32的方向再度為順時針方向。從電子漂移電流132到相鄰的磁鐵組件82的電子漂移電流130的電子跳躍會在磁鐵組件90的下繞轉(zhuǎn)部分144的末端處發(fā)生。此串音由箭頭156指示。由于串音154和串音156彼此反向，所以至少將近地補(bǔ)償電子漂移電流130和電子漂移電流132的電子損失。進(jìn)一步地，從電子漂移電流132到相鄰的磁鐵組件98的電子漂移電流134的電子跳躍會在磁鐵組件90的上繞轉(zhuǎn)部分142的末端處發(fā)生。此串音由箭頭158指示。在磁鐵組件98中，電子漂移電流134的方向為逆時針方向。從電子漂移電流134到相鄰的磁鐵組件90的電子漂移電流132的電子跳躍會在磁鐵組件98的上繞轉(zhuǎn)部分142的末端處發(fā)生。此串音由箭頭160指示。由于串音158和串音160彼此反向，所以至少將近地補(bǔ)償電子漂移電流132和電子漂移電流134的所述電子損失。從電子漂移電流134到相鄰的磁鐵組件106的電子漂移電流136的電子跳躍會在磁鐵組件98的下繞轉(zhuǎn)部分144的末端處發(fā)生。此串音由箭頭162指示。在磁鐵組件106中，電子漂移電流136的方向為順時針方向。從電子漂移電流136到相鄰的磁鐵組件98的電子漂移電流134的電子跳躍會在磁鐵組件106的下繞轉(zhuǎn)部分144的末端處發(fā)生。此串音由箭頭164指示。由于串音162和串音164彼此反向，所以至少將近地補(bǔ)償電子漂移電流134和電子漂移電流136的所述電子損失。
[0045]根據(jù)圖4的實施例清楚地繪示磁鐵組件之間的磁極性的交替至少將近造成對電子損失的補(bǔ)償。此種交替的磁極性使得磁鐵組件之間的電子漂移電流的方向反向。這種情況導(dǎo)致電子損失的位置從繞轉(zhuǎn)部分的一側(cè)移位至另一側(cè)，也就是從下繞轉(zhuǎn)部分144至上繞轉(zhuǎn)部分142且反之亦然。
[0046]有利地，根據(jù)本發(fā)明，相鄰陰極之間的串音(即電子損失)可以避免。此串音可能是由陣列電子漂移電流穿過或環(huán)繞鄰近的陰極的陣列所產(chǎn)生，所述陣列具有類似磁鐵組件。陣列電子漂移電流將沿著陰極陣列的外陰極流動，并在磁鐵組件的繞轉(zhuǎn)部分中在陰極之間跳躍。陣列電子漂移電流會疊加陰極中的單獨(dú)電子漂移電流。由于陣列電子漂移電流，陰極陣列中，主要內(nèi)陰極的磁鐵組件的繞轉(zhuǎn)部分的等離子體密度會增加。這可導(dǎo)致局部靶材沖蝕的增加，特別是在接近磁鐵組件的繞轉(zhuǎn)部分的靶材位置。因此，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)點，可以達(dá)到均勻的靶材沖蝕，特別是在由多個鄰近的陰極的陣列中的內(nèi)陰極的靶材的均勻沖蝕。因此，避免了陣列電子漂移電流的產(chǎn)生。
[0047]圖5繪示用以涂布濺鍍材料層于基板12上的另外的示例性裝置166的示意圖。一般來說，根據(jù)圖5的裝置166的配置對應(yīng)于圖根據(jù)3B的裝置10的配置。圖5繪示陰極168、170、172、174、176和178的剖面圖，然而裝置166的其它特征被省略以便更好的概述。單一陰極168?178的配置對應(yīng)于在圖2幫助下描述的陰極16的配置。相對于結(jié)合圖3所描述的實施例，在根據(jù)圖5的本實施例中，外磁鐵串的磁極性并未在磁鐵組件之間交替。在本實施例中，兩個鄰近的磁鐵組件的相鄰?fù)獯艠O性相同，此兩個鄰近的磁鐵組件與外磁極與所述兩個鄰近的磁鐵組件的所述相鄰?fù)獯艠O不同的磁鐵組件交替。因此，圖5繪示陰極陣列，其中兩個N-S-N陰極組件緊挨著彼此提供并形成一對N-S-N陰極，且一個S-N-S陰極緊挨著此對N-S-N陰極而提供。借此，沿著或跨過整個陣列的等離子體電子的電流回路被中斷。鑒于以上內(nèi)容，根據(jù)本文所描述的不同實施例，陰極陣列包含至少兩個磁鐵組件，其中至少兩個磁鐵組件中的一者外磁極性不同于相鄰的外磁極性。因此，提供兩個鄰近的陰極之間的外(或內(nèi))磁極性的磁極性的至少一次交替。通常，如關(guān)于圖3B及4所說明，每個陰極相對于鄰近的陰極可具有交替的磁極性?？衫斫獾氖?，可提供交替選擇的多個組合，只要在兩個鄰接的陰極之中提供了交替。
[0048]圖6繪示三個鄰近的磁鐵組件216、218、220的剖面示意圖，所述三個磁鐵組件背分配至單一平面式陰極222以用于用以涂布濺鍍材料層于基板12上的裝置224中。陰極222連接至靶材226。磁鐵組件216包括具有外磁極性N的外磁鐵串228和230。在外磁鐵串228和外磁鐵串230之間，磁鐵組件216包括具有內(nèi)磁極性S的內(nèi)磁鐵串232。內(nèi)磁極性S不同于外磁極性N。磁鐵組件218的外磁鐵串234鄰接于外磁鐵串230設(shè)置。外磁鐵串234具有外磁極性S，所述外磁極性S不同于外磁鐵串230的外磁極性N。磁鐵組件218的外磁鐵串236也具有外磁極性S，且磁鐵組件218的內(nèi)磁鐵串238具有內(nèi)磁極性N。第三磁鐵組件220的配置對應(yīng)于第一磁鐵組件216的配置。因此，外磁鐵串240和242具有外磁極性N，且內(nèi)磁鐵串244具有內(nèi)磁極性S。
