一種有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及照明技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管。
【背景技術(shù)】
[0002]在有機(jī)發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域，發(fā)光器件為有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light EmittingD1de，OLED)。
[0003]OLED的結(jié)構(gòu)主要包括:陽極、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層和陰極等功能層O
[0004]其中，OLED結(jié)構(gòu)中的各功能層，均會影響OLED的發(fā)光效率。比如，電子傳輸層、空穴傳輸層的載流子迀移率較高時，OLED的發(fā)光效率較高。
[0005]在現(xiàn)有技術(shù)中，OLED的電子傳輸層、空穴傳輸層均為有機(jī)層，載流子迀移率較低，從而，OLED的發(fā)光效率就較低。目前，OLED的發(fā)光效率還有待進(jìn)一步提高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供一種有機(jī)發(fā)光二極管，用以提高有機(jī)發(fā)光二極管的出光效率。
[0007]本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管0LED，包括:
[0008]上基板、下基板、電子傳輸層、空穴傳輸層、發(fā)光層；所述電子傳輸層和/或空穴傳輸層為鈣鈦礦-有機(jī)無機(jī)雜化層。
[0009]可選的，所述鈣鈦礦-有機(jī)無機(jī)雜化層為鹵化鉛甲胺層。
[0010]可選的，所述鈣鈦礦-有機(jī)無機(jī)雜化層的厚度為20-50nm。
[0011]可選的，所述媽鈦礦-有機(jī)無機(jī)雜化層的厚度為35nm。
[0012]可選的，所述發(fā)光層為銥配合物層。
[0013]可選的，所述銥配合物層為Ir (piq)2 (acac)層、Ir (ppy) 3層、或FIrpic層。
[0014]本申請實(shí)施例提供的一種0LED，包括:上基板、下基板、電子傳輸層、空穴傳輸層、發(fā)光層；所述電子傳輸層和/或空穴傳輸層為媽鈦礦-有機(jī)無機(jī)雜化層。由于有機(jī)無機(jī)雜化層作為電子傳輸層和空穴傳輸層，其不同于有機(jī)層，其載流子迀移率可達(dá)到8cm2/(V.s)以上，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于純有機(jī)材料的載流子迀移率。因此，載流子迀移率較高的電子傳輸層和空穴傳輸層可有效提高激子產(chǎn)生的效率，從而可有效提高電子和空穴的復(fù)合效率，進(jìn)而可有效提高OLED的發(fā)光效率。
【附圖說明】
[0015]此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0016]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，以下將結(jié)合本發(fā)明具體實(shí)施例及相應(yīng)的附圖對本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0018]參見圖1，為本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED結(jié)構(gòu)示意圖，包括:
[0019]下基板I ;
[0020]依次位于下基板I上的陽極2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層5、陰極6、上基板7。
[0021]其中，電子傳輸層5和/或空穴傳輸層3為有機(jī)無機(jī)雜化層，即電子傳輸層5和空穴傳輸層3至少之一為有機(jī)無機(jī)雜化層。
[0022]所述的有機(jī)無機(jī)雜化層是指有機(jī)無機(jī)雜化材料形成的膜層，該有機(jī)無機(jī)雜化層是有機(jī)材料和無機(jī)材料在微觀結(jié)構(gòu)上的一種結(jié)合，此如，有機(jī)無機(jī)雜化層是有機(jī)和無機(jī)成分通過弱作用力或強(qiáng)作用力結(jié)合而成的膜層。
[0023]OLED的發(fā)光原理為:電子和空穴分別從陰極和陽極向電極之間的有機(jī)活性層注入；電子和空穴在電場作用下，正負(fù)載流子在器件中相向輸運(yùn)；電子和空穴復(fù)合產(chǎn)生激子；激子經(jīng)過輻射躍迀產(chǎn)生光。
[0024]由此可見，電子和空穴的復(fù)合效率決定了激子產(chǎn)生的效率，進(jìn)而決定了發(fā)光效率。而電子和空穴的復(fù)合效率又由電子傳輸層和空穴傳輸層中正負(fù)載流子的注入勢皇和傳輸速率決定，即電子傳輸層和空穴傳輸層的載流子迀移率和能級結(jié)構(gòu)是影響電子和空穴復(fù)合效率的重要因素。
