薄膜電阻器制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種薄膜電阻器制法，尤其涉及一種可在薄膜電阻層上設(shè)置無機保護層，以提高元件可靠度的薄膜電阻器制法。
【背景技術(shù)】
[0002]請參考圖6A?圖6D，為傳統(tǒng)薄膜電阻器的制造流程示意圖。首先在一基板101的上、下表面分別形成上電極102與下電極103，再于該上電極102的上覆蓋一遮罩層104。如圖6B所示，在基板101、上電極102與遮罩層104的表面再全面覆蓋薄膜狀的一電阻層105 ;藉由移除在覆蓋在上電極102的遮罩層104時，因為該電阻層105的厚度極薄，因此可同時將遮罩層104與其上方的電阻層105 —并移除，移除后的結(jié)構(gòu)如圖6C所示。
[0003]再請參考圖6D，利用能量射束燒蝕法，例如激光光束、聚焦離子束等該電阻層105進行蝕刻修整，使該電阻層105具有一預定的電阻值。當該電阻層105蝕刻完成后，以一保護層106將電阻層105包覆，如圖6E所示。接著，沿虛線所示位置進行薄膜電阻單體分離的程序，然后再執(zhí)行進一步的后續(xù)加工作業(yè)，使上電極102、下電極103由多層的導電材料包覆而成為可供焊接的電極。
[0004]但上述薄膜電阻器的結(jié)構(gòu)中只利用單獨一層的保護層106對電阻層105提供保護作用，所能提供的保護效果有限，該電阻層105易受外在環(huán)境因素影響而使電阻值發(fā)生較大幅度的偏移改變，偏離其預設(shè)的電阻值，也因此該薄膜電阻器的產(chǎn)品可靠度相對較低。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]有鑒于現(xiàn)有薄膜電阻器的制作方式僅能對薄膜電阻層提供單一層保護作用，電阻值易受外界因素影響而產(chǎn)生較大誤差，本發(fā)明的主要目的是提供一種可提高電阻值穩(wěn)定度的薄膜電阻器制法。
[0006]為達成前述目的，本發(fā)明所提出的薄膜電阻器制法包含:
[0007]于一絕緣的基板的上表面形成上電極；
[0008]形成一電阻層于該基板的上表面；
[0009]于該電阻層上覆蓋一遮罩層，該遮罩層具有預設(shè)圖案以顯露出部分的電阻層；
[0010]于該遮罩層及顯露出的電阻層上全面覆蓋一無機保護層；
[0011]移除該遮罩層，令位于該遮罩層上的無機保護層一并移除，其中，未移除的無機保護層覆蓋在原顯露出的電阻層上；
[0012]蝕刻該電阻層，以該無機保護層作為一蝕刻遮罩，去除未以無機保護層覆蓋的電阻層；
[0013]形成有機保護層，在該無機保護層上完整覆蓋一有機保護層。
[0014]藉此，本發(fā)明在電阻層上除了具備該有機保護層之外，更進一步覆蓋有一無機保護層，對該電阻層提供了雙層保護，提高該電阻層抗外在因素影響的能力，降低電阻值變化的幅度，使產(chǎn)品具有更好的可靠度。
[0015]以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細描述，但不作為對本發(fā)明的限定。
【附圖說明】
[0016]圖1A?圖1H:本發(fā)明薄膜電阻器的工藝剖視示意圖；
[0017]圖2:本發(fā)明對應(yīng)圖1C的平面示意圖；
[0018]圖3:本發(fā)明對應(yīng)圖1E的平面示意圖；
[0019]圖4:本發(fā)明對應(yīng)圖1G的平面示意圖；
[0020]圖5:本發(fā)明對應(yīng)圖1H的平面示意圖；
[0021]圖6A?圖6E:現(xiàn)有薄膜電阻器的工藝剖視示意圖。
[0022]其中，附圖標記
[0023]10基板 11上電極
[0024]12下電極 13電阻層
[0025]14遮罩層 15無機保護層
[0026]16有機保護層101基板
[0027]102上電極103下電極
[0028]104遮罩層105電阻層
[0029]106保護層
【具體實施方式】
[0030]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述:
[0031]如圖1A所示，本發(fā)明的薄膜電阻器制法首先提供一絕緣的基板10，再于該基板10的上表面形成作為上電極11的導體層圖案；亦可在該基板10的下表面進一步形成下電極12的導體層圖案。
[0032]如圖1B所示，在基板10的上表面全面薄膜沉積形成一電阻層13，該電阻層13全面覆蓋上電極11，例如以熱輔助蒸發(fā)法、電子束輔助蒸發(fā)法、化學氣相沉積法(CVD)、溶膠凝膠(sol-gel)法、等離子增強式化學氣相沉積(PECVD)法、或物理氣相沉積(PVD)濺射法等方式形成該電阻層。如圖1C及圖2所示，在該電阻層13上方覆蓋具有預定圖案的一遮罩層14，在一較佳實施例中，該遮罩層14是以網(wǎng)版印刷法印制在電阻層13上的一有機物遮罩層。
[0033]該遮罩層14主要是遮蔽住對應(yīng)一部分上電極11所在位置的電阻層13，但仍露出大部分形成在基板10表面的電阻層13。
[0034]如圖1D所示，在電阻層13及遮罩層14上是全面覆蓋一無機保護層15，該無機保護層15可利用真空鍍膜、熱輔助蒸發(fā)法、電子束輔助蒸發(fā)法、化學氣相沉積法(CVD)、溶膠凝膠(sol-gel)法、等離子增強式化學氣相沉積(PECVD)法、或物理氣相沉積(PVD)濺射法等方式形成。
[0035]如圖1E及圖3所示，當無機保護層15形成之后，再移除該遮罩層14。在移除遮罩層14的同時,會一并將遮罩層14上方的無機保護層15 —并移除,而顯露出一部分的電阻層13及保留預定圖案的無機保護層15，在本發(fā)明中，可利用浸泡溶液或溶液沖洗的方式將該有機物的遮罩層14移除，且會將遮罩層14上方的無機保護層15去除。
