光阻的硬度較低，因此刮傷產(chǎn)品的顆粒物能夠在所述監(jiān)控晶片的表面留下痕跡。
[0042]在本發(fā)明的方法中，可將該監(jiān)控晶片放置于一工藝設(shè)備中并仿真工藝狀態(tài)，借以監(jiān)控該工藝設(shè)備可能產(chǎn)生的顆粒物附著或表面刮傷。
[0043]接著，對所述監(jiān)控晶片進(jìn)行第一次顆粒物檢測以獲取第一數(shù)據(jù)，所述第一數(shù)據(jù)反映所述監(jiān)控晶片在仿真工藝狀態(tài)前的顆粒物狀況。
[0044]此后，根據(jù)所述第一數(shù)據(jù)判斷所述監(jiān)控晶片是否符合使用要求。若第一次顆粒物檢測獲得的第一數(shù)據(jù)在判斷基準(zhǔn)的范圍內(nèi)，意味著所述監(jiān)控晶片能滿足本發(fā)明的使用要求。若第一次顆粒物檢測獲得的第一數(shù)據(jù)超過判斷基準(zhǔn)，意味著所述監(jiān)控晶片不能滿足本發(fā)明的使用要求。所述判斷基準(zhǔn)由實(shí)際的生產(chǎn)設(shè)備決定，不同的生產(chǎn)設(shè)備可以有不同的判斷基準(zhǔn)。
[0045]需要指出的是，所述判斷基準(zhǔn)并不是唯一的，需要根據(jù)實(shí)際的工藝設(shè)備和工藝要求進(jìn)行調(diào)整。本實(shí)施例中，所述顆粒物缺陷的監(jiān)控方法是針對離子注入設(shè)備的顆粒物缺陷，判斷基準(zhǔn)是小于50顆，即所述第一數(shù)據(jù)要求小于50顆。所述第一數(shù)據(jù)反映是所述監(jiān)控晶片在離子注入前的顆粒物狀況，若所述第一數(shù)據(jù)大于或等于50顆，則所述監(jiān)控晶片不能滿足本發(fā)明的要求，若所述第一數(shù)據(jù)小于50顆，則能滿足本發(fā)明的使用要求。在其他實(shí)施例中，所述顆粒物缺陷的監(jiān)控方法可以針對其他生產(chǎn)設(shè)備的顆粒物缺陷，判斷基準(zhǔn)可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行調(diào)整，第一次顆粒物檢測獲得的第一數(shù)據(jù)不一定要求小于50顆。
[0046]然后，將符合使用要求的監(jiān)控晶片放入一工藝設(shè)備中并仿真工藝狀態(tài)。本實(shí)施例中，是將符合使用要求的監(jiān)控晶片放入離子注入設(shè)備中進(jìn)行離子注入。所述離子注入采用的離子源為砷離子(As+)，注入劑量在5E15atoms/cm2到6E15atoms/cm 2之間，注入角度(Tilt)為O。，工作電壓在50Kev到65Kev之間，工作電流15000 μΑ到17500 μA之間，電子浴起弧電流為1Α。
[0047]之后，對所述監(jiān)控晶片進(jìn)行第二次顆粒物檢測，并獲取第二數(shù)據(jù)，所述第二數(shù)據(jù)反映所述監(jiān)控晶片在仿真工藝狀態(tài)后的顆粒物狀況。
[0048]本實(shí)施例中，所述第一次顆粒物檢測和第二次顆粒物檢測采用同一檢測設(shè)備，所述第二數(shù)據(jù)反映所述監(jiān)控晶片在離子注入后的顆粒物狀況。
[0049]接著，將所述第一數(shù)據(jù)與所述第二數(shù)據(jù)進(jìn)行比對，以獲得所述工藝設(shè)備有關(guān)顆粒物缺陷的數(shù)據(jù)。所述工藝設(shè)備的顆粒物缺陷的數(shù)據(jù)是所述第二數(shù)據(jù)與第一數(shù)據(jù)之差。
[0050]本實(shí)施例中，所述工藝設(shè)備是指離子注入設(shè)備，所述第二數(shù)據(jù)與第一數(shù)據(jù)之差即為該離子注入設(shè)備的顆粒物缺陷的數(shù)據(jù)。例如，離子注入工藝前測得的第一數(shù)據(jù)(前值)是30顆，離子注入工藝后測得的第二數(shù)據(jù)(后值)是50顆，則所述工藝設(shè)備的顆粒物缺陷的數(shù)據(jù)就是20顆。
[0051]最后，對所述工藝設(shè)備的顆粒物缺陷的數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計，并根據(jù)統(tǒng)計結(jié)果確定所述顆粒物缺陷的監(jiān)控范圍。進(jìn)行統(tǒng)計時，要求所述工藝設(shè)備正常工作，沒有異常。采用本發(fā)明獲得的顆粒物缺陷的數(shù)據(jù)，與相應(yīng)的監(jiān)控范圍對比，如果超出監(jiān)控范圍，判斷設(shè)備是否出現(xiàn)異常，是否需要停機(jī)檢查。
