瓷制成，和折光指數(shù) ndtd的散射元件，特別地?zé)o機(jī)類型的散射元件（孔隙，沉淀晶體，實(shí)心或者空心顆粒，例如 氧化物或者非氧化物陶瓷），在％和n3之間的差異（絕對值）大于0. 1。
[0126] 優(yōu)選地，該高指數(shù)層是無機(jī)的，例如由氧化物（一種或多種）制成，特別地玻璃層， 尤其釉瓷。
[0127]該高指數(shù)層優(yōu)選地具有與散射層相同的基質(zhì)。當(dāng)基質(zhì)是相同的時(shí)候，在散射層和 高指數(shù)層之間的界面不被"注意到"/不可觀察到的，即使沉積相繼地進(jìn)行。
[0128] 這種釉瓷層在本領(lǐng)域中是已知的并且被描述，例如，在EP2178343和 W02011/089343中或者在已經(jīng)描述的現(xiàn)有技術(shù)的專利申請中。
[0129] 雖然該散射粒子的化學(xué)種類不受特別地限制，它們優(yōu)選地選自1102和SiO2顆粒。 為了最佳提取效率，它們以1〇4至10 7顆粒/mm2濃度存在。該顆粒的尺寸越大，它們的最佳 濃度位于更朝向該范圍的下限。
[0130]散射釉瓷層通常具有1微米至100微米，特別地2微米至30微米的厚度。分散在 釉瓷中的散射粒子優(yōu)選地具有〇. 05微米至5微米，特別地0. 1微米至3微米的平均直徑， 通過DLS(動態(tài)光散射）進(jìn)行測定。
[0131] 在散射層下方，可以加入為堿金屬阻擋層，其被沉積在由無機(jī)玻璃制成的基材上， 或者為在塑料基材上的濕氣阻擋層，該層基于氮化硅、氧碳化硅、氮氧化硅、氧碳氮化硅或 者二氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氮化鋁或者一氮化鈦，例如具有小于或等于10nm，優(yōu) 選地大于或等于3nm，甚至5nm的厚度。它可以為疊層，特別地對于為濕氣阻擋層。
[0132] 在第二實(shí)施方案（替代的或者累加的）中，該散射層由表面紋理化形成，該紋理優(yōu) 選地為非周期性的，特別地?zé)o規(guī)的，對于白色光應(yīng)用。使由無機(jī)或者有機(jī)玻璃形成的基材紋 理化或者將紋理化層加入到（沉積在）無機(jī)或者有機(jī)玻璃上（這時(shí)形成復(fù)合基材）。該高 指數(shù)層在上方。
[0133] 用于提取由0LED的有機(jī)層發(fā)射的光的粗糙界面也是已知的并且描述例如在申請 W02010/112786,W002/37568和W02011/089343中。該基材的表面粗糙度可以通過任何已 知的適當(dāng)手段獲得，例如通過酸蝕刻（氫氟酸）/噴砂或者研磨獲得。高指數(shù)層優(yōu)選地是無 機(jī)的，基于氧化物（一種或多種），特別是釉瓷。它優(yōu)選地是至少1微米，甚至5微米，甚至 10微米。
[0134] 用于提取光的裝置還可以位于該基材的外表面上，即將與朝向下電極的面相反的 面上。它可以是微透鏡或者微錐體網(wǎng)絡(luò)，如描述在/apaflese/ourna/ Vol. 46,No. 7A，第4125-4137頁（2007)的文章中，或軋光處理，例如通過使用氫氟酸的粗糙 化的軋光處理。
[0135]該基材可以是平面或者彎曲的，而且是剛性的、柔性的或者半柔性的。
[0136]它的主面可以是長方形、正方形甚至任何其它形狀（圓形、橢圓形、多邊形等等）。 這種基材可以是大尺寸的，例如具有大于〇. 〇2m2、甚至0. 5m2或者lm2的表面積，并且具有基 本上占據(jù)表面（除了結(jié)構(gòu)化區(qū)域和/或邊緣帶以外）的下電極（任選地分成數(shù)個(gè)稱為"電 極表面"的區(qū)域）。
