置是具有潛力的。
另一種類型的有機(jī)發(fā)光裝置是小分子裝置，在US 4,539,507中給出了詳細(xì)說明，在此引入其內(nèi)容作為參考。這類裝置具有發(fā)光層，發(fā)光層至少在兩個電極之間包括諸如三(8-羥基喹啉)鋁(“Alq3”)的小分子材料。
在有機(jī)發(fā)光裝置中，有機(jī)發(fā)光層通常被分成單個的象素，這些象素能夠通過改變流經(jīng)它們的電流在發(fā)光和非-發(fā)光狀態(tài)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換。象素通常設(shè)置在正交的行和列上。通常使用兩種交替的設(shè)置用于控制象素?zé)o源矩陣和有源矩陣。在無源矩陣裝置中一個電極按行構(gòu)成，另一個電極按列構(gòu)成。通過在行和列電極之間施加適當(dāng)?shù)碾妷耗軌蛞鹈總€象素在其所在的相交點(diǎn)處發(fā)光。因?yàn)槊總€象素僅僅在部分掃描周期能夠被通電，這稱為象素發(fā)出的高峰亮度。在有源矩陣顯示中，因?yàn)樵诹硗庀笏乇粚ぶ窌r每個象素能夠保持在發(fā)光狀態(tài)，不需要高峰亮度。


圖1表示驅(qū)動薄膜晶體管(“TFT”)有源矩陣顯示象素的電路。電路包括象素本身，表示為二極管1，連接在電極2和3之間。電極2和3連接到裝置的所有象素，通常象素發(fā)光需要的足夠電壓施加在電極2和3之間。至少部分開關(guān)電路4(實(shí)際上通過薄膜晶體管來實(shí)現(xiàn))位于電極3和象素1之間。(也可以，或另外，是象素/二極管1和電極2之間的電路)。通過行和列電極5,6控制開關(guān)電路。要引起象素1發(fā)光，將電壓作用到電極6上，使開關(guān)晶體管7導(dǎo)通，將電壓作用到電極5使儲存電容8充電。然后斷開電極6。由于電容8被充電，射流晶體管9導(dǎo)通，作用在電極3上的電壓加到象素上，引起象素發(fā)光。盡管與無源矩陣裝置相比這需要更復(fù)雜的電路，但這種設(shè)置所具有的優(yōu)點(diǎn)是通過電容8象素能夠保持在發(fā)光狀態(tài)，而其它不同行和列上的象素通過它們的行和列的電極被尋址。
圖2表示和有機(jī)發(fā)光象素裝置結(jié)合在一起的典型開關(guān)電路示意圖，圖3表示沿圖2電路1A-1A’線的剖視圖。電路包括掃描(或門)線10(對應(yīng)于圖1中的電極6)，信號(或數(shù)據(jù))線11(對應(yīng)于圖1中的電極5)，公共線12(對應(yīng)于圖1中的電極3)，通常以13表示開關(guān)薄膜晶體管(對應(yīng)于圖1中的晶體管7)，通常以14表示的儲存電容(對應(yīng)于圖1中的儲存電容8)和通常以15表示的射流晶體管(對應(yīng)于圖1中的晶體管9)。如圖3所示，SiO2構(gòu)成的絕緣層16將電路的組成部分分開，該電路沉積在玻璃襯底17上。晶體管15的輸出是接觸區(qū)29，該區(qū)構(gòu)成電路的輸出端。
形成絕緣材料的儲存區(qū)30(圖2中沒有顯示)用來約束發(fā)光區(qū)本身的邊緣。要在TFT電路的輸出端和象素發(fā)光材料之間進(jìn)行連接，要有透明的氧化銦-錫(“ITO”)電極19。這樣與接觸區(qū)29相接觸，提供一個寬的極板，該極板形成發(fā)光裝置的陽極。發(fā)光材料層33沉積在極板上(對應(yīng)于圖1中的象素1)，最后陰極31(對應(yīng)于圖1中的電極2)沉積在頂部。象素發(fā)出的射向觀看者的光沿著進(jìn)入圖2中頁面的方向，如圖3箭頭B所示。因此，為避免發(fā)出的光模糊不清，通常TFT電路位于發(fā)光材料33的一旁。
