一種耐撞擊的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種耐撞擊的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)。
技術(shù)背景
[0002]傳統(tǒng)的半導(dǎo)體芯片封裝方式一般是通過高溫高壓將在常溫下是固態(tài)的封裝材料融化注入模具并重新快速固化成型(5?50秒)的封裝工藝方法。該種封裝方式在加工過程中，被封裝產(chǎn)品需要承受較高的溫度與壓力，如果需要封裝的產(chǎn)品本身不能承受高溫高壓，就不能使用該種固態(tài)材料封裝方式。利用常溫下為液態(tài)的環(huán)氧封裝材料，低壓注入模具，并使用烘烤固化可以解決被封裝材料本身不耐高溫高壓的缺點(diǎn)，但是液體的環(huán)氧封裝材料的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度較低，固化后環(huán)氧封裝材料的強(qiáng)度低，容易受到高低溫突變(如回流焊接、高低溫沖擊等)影響，發(fā)生表面突起，開裂等異常狀況，影響封裝品質(zhì)。
[0003]而且隨著電子設(shè)備大量應(yīng)用到社會的方方面面，尤其是應(yīng)用至容易受到撞擊場合，比如游戲場上易撞擊物體安裝的電子儀器，玩具碰碰車上安裝的電子儀器，甚至是惡劣環(huán)境中生存救援電子設(shè)備，這時人們需要重新審視傳統(tǒng)工藝封裝的半導(dǎo)體芯片能否承受的住這樣的撞擊，即便是在電子設(shè)備縮小其安裝空間，上下層的電子元器件甚至相互接觸的情況下，能夠承受住封裝的半導(dǎo)體元器件在外壓力作用下免受機(jī)械壓力損傷的考驗(yàn)。因此，研制耐撞擊的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)非常必要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明克服了現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供了一種耐撞擊的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)。
[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:一種耐撞擊的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體芯片和基板，所述半導(dǎo)體芯片安裝在基板上，所述半導(dǎo)體芯片四周的基板上設(shè)有腳孔，所述腳孔內(nèi)安裝進(jìn)金屬絲架的架腳，所述金屬絲架覆蓋在半導(dǎo)體芯片的上方，所述半導(dǎo)體芯片、基板、腳孔和金屬絲架均被封裝材料覆蓋，所述封裝材料為環(huán)氧樹脂和纖維絲線的混合物。
[0006]作為優(yōu)選，所述纖維絲線的直徑為0.2?1mm，所述纖維絲線的單根長度為3?1mm0
[0007]作為優(yōu)選，所述的金屬絲架為硬銅絲架。
[0008]作為優(yōu)選，所述金屬絲架為長方體上方的四個棱和中間的四個棱組成的框架結(jié)構(gòu)。
[0009]作為優(yōu)選，所述金屬絲架的上方的四個棱組成的長方形的對角線上設(shè)有加強(qiáng)絲。
[0010]作為優(yōu)選，所述封裝材料覆蓋在所述加強(qiáng)絲所在的平面上的厚度為0.2?0.8mm。
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是:顯著地提高了封裝材料強(qiáng)度，能夠很好的解決封裝在高低溫突變的情況下出現(xiàn)的表面突起、開裂等異常狀況；使封裝后的產(chǎn)品能夠承受住外力的撞擊而不會產(chǎn)生機(jī)械損傷，使半導(dǎo)體元器件適合應(yīng)用于惡劣撞擊環(huán)境下的使用場入口 O
【附圖說明】
[0012]圖1是本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖2是本發(fā)明實(shí)施例中的基板和硬銅絲架組裝后的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合附圖與【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0015]如圖1、圖2所示，一種耐撞擊的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體芯片I和基板2，所述半導(dǎo)體芯片I安裝在基板2上，所述半導(dǎo)體芯片I四周的基板2上設(shè)有腳孔4，所述腳孔4內(nèi)安裝進(jìn)硬銅絲架5的架腳，所述硬銅絲架5覆蓋在半導(dǎo)體芯片I的上方，所述半導(dǎo)體芯片1、基板2、腳孔4和硬銅絲架5均被封裝材料6覆蓋，所述封裝材料6為環(huán)氧樹脂和纖維絲線的混合物，所述纖維絲線的直徑為0.5mm，所述纖維絲線的單根長度為5mm，所述硬銅絲架5為長方體上方的四個棱和中間的四個棱組成的框架結(jié)構(gòu)，所述硬銅絲架5的上方的四個棱組成的長方形的對角線上設(shè)有加強(qiáng)絲，所述封裝材料6覆蓋在所述加強(qiáng)絲所在的平面上的厚度為0.7mm。
