鋅的混合氧化物層（IZ0)。
[0078] 該光滑層特別地可以基于為無定形相的鋅和錫的混合氧化物SnxZny0z，特別地是 非化學計量的，其任選地進行摻雜，特別地用銻摻雜。
[0079] 這種光滑層可以優(yōu)選在基底層上甚至直接地在該高指數(shù)層上。
[0080] 例如在銀層下方（優(yōu)選直接地在高指數(shù)層上方）提供： -Si3N4/無定形SnxZny0z/基于ZnO的結晶層，例如AZ0或者SnZnO， -Sn02/無定形SnxZny0z/基于ZnO的結晶層，例如AZ0或者SnZnO， -打02或Zr(Ti) 0 2/無定形SnxZny0z/基于ZnO的結晶層，例如AZ0或者SnZnO， -SiNx/無定形SnxZny0z/基于ZnO的結晶層，例如AZ0或者SnZnO， _無定形SnxZny0z/基于ZnO的結晶層，例如AZ0或者SnZnO。
[0081] 因此，該下層可以包含以下層之一，甚至由以下層之一組成： -氧化鈦，氧化鋯，或者鈦和鋯的混合氧化物，或者 -氮化娃/氧化鈦，氧化锫，鈦和锫的混合氧化物，或者 -氧化鈦，氧化鋯，鈦和鋯的混合氧化物/基于鋅和錫的無定形混合氧化物，或者 -氮化硅或者氧化錫/基于鋅和錫的無定形混合氧化物， 該下層優(yōu)選在上面有基于ZnO的結晶層。
[0082] 當電極（下層和/或上層）包含任選摻雜的氧化物層，該氧化物層選自IT0、IZ0、 簡單氧化物ZnO時，這時氧化物層具有低于100nm，甚至小于或等于50nm，甚至小于或等于 30nm的厚度，以最大地減少吸收。
[0083] 優(yōu)選，該上層可以具有至少一種以下特征： _為單層、雙層或者三層， -至少第一層（排除上阻擋體）為金屬氧化物，甚至該上層的所有層用金屬氧化物制 成， -上層的所有層具有小于或等于120nm，甚至小于或等于80nm的厚度， -具有比基材更大的（平均）指數(shù)，例如大于或等于1. 8。
[0084] 此外，為了促進電流的注入和/或限制工作電壓的值，可以提供，優(yōu)選地，該上 層由一個或多個具有小于或等于l〇M.cm，優(yōu)選小于或等于106Q. cm，甚至小于或等于 104Q. cm的電阻率（以體積狀態(tài)，如在文獻中已知的）層組成（排除隨后描述的薄阻擋 層）。
[0085] 還可以避免任何由于它的物類（Ti02,Sn02)甚至它的厚度而形成蝕刻終止的層。
[0086] 該上層優(yōu)選基于一個或多個薄層，特別地無機層。
[0087] 根據(jù)本發(fā)明的上層優(yōu)選基于簡單或者混合氧化物，基于至少一種以下金屬氧化 物，任選地是摻雜的：氧化錫、氧化銦、氧化鋅（任選地為亞化學計量的）、氧化鑰、氧化鎢或 者氧化釩。
[0088] 這種上層特別地可以由氧化錫（其任選地用F、Sb摻雜）制成或者由氧化鋅（任選 地用鋁摻雜）制成，或者可以任選地基于混合氧化物，特別地銦和錫的混合氧化物（ITO)， 銦和鋅的混合氧化物（IZO)或者鋅和錫的混合氧化物SnxZnyOz。
[0089] 這種上層，特別對于ITO、IZO(通常最后層）或者基于ZnO,可以優(yōu)選具有小于或 等于50nm，或者40nm，甚至30nm，例如10nm或者15nm至30nm的厚度e3。
[0090] 該上層可以包含基于ZnO的層，其是結晶的（AZ0、SnZn0)或者無定形的（SnZnO)， 其不是最后層，并例如是與下層相同的層。
[0091] 通常，該銀基層用具有較高的功函的附加薄層（典型地IT0層）覆蓋。功函匹配 層可以例如具有從4. 5eV開始的，優(yōu)選大于或等于5eV的功函Ws。
[0092] 該上層優(yōu)選包含最后層，特別地功函匹配層，其是基于簡單或者混合氧化物，基于 至少一種以下金屬氧化物（其任選地進行摻雜）的層：氧化銦，氧化鋅（任選地亞化學計量 的），氧化鑰M〇03，氧化鎢W03,氧化釩V205,IT0,IZ0或者SnxZny0z，和該上層優(yōu)選具有小于 或等于50nm，甚至40nm甚至30nm的厚度。
[0093]該上層可以包含最后層，特別地功函匹配層，其基于薄金屬層（比銀更低導電 的），特別地基于鎳、鉬或者鈀，例如具有小于或等于5nm，特別地1至2nm的厚度，和優(yōu)選通 過由簡單或者混合金屬氧化物制成的下鄰層與金屬導電層（或者上阻擋體）分離。