ITO具有好的透明性，低的表面電阻和已確定的加工方法，它具有低的電阻，這使得它在無源矩陣顯示中特別有用，因?yàn)槊總€象素只能部分時間發(fā)光，需要高峰直通電流。然而，ITO的加工能夠引起一些問題。典型地，ITO作為連續(xù)層沉積在整個裝置的上面(例如，通過噴鍍或蒸發(fā))。然后制作圖形以產(chǎn)生對應(yīng)裝置的每個象素的單獨(dú)極板19。制作圖形通常用金屬板印刷術(shù)，ITO被侵蝕以去掉不需要的區(qū)域。由于侵蝕所用的材料能夠很容易地通過元件區(qū)域之間的空洞滲入到TFT結(jié)構(gòu)中，這樣就會引起問題，損壞電路。僅僅對顯示器一個象素電路的損壞就可以引起整個顯示器的報廢。
通過在ITO和發(fā)光層之間使用一層導(dǎo)電聚合物能使裝置已經(jīng)制作的更穩(wěn)定，(例如，參見J Carter et al.,Appl.Phys.Lett.71(1997)34),在其它諸如非發(fā)射裝置的領(lǐng)域中，ITO層已經(jīng)被省略了(例如，參見A Lienet al.,“Conducting Polyaniline as a Potential ITO Replacementfor Flat Panel Applications”,Proceedings of the internationalDisplay Research Conference,Society of Information Display,Toronto,Sept.15-19,1997,p.1)。
根據(jù)本發(fā)明提供一種形成顯示裝置的方法，包括在襯底上沉積薄膜晶體管電路；通過噴墨印刷沉積一層與薄膜晶體管電路的輸出電接觸的透光導(dǎo)電有機(jī)材料的電極層；沉積裝置的有源區(qū)域。
最好有源區(qū)域也通過噴墨印刷沉積。
有源區(qū)域最好可以是一層的形式。
有源區(qū)域可以是發(fā)光區(qū)域(例如包括有機(jī)發(fā)光材料)，或是光的區(qū)域通道，該通道能夠得到控制(例如包括液晶材料)。
所說的有機(jī)發(fā)光材料可以是聚合物材料。有機(jī)發(fā)光材料最好是共軛材料。合適的材料是諸如PPV之類的半導(dǎo)體共軛聚合物，或是其衍生物。發(fā)光材料適當(dāng)?shù)氖腔虬≒PV，聚(2-甲基-5(2’-乙基)己氧基亞苯基-乙烯撐)(poly(2-methoxy-5(2’-ethyl)hexyloxyphenylene-vinylene)(“MEH-PPV”),PPV-衍生物(例如，二-烷氧基衍生物)，聚二苯并戊和/或含有聚二苯并戊段的共聚物，PPVs和/或相關(guān)的共聚物。替換噴墨印刷的是，可以通過旋涂、浸涂、片涂、彎液面涂、自組裝等進(jìn)行沉積。發(fā)光區(qū)域的組成成分和/或其原始物可以是水基的例如是PPVs-基的原始物。可替換的材料是有機(jī)分子發(fā)光材料，例如，Alq3，或是有機(jī)低聚物發(fā)光材料，或是已有技術(shù)中所熟知任何其它小的。升化分子或共軛聚合場致發(fā)光材料。
電極層適合于具有小于200kΩ/□的表面電阻，最好在20到100kΩ/□。電極層的厚度最好是在20到100nm之間。
電極層最好沉積到絕緣層上。絕緣層適合于形成薄膜晶體管電路的保護(hù)層。
電極層適合于至少在有源層的任何光發(fā)射頻率內(nèi)是透明或半透明的(例如，具有大于50％的透明度)，并且適合于在可見光譜內(nèi)。
