內(nèi)電極漿料的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及導(dǎo)電漿料技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種內(nèi)電極漿料。
【背景技術(shù)】
[0002] 從近年來的市場發(fā)展來看,多層陶瓷電容器(MLCC)正越來越多地進(jìn)入高電容領(lǐng) 域,目前占主導(dǎo)地位的是100UF的多層陶瓷電容器,未來將更多地出現(xiàn)100iiF的產(chǎn)品。小 型化和高容量是MLCC的未來發(fā)展方向。但是在應(yīng)用于使用NPO(negativepositivezero) 瓷料的MLCC時,傳統(tǒng)的鎳內(nèi)電極漿料只能滿足低頻、低層數(shù)特性的MLCC產(chǎn)品需求,在使用 到高層數(shù)MLCC產(chǎn)品時,極易出現(xiàn)因與介質(zhì)匹配性差而導(dǎo)致產(chǎn)品分層、開裂的問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003] 基于此,有必要提供一種能夠滿足高頻、高容量多層陶瓷電容器使用的內(nèi)電極漿 料。
[0004] 一種內(nèi)電極漿料,按質(zhì)量百分比計,包括如下組分:
[0005]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種內(nèi)電極漿料,其特征在于,按質(zhì)量百分比計,包括如下組分:
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)電極漿料,其特征在于,所述鎳粉的比表面積為1. 0m2/g? 2. 0m2/g。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)電極漿料,其特征在于,所述陶瓷粉選自碳酸鈣陶瓷粉、 二氧化鋯陶瓷粉、二氧化鋯復(fù)合陶瓷粉、鈦酸鋇陶瓷粉、第一微波陶瓷粉及第二微波陶瓷 粉中的一種,所述第一微波陶瓷粉的主晶相結(jié)構(gòu)式為BaNd 2X (Sm(tl ~ 1/3)Pr(CI ~ 1/3)) 2 (1_x) Ti5014, 0? 6彡X彡0? 8,所述第二微波陶瓷粉的主晶相結(jié)構(gòu)式為Mgx (Zn卜1/3)Ca卜2/3)) hTiOy 0? 9 彡 X 彡 0? 95。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的內(nèi)電極漿料,其特征在于,所述二氧化鋯復(fù)合陶瓷粉包括二 氧化鋯、氧化釔和添加劑,所述添加劑選自氧化鋁、氧化鎂及氧化鈣中的至少一種。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的內(nèi)電極漿料,其特征在于,所述第一微波陶瓷粉還包括第一 改性添加劑和第一燒結(jié)助熔劑,所述第一改性添加劑包括三氧化二鉍、氧化鈣和二氧化錫, 所述第一燒結(jié)助熔劑包括二氧化硅。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的內(nèi)電極漿料,其特征在于,所述第二微波陶瓷粉還包括第二 改性添加劑和第二燒結(jié)助熔劑,所述第二改性添加劑包括氧化鋁、氧化錳和四氧化三鈷,所 述第二燒結(jié)助熔劑包括二氧化硅。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)電極漿料,其特征在于,所述有機(jī)溶劑選自高分子醇類溶 齊U、酯類溶劑和烴類溶劑中的至少一種。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)電極漿料,其特征在于,所述高分子樹脂選自乙基纖維素、 松香樹脂和聚氨酯樹脂中的至少一種。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)電極漿料,其特征在于,所述有機(jī)添加劑為硅氧烷溶液。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種內(nèi)電極漿料,該內(nèi)電極漿料按質(zhì)量百分比計,包括如下組分:鎳粉45~55%、陶瓷粉5~15%、有機(jī)溶劑28~35%、高分子樹脂3~6%及有機(jī)添加劑0.1~3%。通過將鎳粉、陶瓷粉、有機(jī)溶劑、高分子樹脂和有機(jī)添加劑進(jìn)行合適配比得到上述內(nèi)電極漿料,鎳粉使該內(nèi)電極漿料燒結(jié)后具有電極連續(xù)性好的優(yōu)點(diǎn),不會影響絲網(wǎng)印刷性能,不易出現(xiàn)粘網(wǎng)或塞網(wǎng)的現(xiàn)象;陶瓷粉能夠抑制內(nèi)電極層的收縮,有效抑制芯片的開裂分層;有機(jī)添加劑使鎳粉和陶瓷粉能均勻、穩(wěn)定分散在漿料體系中;高分子樹脂和有機(jī)溶劑能確保內(nèi)電極漿料完整、均勻的印刷出所需圖形。上述內(nèi)電極漿料能夠滿足高頻、高容量多層陶瓷電容器的使用需求。
【IPC分類】H01G4-008
【公開號】CN104576043
【申請?zhí)枴緾N201410629446
【發(fā)明人】歐陽銘, 廖明雅, 唐浩, 宋永生, 張彩云, 葉向紅
【申請人】廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2014年11月7日