集成電路硅片劃片方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路芯片封裝領(lǐng)域，特別是涉及一種集成電路硅片劃片方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前硅片的劃片技術(shù)有金剛刀劃片和激光劃片，均是對整個(gè)硅片進(jìn)行切割，然后整張硅片進(jìn)行固晶邦定封裝。隨著硅片制造工藝的不斷發(fā)展，集成電路硅片越做越大，從4-1nch — 6-1nch — 8-1nch — 12-1nch — 18-1nch —…，單位面積上芯片的數(shù)量越來越多，單位面積芯片制作的成本越來越低。隨著硅片尺寸變大，封裝中固晶設(shè)備也需要不斷進(jìn)行更新?lián)Q代，而封裝廠固有的舊設(shè)備就無法適應(yīng)大尺寸硅片固晶，往往處于閑置狀態(tài)，或者只能接受小尺寸硅片固晶加工，大尺寸硅片的芯片推廣受到限制。
[0003]無論金剛刀劃片或者激光劃片，量產(chǎn)前均需要進(jìn)行工藝的優(yōu)化和定型，目前劃片廠均是對整片晶圓(Wafer)進(jìn)行一個(gè)工藝條件劃片，多個(gè)工藝條件需要多張硅片，工藝的優(yōu)化和定型需消耗多張硅片。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種集成電路硅片劃片方法，能夠適應(yīng)舊封裝設(shè)備(固晶)生產(chǎn)需求，提高機(jī)臺(tái)利用率。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的集成電路硅片劃片方法，包括如下步驟:
[0006]步驟一、將大于8-1nch (英寸)的娃片減薄至適合封裝的厚度；
[0007]步驟二、通過劃片工藝方法將所述硅片切割成多個(gè)小塊硅片；
[0008]步驟三、通過劃片工藝方法將各小塊硅片分別切割分開每顆芯片；
[0009]步驟四、將所述各小塊硅片轉(zhuǎn)貼到帶UV膜或藍(lán)膜的小尺寸繃架上；
[0010]步驟五、將所述小尺寸繃架放置到固晶設(shè)備上進(jìn)行正常固晶。
[0011]米用本發(fā)明的方法，將大于8-1nch的娃片劃片成多個(gè)小塊娃片，多個(gè)小塊娃片尺寸較小可以裝配到小尺寸繃架上，這樣能夠滿足現(xiàn)有舊固晶設(shè)備需求，最終提高舊固晶設(shè)備利用率。尤其是對于12-1nch以上硅片，目前12-1nch以上固晶設(shè)備還未普及，市場上固晶設(shè)備還是以8-1nch為主，有利于在現(xiàn)有固晶設(shè)備條件下推廣大尺寸硅片芯片(大于8_inch)0
[0012]米用本發(fā)明的方法，將大于8-1nch的娃片劃片成多個(gè)小塊娃片后,對每小塊娃片可以采用不同劃片工藝條件，實(shí)現(xiàn)工藝條件的優(yōu)化和定型，節(jié)省硅片資源。
【附圖說明】
[0013]下面結(jié)合附圖與【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明:
[0014]附圖是所述集成電路硅片劃片方法實(shí)施例示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]參見附圖所示，所述集成電路硅片劃片方法在下面的實(shí)施例中，具體步驟如下:
[0016]步驟一、將大尺寸娃片(8-1nch)減薄至適合封裝的厚度,如100?300 μ m。
[0017]步驟二、采用劃片工藝方法將所述硅片切割成多個(gè)小塊硅片；例如每個(gè)小塊硅片可以是1/2塊,1/4塊,1/9塊。
[0018]步驟三、采用劃片工藝方法將各小塊硅片分別切割分開每顆芯片；切割每小塊硅片的劃片工藝條件可以相同，也可以不相同，以實(shí)現(xiàn)工藝條件的優(yōu)化和定型，節(jié)省硅片資源。
[0019]步驟四、將所述各小塊硅片轉(zhuǎn)貼到帶UV膜或藍(lán)膜的小尺寸繃架上；
[0020]所述小尺寸繃架，例如4-1nch、6_inch或8-1nch,符合固晶設(shè)備需求，如8_inch固晶機(jī)。
[0021]步驟五、將帶UV膜或藍(lán)膜的小尺寸繃架(含芯片)放置到現(xiàn)有舊的固晶設(shè)備上進(jìn)行正常固晶。各小尺寸繃架小塊硅片如1/2 ±夾，1/4 ±夾，1/9塊。
[0022]附圖是將12-1nch硅片一劃4劃片的具體實(shí)施例，圖中，I表示繃架，2表示UV膜或者藍(lán)膜，Φ為繃架類型(適合12-1nch或者8-1nch直徑晶圓)，單位英寸(inch)。
[0023]以上通過【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，但這些并非構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種集成電路硅片劃片方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟一、將大于8-1nch的娃片減薄至適合封裝的厚度； 步驟二、通過劃片工藝方法將所述硅片切割成多個(gè)小塊硅片； 步驟三、通過劃片工藝方法將各小塊硅片分別切割分開每顆芯片； 步驟四、將所述各小塊硅片轉(zhuǎn)貼到帶UV膜或藍(lán)膜的小尺寸繃架上； 步驟五、將所述小尺寸繃架放置到固晶設(shè)備上進(jìn)行正常固晶。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述小塊硅片為1/2塊、1/4塊或1/9塊。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述小尺寸繃架為4-1nch、6-1nch或8-1ncho
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:實(shí)施步驟三時(shí)，切割每小塊硅片的劃片工藝條件可以相同，也可以不相同，以實(shí)現(xiàn)工藝條件的優(yōu)化和定型。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種集成電路硅片劃片方法，包括如下步驟：步驟一、將大于8-inch的硅片減薄至適合封裝的厚度；步驟二、通過劃片工藝方法將所述硅片切割成多個(gè)小塊硅片；步驟三、通過劃片工藝方法將各小塊硅片分別切割分開每顆芯片；步驟四、將所述各小塊硅片轉(zhuǎn)貼到帶UV膜或藍(lán)膜的小尺寸繃架上；步驟五、將帶UV膜或藍(lán)膜的小尺寸繃架（含芯片）放置到舊的固晶設(shè)備上進(jìn)行正常固晶。本發(fā)明能夠適應(yīng)舊封裝設(shè)備（固晶）生產(chǎn)需求，提高機(jī)臺(tái)利用率。
【IPC分類】H01L21-78
【公開號(hào)】CN104637875
【申請?zhí)枴緾N201310561327
【發(fā)明人】肖海濱, 金瑋, 孫衛(wèi)紅
【申請人】上海華虹集成電路有限責(zé)任公司
【公開日】2015年5月20日
【申請日】2013年11月12日