專利名稱：器件封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及器件制造。更確切地說，本發(fā)明涉及器件封裝。
特別有意義的一種器件是發(fā)光二極管(LED)。LED能有各種各樣應(yīng)用。例如多個(gè)LED單元或象素能在襯底上形成產(chǎn)生成象的LED器件，用作顯示器如平板顯示器(FPD)。
典型地說，LED象素包含一個(gè)或多個(gè)夾于兩個(gè)電極之間的功能層以構(gòu)成功能堆。荷電載流子從兩電極注入。這些荷電載流子在一個(gè)或多個(gè)功能層中復(fù)合，引起可見光發(fā)射。近來(lái)，利用有機(jī)功能層構(gòu)成有機(jī)LED，已經(jīng)取得重大進(jìn)展。
為了保護(hù)LED象素免于環(huán)境例如濕氣和/或空氣的影響，將器件用管殼封裝起來(lái)。按常規(guī)，LED管殼包含多種類型空腔式管殼?？涨皇焦軞さ湫桶瑢⒐苌w安裝在襯底上。其空腔保護(hù)有機(jī)LED象素免受管殼損壞，因?yàn)樗鼈儗?duì)壓力非常敏感。而且，空腔也能放置干燥劑材料以克服器件的有限漏泄速率。
形成于薄的或柔性襯底上的柔性器件可望有新的應(yīng)用，例如柔性顯示器。然而，常規(guī)的器件封裝不易被處理成柔性的。這就使之難以滿足柔性器件的柔性要求，特別是那些如顯示器的具有比較大的表面面積的柔性器件。
正如上述討論顯而易見，希望對(duì)器件，特別是制作在薄的或柔性襯底上器件提供有效的管殼。


圖1表示依照本發(fā)明實(shí)施方案的器件100。例如，該器件可以是電的、機(jī)械的、電機(jī)械的器件，或者微電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)。器件包含形成在襯底101上的一個(gè)或多個(gè)有源元件110。在實(shí)施方案中，有源元件形成在襯底的有源區(qū)115上。無(wú)源區(qū)120被提供在襯底上。如圖所示，無(wú)源區(qū)將有源元件隔開。
帽架130設(shè)置在包圍有源元件的器件周邊上。管帽180放置在帽架上。管帽將有源元件氣密性封閉以隔開環(huán)境。帽架將管帽升高以防止它觸碰有源元件。
帽架還在器件無(wú)源區(qū)內(nèi)提供支持。如圖所示，帽架包含位于無(wú)源區(qū)內(nèi)的支架柱。由于帽架位于無(wú)源區(qū)內(nèi)，故有源元件的功能不受影響。將支架柱置于無(wú)源區(qū)內(nèi)，為覆蓋層中心部分提供了額外的支架。這便防止了管帽因應(yīng)力而崩塌到有源元件上。這對(duì)柔性器件特別有用。
在實(shí)施方案中，器件100包含電器件。電器件包含成象的有機(jī)LED器件。在例如美國(guó)專利4720432及《自然》雜志(1990)第347期第539頁(yè)的Burroughes等的論文中，描述了有機(jī)LED器件，此處均列為參考。形成在襯底上的其它類型的電器件，例如半導(dǎo)體激光器，也都是有用的。
有源元件110包括有機(jī)LED象素。有機(jī)LED象素包含第一與第二電極112與116之間的至少一個(gè)有機(jī)層114。這些象素例如被構(gòu)造成陣列，以形成諸如FPD的顯示器。FPD被應(yīng)用于各式各樣消費(fèi)電子產(chǎn)品中，包括蜂窩式電話、蜂窩智能電話、個(gè)人記事本(organizer)、傳呼機(jī)、廣告牌、觸屏顯示器、電話會(huì)議設(shè)施、多媒體設(shè)備、虛擬現(xiàn)實(shí)產(chǎn)品(virtual reality product)、以及顯示亭。
象素110位于襯底101的有源區(qū)115上，并被無(wú)源區(qū)120隔開。支架柱130位于襯底的無(wú)源區(qū)和包圍LED象素的器件周邊內(nèi)。支架柱能形成在一個(gè)、一些、或所有的無(wú)源區(qū)內(nèi)。管帽180被安裝在支架柱上以密封器件，從而保護(hù)象素免受空氣和/或濕氣的影響?？梢蕴峁詈系絃ED象素的焊點(diǎn)190。此焊點(diǎn)能提供到器件的外部連接。