電極層的導(dǎo)電有機(jī)材料適合于用導(dǎo)電聚合材料。導(dǎo)電有機(jī)材料可以是聚苯胺(例如，摻雜聚苯胺或聚苯胺衍生物-參見M.Angelopoulos etal.,”Applications of Conducting Polyanilines in ComputerManufacturing Processes”,Intrinsically Conducting Polymers；AnEmerging Technology,M.Aldassi(ed.),Proceedings of the NATOAdvanced Research Workshop on Applications of IntrinsicallyConducting Polymers,Burlington Vt.USA,ppl47-156,1993 KluwerAcademic Publishers,Netherlands)，聚噻吩(例如，摻雜聚噻吩或聚噻吩衍生物)，聚吡咯，諸如摻雜PPV之類的摻雜共軛聚合物。一種最好的材料是摻雜聚乙烯噻吩雙氧(polyethylene dioxythiophene)的聚苯乙烯磺酸(polystyrene sulphonic acid)(“PEDT/PSS”)。
電極層適合于包括與薄膜晶體管電路的輸出電接觸的下電極層和鄰近有源區(qū)的上電極層。上電極層最好與下電極層的成分不同，和/或最好具有不同的電特性。例如，下電極層最好比上電極層(適合于具有大于200kΩ/□的表面電阻)具有較高的導(dǎo)電性(適合于具有小于1000kΩ/□的表面電阻)。在電極包括PEDT/PSS的地方，上電極層具有高于下電極層的聚苯乙烯磺酸(“PSS”)的濃度。
薄膜晶體管電路的輸出適合于包括形成與電極電連接的接觸面。接觸面適合于在電極的主平面上延伸以改進(jìn)兩者之間的電接觸和/或電極中的電荷分布。例如，接觸面適合于沿電極層的一個或多個側(cè)面延伸。接觸面可以至少在電極層平面中圍繞和基本圍繞電極層。接觸面最好是由導(dǎo)電率高于電極層的材料構(gòu)成。為了避免載流子由接觸面直接入射到有源區(qū)(如果構(gòu)成裝置以便于這兩個部分相鄰近)接觸面材料的功函數(shù)最好低于電極層材料的功函數(shù)和/或接觸面可以在其鄰近有源區(qū)的表面上涂有絕緣層。接觸面材料的功函數(shù)適合于小于4.5eV，最好小于4.3eV。接觸面的材料最好對諸如磺酸之類的酸不起化學(xué)作用。接觸面最好的材料包括金屬，如鋁和鋁合金，和諸如氮化鈦之類導(dǎo)電耐火材料。最好接觸面的導(dǎo)電率大于電極材料的導(dǎo)電率。
電極層最好在一個主表面上鄰近所說的絕緣層。電極層的其它主表面最好鄰近有源區(qū)主表面。有源區(qū)的其它主表面最好鄰近另一個電極層。電極層可以是陽極，也可以是陰極。
在有源層能夠控制通過其中的光偏振的場合，裝置也可以最好包括一個或多個偏振層和/或反射層和/或發(fā)光層，如同在已有液晶裝置制造中所熟知的一樣。
根據(jù)本發(fā)明的第二個方面，提供一種形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，包括在襯底上沉積薄膜晶體管開關(guān)電路；沉積與薄膜晶體管電路的輸出電接觸的光透射導(dǎo)電有機(jī)材料電極層；在電極層的上面沉積有機(jī)發(fā)光層。本發(fā)明這一方面的詳細(xì)內(nèi)容同本發(fā)明的第一方面的相同。
以上所述的方法可以適合于允許形成一種裝置，該裝置如上所描述的一樣具有多個象素，最好除各個薄膜晶體管開關(guān)電路和電極層外具有公共襯底以及每個象素的單獨(dú)有機(jī)發(fā)光區(qū)。電極層(或電極層的子層)可以橫過裝置的所有象素連續(xù)延伸，特別是在該層或子層具有大于200kΩ/□表面電阻的場合。裝置可以是多色彩顯示器，具有一套不同發(fā)射顏色例如紅綠藍(lán)的象素。
