一種修調(diào)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及大規(guī)模集成電路的測(cè)試領(lǐng)域，特別是涉及一種芯片的參數(shù)修調(diào)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有大規(guī)模集成電路在進(jìn)行測(cè)試時(shí)，經(jīng)常出現(xiàn)某些芯片的參數(shù)需要修調(diào)，因?yàn)樯a(chǎn)的原因，這些參數(shù)的本征值存在差別，需要修調(diào)到一定的范圍內(nèi)。為了達(dá)到這個(gè)目的，有的芯片的這個(gè)特性需要負(fù)的修調(diào)，而有的則需要正的修調(diào)，導(dǎo)致每個(gè)芯片的修調(diào)值發(fā)生不一致的情況。
[0003]但是大型邏輯測(cè)試儀器在測(cè)試芯片時(shí)，從生產(chǎn)的角度考慮，往往采用大規(guī)模的同時(shí)測(cè)試，這與上述修調(diào)的目的相矛盾，為了兼顧二者的平衡，需要找到一種更有效的辦法，在保證大規(guī)模量產(chǎn)的同時(shí)提高修調(diào)的準(zhǔn)確度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種新型的修調(diào)方法。該方法是一種電參數(shù)相關(guān)的新型的修調(diào)方法，并能解決在電路中因修調(diào)參數(shù)的多樣化而導(dǎo)致了測(cè)試時(shí)間的成倍增長(zhǎng)問(wèn)題，且該方法較為簡(jiǎn)練，縮短測(cè)試時(shí)間。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的新型的修調(diào)方法，包括步驟:通過(guò)技術(shù)判斷，分析出測(cè)試單位是屬于晶圓的中間區(qū)域，還是周邊區(qū)域，從而使中間區(qū)域的修調(diào)目標(biāo)值和周邊區(qū)域的修調(diào)目標(biāo)值能夠分開(kāi)；
[0006]其中，針對(duì)晶圓的中間區(qū)域的修調(diào)目標(biāo)值的設(shè)定方法，包括:
[0007]I)在每枚晶圓開(kāi)始測(cè)試前，先在晶圓的中間區(qū)域內(nèi)部選定2個(gè)以上的能夠代表晶圓面內(nèi)分布特征的位置，每個(gè)位置選擇一個(gè)測(cè)試單位；
[0008]2)晶圓開(kāi)始測(cè)試時(shí)，先移動(dòng)探針卡到上述測(cè)試單位，對(duì)每個(gè)單位中的每個(gè)芯片上的每個(gè)需要修調(diào)的參數(shù)進(jìn)行分析，然后將其取平均值，從而獲得與該測(cè)試單位相對(duì)應(yīng)的修調(diào)目標(biāo)值；
[0009]3)所有測(cè)試單位的目標(biāo)值獲得之后，取其平均值；
[0010]4)將3)中獲得的平均值作為該晶圓上中間區(qū)域內(nèi)部所有測(cè)試單位內(nèi)的所有芯片的修調(diào)目標(biāo)值，同時(shí)寫(xiě)到芯片中，供芯片在后續(xù)的測(cè)試以及正常工作中使用；
[0011]針對(duì)晶圓的周邊區(qū)域的修調(diào)目標(biāo)值的設(shè)定方法，包括:
[0012]i)在每枚晶圓開(kāi)始測(cè)試前，先在晶圓的周邊域內(nèi)部選定2個(gè)以上的能夠代表晶圓面內(nèi)分布特征的測(cè)試單位；
[0013]ii)晶圓開(kāi)始測(cè)試時(shí)，先移動(dòng)探針卡到上述測(cè)試單位，對(duì)每個(gè)單位中的每個(gè)芯片上的每個(gè)需要修調(diào)的參數(shù)進(jìn)行分析，獲得到其對(duì)應(yīng)的修調(diào)目標(biāo)值；
[0014]iii)所有測(cè)試單位的修調(diào)目標(biāo)值獲得之后，取其平均值；
[0015]iv)將上述iii)獲得的平均值作為該晶圓上周邊區(qū)域內(nèi)部所有測(cè)試單位內(nèi)的所有芯片的修調(diào)目標(biāo)值，同時(shí)寫(xiě)到芯片中，供芯片在后續(xù)的測(cè)試以及正常工作中使用。
[0016]所述I)中，能夠代表晶圓面內(nèi)分布特征的位置包括:上、下、左、右、中間的位置。