帽架起著防止管帽觸碰LED象素的作用。如若管帽觸碰LED象素，就會(huì)損傷LED象素。在實(shí)施方案中，帽架的高度在LED象素表面與管帽之間形成空隙或空腔118。該空隙必須足以防止管帽觸碰LED象素。典型的空隙高度為大約1～10μm。當(dāng)然，此空隙高度因產(chǎn)生的應(yīng)力總量(例如器件需要的彎曲量、覆蓋層厚度、及支架柱之間的橫向距離)而可以改變。
圖2a-f表示依照本發(fā)明實(shí)施方案的器件制造工藝。器件包含例如有機(jī)LED。參見圖2a，提供了其上制作器件有源元件的襯底101。襯底可以包括各種類型的材料，如用來(lái)支持有源元件的玻璃或聚合物。別的適于支持有源元件的材料如陶瓷或硅也可以使用。各種類型的半導(dǎo)體晶片也是有用的。
在實(shí)施方案中，柔性襯底被用來(lái)制造柔性器件。柔性襯底包含柔性材料如塑料薄膜。市場(chǎng)上可買到的各種塑料薄膜都是有用的。這樣的薄膜例如包括透明的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亞胺(PI)、聚砜(PSO)、及聚-苯撐醚砜(PES)。其他薄膜例如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，也都能使用。
在實(shí)施方案中，柔性襯底必須薄，以便得到薄的器件而又在制造過程中提供足夠的機(jī)械完整性以支撐有源元件。柔性襯底最好應(yīng)盡可能的薄而又在制造過程中提供足夠的機(jī)械完整性。在實(shí)施例中，柔性襯底為大約20～200μm厚。
在一個(gè)變通實(shí)施方案中，柔性襯底包含玻璃。薄半導(dǎo)體襯底或別的薄柔性襯底也是能用的。在實(shí)施例中，襯底的厚度為大約30～300μm。
在另一實(shí)施方案中，可以提供暫時(shí)的支持層。該暫時(shí)支持層例如可形成在襯底背面以提供制造過程中必要的支持。管殼能被用來(lái)提供額外的支持以便在最終生產(chǎn)階段穩(wěn)定襯底，使得能夠清除暫時(shí)層。暫時(shí)支持層使得能夠使用較薄的襯底，得到較薄的器件。
有源區(qū)和/或無(wú)源區(qū)被確定在襯底表面上。有源區(qū)在襯底上提供形成有源元件的區(qū)域。多種技術(shù)能夠被用來(lái)確定有源區(qū)和/或無(wú)源區(qū)。例如，光刻技術(shù)能用來(lái)確定有源區(qū)和/或無(wú)源區(qū)。
在實(shí)施方案中，有源元件包含有機(jī)LED象素。有機(jī)LED象素排列構(gòu)成成象器件。成象有機(jī)LED器件包含例如形成在襯底上的多個(gè)第一電極條。這些條沿第一方向排列。另外的一個(gè)有機(jī)層被形成在第一電極條上。多個(gè)第二電極條沿第二方向被形成在有機(jī)層上。典型而言，第一與第二電極條是彼此正交的。第一與第二電極條的交點(diǎn)構(gòu)成LED象素。在實(shí)施方案中，無(wú)源區(qū)由俯視襯底時(shí)不包括電極材料的區(qū)域表示?；蚩蓪㈦姌O不相交的區(qū)域認(rèn)為是無(wú)源區(qū)。
參見圖2b，開始確定有源區(qū)和/或無(wú)源區(qū)的過程。在實(shí)施例中，器件層112形成在襯底上。器件層包含例如導(dǎo)電層。其他類型器件層也有用，這取決于有源元件的類型。器件層例如為大約0.1～1μm。此厚度當(dāng)然可以根據(jù)設(shè)計(jì)要求而改變。