現(xiàn)在通過參考附圖舉例描述本發(fā)明，附圖中圖4表示與有機(jī)發(fā)光裝置的象素相聯(lián)系的開關(guān)電路平面示意圖；圖5-8表示沿圖4線2A-2A’剖面的電路制作階段；圖9表示在圖6表示的制作階段沿圖4線2B-2B’的剖面；圖10表示在圖5表示的制作階段沿圖4線2C-2C’的剖面；圖11表示與有機(jī)發(fā)光裝置的象素相聯(lián)系的另外的開關(guān)電路平面示意圖；圖12表示沿圖11線3A-3A’的剖面；圖13表示與有機(jī)發(fā)光裝置的象素相聯(lián)系的另外的開關(guān)電路平面示意圖；圖14表示沿圖13線4A-4A’的剖面。
然而，附圖不是成比例的，有每一附圖中相同的部分用相同的附圖標(biāo)記表示。在平面圖中沒有示出存儲區(qū)30。
圖4至10表示與圖2和3類似的有機(jī)發(fā)光器件，但在圖4至10的裝置中，用導(dǎo)電聚合材料的區(qū)域32來替代圖2和3的ITO區(qū)域19。
為了形成圖4-10所示的裝置，首先以通常的方式將TFT電路沉積到玻璃襯底17上以實(shí)現(xiàn)圖5中的剖面圖所示的階段。首先，分別對晶體管TFT13、電容14和射流TFT15沉積聚合硅區(qū)域20,21,22，并摻雜(用N+表示的)。(在構(gòu)成門極金屬化層34步驟之后通過離子注入進(jìn)行摻雜)。然后在聚合硅的上面沉積門極絕緣層16c，再加上門極金屬化層34。在其上面形成另一層SiO2絕緣層16a。制作穿過層16a和26c的接觸孔24,25,27。接觸孔有三種形式第一種是穿過層16a和26c，第二種是穿過層16a(如圖10所示)，第三種是穿過層16b(如圖6所示)。然后用單獨(dú)的金屬沉積步驟(也進(jìn)行填孔24,25,27)沉積信號線11，公共線12，接點(diǎn)26和接觸區(qū)29，并制作圖形。這樣實(shí)現(xiàn)了圖5的結(jié)構(gòu)。
SiO2的第三絕緣層16b沉積在電路的上面，接觸孔28形成在其中。這實(shí)現(xiàn)了圖6的結(jié)構(gòu)。
在該實(shí)施例中儲存區(qū)30是由聚酰亞胺材料形成的。這樣進(jìn)行沉積以實(shí)現(xiàn)圖7的結(jié)構(gòu)。
然后沉積導(dǎo)電聚合物材料以形成每個象素的陽極。沉積這種材料以便遍布在絕緣層16b上并完全位于儲存區(qū)30之間，通過孔28形成與接觸區(qū)29的電接觸，以便在象素的發(fā)光區(qū)上提供均勻的一層32。導(dǎo)電聚合物能夠用多種方式進(jìn)行沉積，例如，如下面結(jié)合發(fā)光層詳細(xì)描述的旋涂或噴墨印刷。
在該例子中有機(jī)發(fā)光材料是PPV。PPV能夠作為一層在整個裝置上進(jìn)行沉積(例如，通過旋涂原始聚合物)，然后制作圖形以形成各個的象素，或者單獨(dú)沉積每個象素的發(fā)光材料(例如，通過噴墨印刷)。形成的發(fā)光象素層33厚度大約1000埃。為了通過噴墨印刷沉積發(fā)光材料，經(jīng)過噴墨印刷噴頭噴涂這種材料。合適的噴墨周期是每秒14,400滴，一滴的體積為30pl。當(dāng)通過噴墨印刷已經(jīng)沉積了導(dǎo)電聚合物層時，通過噴墨印刷沉積發(fā)光材料就特別方便，因?yàn)檫@簡化了生產(chǎn)過程。
最后，在PPV上沉積陰極層31。(見圖8)。
圖4-10的象素形成了部分較大發(fā)光裝置，在該裝置中成千個這樣的象素以正交行和列排列。例如，一種典型的規(guī)格是600行×800列，總數(shù)為480,000個象素。這樣的裝置同樣可以是彩色顯示裝置，具有同樣數(shù)量的紅、綠和藍(lán)象素。典型象素的規(guī)格是300×100μm。
