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      一種多頻段反射面天線的制作方法

      文檔序號:8924295閱讀:351來源:國知局
      一種多頻段反射面天線的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及天線領(lǐng)域中的一種多頻段反射面天線,實現(xiàn)了反射面天線超寬頻帶工作(從分米波到毫米波),同時避免了單一饋電方式的諸多局限性,工作饋源與非工作饋源間互不干擾,適用于卡塞格倫和格利高里等雙反射面天線。
      【背景技術(shù)】
      [0002]雙反射面天線是典型的高增益天線形式,在衛(wèi)星通信、導(dǎo)航、射電天文、雷達、無線電監(jiān)測等眾多領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。
      [0003]由于天線需要寬頻帶或多頻段工作,而單個饋源的工作頻帶有限,因此大口徑反射面天線需要配備多個饋源來實現(xiàn)超寬頻帶的覆蓋。由于天線僅有第一焦點和第二焦點兩個位置可以設(shè)置饋源,因此需要設(shè)計一套合理的饋電方案,即設(shè)計各頻段饋源的饋電位置。饋電方案的合理與否不僅關(guān)系到天線結(jié)構(gòu)的復(fù)雜度,還影響到天線的電氣性能。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]本發(fā)明的目的在于解決大口徑雙反射面天線的寬頻帶工作問題,提供了一種多頻段反射面天線。
      [0005]本發(fā)明所采取的技術(shù)方案為:
      [0006]一種多頻段雙反射面天線,所述的雙反射面天線包括主反射面和副反射面,其特征在于:低頻段饋源設(shè)置在雙反射面天線的第一焦點位置,低頻段饋源指向主反射面;高頻段饋源設(shè)置在經(jīng)過雙反射面天線第二焦點的焦平面內(nèi)一個旋轉(zhuǎn)圓環(huán)上,高頻段饋源的軸線平行于主反射面軸線,且高頻段饋源指向副反射面,旋轉(zhuǎn)圓環(huán)的轉(zhuǎn)軸與主反射面軸線平行。
      [0007]其中,還包括中頻段饋源;中頻段饋源設(shè)置在旋轉(zhuǎn)圓環(huán)外的雙反射面天線第二焦點的焦平面內(nèi)且與第二焦點相鄰,中頻段饋源指向副反射面。
      [0008]其中,在旋轉(zhuǎn)圓環(huán)上設(shè)置有多個高頻段饋源。
      [0009]其中,所述的中頻段饋源為多個,其中工作頻段較高的中頻段饋源比工作頻段較低的中頻段饋源離第二焦點近。
      [0010]本發(fā)明與【背景技術(shù)】相比具有如下優(yōu)點:
      [0011]1.可容納更多數(shù)量的不同頻段的饋源,從而實現(xiàn)天線在超寬頻帶工作,同時保證了天線最好的性能。
      [0012]2.合理安排各饋源最佳的換饋方式,避免了單一換饋方式的局限性:如全部饋源采用第一焦點饋電,則天線在高頻段性能較差、遮擋大;偏轉(zhuǎn)副反射面換饋要求天線的副反射面為電大尺寸,會造成較大遮擋,且饋源偏焦對性能有一定影響;旋轉(zhuǎn)換饋要求饋源轉(zhuǎn)盤不宜過大等。
      [0013]2.工作饋源與非工作饋源間互不干擾。
      [0014]3.減小了饋源遮擋對天線輻射性能的影響。
      [0015]4.本發(fā)明適合于卡塞格倫天線、格利高里天線等雙反射面天線。
      【附圖說明】
      [0016]圖1是本發(fā)明采取的技術(shù)方案應(yīng)用于卡塞格倫天線的剖面示意圖。
      [0017]圖2是本發(fā)明采取的技術(shù)方案應(yīng)用于格利高里天線的剖面示意圖。
      [0018]圖3是本發(fā)明低頻段饋源在格利高里天線上的示意圖。
      [0019]圖4是本發(fā)明低頻段饋源在卡塞格倫天線上的示意圖。
      [0020]圖5是本發(fā)明第二焦點中頻段饋源和高頻段饋源位置分布的示意圖。
      [0021]圖6是本發(fā)明高頻段饋源通過旋轉(zhuǎn)高頻段饋源實現(xiàn)饋電的示意圖
      [0022]圖7是本發(fā)明中頻段饋源通過偏轉(zhuǎn)副反射面實現(xiàn)饋電的示意圖
      【具體實施方式】
      [0023]參照圖1,本發(fā)明針對卡塞格倫天線所采取的技術(shù)方案為:低頻段饋源設(shè)置在卡塞格倫天線的第一焦點位置,低頻段饋源指向主反射面;中頻段饋源設(shè)置在旋轉(zhuǎn)圓環(huán)外的雙反射面天線第二焦點的焦平面內(nèi)且與第二焦點相鄰,中頻段饋源指向副反射面;高頻段饋源設(shè)置在經(jīng)過雙反射面天線第二焦點的焦平面內(nèi)一個旋轉(zhuǎn)圓環(huán)上,高頻段饋源的軸線平行于主反射面軸線,且高頻段饋源指向副反射面,旋轉(zhuǎn)圓環(huán)的轉(zhuǎn)軸與主反射面軸線平行。
