倒裝led芯片的封裝方法及使用該封裝方法的倒裝led芯片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及LED封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種倒裝LED芯片的封裝方法及使用該封裝方法的倒裝LED芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]LED的封裝方法比較多，目前一種業(yè)界常見(jiàn)的封裝方法是:先通過(guò)焊接芯片、然后涂覆熒光粉兩步來(lái)完成的。例如2013年6月26號(hào)公布的專利申請(qǐng)?zhí)枮?01110431854.1的發(fā)明，即揭示了一種白光LED的封裝工藝。該白光LED的封裝工藝包括如下步驟:a、提供封裝支架、透光封蓋及藍(lán)色LED倒裝芯片；b、固晶，將藍(lán)色LED倒裝芯片固定于封裝支架上；C、焊線，將藍(lán)色LED倒裝芯片的正、負(fù)極分別與封裝支架上的第一電極和第二電極電性相連；d、點(diǎn)膠，將已配好的熒光膠填充入封裝支架內(nèi)；e、密封，將透光封蓋組裝于封裝支架頂部；f、離心沉淀，通過(guò)離心力的作用將熒光膠中的熒光粉沉淀到封裝支架的底部表面及LED芯片表面上，形成一層高濃度的熒光粉層；g、烘烤，將經(jīng)過(guò)離心沉淀的LED放入烘烤裝置進(jìn)行烘烤完成。這種工藝流程存在需要大量的設(shè)備投入、生產(chǎn)效率低等缺點(diǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，有必要提供一種生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單的倒裝LED芯片的封裝方法及使用該封裝方法的倒裝LED芯片。
[0004]一種倒裝LED芯片的封裝方法，包括如下步驟:先制作倒裝LED芯片的外延片；將薄膜固定在該外延片的頂部；在該外延片上制作電極，以形成倒裝LED芯片；在一個(gè)基板上設(shè)置錫膏，使該LED芯片的兩個(gè)電極分別與該錫膏接觸，之后對(duì)該基板及其上的LED芯片進(jìn)行回流焊，使得LED芯片的電極被焊接在該基板上；該薄膜在回流焊的過(guò)程中受熱熔化并包覆該LED芯片，之后冷卻固化形成封裝層。
[0005]一種倒裝LED芯片，該倒裝LED芯片設(shè)置在基板上，該倒裝LED芯片的封裝方法包括如下步驟:先制作倒裝LED芯片的外延片；將薄膜固定在該外延片的頂部；在該外延片上制作電極，以形成倒裝LED芯片；在一個(gè)基板上設(shè)置錫膏，使該LED芯片的兩個(gè)電極分別與該錫膏接觸，之后對(duì)該基板及其上的LED芯片進(jìn)行回流焊，使得LED芯片的電極被焊接在該基板上；該薄膜在回流焊的過(guò)程中受熱熔化并包覆該LED芯片，之后冷卻固化形成封裝層。
[0006]與現(xiàn)有技術(shù)相比，該倒裝LED芯片的封裝方法利用先形成該薄膜，而后該薄膜在回流焊的過(guò)程中受熱熔化并整體包覆該LED芯片最后冷卻固化形成封裝層，且同時(shí)該LED芯片的電極已被焊接在該基板上，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)該LED芯片的完整封裝。由于封裝時(shí)無(wú)需先通過(guò)焊接芯片、然后涂覆熒光粉兩步來(lái)完成的，使得該倒裝LED芯片的封裝方法具有工藝簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1是本發(fā)明倒裝LED芯片的封裝方法第一實(shí)施例中將薄膜固定在外延片上的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖1所示倒裝LED芯片的封裝方法切割后形成的倒裝LED芯片的示意圖；
[0008]圖3是圖2所示倒裝LED芯片焊接在基板上未包含圍壩的示意圖；
[0009]圖4是圖3所示倒裝LED芯片的薄膜融化后形成的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0010]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0011]11薄膜 12外延片 13電極
[0012]10LED芯片20錫膏 30基板