在實(shí)施例中，器件層包含用作LED象素陽(yáng)極的透明導(dǎo)電層。該透明導(dǎo)電層包含例如氧化銦錫(ITO)。其他類型的透明導(dǎo)電層如氧化鋅和氧化銦鋅也都有用。多種技術(shù)如化學(xué)汽相淀積(CVD)、物理汽相淀積(PVD)、及等離子體增強(qiáng)CVD(PECVD)，都能用來(lái)形成器件層。該導(dǎo)電層必須薄，以便減弱光吸收和對(duì)后續(xù)的膜制作的不利影響，同時(shí)滿足電學(xué)要求。在實(shí)施例中，該導(dǎo)電層的厚度約為100nm。
在器件層形成之后，對(duì)其圖形化以確定有源區(qū)和/或無(wú)源區(qū)。常規(guī)技術(shù)如光刻法和腐蝕法都可用來(lái)對(duì)器件層進(jìn)行圖形化。使用印模的圖形化技術(shù)也是有用的。這種技術(shù)在同時(shí)提出的題為“器件層的機(jī)械圖形化”的國(guó)際專利申請(qǐng)(代理人審查號(hào)99E8062)中已加以描述，此處列為參考。有源區(qū)包含如襯底表面上保留的器件層部分，而無(wú)源區(qū)包含暴露的襯底表面部分。
在實(shí)施方案中，對(duì)導(dǎo)電層進(jìn)行圖形化以便在襯底表面上形成起LED象素底電極作用的底電極條。有源區(qū)包含其上形成LED象素的底電極條部分。當(dāng)俯時(shí)，例如暴露的襯底表面上不會(huì)被LED象素第二電極條占用的部分，是無(wú)源區(qū)。
參見圖2C，間隔層231被淀積在襯底表面上。間隔層提供構(gòu)成帽架的材料。間隔層的厚度等于大約帽架的高度。在實(shí)施例中，間隔層的厚度大于隨后形成的有源元件的高度，以便在有源元件與管帽之間產(chǎn)生一空腔。這樣保護(hù)有源元件免受管帽損壞。典型的空腔高度為大約1～10μm。
在實(shí)施方案中，間隔層包含將有源區(qū)電學(xué)絕緣的介質(zhì)材料。間隔層可以包含可直接或間接圖形化的材料。間隔層最好包含能直接圖形化的可圖形化或者光敏材料?？蓤D形化的材料包括例如光敏聚酰亞胺、光敏聚苯并噁唑、光刻膠、基于酚醛樹脂系列的光刻膠、及干膜抗蝕材料。基于酚醛樹脂系列的光刻膠特別有用，因?yàn)樗鼈兌寄芄袒徒宦?lián)聚合以提供改進(jìn)的機(jī)械完整性，這都超過其他類型的不可固化的抗蝕劑。間接可圖形化的材料包括例如甩涂玻璃材料、聚酰亞胺、聚苯并噁唑、聚戊二酰亞胺、苯并環(huán)丁烯、聚合物例如聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)、聚丙烯(PP)、或者無(wú)機(jī)材料例如SiO2、Si3N4、及Al2O3。
作為變通，間隔層能包含多層結(jié)構(gòu)。對(duì)于多層間隔結(jié)構(gòu)，其下面部分包含將LED象素陽(yáng)極絕緣的介質(zhì)特性。如果不必絕緣，則其下面部分不必包含介質(zhì)特性。其上面部分可包含多種多樣的材料例如金屬。使用多層間隔結(jié)構(gòu)是有利的，因?yàn)槠渖厦娌糠帜苓x擇包含強(qiáng)化與管帽或封裝層的密封性的材料。例如，像Al、W、Ni、Cr、Co、Ag、Pt的金屬都是有用的，由于它們?nèi)菀着c金屬管帽形成良好的粘附。聚合物如PE、PP、PS能夠被用來(lái)形成上面部分，以提供與聚合物、玻璃、或金屬管帽的良好粘附性。上面部分和下面部分能包含一層或多層。這些層的總厚度大約等于支架柱的所需高度。
間隔層表面可采用例如化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)來(lái)整平，以利后步的加工處理。提供平整的表面可能是有用的，特別是對(duì)于具有例如0.25μm以下小零件的器件來(lái)說更是如此。
參見圖2d，間隔層被圖形化以形成無(wú)源區(qū)120和器件周邊中的帽架130。由于支架柱被形成在無(wú)源區(qū)內(nèi)，故它們不會(huì)影響有源元件的功能。
