圓形qfn封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種高密度圓形扁平無引腳封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路行業(yè)的飛速發(fā)展，用于各類電子產(chǎn)品的芯片，向著高集成度，高性能，低成本，低功耗，小尺寸發(fā)展。與此同時，各類芯片的封裝技術(shù)也在不斷地突破和革新，以更好的適應(yīng)當前電子產(chǎn)品小型化，便攜化，高性能的步伐。
[0003]QFN封裝是一種無引腳封裝，十分輕薄，傳統(tǒng)的QFN封裝外觀多為矩形，元件底部具有水平焊端，在中央有一個用來導(dǎo)熱的大面積裸露的焊盤，圍繞大焊盤的外圍四周有實現(xiàn)電氣連接的I/o焊端，它有利于降低引腳間的自感應(yīng)系數(shù)，在高頻領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢明顯。QFN采用周邊引腳方式使PCB布線更靈活。這些特點使QFN滿足了在某一部分電子產(chǎn)品對體積、重量、熱性能、電性能得要求，從而得到了廣泛應(yīng)用。
[0004]對于傳統(tǒng)的QFN封裝來說存在一定的缺點:導(dǎo)電焊盤只分布在導(dǎo)熱焊盤周圍，對于I/o數(shù)量有一定的限制；對于多引腳的芯片，方形的封裝所需面積大；方形的導(dǎo)熱焊盤易在四個邊角堆積信號，降低了其抗干擾的能力；在焊接時，導(dǎo)電焊盤之間易造成橋接短路。
[0005]

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了進一步改善傳統(tǒng)QFN封裝的性能，本發(fā)明提出了一種高密度的圓形扁平無引腳封裝結(jié)構(gòu)，提高了封裝的抗干擾能力及導(dǎo)熱性，縮小了體積，而且突破了 I/o數(shù)目的限制，為多層芯片的封裝提供了一種結(jié)構(gòu)參考。
[0007]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種高密度的圓形扁平無引腳封裝結(jié)構(gòu)，包括:塑封體，芯片，金線，芯片基島，引線框架，導(dǎo)熱焊盤以及導(dǎo)電焊盤。
[0008]所述的圓形塑封體為絕緣材質(zhì)，填充在整個封裝結(jié)構(gòu)的空間內(nèi)部。
[0009]所述芯片的芯片基島為矩形，芯片基島底部為導(dǎo)熱焊盤，所述導(dǎo)熱焊盤為圓形。
[0010]所述導(dǎo)電焊盤環(huán)形排布于所述導(dǎo)熱焊盤外側(cè)四周，每層導(dǎo)電焊盤呈圓弧形交叉排列。
[0011]所述導(dǎo)電焊盤為對邊倒圓矩形。
[0012]所述導(dǎo)電焊盤，其特征在于，對邊倒圓矩形的倒圓半徑不小于所倒邊長度的一半。
[0013]采用本發(fā)明中的封裝結(jié)構(gòu)后，對傳統(tǒng)的QFN封裝結(jié)構(gòu)進行了如下優(yōu)化:首先，采用圓形的封裝體，可減小封裝體的體積，同時圓形的封裝結(jié)構(gòu)及導(dǎo)熱焊盤的設(shè)計能夠更好的傳遞信號，提高抗干擾能力，增加導(dǎo)熱能力及可靠性。
[0014]進一步地，對邊倒圓矩形的導(dǎo)電焊盤使得芯片的可焊性有所提高，在焊接時焊錫不易外溢而造成短路。
[0015]進一步地，電焊盤環(huán)形排布于所述導(dǎo)熱焊盤外側(cè)四周，每層導(dǎo)電焊盤呈圓弧形交叉排列，這樣的結(jié)構(gòu)不僅有利于散熱，同時增加了 I/o數(shù)目，為多引腳芯片的封裝及多層芯片的封裝提供了一種有效的結(jié)構(gòu)。
【附圖說明】
[0016]圖1是本發(fā)明中圓形扁平無引腳多層交叉導(dǎo)電焊盤封裝結(jié)構(gòu)底部焊盤示意圖；
圖2是本發(fā)明中高密度圓形扁平無引腳封裝結(jié)構(gòu)俯視圖；
圖3是圖1沿A-A直線的剖面圖；
圖4是圖2沿B-B直線的剖面圖；
以上附圖中:1.塑封體2.芯片3.銀膠4.芯片基島5.引線框架6.金線7.導(dǎo)熱焊盤8.導(dǎo)電焊盤。
【具體實施方式】
[0017]為使本發(fā)明的上述特征、目的和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細的說明。由于本發(fā)明重在解釋原理，因此，未按比例制圖。
[0018]實施例:一種高密度圓形扁平無引腳封裝結(jié)構(gòu)。
[0019]一種高密度圓形扁平無引腳封裝結(jié)構(gòu)，參照附圖1-3所示，包括1.塑封體2.芯片