裝置的性能能夠通過仔細(xì)控制所涉及層的電阻得到改善。當(dāng)象素在導(dǎo)通狀態(tài)時象素TFT電路的射流晶體管電阻應(yīng)該低于導(dǎo)電有機(jī)電極層和發(fā)光層的合成電阻。典型地晶體管的接通電阻大約為10kΩ，有機(jī)發(fā)光層連同導(dǎo)電層一起的接通電阻大約為1Mohm。為了均勻，導(dǎo)電有機(jī)電極層的電阻最好小于發(fā)光層的電阻。對晶體管和導(dǎo)電層的總接通電阻來說好的指標(biāo)至少是小于有機(jī)發(fā)光層電阻的10分之一，和/或?qū)w管的接通電阻來說至少是小于導(dǎo)電層和有機(jī)發(fā)光層總接通電阻的10分之一。
現(xiàn)在將描述上述所描述的裝置的改變。
代替有機(jī)聚合發(fā)光層，裝置可以具有另一種有機(jī)材料的發(fā)光層，例如諸如Alq3之類的小分子材料或低聚材料，或無機(jī)材料。液晶層可以替代發(fā)光層，加上通常的偏振器，背面照明等，來形成液晶顯示器。
導(dǎo)電層32可以用多種不同的方式形成。一種最佳的可行方法是提供導(dǎo)電梁板由接觸面29向上延伸到導(dǎo)電材料32。梁板可以是支架的形式，該支架僅僅能填充孔28。這樣一個支架的底部作成與接觸面29電連接。上部與絕緣層16b的上部齊平，并在支架的上端作成以局部區(qū)域與層32電連接。梁板可以是與導(dǎo)電層32不相同的材料，例如鋁。
另一種可行的方法是在導(dǎo)電層32的主平面在一個或兩個方向上橫向延伸與導(dǎo)電層32的接觸面，以改善裝置的性能。通過橫向延伸梁板能夠提供與導(dǎo)電層32較大區(qū)域的接觸。圖11-14表示了這樣的例子。圖11-14也具有這樣的優(yōu)點(diǎn)提供的絕緣層16b可以被省略，留有儲存區(qū)30，因?yàn)橐獙⑿盘柧€11與導(dǎo)電層32相隔離僅需要這兩個結(jié)構(gòu)之一。(另外，當(dāng)絕緣層16b存在時，可以省略儲存區(qū)30)。
在圖11和12中接觸面29深入到層32。此外接觸面29在兩個方向上延伸以在接近發(fā)光區(qū)域的周邊形成低電阻的結(jié)構(gòu)35。在圖13和14中相似結(jié)構(gòu)35用十字形部件36來補(bǔ)充，該部分橫跨發(fā)光區(qū)域。在另一個實(shí)施例中部件36能夠用橫跨電極32的更復(fù)雜的導(dǎo)電網(wǎng)來替代，但必須足夠的細(xì)小不會有效地阻擋象素的光輸出。與導(dǎo)電層32電接觸的增大區(qū)域能夠允許低的電流密度和橫跨電極更均勻的電荷分布，特別是如果形成電極的材料導(dǎo)電率是相對低的話。
除鋁以外的導(dǎo)電材料可以用作梁板或其一部分。最佳的材料是那些如果它們與發(fā)光區(qū)域33接觸它們本身基本上不將電荷注入到發(fā)光區(qū)域33的材料，因?yàn)槿绻麑?dǎo)電材料是不透明的并遮擋了自觀看者來說在其后面發(fā)射的光，這樣可能導(dǎo)致區(qū)域的不均勻發(fā)光。一般來說，要實(shí)現(xiàn)上述所述，導(dǎo)電材料的功函數(shù)應(yīng)該小于層32導(dǎo)電聚合材料的功函數(shù)。在發(fā)光材料是PPV以及導(dǎo)電聚合物是PEDT/PSS的情況下替代鋁的合適的導(dǎo)電材料(至少它與發(fā)光層33接觸)包括鋁合金(例如Al:Si合金)，鉭及類似的金屬。避免由梁板直接注入到發(fā)光材料的另一種方法是涂覆部分梁板，否則這些部分可能會用諸如SiOx或AlOx之類的絕緣體與發(fā)光材料接觸。然而，好的接觸一定保持在梁板導(dǎo)電材料和導(dǎo)電聚合物32之間。