[0025]現(xiàn)有技術(shù)中，電子傳輸層和空穴傳輸層為有機(jī)層，而本申請實(shí)施例提供的有機(jī)無機(jī)雜化層作為電子傳輸層和空穴傳輸層，其不同于有機(jī)層，其載流子迀移率可達(dá)到8cm2/(V-s)以上，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于純有機(jī)材料的載流子迀移率。因此，載流子迀移率較高的電子傳輸層和空穴傳輸層可有效提高激子產(chǎn)生的效率，從而可有效提高電子和空穴的復(fù)合效率，進(jìn)而可有效提高OLED的發(fā)光效率。
[0026]由于有機(jī)無機(jī)雜化層具備無機(jī)材料的性質(zhì)也具備有機(jī)材料的性質(zhì)，因此，其具有電子傳輸能力和空穴傳輸能力，可同時作為電子傳輸層和空穴傳輸層。
[0027]當(dāng)電子傳輸層和空穴傳輸層均為有機(jī)無機(jī)雜化層，且材料相同時，可簡化OLED的制作工藝，節(jié)約成本。
[0028]在本發(fā)明中，所述有機(jī)無機(jī)雜化層可以為鈣鈦礦-有機(jī)無機(jī)雜化層，即具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的有機(jī)無機(jī)雜化層。
[0029]所述鈣鈦礦-有機(jī)無機(jī)雜化層可以為鹵化鉛甲胺層，如，氯化鉛甲胺(CH3NH3PbCl3)層、溴化鉛甲胺(CH3NH3PbBr3)層或碘化鉛甲胺層(CH3NH3Pb13_XCIx)等，或者還可以為選用N-(l-萘基)乙烯二胺二氫酸鹽與碘化鉛合成的具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的晶體材料(C12H14N2.2HI)2PbI2o
[0030]在本發(fā)明實(shí)施例中，若電子傳輸層和空穴傳輸層為鹵化鉛甲胺層時，載流子迀移率還可以根據(jù)鹵素離子(Cl、Br、I)含量或類型的改變進(jìn)行調(diào)控，對于OLED而言，可有效控制OLED的發(fā)光效率，從而使得OLED應(yīng)用于不同的領(lǐng)域。
[0031]可選的，所述的鈣鈦礦-有機(jī)無機(jī)雜化層的厚度為20-50nm。
[0032]可選的，所述鈣鈦礦-有機(jī)無機(jī)雜化層的厚度為35nm。
[0033]可選的，所述發(fā)光層為磷光材料，如銥配合物層、銪配合物層等。
[0034]可選的，所述銥配合物層可以為分別發(fā)紅光、綠光、藍(lán)光的Ir (Piq)2 (acac)層、Ir (ppy) 3層、或 FIrpic 層。
[0035]當(dāng)然，本發(fā)明實(shí)施例中的發(fā)光層的材料不限于磷光材料，此如，也可以是熒光材料，這里不再贅述。
[0036]本申請實(shí)施例提供的一種OLED，由于有機(jī)無機(jī)雜化層作為電子傳輸層和空穴傳輸層，其不同于有機(jī)層，其載流子迀移率可達(dá)到8cm2/(V.s)以上，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于純有機(jī)材料的載流子迀移率。因此，載流子迀移率較高的電子傳輸層和空穴傳輸層可有效提高激子產(chǎn)生的效率，從而可有效提高電子和空穴的復(fù)合效率，進(jìn)而可有效提高OLED的發(fā)光效率。
[0037]以上僅為本發(fā)明的實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管OLED，包括:上基板、下基板、電子傳輸層、空穴傳輸層、發(fā)光層；其特征在于，所述電子傳輸層和/或空穴傳輸層為鈣鈦礦-有機(jī)無機(jī)雜化層。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED，其特征在于，所述鈣鈦礦-有機(jī)無機(jī)雜化層為鹵化鉛甲胺層。
3.如權(quán)利要求1所述的OLED，其特征在于，所述鈣鈦礦-有機(jī)無機(jī)雜化層的厚度為20_50nm。
4.如權(quán)利要求3所述的OLED，其特征在于，所述鈣鈦礦-有機(jī)無機(jī)雜化層的厚度為35nm。
5.如權(quán)利要求1?4任一權(quán)項(xiàng)所述的OLED，其特征在于，所述發(fā)光層為銥配合物層。
6.如權(quán)利要求5所述的OLED，其特征在于，所述銥配合物層為Ir(piq)2 (acac)層、Ir (ppy)3層、或 FIrpic 層。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光二極管，用以提高有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率，所述有機(jī)發(fā)光二極管包括：上基板、下基板、電子傳輸層、空穴傳輸層、發(fā)光層；所述電子傳輸層和/或空穴傳輸層為鈣鈦礦-有機(jī)無機(jī)雜化層。
【IPC分類】H01L51-54, H01L51-50
【公開號】CN104795505
【申請?zhí)枴緾N201510164723
【發(fā)明人】高志翔, 屈文山, 王萍, 董麗娟, 劉麗想, 劉艷紅, 韓丙辰, 石云龍
【申請人】山西大同大學(xué)
【公開日】2015年7月22日
【申請日】2015年4月9日