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖與【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0014]圖1至圖4是本發(fā)明倒裝LED芯片的封裝方法的相關(guān)結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)參考圖4，該倒裝LED芯片10設(shè)置在基板30上，包括封裝層，該封裝層將該LED芯片10封裝在該基板30上。
[0015]請(qǐng)參考圖4，該封裝層由設(shè)置在該倒裝LED芯片10的外延片12上的薄膜11在將該LED芯片10焊接到基板30上時(shí)受熱熔化包覆該LED芯片10后固化形成。該薄膜11包括位于底部的第一層及位于該第一層的熔化層(圖未示)，該第一層的熔點(diǎn)高于回流焊的最高溫，該第一層直接與該外延片12連接。該熔化層的溫度為該回流焊的高溫段溫度，以便在回流焊的高溫段受熱熔化。該薄膜11對(duì)該外延片12的頂部具有良好的浸潤(rùn)性。該薄膜11中混合有突光粉，所述突光粉將該LED芯片10發(fā)出的光轉(zhuǎn)換并混合形成白光。該薄膜11的頂部對(duì)應(yīng)每個(gè)要成型的LED芯片10分別設(shè)有十字形或與LED芯片10頂部相似的四邊形溝槽。該基板30上圍繞每個(gè)LED芯片10分別設(shè)有一個(gè)圓環(huán)形圍壩31，該圍壩31的高度低于該LED芯片10的高度，該圍壩31用于阻擋薄膜11熔化后形成的液體。該薄膜11的制作方法為，將聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯溶于四氯乙烷形成溶液，并將熒光粉加入溶液中分散均勻，之后，將溶劑蒸發(fā)制得該薄膜U。
[0016]請(qǐng)參照?qǐng)D1至圖4，本發(fā)明第一實(shí)施例的倒裝LED封裝方法包括如下步驟:
[0017]首先，制作倒裝LED芯片的外延片12。
[0018]其次，請(qǐng)參照?qǐng)D1，將薄膜11固定在該外延片12的頂部，在該外延片12上制作多對(duì)電極13。
[0019]請(qǐng)參照?qǐng)D2，切割該薄膜11及該外延片12形成多個(gè)倒裝LED芯片10。
[0020]請(qǐng)參照?qǐng)D3，在一個(gè)基板30上設(shè)置錫膏20，使該LED芯片10的兩個(gè)電極13分別與該錫骨20接觸。
[0021]最后，請(qǐng)參照?qǐng)D4，對(duì)該基板30及其上的LED芯片10進(jìn)行回流焊，使得LED芯片10的電極13被焊接在該基板30上，該薄膜11的熔化層的熔化溫度為該回流焊的高溫段溫度，該薄膜11在回流焊的過(guò)程中受熱熔化并包覆該LED芯片10，之后冷卻固化形成封裝層。
[0022]經(jīng)過(guò)上述封裝步驟，即可以得到本發(fā)明第一實(shí)施例的倒裝LED芯片。
[0023]綜上所述，該倒裝LED芯片的封裝方法及使用該封裝方法的倒裝LED芯片，利用先形成該薄膜11，而后該薄膜11在回流焊的過(guò)程中受熱熔化并整體包覆該LED芯片10，最后冷卻固化形成封裝層，且同時(shí)該LED芯片10的電極13已被焊接在該基板30上，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)該LED芯片10的完整封裝。由于封裝時(shí)無(wú)需先通過(guò)焊接芯片、然后涂覆熒光粉兩步來(lái)完成的，使得該倒裝LED芯片的封裝方法及使用該封裝方法的倒裝LED芯片具有工藝簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。
[0024]在該薄膜11頂部設(shè)置十字形或四邊形凹槽可以使該熔化層熔化時(shí)液體向四方滑落，從而均勻包覆該LED芯片10。該圍壩31的設(shè)置使得該薄膜11可以做得更厚，熔化形成的液體更多，從而均勻包覆該LED芯片10。該薄膜11的熔化溫度可以設(shè)置為200至260攝氏度。該薄膜11的第一層與熔化層的設(shè)置，使得回流焊時(shí)，該第一層不會(huì)熔化，從而保證該LED芯片10的頂面出光均勻。當(dāng)然，在工藝能達(dá)到要求的前提下，該薄膜11可以為單層結(jié)構(gòu)，其熔化溫度為該回流焊的高溫段溫度。熔化時(shí)，仍有部分液體留在該LED芯片10頂部，從而完全包覆該LED芯片10。