[0017]所述I)中，測(cè)試單位可為探針卡上位一次所能扎到的芯片數(shù)作為一個(gè)測(cè)試單位。
[0018]所述2)、ii)中，需要修調(diào)的參數(shù)可以包括:芯片電路的基準(zhǔn)電壓、基準(zhǔn)電流、基準(zhǔn)頻率以及以它們?yōu)閰⒄斩傻膮?shù)(其他參數(shù))等。
[0019]所述i)中，能夠代表晶圓面內(nèi)分布特征的測(cè)試單位可包括:以晶圓的圓心為平面直角坐標(biāo)系的原點(diǎn)，把圓周的360度分成N等份，其中，N為2以上的整數(shù)，以每隔一定的度數(shù)即360/N(例如360/4 = 90度)度設(shè)定一個(gè)測(cè)試單位。另外，該測(cè)試單位還可包括:將圓心所在的位置也取樣作為一個(gè)測(cè)試單位。
[0020]所述4)、iv)中，寫(xiě)到芯片中的方法可為并行寫(xiě)入的方式。
[0021]通過(guò)本發(fā)明，可以將周邊區(qū)域測(cè)試單位的修調(diào)目標(biāo)值和中間區(qū)域的修調(diào)目標(biāo)值進(jìn)行分別設(shè)定，這種設(shè)定真正考慮到了晶圓的周邊和中心兩個(gè)明顯不同區(qū)域所具備的不同特征，將兩個(gè)區(qū)域內(nèi)部的每個(gè)參數(shù)修調(diào)的目標(biāo)值各自統(tǒng)一了。另外，在將其寫(xiě)入到芯片中時(shí)，可以采用并行寫(xiě)入的方式，而非一個(gè)一個(gè)串行寫(xiě)入，大大縮短的測(cè)試時(shí)間。
【附圖說(shuō)明】
[0022]下面結(jié)合附圖與【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明:
[0023]圖1是探針卡上位為一次能夠扎到16個(gè)芯片時(shí)，該16個(gè)芯片為一個(gè)測(cè)試單位的示意圖；
[0024]圖2是測(cè)試前在晶圓中間和周邊分別選擇幾個(gè)有代表性的測(cè)試單位進(jìn)行目標(biāo)值的分析和定義的示意圖；
[0025]圖3是中心區(qū)域的修調(diào)目標(biāo)值為上限(upper limit)、下限(lower limit)后，每個(gè)芯片存在5個(gè)不同的參數(shù)需要進(jìn)行修調(diào)的示意圖；
[0026]圖4是周邊區(qū)域的修調(diào)目標(biāo)值為上限(upper limit)、下限(lower limit)后，每個(gè)芯片存在5個(gè)不同的參數(shù)需要進(jìn)行修調(diào)的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]本發(fā)明的修調(diào)方法，其步驟可如下:
[0028]通過(guò)技術(shù)判斷，能夠分析出待需要檢測(cè)的測(cè)試單位是屬于晶圓的中間區(qū)域，還是周邊區(qū)域，從而使中間區(qū)域的修調(diào)目標(biāo)值和周邊區(qū)域的修調(diào)目標(biāo)值能夠分開(kāi)；
[0029]其中，針對(duì)晶圓的中間區(qū)域的修調(diào)目標(biāo)值的設(shè)定方法，可如下:
[0030]I)在每枚晶圓開(kāi)始測(cè)試前，先在晶圓的中間區(qū)域內(nèi)部選定2個(gè)以上的能夠代表晶圓面內(nèi)分布特征的位置(如上、下、左、右、中間這5個(gè)位置，如圖2所示)，每個(gè)位置選擇一個(gè)測(cè)試單位；
[0031]其中，測(cè)試單位可為探針卡上位一次所能扎到的芯片數(shù)作為一個(gè)測(cè)試單位，如圖1所示，探針卡上位為一次能夠扎到16個(gè)芯片時(shí)，該16個(gè)芯片為一個(gè)測(cè)試單位。
[0032]2)晶圓開(kāi)始測(cè)試時(shí)，先移動(dòng)探針卡到上述測(cè)試單位(如上、下、左、右、中間這5個(gè)位置上的5個(gè)測(cè)試單位)，對(duì)每個(gè)單位中的每個(gè)芯片上的每個(gè)需要修調(diào)的參數(shù)進(jìn)行分析，然后將其取平均值，從而獲得與該測(cè)試單位相對(duì)應(yīng)的修調(diào)目標(biāo)值(如圖3所示)；其中，該修調(diào)目標(biāo)值由電路設(shè)計(jì)人員根據(jù)產(chǎn)品的特性需求來(lái)進(jìn)行定義。