另一種論點(diǎn)是需要避免導(dǎo)電聚合材料和與其接觸(無論接觸面29還是梁板)的導(dǎo)電材料之間的有害反應(yīng)。例如，PEDT/PSS中存在的酸能夠腐蝕鋁。因此，高熔點(diǎn)金屬或合金，如Mo,W,MoSi2,Ti,Ta,WSiO2或TiN，或包括這樣材料的多層，對這樣的導(dǎo)電材料來說是最佳的，或至少其部分作成與導(dǎo)電聚合材料接觸。這樣的材料很少易于氧化，因此在與導(dǎo)電聚合材料的接觸面保持較好(歐姆)的接觸。在接觸面29或梁板與導(dǎo)電聚合材料之間的接觸面處具有低的接觸電阻。例如，圖12中接觸面的一種最佳結(jié)構(gòu)是形成厚度分別為20/50/600/50nm的Ti/TiN/Al/TiN多層結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中第一層Ti提供與n+聚合硅22較好的接觸，TiN是避免形成Al:Si合金的屏蔽層，Al提供具有低電阻的大部分支架，TiN的上層提供與PEDT/PSS層32較好的接觸。在下列條件下通過濺射能夠形成這些層
最好導(dǎo)電聚合物電極應(yīng)該具有1-10Ωcm的導(dǎo)電率或更小一些。最好的表面電阻是200-1000Ω/□或更小一些。代替對導(dǎo)電聚合物電極噴墨印刷的其它方法包括旋涂或片涂。這些方法也會產(chǎn)生均勻的一層導(dǎo)電材料層，然后對該層形成圖形以產(chǎn)生每個象素的各個電極。形成圖形可以通過采用濕或干腐蝕的標(biāo)準(zhǔn)光刻技術(shù)。另外一種方法是使用如WO96/08047或EP 0615 257中描述的形成圖形的技術(shù)，例如，將象素之間的PEDT/PSS區(qū)域在紫外線中曝光以使它們呈非導(dǎo)電狀態(tài)。
形成兩層的導(dǎo)電聚合物電極層可能是有用的在TFT電路的輸出端與接觸面29接觸的下層，或由接觸面29導(dǎo)出的導(dǎo)電梁板部分，和與發(fā)光層接觸的上層。這樣可以使每一層導(dǎo)電率和/或與各自的鄰近層的電接觸保持最佳。例如，盡管在PEDT/PSS層中增加PSS的濃度會增加該層的電阻，但這樣會改進(jìn)發(fā)光裝置的性能。因此，導(dǎo)電聚合物電極能夠作為鄰近接觸面29的下層及位于橫跨下層的上層，并具有較高PSS濃度和大于下層PEDT/PSS層的較高的電阻來形成。上層和下層相交并分別跨過它們的上下主平面電接觸。上層的電阻可以高一些，以便在該層內(nèi)不會有電荷橫向擴(kuò)散的問題。(這樣實(shí)現(xiàn)的電阻取決于象素之間的間隔和其它裝置參數(shù)，但是典型可以是大約200Ω/□)。在這種情況下對每個象素來說上層不需要制成單獨(dú)的區(qū)域而在整個裝置上或至少多個象素應(yīng)該是連續(xù)的。
本發(fā)明可以包括本文所公開任何特征或特征的結(jié)合，不論是隱含的還是明顯的，也不論它是否涉及目前所請求保護(hù)的發(fā)明的任何概況。根據(jù)上述的描述，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以作出各種不同的改進(jìn)。
權(quán)利要求
1.一種形成顯示裝置的方法，包括在襯底上沉積薄膜晶體管開關(guān)電路；通過噴墨印刷沉積與薄膜晶體管電路輸出電接觸的透光導(dǎo)電有機(jī)材料的電極層；和在電極層上沉積該裝置的有源區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中有源區(qū)域通過噴墨印刷來沉積。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中有源區(qū)域是發(fā)光區(qū)域。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中發(fā)光區(qū)域包括有機(jī)發(fā)光材料。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中發(fā)光材料包括聚合物和/或共聚物材料。