[0137] 該基材是基本透明的。可以具有大于或等于70%，優(yōu)選地大于或等于80%，甚至大 于或等于90%的光透射IV。
[0138] 該基材可以是無機(jī)的或者由塑料制成，如聚碳酸酯PC或者聚甲基丙烯酸甲酯 PMMA或者聚萘二甲酸亞乙酯PEN，聚酯，聚酰亞胺，聚酯砜PES，PET，聚四氟乙烯PTFE，熱塑 性材料片材，例如聚乙烯醇縮丁醛PVB，聚氨酯PU，由乙烯-醋酸乙烯酯EVA制成或者由多 或者單組分樹脂制成，該樹脂可以是熱交聯(lián)的（環(huán)氧樹脂，PU)或者其可以是使用紫外輻射 交聯(lián)的（環(huán)氧、丙烯酸樹脂），等等。
[0139] 該基材優(yōu)選地可以是玻璃制品，由無機(jī)玻璃制成，由硅玻璃制成，特別地由鈉-鈣 或者鈉-鈣-硅玻璃制成，明亮玻璃，極明亮玻璃或者浮法玻璃。它可以是高指數(shù)玻璃（特 別地具有大于1.6的指數(shù)）。
[0140] 該基材可以有利地是在0LED的輻射波長具有低于2. 5HT1，優(yōu)選地的低于0. 7HT1的 吸收系數(shù)的玻璃。
[0141] 例如，選擇具有低于0.05%的鐵（III)或者Fe203的鈉-鈣-硅玻璃，特別地來自 Saint-GobainGlass的Diamant玻璃，來自Pilkington的Optiwhite玻璃或者來自Schott 的B270玻璃?？梢赃x擇所有的在文件W004/025334中描述的極明亮玻璃組合物。
[0142] 由于0LED系統(tǒng)穿過該透明基材的厚度的發(fā)射，發(fā)出的輻射的一部分在基材中被 引導(dǎo)。因此，在本發(fā)明的有利設(shè)計(jì)中，選擇的玻璃基材的厚度可以例如是至少1_，優(yōu)選地至 少5_。這允許降低內(nèi)部反射的數(shù)目并因此提取更多在玻璃中引導(dǎo)的輻射，因此增強(qiáng)光區(qū)域 的亮度。
[0143] 0LED裝置可以是背面發(fā)射并且任選地也可以是正面發(fā)射，取決于該上電極是否是 反射性或者半反射性，甚至透明的（特別地具有可與陽極相當(dāng)?shù)腡L，典型地從60%開始，優(yōu) 選地大于或等于80%)。
[0144] 為了產(chǎn)生基本上白色的光，數(shù)種方法是可行的：化合物（紅色，綠色，藍(lán)色發(fā)射）在 單一層中混合，在該電極的面上堆疊三種有機(jī)結(jié)構(gòu)（紅色、綠色、藍(lán)色發(fā)射）或者兩種有機(jī) 結(jié)構(gòu)（黃色和藍(lán)色）。
[0145] 該0LED裝置可以進(jìn)行調(diào)節(jié)以產(chǎn)生，在出口，（基本上）白色光，盡可能靠近（0.33， 0.33)坐標(biāo)或者（0.45,0.41)坐標(biāo)，特別地在0°時(shí)。
[0146] 白色光可以在CIEXYZ色度圖中通過在取名為"Specificationsforthe chromaticityofsolidstatelightingproducts"手冊，第 11-12 頁中的ANSI C78. 377-2008標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行定義。
[0147]為了 描述由 0LED發(fā)射的顏色，使用由CommissionInternationalesur Eclairage(CIE)在1931年建立的CIE1931XYZ色度表示法。觀察0LED的每個(gè)角度 I對應(yīng)于坐標(biāo)對(x(^y(e〕〕。將長方形的對角線定義為定量該色度變化的量值，在該長方 形中記錄了所有點(diǎn)(x(CLv(C〇的曲線，對于在0°和90°之間變化的0。