[0033]另外，步驟2)和以下的ii)中，需要修調(diào)的參數(shù)可以為芯片電路的基準(zhǔn)電壓、基準(zhǔn)電流、基準(zhǔn)頻率以及以它們?yōu)閰⒄斩傻钠渌麉?shù)等。
[0034]3)所有測(cè)試單位的目標(biāo)值獲得之后，取其平均值；
[0035]4)將3)中獲得的平均值作為該晶圓上中間區(qū)域內(nèi)部所有測(cè)試單位內(nèi)的所有芯片的修調(diào)目標(biāo)值，同時(shí)寫(xiě)到芯片中(如采用并行寫(xiě)入的方式)，供芯片在后續(xù)的測(cè)試以及正常工作中使用；
[0036]針對(duì)晶圓的周邊區(qū)域的修調(diào)目標(biāo)值的設(shè)定方法，包括:
[0037]i)在每枚晶圓開(kāi)始測(cè)試前，先在晶圓的周邊域內(nèi)部選定2個(gè)以上的能夠代表晶圓面內(nèi)分布特征的測(cè)試單位(如圖2所示)；
[0038]其中，能夠代表晶圓面內(nèi)分布特征的測(cè)試單位可按照以下的方法進(jìn)行設(shè)定:
[0039]以晶圓的圓心為平面直角坐標(biāo)系的原點(diǎn)，把圓周的360度分成N等份，其中，N為2以上的整數(shù)，以每隔360/N(例如360/4 = 90度)度設(shè)定一個(gè)測(cè)試單位。另外，圓心所在的位置也取樣作為一個(gè)測(cè)試單位。
[0040]ii)晶圓開(kāi)始測(cè)試時(shí)，先移動(dòng)探針卡到上述測(cè)試單位，對(duì)每個(gè)單位中的每個(gè)芯片上的每個(gè)需要修調(diào)的參數(shù)進(jìn)行分析，獲得到其對(duì)應(yīng)的修調(diào)目標(biāo)值(如圖4所示)；
[0041]iii)所有測(cè)試單位的修調(diào)目標(biāo)值獲得之后，取其平均值；
[0042]iv)將上述iii)獲得的平均值作為該晶圓上周邊區(qū)域內(nèi)部所有測(cè)試單位內(nèi)的所有芯片的修調(diào)目標(biāo)值，同時(shí)寫(xiě)到芯片中(如采用并行寫(xiě)入的方式)，供芯片在后續(xù)的測(cè)試以及正常工作中使用。
[0043]通過(guò)上述方法，分別對(duì)中間和周邊區(qū)域進(jìn)行了操作，因而，通過(guò)本發(fā)明，能將周邊和中間兩個(gè)不同區(qū)域內(nèi)的測(cè)試單位內(nèi)部的每個(gè)參數(shù)修調(diào)的目標(biāo)值分別進(jìn)行了統(tǒng)一，并且在將其寫(xiě)入到芯片中時(shí)，可以采用并行寫(xiě)入的方式，而非一個(gè)一個(gè)串行寫(xiě)入，大大縮短的測(cè)試時(shí)間。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種修調(diào)方法，其特征在于，包括步驟:通過(guò)技術(shù)判斷，分析出測(cè)試單位是屬于晶圓的中間區(qū)域，還是周邊區(qū)域，從而使中間區(qū)域的修調(diào)目標(biāo)值和周邊區(qū)域的修調(diào)目標(biāo)值能夠分開(kāi); 其中，針對(duì)晶圓的中間區(qū)域的修調(diào)目標(biāo)值的設(shè)定方法，包括: 1)在每枚晶圓開(kāi)始測(cè)試前，先在晶圓的中間區(qū)域內(nèi)部選定2個(gè)以上的能夠代表晶圓面內(nèi)分布特征的位置，每個(gè)位置選擇一個(gè)測(cè)試單位； 2)晶圓開(kāi)始測(cè)試時(shí)，先移動(dòng)探針卡到上述測(cè)試單位，對(duì)每個(gè)單位中的每個(gè)芯片上的每個(gè)需要修調(diào)的參數(shù)進(jìn)行分析，然后將其取平均值，從而獲得與該測(cè)試單位相對(duì)應(yīng)的修調(diào)目標(biāo)值； 3)所有測(cè)試單位的目標(biāo)值獲得之后，取其平均值； 4)將3)中獲得的平均值作為該晶圓上中間區(qū)域內(nèi)部所有測(cè)試單位內(nèi)的所有芯片的修調(diào)目標(biāo)值，同時(shí)寫(xiě)到芯片中，供芯片在后續(xù)的測(cè)試以及正常工作中使用； 針對(duì)晶圓的周邊區(qū)域的修調(diào)目標(biāo)值的設(shè)定方法，包括: i)在每枚晶圓開(kāi)始測(cè)試前，先在晶圓的周邊域內(nèi)部選定2個(gè)以上的能夠代表晶圓面內(nèi)分布特征的測(cè)試單位； ?)