有源元件110被形成在有源區(qū)115中。在實(shí)施方案中，有機(jī)LED象素形成在有源區(qū)內(nèi)。有機(jī)LED象素的制作包括例如將一個(gè)或多個(gè)有機(jī)層114淀積在襯底上。有機(jī)層包含例如共軛聚合物或者Alq3。其他類型的有機(jī)層也有用。有機(jī)層的厚度典型地為大約2～200nm。
有機(jī)層覆蓋著底電極條以及支架柱。如有必要，可清除覆蓋支架柱的有機(jī)層部分。利用例如拋光法，能夠做到有選擇地清除有機(jī)層。其他有選擇地清除有機(jī)層的技術(shù)，例如刻蝕、刮擦、或激光燒蝕也能使用。
然后，將頂電極條淀積在襯底上。頂電極條包含導(dǎo)電材料例如Ca、Mg、Ba、Ag、或其混合物。包含低功函數(shù)的其他導(dǎo)電材料也是有用的。頂電極條同底電極條通常是正交的。同底電極條形成對(duì)角線的頂電極條也有用。能利用選擇性淀積來(lái)形成頂電極條。另一方面，利用對(duì)頂電極層進(jìn)行選擇性圖形化以形成條狀的方法，也能構(gòu)成電極條。頂電極條與底電極條的交叉點(diǎn)構(gòu)成有機(jī)LED象素。
參見圖2e，管帽180被安裝在帽架上以密封器件。管帽層包含例如金屬或玻璃。其它類型的保護(hù)有源元件免受環(huán)境影響的管帽，例如陶瓷或金屬化箔，也是有用的。管帽被安裝在支架柱上。多種技術(shù)能用來(lái)安裝管帽層。在實(shí)施方案中，利用粘結(jié)劑來(lái)安裝管帽層。粘結(jié)劑例如自固化粘合劑、UV或熱固化粘合劑、或熱融化粘合劑是有用的。其它的采用低溫焊接材料、超聲鍵合的技術(shù)，或者利用感應(yīng)或激光焊接的焊接技術(shù)，也是有用的。
圖3a-b表示用來(lái)制造器件的一種變通工藝。參見圖3a，提供了包含形成在其表面上的有源元件110的襯底101。在實(shí)施方案中，有源元件包含有機(jī)LED象素以構(gòu)成成象器件。有機(jī)LED象素形成在有源區(qū)115內(nèi)。如圖示，有機(jī)LED象素包含被至少一個(gè)有機(jī)層114分隔開的第一和第二電極112和116。
參見圖3b，間隔層被淀積在襯底上以覆蓋有源元件和無(wú)源區(qū)。對(duì)間隔層進(jìn)行圖形化以構(gòu)成無(wú)源區(qū)120和器件周邊之內(nèi)的帽架130。管帽180被安裝在其上，以封裝器件，如圖2e所示。
圖4a-b表示另一種制作電器件的工藝。參見圖4a，襯底101配備有制作在其上面的有源元件110。在實(shí)施方案中，有源元件包含成象LED器件的有機(jī)LED象素。有源元件被形成在襯底的有源區(qū)115上。有源元件被無(wú)源區(qū)120分隔開。
管帽490被提供來(lái)封裝器件。管帽包含帶有帽架130的管帽層180。帽架圖形與無(wú)源區(qū)和器件周邊相吻合，以包圍有源元件。在實(shí)施方案中，借助于在帽層上淀積間隔層并對(duì)其進(jìn)行圖形化以形成帽架，來(lái)構(gòu)成管帽。如有需要，帽架能夠被制成具有適應(yīng)于零件例如焊點(diǎn)190的不同高度的支架柱。
參見圖4b，管帽被安裝到襯底上以封裝電器件。前述的多種技術(shù)都能被用來(lái)安裝管帽。管帽保護(hù)有源元件免受環(huán)境例如空氣和/或濕氣的影響。
雖然參照各個(gè)實(shí)施方案已特別描述了本發(fā)明，但本技術(shù)領(lǐng)域的熟練人員可以理解，對(duì)本發(fā)明可做出修正和改變而不偏離其構(gòu)思及范圍。因此，本發(fā)明的范圍應(yīng)該不是參照上面的描述來(lái)確定，而是參照所附權(quán)利要求及其等效的全部范圍來(lái)確定。
權(quán)利要求
1．一種器件，包含具有有源區(qū)和無(wú)源區(qū)的襯底；有源區(qū)內(nèi)的有源元件；器件周圍和無(wú)源區(qū)內(nèi)的帽架；帽架上的管帽；和有源元件與管帽之間的空腔。
2．權(quán)利要求1的器件，其中的器件包含有機(jī)OLED器件，該OLED器件包含作為有源元件的OLED象素。