6.如權(quán)利要求4或5所述的方法，其中發(fā)光材料是共軛材料。
7.如權(quán)利要求4至6任一項(xiàng)所述的方法，其中發(fā)光材料是聚(p-亞苯基乙烯撐)或其衍生物。
8.如前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其中電極層具有20-200kΩ/□的表面電阻。
9.如前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其中導(dǎo)電有機(jī)材料是導(dǎo)電聚合物材料。
10.如前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其中導(dǎo)電有機(jī)材料是摻雜聚乙烯噻吩雙氧的聚苯乙烯磺酸。
11.如前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其中電極層包括與薄膜晶體管電路的輸出電連接的下電極層和鄰近有源區(qū)域、與下電極層的組分不同的上電極層。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中下電極層具有高于上電極層導(dǎo)電率。
13.間接從屬于權(quán)利要求10的如權(quán)利要求12所述的方法，其中上電極層具有高于下電極層的聚苯乙烯磺酸的濃度。
14.如前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其中薄膜晶體管電路的輸出端包括沿電極層的一側(cè)延伸的接觸面，接觸面的材料的導(dǎo)電率高于電極層的導(dǎo)電率。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中接觸面沿電極層的兩側(cè)或多側(cè)延伸。
16.如權(quán)利要求14或15所述的方法，其中接觸面材料的功函數(shù)低于電極層材料的功函數(shù)。
17.如權(quán)利要求14至16中任意一項(xiàng)所述的方法，其中接觸面的材料是金屬或合金。
18.如前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，包括在部分接觸面上沉積一層絕緣層以將接觸面的該部分與發(fā)光層相絕緣。
19.一種形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，包括在襯底上沉積薄膜晶體管開關(guān)電路；沉積與薄膜晶體管電路的輸出電接觸的透光導(dǎo)電有機(jī)材料的電極層；和在電極層的上面沉積有機(jī)發(fā)光層。
20.一種用前述任意一項(xiàng)權(quán)利要求的方法形成的發(fā)光裝置。
21.一種基本上參考附圖中圖4-14所描述的形成發(fā)光裝置的方法。
22.一種基本上參考附圖中圖4-14所描述的發(fā)光裝置。
全文摘要
一種形成顯示裝置的方法,包括:在襯底上沉積薄膜晶體管開關(guān)電路;通過噴墨印刷沉積與薄膜晶體管電路的輸出電接觸的透光導(dǎo)電有機(jī)材料的電極層;和在電極層上沉積該裝置的有源區(qū)域。
文檔編號H01L51/52GK1233929SQ9910311
公開日1999年11月3日 申請日期1999年2月23日 優(yōu)先權(quán)日1998年2月23日
發(fā)明者里查德·漢里·弗萊德, 卡爾·羅伯特·塔恩斯, 朱里安·卡靳斯·卡特, 斯蒂芬·卡爾·黑斯, 赫曼·福里克斯·威特曼, 卡爾·皮克勒, 湯田坂一夫 申請人:劍橋顯示技術(shù)有限公司, 精工愛普生株式會社