一種適合高速芯片應(yīng)用的qfn封裝設(shè)計(jì)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種多芯片QFN封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體封裝工藝中，方形扁平無(wú)引腳封裝有很多優(yōu)點(diǎn)，比如封裝的成本低，能夠提供卓越的性能，通過(guò)增加基島面積解決芯片散熱等，但有一些缺陷，比如可用的電極觸點(diǎn)數(shù)量比較少。目前的QFN封裝結(jié)構(gòu)大多是單顆芯片封裝成一個(gè)QFN封裝，也有廠家將兩三個(gè)芯片封裝在一起。但這些廠家只是從提高集成度和可靠性角度考慮問(wèn)題，本發(fā)明還考慮到芯片的散熱問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是針對(duì)LED照明提出的特定封裝解決方案，用以實(shí)現(xiàn)一顆比較復(fù)雜的芯片采用一個(gè)QFN封裝。
[0004]本發(fā)明提供了一種多芯片QFN封裝結(jié)構(gòu)，用以提高集成度，并且解決芯片發(fā)熱量較大的問(wèn)題；
QFN封裝管殼；
電連接芯片，用于與所述QFN封裝管殼以及所述三個(gè)芯片進(jìn)行點(diǎn)連接。
[0005]本發(fā)明所述多芯片QFN封裝結(jié)構(gòu)還包括金屬連接線，用于所述電連接芯片的壓焊盤(pán)相連接，再通過(guò)金屬連接線與另一所述的幾個(gè)芯片的壓焊盤(pán)相連接。
[0006]進(jìn)一步優(yōu)選地，所述PWM控制器的芯片的壓焊盤(pán)通過(guò)金屬連接線與所述功率M0S，肖特基二極管和電連接芯片的一個(gè)壓焊盤(pán)相連接，再通過(guò)金屬連接線與所述QFN封裝管殼的電極觸點(diǎn)相連接。
[0007]進(jìn)一步優(yōu)選地，所述帶有PWM控制器的芯片的壓焊盤(pán)通過(guò)金屬連接線與所述電連接芯片的一個(gè)壓焊盤(pán)相連接，再通過(guò)金屬連接線與另一所述功率MOS和肖特基二極管的芯片的壓焊盤(pán)相連接，并且所述帶有PWM控制器的芯片的另一壓焊盤(pán)通過(guò)金屬連接線與所述電連接芯片的另一壓焊盤(pán)相連接，再通過(guò)金屬連接線與QFN封裝管殼的電極觸點(diǎn)相連接。
[0008]本發(fā)明通過(guò)在QFN封裝結(jié)構(gòu)中增加一顆電連接芯片，實(shí)現(xiàn)了將一顆或多顆芯片封裝在QFN管殼內(nèi)，從而解決了由于受到QFN封裝設(shè)計(jì)規(guī)則的限制，如封裝內(nèi)部短引線，引線不能交叉等而導(dǎo)致很多復(fù)雜芯片在需要進(jìn)行多芯片封裝時(shí)無(wú)法采用QFN封裝的問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的QFN裝置結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；
圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的QFN管殼示意圖；
圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片die示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010]為使本發(fā)明的目的，技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明具體實(shí)施例作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0011]下述實(shí)施例描述的為一種多芯片QFN封裝結(jié)構(gòu)。
[0012]如圖1所示，QFN封裝結(jié)構(gòu)具體包括多芯片die，QFN管殼，以及各個(gè)芯片的壓焊盤(pán)之間以及QFN管殼的電極觸點(diǎn)與各個(gè)芯片壓焊盤(pán)之間的連接線。
[0013]QFN管殼中封裝了 PWM控制器，功率MOS以及肖特基二極管的管芯，采用大面積基島解決了芯片散熱難題。
[0014]在現(xiàn)有技術(shù)中，因?yàn)槭芟抻赒FN封裝工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則，金屬連接線的長(zhǎng)度不能超過(guò)一定的值，因而如果不同芯片的die間進(jìn)行引線鍵合可能會(huì)出現(xiàn)交叉等問(wèn)題。若想實(shí)現(xiàn)連接起來(lái)的電路功能，必須通過(guò)對(duì)這些芯片進(jìn)行單獨(dú)封裝，再進(jìn)行外部點(diǎn)連接才能實(shí)現(xiàn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種多芯片QFN封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于包括， 至少一顆PWM控制器的芯片，用于實(shí)現(xiàn)封裝器件的控制LED照明功能；QFN封裝管殼；電連接芯片，用于與所述QFN封裝管殼以及所述控制器芯片進(jìn)行電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的多芯片QFN封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電連接芯片上包括至少兩個(gè)壓焊盤(pán)，兩個(gè)或多個(gè)壓焊盤(pán)之間通過(guò)導(dǎo)電層的金屬相連接。
3.如權(quán)利要求1所述的多芯片QFN封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電連接芯片，用于與所述QFN封裝管殼以及所述帶有控制器芯片進(jìn)行電連接具體為:所述至少一顆帶有控制器芯片的包括多顆芯片，所述多顆芯片之間通過(guò)電連接芯片進(jìn)行電連接。
4.如權(quán)利要求1所述的多芯片QFN封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電連接芯片，用于與所述QFN封裝管殼以及所述帶有控制器的芯片進(jìn)行電連接具體為:所述帶有控制器的芯片與QFN封裝管殼之間通過(guò)電連接芯片進(jìn)行電連接。
5.如權(quán)利要求1所述的多芯片QFN封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多芯片QFN封裝結(jié)構(gòu)還包括金屬連接線，用于所述電連接芯片的壓焊盤(pán)，所述帶有控制器芯片的壓焊盤(pán)以及所述QFN封裝管殼的電極觸點(diǎn)之間的電連接。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了用于照明的一種多芯片QFN(方形扁平無(wú)引腳封裝，QuadFlatNoLead)封裝結(jié)構(gòu)，包括了系統(tǒng)三個(gè)主要發(fā)熱量較大的芯片子模塊：PWM(脈沖寬度調(diào)制，PulseWidthModulation)控制器，功率MOS(金氧半場(chǎng)效晶體管，MetalOxideSemiconductor)管，肖特基整流二極管。本發(fā)明公開(kāi)的多芯片QFN封裝結(jié)構(gòu)，通過(guò)加入電連接芯片，為一顆或多顆芯片封裝在一個(gè)QFN里提供了可行性，減少了封裝成本，并且解決了芯片的散熱問(wèn)題，從而大大提高了系統(tǒng)的集成度和可靠性。
【IPC分類】H01L25-16, H01L23-31, H01L23-367
【公開(kāi)號(hào)】CN104681551
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310650573
【發(fā)明人】鄒榮, 蔣德軍, 程玉華
【申請(qǐng)人】上海北京大學(xué)微電子研究院
【公開(kāi)日】2015年6月3日
【申請(qǐng)日】2013年12月3日