3.銀膠4.芯片基島5.引線框架6.金線7.導(dǎo)熱焊盤8.導(dǎo)電焊盤。其特征在于:塑封體I為絕緣材質(zhì)，填充在整個封裝結(jié)構(gòu)的空間內(nèi)部，其外形為圓形。芯片2通過銀膠3粘結(jié)于芯片基島4上，芯片基島6為矩形，其底部為圓形的導(dǎo)熱焊盤7。引線框架5環(huán)形排布于塑封體I內(nèi)側(cè)四周，呈圓弧形交叉排列，其形狀為對邊倒圓矩形，底部為導(dǎo)電焊盤。芯片2通過金線6與引線框架5實現(xiàn)電氣連接。引線框架5底部為導(dǎo)電焊盤8，導(dǎo)電焊盤8環(huán)形排布于導(dǎo)熱焊盤7的外側(cè)四周，呈圓弧形交叉排列，其形狀為對邊倒圓矩形。
[0020]此封裝結(jié)構(gòu)還可用于多芯片封裝，芯片在粘合材料的作用下相疊放置，不同芯片通過金線與不同層的引線框架相連，從而提高集成度。
[0021]上述實施例只為對本發(fā)明的內(nèi)容做一個詳細的說明，其目的在于讓本領(lǐng)域的技術(shù)人員熟悉本發(fā)明的具體內(nèi)容并據(jù)以實施。凡未脫離本發(fā)明的精神實質(zhì)所做的任何等效變化或修飾，都應(yīng)屬于本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.在一種圓形扁平無引腳封裝結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)之上，提出一種多層交叉導(dǎo)電焊盤框架結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括塑封體，芯片，金線，芯片基島，引線框架，導(dǎo)熱焊盤以及導(dǎo)電焊盤。
2.如權(quán)利要求1所述的圓形扁平無引腳多層交叉導(dǎo)電焊盤封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述塑封體為圓形。
3.如權(quán)利要求1所述的圓形扁平無引腳多層交叉導(dǎo)電焊盤封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片基島為矩形。
4.如權(quán)利要求1所述的圓形扁平無引腳多層交叉導(dǎo)電焊盤封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片基島底部為導(dǎo)熱焊盤。
5.如權(quán)利要求4所述的圓形扁平無引腳多層交叉導(dǎo)電焊盤封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)熱焊盤為圓形。
6.如權(quán)利要求1所述的圓形扁平無引腳多層交叉導(dǎo)電焊盤封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多層交叉導(dǎo)電焊盤為對邊倒圓矩形，每層導(dǎo)電焊盤呈圓弧形交叉排列。
7.如權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電焊盤，其特征在于，所述的對邊倒圓矩形的倒圓半徑不小于所倒邊長度的一半。
8.如權(quán)利要求1所述的圓形扁平無引腳多層交叉導(dǎo)電焊盤封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述引線框架底部為導(dǎo)電焊盤。
9.如權(quán)利要求8所述的引線框架，其特征在于，芯片通過所述金線與引線框架連接。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種QFN(Quad Flat No Lead，方形扁平無引腳)封裝結(jié)構(gòu)，在一種圓形扁平無引腳封裝結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)之上，提出一種多層交叉導(dǎo)電焊盤框架結(jié)構(gòu)。其中包括圓形封裝體；芯片基島為矩形；芯片基島底部的導(dǎo)熱焊盤為圓形；引線框架底部的導(dǎo)電焊盤在導(dǎo)熱焊盤周圍以圓形軌跡圍繞，其特點為：不同層導(dǎo)電焊盤交叉排列，其形狀為對邊倒圓矩形。這種圓形扁平無引腳多層交叉導(dǎo)電焊盤封裝結(jié)構(gòu)的特點有：突破了傳統(tǒng)QFN封裝的低I/O數(shù)量的限制，為多層芯片的封裝提供了一種可能，增強了焊接的可靠性，提高了封裝結(jié)構(gòu)的散熱性能力及抗干擾能力。
【IPC分類】H01L23-367, H01L23-31, H01L23-495
【公開號】CN104681507
【申請?zhí)枴緾N201310633344
【發(fā)明人】鄒榮, 張玥, 程玉華
【申請人】上海北京大學(xué)微電子研究院
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2013年12月3日