提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)及其形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)及其形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體制備過程中，需要對(duì)晶圓上的薄膜層進(jìn)行刻蝕、曝光以及掃描等等處理，由于不同的區(qū)域需要進(jìn)行不同的工藝處理，因此，為了能夠使設(shè)備機(jī)臺(tái)識(shí)別晶圓上的不同區(qū)域，通常會(huì)在晶圓上設(shè)有多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(Alignment mark)，方便設(shè)備機(jī)臺(tái)在進(jìn)行工藝時(shí)，先對(duì)準(zhǔn)晶圓，從而對(duì)晶圓上的不同區(qū)域進(jìn)行定位。
[0003]例如，在進(jìn)行晶圓缺陷掃描時(shí)，通常需要先定位，缺陷掃描機(jī)臺(tái)會(huì)先對(duì)晶圓上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行查找定位，在對(duì)準(zhǔn)之后，才開始對(duì)晶圓上的缺陷進(jìn)行掃描，從而便于確認(rèn)缺陷位于晶圓上的具體位置；此外，例如，電路修正機(jī)臺(tái)通常采用激光切割金屬以進(jìn)行電路結(jié)構(gòu)的修改或一次性寫入代碼，為了在正確的地方進(jìn)行切割，需要對(duì)晶圓進(jìn)行精確定位。因此，設(shè)備機(jī)臺(tái)會(huì)先找到對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，例如L形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，然后依照該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行晶圓的整體對(duì)準(zhǔn)及精確定位。
[0004]然而在實(shí)際操作中發(fā)現(xiàn)，由于晶圓表面存在反射光的緣故，降低了對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與周圍的對(duì)比度，使對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記不易被識(shí)別，導(dǎo)致設(shè)備機(jī)臺(tái)較難辨識(shí)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。具體的，請(qǐng)參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；襯底結(jié)構(gòu)10上形成鈍化層20及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30，由于鈍化層20的表面為氮化硅薄膜，該薄膜對(duì)光的反射較強(qiáng)，而對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30的表面為鋁膜，當(dāng)光線(光線如圖中箭頭所示)照射至兩者表面時(shí)，兩者表面均會(huì)反射出較強(qiáng)的反射光，導(dǎo)致兩者均呈現(xiàn)明亮狀態(tài)，從而使對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30與其周圍的鈍化層20的對(duì)比度下降，不易被識(shí)別。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)及其形成方法，能夠提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與周圍的對(duì)比度，使其較為容易被識(shí)別。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出了一種提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)，包括:襯底結(jié)構(gòu)、對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和鈍化孔，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成在所述襯底結(jié)構(gòu)上，所述鈍化孔形成在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記周圍預(yù)定間距內(nèi)。
[0007]進(jìn)一步的，在所述的提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)中，所述預(yù)定間距范圍是O?1000 μmD
[0008]進(jìn)一步的，在所述的提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)中，所述襯底結(jié)構(gòu)包括鈍化層，所述鈍化孔形成在所述鈍化層內(nèi)。
[0009]進(jìn)一步的，在所述的提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)中，所述鈍化孔的深度大于等于1000 埃。
[0010]進(jìn)一步的，在所述的提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)中，所述鈍化孔的形狀為圓形、橢圓形、方形、長方形或圓環(huán)形。
[0011]本發(fā)明還提出了一種提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)的形成方法，用于形成如上文所述的提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)，采用刻蝕形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記開口的同時(shí)在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的周圍預(yù)定間距內(nèi)形成鈍化孔，或者，在形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記之前或之后使用刻蝕在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的周圍預(yù)定間距內(nèi)形成鈍化孔。
[0012]進(jìn)一步的，在所述的提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)中，所述預(yù)定間距范圍是O?1000 μmD
[0013]進(jìn)一步的，在所述的提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)中，襯底結(jié)構(gòu)包括鈍化層，所述鈍化孔形成在所述鈍化層內(nèi)。
[0014]進(jìn)一步的，在所述的提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)中，所述鈍化孔的深度大于等于1000 埃。
[0015]進(jìn)一步的，在所述的提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)中，所述鈍化孔的形狀為圓形、橢圓形、方形、長方形或圓環(huán)形。
[0016]相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在:在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的周圍預(yù)定間距內(nèi)形成鈍化孔，由于鈍化孔的存在，光線會(huì)在鈍化孔處進(jìn)行折射和漫反射，從而避免光線直接反射出，增加對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和鈍化孔處的對(duì)比度，有利于設(shè)備機(jī)臺(tái)識(shí)別對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
【附圖說明】
[0017]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；
[0018]圖2為本發(fā)明一實(shí)施例中提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面將結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)及其形成方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0020]為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0021]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0022]請(qǐng)參考圖2，在本實(shí)施例中，提出了一種提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)，包括:襯底結(jié)構(gòu)100、對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記300和鈍化孔400，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記300形成在所述襯底結(jié)構(gòu)100上，所述鈍化孔400形成在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記300周圍預(yù)定間距內(nèi)。