[0094] 該上層可以包含（作為最后電介質層）具有低于5nm，甚至2. 5nm，并且至少 0. 5nm，甚至lnm的厚度的層，其選自氮化物、氧化物、碳化物、氧氮化物或者碳氧化物，特別 地Ti、Zr、Ni或者NiCr的氮化物、氧化物、碳化物、氧氮化物或者碳氧化物。
[0095] IT0優(yōu)選地是超化學計量氧的以減少它的吸收（典型地至低于1%)。
[0096] 根據(jù)本發(fā)明的下電極易于制備，特別地對于堆疊體的材料，通過選擇可以在環(huán)境 溫度進行沉積的材料進行。仍然更優(yōu)選地，該堆疊體的層的大部分甚至全部在真空下進行 沉積（優(yōu)選依次地），優(yōu)選通過陰極濺射，任選地磁控管增強的陰極濺射進行，其允許顯著 的生產率增高。
[0097] 為了進一步地降低下電極的成本，可以優(yōu)選，這種電極的包含銦（優(yōu)選主要包含， 即具有大于或等于50%的重量百分比的銦）的材料的總厚度小于或等于60nm，甚至低于或 等于50nm、40nm，甚至低于或者等于30nm。例如可以提到IT0或者IZ0作為層（一個或多 個），其厚度優(yōu)選地被限制。
[0098] 還可以提供一個，甚至兩個非常薄的被稱為"阻擋涂層"的涂層，其被直接地設置 在銀金屬層的每側的下方或者上方。
[0099] 與銀金屬層下鄰的下阻擋涂層（在基材的方向），或者下阻擋體是連接涂層、成核 涂層和/或保護涂層。
[0100] 它用作為保護涂層或者"犧牲"涂層以避免銀層的變壞，該變壞是由于來自在其上 方的層的氧的侵蝕和/或遷移所引起，甚至還由于氧的遷移所引起（如果在其上方的層在 氧存在時通過陰極濺射進行沉積）。
[0101] 銀金屬層因此能直接地被沉積在至少一個下鄰阻擋涂層上。
[0102] 或者該銀金屬層還可以直接地在至少一個上鄰阻擋涂層或者在上阻擋體的下方， 每個涂層具有優(yōu)選為0. 5至5nm的厚度。
[0103] 至少一個阻擋涂層（優(yōu)選上阻擋體）優(yōu)選包含基于至少一種以下金屬的金屬層、 金屬氮化物和 / 或金屬氧化物層：Ti、V、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Zr、Hf、Al、Nb、Ni、Cr、Mo、Ta或 者W,或者基于至少一種所述材料的合金，優(yōu)選基于Ni或者Ti,基于Ni合金或者基于NiCr 合金。
[0104] 例如，阻擋涂層（優(yōu)選上阻擋體）可以由基于鈮、鉭、鈦、鉻或者鎳的層或者基于由 所述金屬的至少兩種形成的合金（如鎳_鉻合金）組成。
[0105] 薄阻擋層（優(yōu)選上阻擋體）形成保護層，甚至"犧牲"層，其允許避免該銀金屬層 的金屬的變壞，特別地在以下構造的任一種中： -如果在金屬導電層上方的層通過使用反應性等離子體（氧、氮等等）進行沉積，例如 如果在它上方的氧化物層通過陰極濺射進行沉積， -如果在導電金屬層上方的層的組成可以在工業(yè)制備期間改變（在靶消耗類型的沉積 條件方面的改變，等等），特別地如果氧化物和/或氮化物類型層的化學計量改變，因此改 變銀金屬層的品質并因此電極的性質（薄層電阻、光透射、等等）， -如果電極在沉積之后經受熱處理。
[0106] 特別優(yōu)選基于金屬的薄阻擋層（優(yōu)選上阻擋體），該金屬選自鈮Nb，鉭Ta，鈦Ti， 鉻Cr或者鎳Ni，或者基于由這些金屬的至少兩種產生的合金，特別地基于鈮和鉭的合金 (Nb/Ta)，鈮和鉻的合金（Nb/Cr)，鉭和鉻（Ta/Cr)的合金或者鎳和鉻（Ni/Cr)的合金。這種 類型的基于至少一種金屬的層顯示出特別高的俘獲效果（effect"getter"）。
[0107]薄金屬阻擋層（優(yōu)選上阻擋體）可以容易地進行制備而不有害地影響金屬導電 層。這種金屬層可以優(yōu)選在由稀有氣體（He、Ne、Xe、Ar或Kr)組成的惰性氣氛中進行沉積 (即，不主動地引入氧或者氮）。不被排除也不是有害的是，在表面上，這種金屬層在基于金 屬氧化物的層的隨后沉積期間被氧化。
[0108] 該薄金屬阻擋層（優(yōu)選上阻擋體）而且允許獲得優(yōu)異的機械強度（耐磨性，特別 地耐刮痕性）。
[0109] 然而，對于金屬阻擋層（優(yōu)選上阻擋體）的使用，需要限制它的厚度并因此光吸收 以保持對于透明的電極來說足夠的光透射。