3．權(quán)利要求2的器件，其中的器件包含柔性器件。
4．權(quán)利要求3的器件，其中的管帽包含封裝器件以氣密性密封有源元件的柔性帽。
5．權(quán)利要求4的器件，其中的管帽包含選自玻璃、金屬、陶瓷、或者金屬化箔的材料。
6．權(quán)利要求5的器件，其中襯底包含提供機(jī)械完整性以支持有源元件的柔性襯底。
7．權(quán)利要求6的器件，其中柔性襯底包含塑料、玻璃或半導(dǎo)體材料。
8．權(quán)利要求7的器件，其中襯底包含厚度約為20～300μm。
9．權(quán)利要求4的器件，其中襯底包含提供機(jī)械完整性以支持有源元件的柔性襯底。
10．權(quán)利要求2的器件，其中管帽將器件封裝以氣密性密封有源元件。
11．權(quán)利要求10的器件，其中襯底提供機(jī)械完整性以支持有源元件。
12．權(quán)利要求3的器件，其中管帽將器件封裝以氣密性密封有源元件。
13．權(quán)利要求12的器件，其中襯底提供機(jī)械完整性以支持有源元件。
14．權(quán)利要求1的器件，其中器件包含柔性器件。
15．權(quán)利要求14的器件，其中管帽包含將器件封裝以氣密性密封有源元件的柔性帽。
16．權(quán)利要求15的器件，其中襯底包含提供機(jī)械完整性以支持有源元件的柔性襯底。
17．權(quán)利要求1的器件，其中管帽將器件封裝以氣密性密封有源元件。
18．權(quán)利要求17的器件，其中襯底提供機(jī)械完整性以支持有源元件。
19．權(quán)利要求1的器件，其中襯底提供機(jī)械完整性以支持有源元件。
20．權(quán)利要求1、2、3、6、7、9、11、13、14、16、17或19的器件，其中帽架包含大于有源元件高度的厚度，以便在管蓋與有源元件之間形成空腔，以防止管蓋觸碰有源元件。
21．權(quán)利要求20的器件，其中帽架的厚度產(chǎn)生約為1～10μm的空腔高度。
22．權(quán)利要求21的器件，其中支架柱包含直接或間接可光圖形化的材料。
23．權(quán)利要求22的器件，其中直接可光圖形化的材料選自光敏聚酰亞胺、光敏聚苯并噁唑、光刻膠、基于酚醛樹脂系列的光刻膠、或干膜抗蝕材料，而間接可光圖形化的材料選自甩涂玻璃、聚酰亞胺、聚苯并噁唑、聚戊二酰亞胺、苯并環(huán)丁烯、聚合物、聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、無(wú)機(jī)材料、SiO2、Si3N4、或Al2O3。
24．權(quán)利要求20的器件，其中支架柱包含直接或間接可光圖形化的材料。
25．權(quán)利要求24的器件，其中直接可光圖形化的材料選自光敏聚酰亞胺、光敏聚苯并噁唑、光刻膠、基于酚醛樹脂系列的光刻膠、或干膜抗蝕材料，而間接可光圖形化的材料選自甩涂玻璃、聚酰亞胺、聚苯并噁唑、聚戊二酰亞胺、苯并環(huán)丁烯、聚合物、聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、無(wú)機(jī)材料、SiO2、Si3N4、或Al2O3。
26．權(quán)利要求20的器件，其中帽架包含具有至少第一和第二支持層的多層結(jié)構(gòu)。
27．權(quán)利要求26的器件，其中第一層包含介質(zhì)材料以便為有源元件提供電學(xué)絕緣。
28．權(quán)利要求27的器件，其中第一及第二支持層包含直接或間接可光圖形化的材料。
29．權(quán)利要求26的器件，其中第一及第二支持層包含直接或間接可光圖形化的材料。
30．一種制造器件的方法，包含提供襯底；確定襯底上的有源區(qū)和無(wú)源區(qū)；用由帽架支持的管帽來(lái)封裝器件，該帽架位于無(wú)源區(qū)和器件周邊內(nèi)。
31．權(quán)利要求30的方法，其中器件包含有機(jī)LED(OLED)，該有機(jī)LED包含作為有源元件的OLED象素。