晶圓開(kāi)始測(cè)試時(shí)，先移動(dòng)探針卡到上述測(cè)試單位，對(duì)每個(gè)單位中的每個(gè)芯片上的每個(gè)需要修調(diào)的參數(shù)進(jìn)行分析，獲得到其對(duì)應(yīng)的修調(diào)目標(biāo)值； iii)所有測(cè)試單位的修調(diào)目標(biāo)值獲得之后，取其平均值； iv)將上述iii)獲得的平均值作為該晶圓上周邊區(qū)域內(nèi)部所有測(cè)試單位內(nèi)的所有芯片的修調(diào)目標(biāo)值，同時(shí)寫(xiě)到芯片中，供芯片在后續(xù)的測(cè)試以及正常工作中使用。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述I)中，能夠代表晶圓面內(nèi)分布特征的位置包括:上、下、左、右、中間的位置。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述I)中，測(cè)試單位為探針卡上位一次所能扎到的芯片數(shù)作為一個(gè)測(cè)試單位。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述2)、ii)中，需要修調(diào)的參數(shù)包括:芯片電路的基準(zhǔn)電壓、基準(zhǔn)電流、基準(zhǔn)頻率以及以它們?yōu)閰⒄斩傻膮?shù)。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述2)中，修調(diào)目標(biāo)值由電路設(shè)計(jì)人員根據(jù)產(chǎn)品的特性需求來(lái)進(jìn)行定義。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述i)中，能夠代表晶圓面內(nèi)分布特征的測(cè)試單位包括:以晶圓的圓心為平面直角坐標(biāo)系的原點(diǎn)，把圓周的360度分成N等份，其中，N為2以上的整數(shù)，以每隔360/N度設(shè)定一個(gè)測(cè)試單位。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于:所述測(cè)試單位還包括:將圓心所在的位置也取樣作為一個(gè)測(cè)試單位。
8.如權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于:所述N為4。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述4)、iv)中，寫(xiě)到芯片中的方法可為并行寫(xiě)入的方式。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種修調(diào)方法，包括步驟：通過(guò)技術(shù)判斷，分析出測(cè)試單位是屬于晶圓的中間區(qū)域，還是周邊區(qū)域，從而使中間區(qū)域的修調(diào)目標(biāo)值和周邊區(qū)域的修調(diào)目標(biāo)值能夠分開(kāi)。通過(guò)本發(fā)明，可以將周邊區(qū)域測(cè)試單位的修調(diào)目標(biāo)值和中間區(qū)域的修調(diào)目標(biāo)值進(jìn)行分別設(shè)定，這種設(shè)定真正考慮到了晶圓的周邊和中心兩個(gè)明顯不同區(qū)域所具備的不同特征，將兩個(gè)區(qū)域內(nèi)部的每個(gè)參數(shù)修調(diào)的目標(biāo)值各自統(tǒng)一了。另外，在將其寫(xiě)入到芯片中時(shí)，可以采用并行寫(xiě)入的方式，而非一個(gè)一個(gè)串行寫(xiě)入，大大縮短的測(cè)試時(shí)間。
【IPC分類(lèi)】H01L21-66, G01R31-26
【公開(kāi)號(hào)】CN104538327
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410842344
【發(fā)明人】辛吉升, 謝晉春
【申請(qǐng)人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
【公開(kāi)日】2015年4月22日
【申請(qǐng)日】2014年12月29日