[0148] 以數(shù)學(xué)術(shù)語形式，這種量值VarC通過以下式進(jìn)行表示： 對于令人滿意的色度變化，需要Varc〈0. 03。
[0149] 根據(jù)使用的有機(jī)材料，該0LED通常分成兩個(gè)主要種類。
[0150] 如果電致發(fā)光層是小分子，提到SM-0LED(英文為"SmallMoleculeOrganic LightEmittingDiodes，'）。
[0151] 通常，SM-OLED的結(jié)構(gòu)由空穴注入層（或"HIL"）、孔穴傳輸層（或"HTL"）、發(fā)射 層和電子傳輸層（或"ETL"）的疊層組成。
[0152] 有機(jī)電致發(fā)光堆疊體的實(shí)例例如描述在C.H.Jeong等在OrganicsElectronics, 8(2007)，第 683-689 頁發(fā)表的取名為"Fourwavelengthwhiteorganiclightemitting diodesusing4,4'-bis[carbazoyl-(9) ]stilbeneasadeepblueemissivelayer" 的文件中。
[0153] 如果該有機(jī)電致發(fā)光層是聚合物，提到PLED(聚合物發(fā)光二極管）。
[0154] 0LED的一種或多種有機(jī)層通常具有從1. 8開始，實(shí)際上甚至超過（1. 9甚至更大） 的指數(shù)。
[0155] 本發(fā)明的最后主題是包括如上面所定義的散射導(dǎo)電載體和在下電極上面的并且 發(fā)射多色輻射，優(yōu)選地白色光的0LED系統(tǒng)的0LED裝置。
[0156] 優(yōu)選地，該0LED裝置可以包含0LED系統(tǒng)，其是或多或少厚的，例如為50nm至 350nm或者 300nm，特別 90nm至 130nm，甚至 100nm至 120nm。
[0157] 存在包含如在US7274141中描述的高度摻雜的"HTL"層（孔穴傳輸層）的0LED 裝直。
[0158] 存在具有100至500nm，典型地350nm厚度的0LEDS系統(tǒng)，或者更厚的0LED系統(tǒng)， 例如具有800nm的厚度，如描述在與LightingKorea2009會議有關(guān)的PhilipWellmann 的取名"NovaledPIN0LED?TechnologyforHighPerformance0LEDLighting"的論文 中。
[0159] 而且，本發(fā)明的主題是用于制備根據(jù)本發(fā)明的散射導(dǎo)電載體和根據(jù)本發(fā)明的0LED 的方法。
[0160] 當(dāng)然，該方法包含沉積該散射層，優(yōu)選地?zé)o機(jī)散射層，特別地以形成釉瓷（熔化玻 璃料），和沉積該高指數(shù)層（優(yōu)選地與該散射層區(qū)分），優(yōu)選地?zé)o機(jī)高指數(shù)層，特別地用于形 成釉瓷（熔化玻璃料），例如使用絲網(wǎng)印刷進(jìn)行沉積。
[0161] 該方法當(dāng)然也包括沉積構(gòu)成下電極的連續(xù)層。這些層的大部分，甚至全部的沉積 優(yōu)選通過磁控管陰極濺射進(jìn)行實(shí)施。
[0162] 根據(jù)本發(fā)明的方法，而且，優(yōu)選地包括在優(yōu)選地5分鐘至120分鐘，特別地15分鐘 至90分鐘的時(shí)間段期間，在高于180°C，優(yōu)選地高于200°C，特別地230°C至450°C，理想地 300°C至350°C的溫度下加熱該下電極的步驟。