32．權(quán)利要求31的方法，其中OLED器件包含柔性O(shè)LED器件。
33．權(quán)利要求30的方法，其中器件包含柔性器件。
34．權(quán)利要求30、31、32、或33的方法，其中管帽包括帽架。
35．權(quán)利要求34的方法，其中帽架在有源元件與管帽之間產(chǎn)生空腔，該空腔防止管帽觸碰有源元件。
36．權(quán)利要求35的方法，其中器件的封裝使有源元件被氣密性密封。
37．權(quán)利要求31或32的方法還包括形成帽架。
38．權(quán)利要求37的方法，其中帽架的形成包含在襯底上形成間隔層；以及對(duì)間隔層進(jìn)行圖形化以形成帽架。
39．權(quán)利要求38的方法還包含在形成帽架之前或之后，將有源元件形成在有源區(qū)內(nèi)。
40．權(quán)利要求39的方法，其中有源元件的形成包含在襯底上形成第一電極層；對(duì)第一電極層進(jìn)行圖形化以形成第一電極；在電極上形成至少一個(gè)有機(jī)層；在有機(jī)層上形成第二電極層；以及對(duì)第二電極層進(jìn)行圖形化，以便在有機(jī)層上形成第二電極。
41．權(quán)利要求40的方法，其中器件的封裝包含將管帽安裝在帽架上以氣密性密封器件。
42．權(quán)利要求37的方法還包含在形成帽架之前或之后，將有源元件形成在有源區(qū)內(nèi)。
43．權(quán)利要求42的方法，其中器件的封裝包含將管帽安裝在帽架上以氣密性密封器件。
44．權(quán)利要求31或32的方法還包含在襯底上形成第一電極層；對(duì)第一電極層進(jìn)行圖形化以形成OLED象素的第一電極。
45．權(quán)利要求44的方法還包括形成帽架，包含在襯底和第一電極上形成間隔層；以及對(duì)間隔層進(jìn)行圖形化以形成帽架。
46．權(quán)利要求45的方法還包含在形成帽架之前或之后，將有源元件形成在有源區(qū)內(nèi)。
47．權(quán)利要求46的方法，其中有源元件的形成包含在第一電極上形成至少一個(gè)有機(jī)層；在有機(jī)層上形成第二電極層；以及對(duì)第二電極層進(jìn)行圖形化以便在有機(jī)層上形成第二電極。
48．權(quán)利要求47的方法，其中器件的封裝包含將管帽安裝在帽架上以氣密性密封器件。
49．權(quán)利要求45的方法，其中器件的封裝包含將管帽安裝在帽架上以氣密性密封器件。
50．權(quán)利要求46的方法，其中器件的封裝包含將管帽安裝在帽架上以氣密性密封器件。
51．權(quán)利要求30或33的方法還包含形成帽架。
52．權(quán)利要求51的方法，其中帽架的形成包含在襯底上形成間隔層；以及對(duì)間隔層進(jìn)行圖形化以形成帽架。
53．權(quán)利要求52的方法還包含在形成帽架之前或之后，將有源元件形成在有源區(qū)內(nèi)。
54．權(quán)利要求53的方法，其中器件的封裝包含將管帽安裝在帽架上以氣密性密封器件。
55．權(quán)利要求51的方法還包含在形成帽架之前或之后，將有源元件形成在有源區(qū)內(nèi)。
56．權(quán)利要求55的方法，其中器件的封裝包含將管帽安裝在帽架上以氣密性密封器件。
全文摘要
公開了電器件(100)的一種封裝。在器件(100)的無(wú)源區(qū)(120)中提供了帽架(130)，以防止由管殼內(nèi)產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力造成的管殼觸碰器件的有源元件(110)。
文檔編號(hào)H01L21/44GK1317154SQ99810736
公開日2001年10月10日 申請(qǐng)日期1999年7月9日 優(yōu)先權(quán)日1999年7月9日
發(fā)明者E·K·M·格恩特爾 申請(qǐng)人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體股份有限兩合公司