發(fā)光二極管封裝體的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件，特別涉及一種發(fā)光二極管封裝體的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 傳統(tǒng)的發(fā)光二級(jí)管封裝體的制造方法包括如下步驟：提供多個(gè)發(fā)光二極管晶粒及 一表面平整的基板；將這些發(fā)光二極管晶粒并排且間隔的設(shè)置的基板的一側(cè)表面；向基板 噴涂混合有熒光粉的膠體，并使這些膠體形成包括發(fā)光晶粒表面的熒光層；通過切割的方 式，切割相鄰發(fā)光二極管晶粒之間的熒光層，從而形成多個(gè)發(fā)光二極管封裝體。然而，切割 工藝成本較高并且浪費(fèi)工時(shí)，因此，如何有效降低制造成本、縮短工時(shí)成為業(yè)界函待解決的 一個(gè)技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 有鑒于此，有必要提供一種制程簡單的發(fā)光二極管封裝體的制造方法。
[0004] -種發(fā)光二極管封裝體的制造方法，包括以下步驟： 提供載板，所述載板包括承載部及自承載部一側(cè)表面間隔凸伸的多個(gè)阻擋部，相鄰的 阻擋部之間形成有容置槽； 提供發(fā)光二極管晶粒，并將發(fā)光二極管晶粒分別設(shè)置在容置槽中并位于承載部的頂 面，所述容置槽的深度遠(yuǎn)大于所述發(fā)光二極管晶粒的高度； 提供裝有熒光膠的點(diǎn)膠機(jī)，使所述點(diǎn)膠機(jī)朝向容置槽噴涂熒光膠，直至熒光膠完全包 裹發(fā)光二極管晶粒的外表面而形成熒光層； 剝離位于載體上的發(fā)光二極管晶粒。
[0005] 本發(fā)明中，因發(fā)光二極管晶粒分別收容在不同的收容槽中，并且，因每一發(fā)光二極 管晶粒的高度遠(yuǎn)小于收容槽的深度，當(dāng)發(fā)光二極管晶粒的外表面完全被熒光膠所包裹后， 容置槽在并沒有完全填滿的情況下噴涂熒光膠的過程早已結(jié)束，因此，位于每一容置槽內(nèi) 的熒光層被阻擋部阻擋而斷開設(shè)置，因此，同時(shí)制成的多個(gè)發(fā)光二極管封裝體之間無需晶 粒切割熒光層的過程，簡化了制造過程，縮短了制造工時(shí)。
【附圖說明】
[0006] 圖1是本發(fā)明中發(fā)光二極管封裝體的制造方法的流程圖。
[0007] 圖2為發(fā)光二極管封裝體制造過程中載板的正視圖。
[0008] 圖3是圖2中載板的俯視圖。
[0009] 圖4是將發(fā)光二極管晶粒放置于載板上的示意圖。
[0010] 圖5是發(fā)光二極管封裝體制造過程中噴涂熒光膠的示意圖。
[0011] 圖6是剝離載板的阻擋件的示意圖。
[0012] 圖7是發(fā)光二極管封裝體的示意圖。
[0013] 主要元件符號(hào)說明
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種發(fā)光二極管封裝體的制造方法，包括以下步驟： 提供載板，所述載板包括承載部及自承載部一側(cè)表面間隔凸伸的多個(gè)阻擋部，相鄰的 阻擋部之間形成有容置槽； 提供發(fā)光二極管晶粒，并將發(fā)光二極管晶粒分別設(shè)置在容置槽中并位于承載部的頂 面，所述容置槽的深度遠(yuǎn)大于所述發(fā)光二極管晶粒的高度； 提供裝有熒光膠的點(diǎn)膠機(jī)，使所述點(diǎn)膠機(jī)朝向容置槽噴涂熒光膠，直至熒光膠完全包 裹發(fā)光二極管晶粒的外表面而形成熒光層； 剝離位于載體上的發(fā)光二極管晶粒。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體的制造方法，其特征在于：所述阻擋部可拆 卸的裝設(shè)在承載部上。
3. 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝體的制造方法，其特征在于：所述阻擋部粘接 在承載部上。
4. 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝體的制造方法，其特征在于：在剝離發(fā)光二極 管封裝體時(shí)，先移除承載部上的阻擋部使發(fā)光二極管封裝體完全暴露于承載部的頂面，然 后自承載部上剝離發(fā)光二極管封裝體。
5. 如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝體的制造方法，其特征在于：在將發(fā)光二極管 晶粒放置于承載部之前，在承載部的頂面對(duì)應(yīng)容置槽處設(shè)置薄膜，所述發(fā)光二極管晶粒設(shè) 置于所述薄膜上，剝離時(shí)，直接撕扯薄膜的一側(cè)。
6. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體的制造方法，其特征在于：在噴涂熒光膠的 過程中，在重力的作用下，熒光層分別形成位于發(fā)光二極管晶粒發(fā)光角中部的第一熒光區(qū) 及位于發(fā)光二極管晶粒發(fā)光角邊緣的第二熒光區(qū)，其中第一熒光區(qū)的厚度小于第二熒光區(qū) 的厚度。
7. 如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝體的制造方法，其特征在于：所述第一熒光區(qū) 的各處厚度相等，位于發(fā)光二極管晶粒的頂面及與頂面相連的側(cè)面的上端，第二熒光粉區(qū) 的各處厚度相等，位于發(fā)光二極管晶粒側(cè)面的下端。
8. 如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝體的制造方法，其特征在于：所述第一熒光區(qū) 的縱截面呈U形，第二熒光區(qū)的縱截面呈方形。
9. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝體的制造方法，其特征在于：第二熒光區(qū)自第 一突光區(qū)的底端向外延伸形成。
【專利摘要】一種發(fā)光二極管封裝體的制造方法，包括以下步驟：提供載板，所述載板包括承載部及自承載部一側(cè)表面間隔凸伸的多個(gè)阻擋部，相鄰的阻擋部之間形成有容置槽；提供發(fā)光二極管晶粒，并將發(fā)光二極管晶粒分別設(shè)置在容置槽中并位于承載部的頂面，所述容置槽的深度遠(yuǎn)大于所述發(fā)光二極管晶粒的高度；提供裝有熒光膠的點(diǎn)膠機(jī)，使所述點(diǎn)膠機(jī)朝向容置槽噴涂熒光膠，直至熒光膠完全包裹發(fā)光二極管晶粒的外表面而形成熒光層；剝離位于載體上的發(fā)光二極管晶粒。
【IPC分類】H01L33-50, H01L33-48
【公開號(hào)】CN104752580
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310732631
【發(fā)明人】林厚德, 張超雄, 陳濱全, 陳隆欣
【申請(qǐng)人】展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
【公開日】2015年7月1日
【申請(qǐng)日】2013年12月27日