[0163] 在這種加熱（退火）步驟期間，本發(fā)明的電極得到顯著的電性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì)的改 善。
[0164] 本發(fā)明現(xiàn)在將借助于非限制性實(shí)施例和附圖進(jìn)行更詳細(xì)地描述。 -對于低于6nm并且大于或等于2nm的e2,附圖1在左邊表示定義三個(gè)光效率區(qū)域的 曲線圖el(nl)和在右方表示定義色度穩(wěn)定性區(qū)域的曲線圖el(nl)， -對于大于或等于6nm并且低于7nm的e2,附圖2在左邊表示定義三個(gè)光效率區(qū)域的 曲線圖el(nl)和在右方表示定義色度穩(wěn)定性區(qū)域的曲線圖el(nl)， -對于大于或等于7nm并且低于8nm的e2,附圖3在左邊表示定義兩個(gè)光效率區(qū)域的 曲線圖el(nl)和在右方表示定義色度穩(wěn)定性區(qū)域的曲線圖el(nl)， -對于低于8. 5nm并且大于或等于8nm的e2,附圖4在左邊表示定義兩個(gè)光效率區(qū)域 的曲線圖el(nl)和在右方表示定義色度穩(wěn)定性區(qū)域的曲線圖el(nl)， -附圖5顯示用于評估色度穩(wěn)定性的方法。 實(shí)施例
[0165] 0LED裝置包括無機(jī)玻璃（在入=550nm的折光指數(shù)n2=l. 5)或塑料，在同一個(gè)主面 上以如下這種順序具有： -具有15微米的厚度的由高指數(shù)釉瓷（在X=550nm，n3=1.95)制成的散射層，例如 由富含鉍的基質(zhì)組成，并且包含Ti02顆粒（平均直徑400nm)或者，Si02顆粒（平均直徑 30011111);粒子密度對于1102為約5\10 8顆粒/1111113和對于5102，粒子密度為2\106顆粒/ mm3, -具有微米厚度的高指數(shù)層（在入=550nm，n0=1.95)，例如由相同的富含鉍的基質(zhì)組 成，不加入散射粒子，其被沉積在散射層上。
[0166] 下電極例如通過陰極濺射沉積在這種高指數(shù)層上，該下電極形成透明陽極，其包 含： _電介質(zhì)下層，具有折光指數(shù)nl和具有大于或等于Onm的厚度el， -(優(yōu)選地）電介質(zhì)結(jié)晶層，稱為接觸層，具有至少3nm并且低于20nm，甚至優(yōu)選地低于 15nm的厚度， _具有導(dǎo)電功能的單一金屬層，其基于銀，具有低于8. 5nm的給定厚度e2,該層被沉積 在接觸層上， _(優(yōu)選地）上阻擋體，優(yōu)選Ti，甚至NiCr， _上層。
[0167] 有機(jī)層（HTL/EBL(電子阻擋層）/EL/HBL(空穴阻擋層）/ETL)通過真空蒸發(fā)進(jìn)行 沉積以便制備發(fā)射白色光的OLED。最后，由銀和/或鋁制成的金屬陰極通過真空蒸發(fā)被直 接地沉積在有機(jī)層的堆疊體上。 -更優(yōu)選地，結(jié)晶層用3至10nm，甚至3至6nm的AZO制成，上阻擋體是具有低于3nm厚度的氧化鈦層，和上層是具有低于50nm,甚至小于或等于35nm,甚至20nm的厚度的ITO。
[0168] 在沒有結(jié)晶接觸層并且使用具有無定形最后層的下層的情況下，可以優(yōu)選的是加 入0? 5至3nm的下阻擋體，如Ti，甚至NiCr。
[0169] 作為替代的或者累加的上層，可以提到： -IZO(優(yōu)選地作為最后層，因此代替ITO)，具有低于50nm，甚至小于或等于35nm的厚 度， _無定形SnZnO或者基于氧化鋅的結(jié)晶層，例如在ITO下方或者代替ITO,具有低于 50nm，甚至小于或