      [0024]參照圖2,本發(fā)明針對格利高里天線所采取的技術(shù)方案為:低頻段饋源設(shè)置在格利高里天線的第一焦點位置,低頻段饋源指向主反射面;中頻段饋源設(shè)置在旋轉(zhuǎn)圓環(huán)外的雙反射面天線第二焦點的焦平面內(nèi)且與第二焦點相鄰,中頻段饋源指向副反射面;高頻段饋源設(shè)置在經(jīng)過雙反射面天線第二焦點的焦平面內(nèi)一個旋轉(zhuǎn)圓環(huán)上,高頻段饋源的軸線平行于主反射面軸線,且高頻段饋源指向副反射面,旋轉(zhuǎn)圓環(huán)的轉(zhuǎn)軸與主反射面軸線平行。
      [0025]參照圖3,對于格利高里天線,低頻段饋源I工作時位于副反射面4前方,低頻段饋源I的相位中心與格利高里天線的第一焦點位置重合。低頻段饋源I通過副反射面4邊緣或后方的撐桿6實現(xiàn)展開與收藏。
      [0026]參照圖4,對于卡塞格倫天線,低頻段饋源I工作時位于副反射面4后方,低頻段饋源I的相位中心與卡塞格倫天線的第一焦點位置重合。低頻段饋源I工作時需將副反射面4移開,以便低頻段饋源I無遮擋地照射主反射面。
      [0027]參照圖5,中頻段饋源2設(shè)置在旋轉(zhuǎn)圓環(huán)外的雙反射面天線第二焦點的焦平面內(nèi)且與第二焦點相鄰,中頻段饋源2指向副反射面,其中工作頻段較高的中頻段饋源比工作頻段較低的中頻段饋源離第二焦點近。若干個高段饋源3排列在天線第二焦點的一個旋轉(zhuǎn)圓環(huán)上,旋轉(zhuǎn)圓環(huán)中心線與主反射面5的軸線平行。
      [0028]參照圖6,高頻段饋源3排列在經(jīng)過天線第二焦點的一個旋轉(zhuǎn)圓環(huán)上,每個饋源3的軸線均平行于主反射面5軸線,且指向副反射面4,旋轉(zhuǎn)圓環(huán)中心線與主反射面軸線平行。工作時,通過旋轉(zhuǎn)高頻段饋源3,將需要工作的中頻段饋源3置于天線第二焦點。
      [0029]參照圖7,中頻段饋源2工作時,副反射面4旋轉(zhuǎn)一定角度,對準需要工作的中頻段饋源2。
      【主權(quán)項】
      1.一種多頻段雙反射面天線,所述的雙反射面天線包括主反射面和副反射面,其特征在于:低頻段饋源(I)設(shè)置在雙反射面天線的第一焦點位置,低頻段饋源(I)指向主反射面;高頻段饋源(3)設(shè)置在經(jīng)過雙反射面天線第二焦點的焦平面內(nèi)一個旋轉(zhuǎn)圓環(huán)上,高頻段饋源(3)的軸線平行于主反射面軸線,且高頻段饋源指向副反射面,旋轉(zhuǎn)圓環(huán)的轉(zhuǎn)軸與主反射面軸線平行。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多頻段雙反射面天線,其特征在于:還包括中頻段饋源(2);中頻段饋源(2)設(shè)置在旋轉(zhuǎn)圓環(huán)外的雙反射面天線第二焦點的焦平面內(nèi)且與第二焦點相鄰,中頻段饋源指向副反射面。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種多頻段雙反射面天線,其特征在于:在旋轉(zhuǎn)圓環(huán)上設(shè)置有多個高頻段饋源。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種多頻段雙反射面天線,其特征在于:所述的中頻段饋源為多個,其中工作頻段較高的中頻段饋源比工作頻段較低的中頻段饋源離第二焦點近。
      【專利摘要】本發(fā)明涉及天線領(lǐng)域中的一種多頻段反射面天線,所述的雙反射面天線包括主反射面和副反射面,低頻段饋源設(shè)置在雙反射面天線的第一焦點位置,低頻段饋源指向主反射面;高頻段饋源設(shè)置在經(jīng)過雙反射面天線第二焦點的焦平面內(nèi)一個旋轉(zhuǎn)圓環(huán)上,高頻段饋源的軸線平行于主反射面軸線,且高頻段饋源指向副反射面,旋轉(zhuǎn)圓環(huán)的轉(zhuǎn)軸與主反射面軸線平行。采用本發(fā)明的方案實現(xiàn)了反射面天線超寬頻帶工作,同時避免了單一饋電方式的諸多局限性,工作饋源與不工作饋源間互不干擾,適用于卡塞格倫和格利高里等雙反射面天線。
      【IPC分類】H01Q5/50, H01Q19/19
      【公開號】CN104901020
      【申請?zhí)枴緾N201510229324
      【發(fā)明人】杜彪, 張立軍, 伍洋
      【申請人】中國電子科技集團公司第五十四研究所
      【公開日】2015年9月9日
      【申請日】2015年5月8日
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