[0023]在本實(shí)施例中，所述預(yù)定間距范圍是O?1000 μ m，例如是10 μ m，將鈍化孔400形成在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記300周圍預(yù)定間距內(nèi)，能夠降低對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記300周圍光的反射強(qiáng)度，保持對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記300光的反射強(qiáng)度不變，從而增加對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記300與其周圍的對(duì)比度；所述襯底結(jié)構(gòu)100包括鈍化層200，所述鈍化孔400形成在所述鈍化層200內(nèi)；所述鈍化孔400的深度大于等于1000埃，從而能夠很好地避免光的直接反射，增加折射和漫反射效果。
[0024]正如【背景技術(shù)】所提及，若對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記300的周圍并未形成鈍化孔，光線在照射至其表面時(shí)，光反射較強(qiáng)，其表面會(huì)呈明亮的狀態(tài)，由于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記300的表面也會(huì)呈現(xiàn)明亮的狀態(tài)，兩者之間的對(duì)比度較低，使對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記300不易被識(shí)別；如圖2所示，在本實(shí)施例中，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記300的兩側(cè)均形成了鈍化孔400，當(dāng)光線(如圖中箭頭所示)照射至其表面時(shí)，由于鈍化孔400的存在，光會(huì)被折射和漫反射，因而其會(huì)呈現(xiàn)較為黑暗(反射較弱)的狀態(tài)，從而與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記300呈現(xiàn)明亮(反射較強(qiáng))狀態(tài)呈現(xiàn)較高的對(duì)比度，容易被設(shè)備機(jī)臺(tái)識(shí)別。
[0025]在本實(shí)施例中，鈍化孔400均可以形成在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記300的四周，不限于單——方。而且，所述鈍化孔400的形狀為圓形、橢圓形、方形、長方形或圓環(huán)形等形狀?？梢愿鶕?jù)工藝來進(jìn)行調(diào)整。此外，所述鈍化孔400的頂部開口大于底部開口，呈現(xiàn)倒梯形狀，便于光線的漫反射。
[0026]在本實(shí)施例的另一方面，還提出了一種提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)的形成方法，用于形成如上文所述的提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)，采用刻蝕形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記300開口或形成鍵合盤(Bonding Pad)開口的同時(shí)在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記300的周圍預(yù)定間距內(nèi)形成鈍化孔400，或者，在形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記300或形成鍵合盤開口之前或之后使用刻蝕在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記300的周圍預(yù)定間距內(nèi)形成鈍化孔400。
[0027]也就是說，鈍化孔400的形成可以與形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記300開口或形成鍵合盤開口的同時(shí)形成，不需增加額外的工藝步驟，也可以單獨(dú)增加一道光刻制程，進(jìn)行曝光顯影及刻蝕單獨(dú)形成，不限于在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記300形成之前還是之后，可以靈活的嵌入至不同工藝中。
[0028]綜上，在本發(fā)明實(shí)施例提供的提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)及其形成方法中，在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的周圍預(yù)定間距內(nèi)形成鈍化孔，由于鈍化孔的存在，光線會(huì)在鈍化孔處進(jìn)行折射和漫反射，從而避免光線直接反射出，增加對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和鈍化孔處的對(duì)比度，有利于設(shè)備機(jī)臺(tái)識(shí)別對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
[0029]上述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不對(duì)本發(fā)明起到任何限制作用。任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的范圍內(nèi)，對(duì)本發(fā)明揭露的技術(shù)方案和技術(shù)內(nèi)容做任何形式的等同替換或修改等變動(dòng)，均屬未脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的內(nèi)容，仍屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括:襯底結(jié)構(gòu)、對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和鈍化孔，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成在所述襯底結(jié)構(gòu)上，所述鈍化孔形成在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記周圍預(yù)定間距內(nèi)。2.如權(quán)利要求1所述的提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述預(yù)定間距范圍是 O ?1000 μ m。3.如權(quán)利要求1所述的提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底結(jié)構(gòu)包括鈍化層，所述鈍化孔形成在所述鈍化層內(nèi)。4.如權(quán)利要求1所述的提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈍化孔的深度大于等于1000埃。5.如權(quán)利要求1所述的提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈍化孔的形狀為圓形、橢圓形、方形、長方形或圓環(huán)形。6.一種提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)的形成方法，用于形成如權(quán)利要求1所述的提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)，其特征在于，采用刻蝕形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記開口的同時(shí)在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的周圍預(yù)定間距內(nèi)形成鈍化孔，或者，在形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記之前或之后使用刻蝕在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的周圍預(yù)定間距內(nèi)形成鈍化孔。7.如權(quán)利要求6所述的提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述預(yù)定間距范圍是 O ?1000 μ m。8.如權(quán)利要求6所述的提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)，其特征在于，襯底結(jié)構(gòu)包括鈍化層，所述鈍化孔形成在所述鈍化層內(nèi)。9.如權(quán)利要求6所述的提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈍化孔的深度大于等于1000埃。10.如權(quán)利要求6所述的提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈍化孔的形狀為圓形、橢圓形、方形、長方形或圓環(huán)形。
【專利摘要】本發(fā)明提出了一種提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)比度的結(jié)構(gòu)及其形成方法，在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的周圍預(yù)定間距內(nèi)形成鈍化孔，由于鈍化孔的存在，光線會(huì)在鈍化孔處進(jìn)行折射和漫反射，從而避免光線直接反射出，增加對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和鈍化孔處的對(duì)比度，有利于設(shè)備機(jī)臺(tái)識(shí)別對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
【IPC分類】H01L21/02, H01L23/544
【公開號(hào)】CN104900630
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510308861
【發(fā)明人】黎坡, 林偉銘
【申請(qǐng)人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
【公開日】2015年9月9日
【申請(qǐng)日】2015年6月7日