[0052]本實(shí)施例中，分別對各臺離子注入設(shè)備的顆粒物缺陷數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計，并根據(jù)統(tǒng)計結(jié)果分別在各臺離子注入設(shè)備中設(shè)置顆粒物缺陷的監(jiān)控范圍。若顆粒物缺陷的數(shù)值遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過離子注入設(shè)備中設(shè)定的監(jiān)控范圍，就可以認(rèn)為設(shè)備出現(xiàn)異常，需要停機(jī)檢查。通過檢查確定顆粒物缺陷是否是表面刮傷，并根據(jù)顆粒物缺陷的類型做相應(yīng)的處理。由此，降低離子注入設(shè)備在作業(yè)時的風(fēng)險。
[0053]實(shí)驗(yàn)證明:采用本發(fā)明實(shí)施例的顆粒物缺陷的監(jiān)控方法，可以有效監(jiān)控離子注入設(shè)備的顆粒物缺陷，產(chǎn)品的良率更高。
[0054]綜上，在本發(fā)明實(shí)施例提供的顆粒物缺陷的監(jiān)控方法中，通過在光片上形成光阻以檢出顆粒物造成的表面刮傷，使得顆粒物缺陷的監(jiān)控更加全面，而且根據(jù)對顆粒物缺陷的數(shù)據(jù)統(tǒng)計，直接在工藝設(shè)備中設(shè)置顆粒物缺陷的監(jiān)控范圍，降低了由顆粒物缺陷引起的產(chǎn)品不良風(fēng)險，所述監(jiān)控方法非常簡單有效，能夠提高成品率。
[0055]上述描述僅是對本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述，并非對本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種顆粒物缺陷的監(jiān)控方法，其特征在于，包括: 提供一光片； 在所述光片上涂布光阻，以形成監(jiān)控晶片； 對所述監(jiān)控晶片進(jìn)行第一次顆粒物檢測，以獲取第一數(shù)據(jù)； 根據(jù)所述第一數(shù)據(jù)判斷所述監(jiān)控晶片可否符合使用要求； 將符合使用要求的監(jiān)控晶片放入一工藝設(shè)備中并仿真工藝狀態(tài)； 對仿真工藝狀態(tài)后的監(jiān)控晶片進(jìn)行第二次顆粒物檢測，以獲取第二數(shù)據(jù)； 將所述第一數(shù)據(jù)與第二數(shù)據(jù)進(jìn)行比對，以獲得所述工藝設(shè)備的顆粒物缺陷的數(shù)據(jù)；以及 對所述工藝設(shè)備的顆粒物缺陷的數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計，并根據(jù)統(tǒng)計結(jié)果在所述工藝設(shè)備中設(shè)置所述顆粒物缺陷的監(jiān)控范圍。2.如權(quán)利要求1所述的顆粒物缺陷的監(jiān)控方法，其特征在于，所述工藝設(shè)備的顆粒物缺陷的數(shù)據(jù)是所述第一數(shù)據(jù)與所述第二數(shù)據(jù)之差。3.如權(quán)利要求1所述的顆粒物缺陷的監(jiān)控方法，其特征在于，所述工藝設(shè)備為離子注入設(shè)備，所述離子注入設(shè)備用于實(shí)施離子注入。4.如權(quán)利要求3所述的顆粒物缺陷的監(jiān)控方法，其特征在于，所述離子注入的工藝參數(shù)為:離子源為砷離子，注入劑量在5E15atoms/cm2到6E15atoms/cm 2之間，注入角度為O。，工作電壓在50Kev到65Kev之間，工作電流15000 μ A到17500 μ A之間，電子浴起弧電流為IA。5.如權(quán)利要求3所述的顆粒物缺陷的監(jiān)控方法，其特征在于，所述第一數(shù)據(jù)要求小于50顆。6.如權(quán)利要求1所述顆粒物缺陷的監(jiān)控方法，其特征在于，所述光片是只有硅襯底，表面上無其他膜層的晶圓。7.如權(quán)利要求1所述顆粒物缺陷的監(jiān)控方法，其特征在于，所述光阻的厚度在1000埃到10000埃之間。8.如權(quán)利要求7所述顆粒物缺陷的監(jiān)控方法，其特征在于，所述光阻的厚度在4000埃到5000埃之間。9.如權(quán)利要求1所述的顆粒物缺陷的監(jiān)控方法，其特征在于，在提供一光片之后，在所述光片上涂布光阻之前，還包括:對所述光片進(jìn)行濕法清洗。10.如權(quán)利要求1所述的顆粒物缺陷的監(jiān)控方法，其特征在于，所述第一次顆粒物檢測和第二次顆粒物檢測采用同一檢測設(shè)備。
【專利摘要】在本發(fā)明提供的顆粒物缺陷的監(jiān)控方法中，通過在光片上形成光阻以檢出顆粒物造成的表面刮傷，使得顆粒物缺陷的監(jiān)控更加全面，而且根據(jù)顆粒物缺陷的數(shù)據(jù)統(tǒng)計，直接在工藝設(shè)備中設(shè)置顆粒物缺陷的監(jiān)控范圍，降低了由顆粒物缺陷引起的產(chǎn)品不良風(fēng)險，所述監(jiān)控方法非常簡單有效，能夠提高成品率。
【IPC分類】H01L21/66
【公開號】CN104882394
【申請?zhí)枴緾N201510309136
【發(fā)明人】國子明, 郭國超, 張凌越, 李楠
【申請人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
【公開日】2015年9月2日
【申請日】2015年6月7日