[0036]如圖1F所示，以保留在基板10上的無機保護層15作為遮罩，對該電阻層13進行蝕刻，使未由無機保護層15覆蓋的電阻層13被蝕刻移除，而顯露出該上電極11。
[0037]如圖1G及圖4所示，將不必要的電阻層13去除后，進一步對保留在基板10上的電阻層13進行修整，在較佳實施例中，可利用能量射束例如激光光束、聚焦離子束、聚焦電子束等技術(shù)進行修整，以獲得所需要的電阻值。
[0038]如圖1H、圖5所示，當完成對電阻層13的修整作業(yè)后，再于該無機保護層15上面覆蓋一層有機保護層16，完整包覆該無機保護層15、電阻層13及局部的上電極11。其中，該無機保護層15的材料可選自金屬氧化物、半導體氧化物或半導體氮化物，例如氧化鋁(A1203)、二氧化硅(Si02)、氮化硅(Si3N4);該有機保護層16的材料可為環(huán)氧密封材料。接著，沿虛線所示位置進行薄膜電阻單體分離的程序，然后再執(zhí)行進一步的后續(xù)加工作業(yè)，令導電材料包覆上電極102、下電極103以供實際應(yīng)用時焊接，此后續(xù)加工作業(yè)并非本發(fā)明特征，故不詳細說明。
[0039]本發(fā)明利用上述工藝，可提供至少以下優(yōu)點:
[0040]一、本發(fā)明以非光蝕刻的方式，將無機保護層15覆蓋在電阻層13上，結(jié)合該有機保護層16可為電阻層13提供雙層的保護作用，使該電阻層13能夠更不易因外界環(huán)境影響(如溫度、濕氣等因素)而改變電阻值，故可提高薄膜電阻器產(chǎn)品的可靠度。
[0041]二、在對電阻層13進行蝕刻時，直接以該無機保護層15作為蝕刻遮罩，不需再特別額外以一光阻層構(gòu)成遮罩。且電阻層13經(jīng)蝕刻完成后，亦不需再特地移除該無機保護層，可減少工藝步驟。
[0042]當然，本發(fā)明還可有其他多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種薄膜電阻器制法，其特征在于，包含: 于一絕緣的基板的上表面形成上電極； 形成一電阻層于該基板的上表面； 于該電阻層上覆蓋一遮罩層，該遮罩層具有預設(shè)圖案以顯露出部分的電阻層； 于該遮罩層及顯露出的電阻層上全面覆蓋一無機保護層； 移除該遮罩層，令位于該遮罩層上的無機保護層一并移除，其中，未移除的無機保護層覆蓋在原顯露出的電阻層上； 蝕刻該電阻層，以該無機保護層作為一蝕刻遮罩，去除未以無機保護層覆蓋的電阻層； 形成有機保護層，在該無機保護層上完整覆蓋一有機保護層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜電阻器制法，其特征在于，在蝕刻電阻層與形成有機保護層步驟之間，進一步包含: 修整該電阻層，使該電阻層具有一預設(shè)電阻值。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜電阻器制法，其特征在于，在該基板的下表面形成有下電極。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜電阻器制法，其特征在于，該無機保護層以真空鍍膜方式形成。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜電阻器制法，其特征在于，該無機保護層以熱輔助蒸發(fā)法、電子束輔助蒸發(fā)法、化學氣相沉積法、溶膠凝膠法、等離子增強式化學氣相沉積法、或物理氣相沉積濺射法形成。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜電阻器制法，其特征在于，該電阻層以薄膜沉積法形成于該基板上。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜電阻器制法，其特征在于，形成該電阻層的薄膜沉積法包含熱輔助蒸發(fā)法、電子束輔助蒸發(fā)法、化學氣相沉積法、溶膠凝膠法、等離子增強式化學氣相沉積法、或物理氣相沉積濺射法。8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜電阻器制法，其特征在于，在修整該電阻層的步驟中，是以能量射束對該電阻層進行修整。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜電阻器制法，其特征在于，該無機保護層的材料選自金屬氧化物、半導體氧化物或半導體氮化物；該有機保護層的材料為環(huán)氧密封材料。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種薄膜電阻器制法，于一基板上依序形成電極圖案及覆蓋一電阻層之后，以鍍膜方式在該電阻層上覆蓋圖案化完成的一無機保護層，并以該無機保護層作為蝕刻該電阻層時的遮罩，經(jīng)蝕刻完成后，該無機保護層不需移除而保留覆蓋在該電阻層的上方，當一有機保護層再形成于該無機保護層上方后，該電阻層上方形成雙層式的保護結(jié)構(gòu)，提高保護效果，防止該電阻層因外界環(huán)境因素所導致的電阻值改變問題。
【IPC分類】H01C17/08, H01C17/075
【公開號】CN104900358
【申請?zhí)枴緾N201410177963
【發(fā)明人】王高源, 陳惠如, 莊乃川
【申請人】華新科技股份有限公司
【公開日】2015年9月9日
【申請日】2014年4月29日