[0110] 薄阻擋層（優(yōu)選上阻擋體）可以部分地氧化為M0X類型，其中M表示材料和X是 低于該材料的氧化物的化學計量的數(shù)字，或者MN0x類型，對于兩種（或更多種）材料M和N 的氧化物來說。例如，可以提到TiOx或者NiCrOx。
[0111]x優(yōu)選為該氧化物的標準化學計量的0. 75倍至0. 99倍。對于一氧化物，x特別地 可以在0. 5至0. 98之間進行選擇，對于二氧化物，x特別地可以在1. 5至1. 98之間進行選 擇。
[0112] 在特定的替代形式中，薄阻擋層（優(yōu)選上阻擋體）基于TiOx并且x可以特別地使 得 1. 5 <x< 1. 98 或 1. 5〈x〈l. 7,甚至 1. 7 <x< 1. 95. 薄阻擋層（優(yōu)選上阻擋體）可以是部分地氮化的。因此它不以化學計量形式而是以MNy 類型的亞化學計量形式進行沉積，其中M表示該材料和y是低于該材料的氮化物的化學計 量的數(shù)字。y優(yōu)選為該氮化物的標準化學計量的〇. 75倍至0. 99倍。
[0113] 同樣地，薄阻擋層（優(yōu)選上阻擋體）還可以是部分地氧氮化的。
[0114] 這種氧化和/或氮化的薄阻擋層（優(yōu)選上阻擋體）可以容易地進行制備而不有害 地影響功能層。它優(yōu)選從陶瓷靶開始在非氧化性氣氛中進行沉積，該氣氛優(yōu)選由希有氣體 (He,Ne，Xe，Ar或Kr)組成。
[0115] 該薄阻擋層（優(yōu)選上阻擋體）可以優(yōu)選用亞化學計量的氮化物和/或氧化物制 成，為了該電極的電性質和光學性質的更大的再現(xiàn)性。
[0116] 該選擇的亞化學計量的氧化物和/或氮化物的薄阻擋層（優(yōu)選上阻擋體）可以 是，優(yōu)選基于選自至少一種以下金屬的金屬：Ti、V、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Zr、Hf、Al、Nb、Ni、Cr、 Mo、Ta或W,或者基于這些材料至少一種的亞化學計量合金氧化物。
[0117] 特別優(yōu)選基于金屬的氧化物或者氧氮化物的層（優(yōu)選上阻擋體），該金屬選自鈮 Nb、鉭Ta、鈦Ti、鉻Cr或者鎳Ni，或者基于從這些金屬的至少兩種產生的合金，特別地基于 鈮和鉭的合金（Nb/Ta)，鈮和鉻的合金（Nb/Cr)，鉭和鉻（Ta/Cr)的合金或者鎳和鉻（Ni/Cr) 的合金。
[0118] 作為亞化學計量的金屬氮化物，還可以選擇這樣的層，該層由氮化硅SiNx或者氮 化鋁A1NX或者氮化鉻CrNx或者氮化鈦TiN 者數(shù)種金屬的氮化物，如NiCrNx制成。
[0119] 該薄阻擋層（優(yōu)選上阻擋體）可以顯示出氧化梯度，例如M(N)0xi，其中Xi是可變 的；通過使用特定的沉積氣氛，該阻擋層的與該金屬層接觸的部分是比這種層的最遠離該 金屬層的部分更少氧化的。
[0120] 該電極的所有層優(yōu)選通過真空沉積技術進行沉積，然而不排除的是，該堆疊體的 一個或多個層可以通過另一種技術，例如通過熱解類型的熱分解技術進行沉積。
[0121] 在第一實施方案中，該散射層是被加到（例如被沉積在）該基材上的層，該基材優(yōu) 選是非紋理化的，具有高指數(shù)基質（大于1. 8,甚至大于或等于1. 9的n3)和具有折光指數(shù) ndtd的散射元件，特別地無機物類型的散射元件，在n#Pn3之間的差異（絕對值形式）典 型地大于0. 1。
[0122] 在這種實施方案中，該高指數(shù)層可以是： -這種散射層（例如單層，例如至少1微米，甚至5微米的散射層）的上部區(qū)域，例如 具有大于0. 2微米，0. 5微米甚至大于1微米的厚度eO,該區(qū)域不含有散射元件（例如無散 射粒子）或者至少以比下鄰區(qū)域更低量， -和/附加層，其被沉積在散射層上，例如具有大于〇. 2微米，甚至大于1微米，甚至更 大的厚度e0,其不含散射元件（例如不加入散射粒子）或者至少具有比散射層更低量。
[0123]這并不阻止散射層本身是具有散射元件梯度的單層，甚至具有散射元件梯度和/ 或不同的（種類和/或濃度）散射元件的疊層（雙層等）。
[0124] 呈包含散射粒子的聚合物基質形式的散射層，例如描述在EP1406474中，是可能 的。
[0125] 在該第一實施方案的優(yōu)選實施中，該散射層是在基材上的無機層，特別地玻璃層， 具有高指數(shù)無機基質（指數(shù)n3)，例如由一種或多種氧化物，特別地釉