[0049]圖7繪示用以涂布濺鍍材料層于基板12上的示例性沉積系統(tǒng)14的示意圖。沉積系統(tǒng)14包括裝置10。裝置10固持平行設(shè)置的陰極16?26和陽極28?40。圖7圖示陰極16?26的縱軸114?124及相鄰的陰極之間的距離246。有利地，所述陰極設(shè)置地足夠靠近彼此，使得兩個相鄰的陰極可以彼此互相作用。較優(yōu)地，兩個相鄰的陰極之間的距離小于500mm。更優(yōu)地，兩個相鄰的陰極之間的距離在300mm與400mm之間，甚至更優(yōu)地是在235mm 與 250_ 之間。
[0050]有利地，根據(jù)本發(fā)明，可能使用濺鍍材料達(dá)到均勻地基板涂布。更有利地，可能提供用以涂布的靶材的非常均勻的沖蝕外型。這確保靶材具有高使用效率。靶材的使用壽命相較于現(xiàn)有技術(shù)的系統(tǒng)有所增加。相較于現(xiàn)有技術(shù)的系統(tǒng)，由于使用同樣一個或一組的靶材可以涂布更多的基材，這可以降低成本。此外，沉積系統(tǒng)能夠在不需要維護(hù)或預(yù)防性維護(hù)的情況下運(yùn)行更長時間。因此，相較于現(xiàn)有技術(shù)的系統(tǒng)，本系統(tǒng)的正常運(yùn)作時間有所提高，這允許了更高的系統(tǒng)使用效率。
[0051]特別地，根據(jù)本發(fā)明的沉積系統(tǒng)是用以涂布具有大面積的基板的PVD (PhysicalVapor Deposit1n ；PVD)大面積沉積系統(tǒng)。典型地，沉積系統(tǒng)以及用以涂布派鍍材料層于基板上的裝置適用于靜態(tài)沉積工藝，其中基板是靜態(tài)的且不移動。然而，也可能將本發(fā)明應(yīng)用于動態(tài)沉積工藝，其中基板是移動的。并且，本發(fā)明適用于許多不同類型的基板，例如，基板可具有小面積。本發(fā)明可應(yīng)用于可旋轉(zhuǎn)革G材及平面式革El材、以及交流電(AlternatingCurrent)系統(tǒng)與直流電(Direct Current)系統(tǒng)。較優(yōu)地，本發(fā)明適用于用以涂布派鍍材料層于基板上的沉積系統(tǒng)和裝置，所述基板包含超過兩個以上的磁鐵組件。更優(yōu)地，這些磁鐵組件是并排布置的。
[0052]根據(jù)本文所描述的一些實施例，所述方法提供設(shè)置基板用于靜態(tài)沉積工藝的濺鍍沉積。典型地，特別是針對大面積基板處理，例如是垂直配向的大面積基板的處理，在靜態(tài)沉積與動態(tài)沉積之間可存在區(qū)別。動態(tài)濺鍍(即基板連續(xù)或近似連續(xù)地沿著沉積來源移動的線內(nèi)處理將是較容易的，這是因為工藝可以在基板移動至沉積區(qū)域中之前穩(wěn)定化，并且在基板通過沉積來源時保持穩(wěn)定。盡管如此，動態(tài)沉積可具有其它的缺點，例如，會產(chǎn)生顆粒。此缺點特別會發(fā)生在薄膜晶體管(TFT)背板沉積。根據(jù)本文所描述的實施例，可提供一種靜態(tài)派鍍，例如是用于TFT處理，其中等離子體可以在初始基板(pristine substrate)沉積之前穩(wěn)定化。借此，應(yīng)注意，與動態(tài)沉積工藝相比為不同的術(shù)語靜態(tài)沉積工藝并不排除本領(lǐng)域具有通常知識者所理解的任何基板移動。舉例來說，靜態(tài)沉積工藝可以包含:沉積過程期間的靜態(tài)的基板位置、沉積期間的振動式(oscillating)的基板位置、沉積期間實質(zhì)上恒定的平均基板位置、沉積期間的顫動式(dithering)的基板位置、沉積期間的晃動式(wobbling)的基板位置、多個陰極(即預(yù)定的陰極組)提供于一個腔室的沉積工藝、層沉積期間的的沉積腔室相對于鄰近的腔室具有封閉的大氣環(huán)境(例如通過關(guān)閉閥門單元以使腔室與相鄰的腔室隔離)的基板位置、或以上各者之組合。因此，靜態(tài)沉積工藝可理解為具有靜態(tài)位置的沉積工藝、具有基本靜態(tài)位置的沉積工藝、或具有部分靜態(tài)位置基板的沉積工藝。借此，本文所描述的靜態(tài)沉積工藝可明確與動態(tài)沉積工藝區(qū)別，而不需要靜態(tài)沉積工藝的基板位置在沉積期間完全沒有任何移動。
[0053]根據(jù)與本文所描述的其它實施例組合的一些實施例，本文所描述的實施例可應(yīng)用于顯示器的物理