一種四元led芯片干法蝕刻方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明一種四元LED巧片干法蝕刻方法，屬于L邸蝕刻技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002] 干法蝕刻是利用蝕刻氣體在電場加速作用下形成等離子體中的活性基，與被腐蝕 材料同時進(jìn)行物理式撞擊瓣蝕及化學(xué)反應(yīng)，來移除欲蝕刻部份，被蝕刻的物質(zhì)變成揮發(fā)性 的氣體，經(jīng)抽氣系統(tǒng)抽離；蝕刻的產(chǎn)品均勻度越低，則產(chǎn)品的良率越高，干法蝕刻的均勻度 受氣體種類、流量、電漿源及偏壓功率所的影響，通常，對于四元L邸巧片的干法蝕刻方法 所選用的氣體流量為lOsccm或20sccm，在電漿源、偏壓功率和蝕刻時間等條件相同的情況 下，氣體流量為lOsccm時的均勻度為1. 92%，氣體流量為20sccm時的均勻度為1. 32%，該 兩種氣體流量所生產(chǎn)的產(chǎn)品的均勻度均較高，因此產(chǎn)品的品質(zhì)不高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，所要解決的技術(shù)問題為提供一種四元LED巧片 干法蝕刻方法，調(diào)整氣體流量，使被蝕刻產(chǎn)品的均勻度降低，提高產(chǎn)品質(zhì)量。
[0004] 為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：一種四元L邸巧片干法蝕刻 方法，按照W下步驟進(jìn)行： a、 將偏壓功率設(shè)定為300W，電感禪合等離子體功率設(shè)定為500W，蝕刻時間設(shè)定為 130s，氣體流量設(shè)定為15±lsccm; b、 將帶有掩膜的待蝕刻材料放入反應(yīng)腔內(nèi)； C、將蝕刻完成的材料取出，置入化學(xué)溶液中去除掩膜；cU將材料放入測量儀，測試材料多個位置的蝕刻深度； 所述干法蝕刻方法的整個過程溫度控制在室溫20±2°C。
[0005] 本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有W下有益效果： 本發(fā)明選用了特定的氣體流量區(qū)間，大幅度降低了產(chǎn)品的均勻度，提高了產(chǎn)品質(zhì)量， 從而提高了生產(chǎn)效益。
【具體實(shí)施方式】[000引 實(shí)施例一： 一種四元L邸巧片干法蝕刻方法，按照W下步驟進(jìn)行： a、 將偏壓功率設(shè)定為300W，電感禪合等離子體功率設(shè)定為500W，蝕刻時間設(shè)定為 130s，氣體流量設(shè)定為14sccm; b、 將帶有掩膜的待蝕刻材料放入反應(yīng)腔內(nèi)； C、將蝕刻完成的材料取出，置入化學(xué)溶液中去除掩膜；d、將材料放入測量儀，測試材料五個位置的蝕刻深度； 所述干法蝕刻方法的整個過程溫度控制在室溫20±2°C。
[0007] 得到的測試結(jié)果見表1;
【主權(quán)項】
1. 一種四元LED芯片干法蝕刻方法，其特征在于：按照以下步驟進(jìn)行： a、 將偏壓功率設(shè)定為300W，電感耦合等離子體功率設(shè)定為500W，蝕刻時間設(shè)定為 130s，氣體流量設(shè)定為15± Isccm ; b、 將帶有掩膜的待蝕刻材料放入反應(yīng)腔內(nèi)； c、 將蝕刻完成的材料取出，置入化學(xué)溶液中去除掩膜； d、 將材料放入測量儀，測試材料多個位置的蝕刻深度。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1 一種四元LED芯片干法蝕刻方法，其特征在于：所述干法蝕刻方法 的整個過程溫度控制在室溫20±2°C。
【專利摘要】本發(fā)明一種四元LED芯片干法蝕刻方法，屬于LED蝕刻技術(shù)領(lǐng)域；解決的技術(shù)問題是提供了一種四元LED芯片干法蝕刻方法，在偏壓功率、電感耦合等離子體和蝕刻時間設(shè)定為特定值時調(diào)整氣體流量,使被蝕刻產(chǎn)品的均勻度降低，提高產(chǎn)品質(zhì)量；采用的技術(shù)方案為：一種四元LED芯片干法蝕刻方法，按照以下步驟進(jìn)行：將偏壓功率、電感耦合等離子體功率和蝕刻時間設(shè)定為特定值，氣體流量設(shè)定為15±1sccm；將帶有掩膜的待蝕刻材料放入反應(yīng)腔內(nèi)；將蝕刻完成的材料取出，置入化學(xué)溶液中去除掩膜；將材料放入測量儀，測試材料多個位置的蝕刻深度；本發(fā)明可廣泛應(yīng)用于蝕刻技術(shù)領(lǐng)域。
【IPC分類】H01L33-00
【公開號】CN104810438
【申請?zhí)枴緾N201510147537
【發(fā)明人】索志偉
【申請人】山西南燁立碁光電有限公司
【公開日】2015年7月29日
【申請日】2015年3月31日