[0016]由于封裝材料6為環(huán)氧樹脂和纖維絲線的混合物，通過纖維絲線在液態(tài)環(huán)氧樹脂內(nèi)的雜亂無序的布置，可以在封裝材料固化后得到很高的強(qiáng)度，能夠承受如回流焊接、高低溫沖擊等高低溫突變的影響，使表面不會突起和開裂，由于硬銅絲架5對半導(dǎo)體芯片的外圍形成保護(hù)，增強(qiáng)了整個封裝結(jié)構(gòu)外圍框架的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，特別是加強(qiáng)絲對半導(dǎo)體芯片I上方形成的防撞擊沖力的保護(hù)，可以使封裝后的產(chǎn)品能夠承受住外力的撞擊而不會產(chǎn)生機(jī)械損傷，使產(chǎn)品適合在承受惡劣撞擊力的場合使用。
[0017]除了上述的實(shí)施例外，其他未述的實(shí)施方式也應(yīng)在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。本文所述的具體實(shí)施例僅僅是對本發(fā)明精神作舉例說明，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對所描述的具體實(shí)施例做各種各樣的修改或補(bǔ)充或采用類似的方式替代，但并不會偏離本發(fā)明的精神或超越所附權(quán)利要求書所定義的范圍。本文雖然透過特定的術(shù)語進(jìn)行說明，但不排除使用其他術(shù)語的可能性，使用這些術(shù)語僅僅是為了方便地描述和解釋本發(fā)明的本質(zhì)，把它們解釋成任何一種附加的限制都是與本發(fā)明精神相違背的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種耐撞擊的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體芯片和基板，所述半導(dǎo)體芯片安裝在基板上，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片四周的基板上設(shè)有腳孔，所述腳孔內(nèi)安裝進(jìn)金屬絲架的架腳，所述金屬絲架覆蓋在半導(dǎo)體芯片的上方，所述半導(dǎo)體芯片、基板、腳孔和金屬絲架均被封裝材料覆蓋，所述封裝材料為環(huán)氧樹脂和纖維絲線的混合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐撞擊的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述纖維絲線的直徑為0.2?1mm，所述纖維絲線的單根長度為3?10mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐撞擊的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的金屬絲架為硬銅絲架。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐撞擊的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬絲架為長方體上方的四個棱和中間的四個棱組成的框架結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種耐撞擊的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬絲架的上方的四個棱組成的長方形的對角線上設(shè)有加強(qiáng)絲。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種耐撞擊的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝材料覆蓋在所述加強(qiáng)絲所在的平面上的厚度為0.2?0.8mm。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種耐撞擊的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體芯片和基板，所述半導(dǎo)體芯片安裝在基板上，所述半導(dǎo)體芯片四周的基板上設(shè)有腳孔，所述腳孔內(nèi)安裝進(jìn)金屬絲架的架腳，所述金屬絲架覆蓋在半導(dǎo)體芯片的上方，所述半導(dǎo)體芯片、基板、腳孔和金屬絲架均被封裝材料覆蓋，所述封裝材料為環(huán)氧樹脂和纖維絲線的混合物，本發(fā)明的技術(shù)方案解決了封裝在高低溫突變的情況下出現(xiàn)的表面突起、開裂的異常狀況，使封裝后的產(chǎn)品能夠承受住外力的撞擊而不會產(chǎn)生機(jī)械損傷，使半導(dǎo)體元器件適合應(yīng)用于惡劣撞擊環(huán)境下的使用場合。
【IPC分類】H01L23-495, H01L23-29
【公開號】CN104766853
【申請?zhí)枴緾N201510177210
【發(fā)明人】張小平, 盧濤
【申請人】江蘇晟芯微電子有限公司
【公開日】2015年7月8日
【申請日】2015年4月15日