[0025]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，任何本領(lǐng)域人員在不脫離本方案技術(shù)范圍內(nèi)，利用上述揭露的技術(shù)內(nèi)容作些許改動(dòng)的為同等變化的等效實(shí)施例。但凡脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護(hù)的范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種倒裝LED芯片的封裝方法，其特征在于:包括如下步驟:先制作倒裝LED芯片的外延片；將薄膜固定在該外延片的頂部；在該外延片上制作電極，以形成倒裝LED芯片；在一個(gè)基板上設(shè)置錫膏，使該LED芯片的兩個(gè)電極分別與該錫膏接觸，之后對(duì)該基板及其上的LED芯片進(jìn)行回流焊，使得LED芯片的電極被焊接在該基板上；該薄膜在回流焊的過(guò)程中受熱熔化并包覆該LED芯片，之后冷卻固化形成封裝層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片的封裝方法，其特征在于:該薄膜中混合有熒光粉，所述突光粉將該LED芯片發(fā)出的光轉(zhuǎn)換并混合形成白光。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片的封裝方法，其特征在于:該外延片上制作有多對(duì)電極，還包括切割該薄膜及該外延片形成多個(gè)LED芯片的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片的封裝方法，其特征在于:該薄膜的頂部對(duì)應(yīng)每個(gè)要成型的LED芯片分別設(shè)有十字形或與LED芯片頂部相似的四邊形溝槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片的封裝方法，其特征在于:該薄膜的制作方法為，將聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯溶于四氯乙烷形成溶液，并將熒光粉加入該溶液中分散均勻，之后，將溶劑蒸發(fā)制得該薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片的封裝方法，其特征在于:該薄膜包括位于底部的第一層及位于該第一層的熔化層，該第一層的熔點(diǎn)高于回流焊的最高溫，該第一層直接與該外延片連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的倒裝LED芯片的封裝方法，其特征在于:該基板上圍繞每個(gè)LED芯片分別設(shè)有一個(gè)圓環(huán)形圍壩，該圍壩的高度低于該LED芯片的高度，該圍壩用于阻擋薄膜熔化后形成的液體。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片的封裝方法，其特征在于:該薄膜的熔化溫度為該回流焊的高溫段溫度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片的封裝方法，其特征在于:該薄膜對(duì)該外延片的頂部具有良好的浸潤(rùn)性。
10.一種倒裝LED芯片，該倒裝LED芯片設(shè)置在基板上，其特征在于，該倒裝LED芯片通過(guò)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述方法封裝在該基板上。
【專利摘要】一種倒裝LED芯片的封裝方法，先制作倒裝LED芯片的外延片；將薄膜固定在該外延片的頂部；在該外延片上制作電極，以形成倒裝LED芯片；在一個(gè)基板上設(shè)置錫膏，使該LED芯片的兩個(gè)電極分別與該錫膏接觸，之后對(duì)該基板及其上的LED芯片進(jìn)行回流焊，使得LED芯片的電極被焊接在該基板上；該薄膜在回流焊的過(guò)程中受熱熔化并包覆該LED芯片，之后冷卻固化形成封裝層。同時(shí)，還提供了一種使用該封裝方法的倒裝LED芯片。該倒裝LED芯片的封裝方法及使用該封裝方法的倒裝LED芯片具有生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。
【IPC分類】H01L33-62
【公開(kāi)號(hào)】CN104752595
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310731970
【發(fā)明人】馬志超, 郭偉杰, 李甫文
【申請(qǐng)人】立達(dá)信綠色照明股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年7月1日
【申請(qǐng)日】2013年12月26日