耦合電容器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于電容器技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種耦合電容器。
【背景技術(shù)】
[0002]耦合電容器主要用于逆變焊機(jī)、逆變電源、電鍍電源、以及其他各種電力電子設(shè)備的耦合隔直場(chǎng)合,隨著電子信息技術(shù)的日新月異,數(shù)碼電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代速度越來越快,以平板電視、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)等產(chǎn)品為主的消費(fèi)類電子產(chǎn)品產(chǎn)銷量持續(xù)增長(zhǎng),帶動(dòng)了電容器產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng),由兩片接近并相互絕緣的導(dǎo)體制成的電極組成的儲(chǔ)存電荷和電能的器件電容是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一,廣泛應(yīng)用于電路中的隔直通交,耦合,旁路,濾波,調(diào)諧回路,能量轉(zhuǎn)換,控制等方面。為了能提高耦合電容器的工作穩(wěn)定性,為此,人們進(jìn)行了長(zhǎng)期的探索,提出了各種各樣的解決方案。
[0003]例如,中國專利文獻(xiàn)公開了一種高壓高頻耦合電容器[申請(qǐng)?zhí)?CN92203073.1],主要用于高壓輸變電線路中。其主要特征是在鑄鐵底座和底板上各裝I只帶絕緣瓷套的引出端子,2只端子由導(dǎo)線連接,,端子上端接芯組的低壓端,端子的壁外端即耦合電容器的低壓端子。此外,中國專利文獻(xiàn)還公開了另一種電容器[申請(qǐng)?zhí)?201020698211.4],包括有本體、套筒、端蓋和接線端子,套筒的一端套接在本體上,套筒的另一端連接端蓋,接線端子和本體相連并伸出于端蓋之外,其特征在于:所述本體和套筒之間還設(shè)置有刺片,刺片包括有插片和連接在該插片上的插頭,插頭上設(shè)置有彈性片,彈性片的一端連接在該插頭上,彈性片的另一端朝插片外側(cè)方向向外翻翹,套筒的內(nèi)腔設(shè)置有能與插頭相配合的插口 ;插片的兩側(cè)分別間隔設(shè)置設(shè)置有多個(gè)倒刺,上述的兩種方案在一定程度上改進(jìn)了現(xiàn)有技術(shù),但是這里的電容器其結(jié)構(gòu)復(fù)雜,而且還是存在穩(wěn)定性差和高頻損耗較高等缺點(diǎn),無法滿足使用要求。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明的目的是針對(duì)上述問題,提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,穩(wěn)定性好且高頻損耗小的耦合電容器。
[0005]為達(dá)到上述目的,本發(fā)明采用了下列技術(shù)方案:本耦合電容器包括呈筒狀的金屬外殼,在金屬外殼內(nèi)設(shè)有卷繞芯子,在卷繞芯子的一端設(shè)有端部延伸至卷繞芯子外的第一電極,另一端設(shè)有端部延伸至至卷繞芯子外的第二電極,所述的卷繞芯子上設(shè)有包裹在該卷繞芯子外部的邁拉膠帶層,所述的金屬外殼一端與卷繞芯子之間、另一端與卷繞芯子之間分別設(shè)有灌封裝層,所述的金屬外殼包括一端敞口的筒狀體,另一端具有殼底,在筒狀體的敞口端設(shè)有能將該敞口封閉的端蓋,在殼底上設(shè)有供所述的第一電極穿設(shè)的第一通孔,在端蓋上設(shè)有供所述的第二電極穿設(shè)的第二通孔。顯然,本發(fā)明具有設(shè)計(jì)更合理,結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單,容易安裝和拆卸,實(shí)用性強(qiáng)且穩(wěn)定可靠,此外,其高頻損耗小,過電流能力強(qiáng),溫飄小,整個(gè)電容器溫度低,符合當(dāng)前社會(huì)技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)。
[0006]作為優(yōu)選,在上述的耦合電容器中,所述的灌封裝層為阻燃環(huán)氧樹脂。
[0007]作為優(yōu)選,在上述的耦合電容器中,所述的金屬外殼呈橢圓形和圓形中的任意一種。
[0008]作為優(yōu)選,在上述的耦合電容器中,所述的筒狀體和殼底連為一體式。
[0009]與現(xiàn)有的技術(shù)相比,本耦合電容器的優(yōu)點(diǎn)在于:設(shè)計(jì)更合理,結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單,容易安裝和拆卸,實(shí)用性強(qiáng)且穩(wěn)定可靠,此外,其高頻損耗小,過電流能力強(qiáng),溫飄小,整個(gè)電容器溫度低,符合當(dāng)前社會(huì)技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)。
【附圖說明】
[0010]圖1是本發(fā)明提供的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖中,金屬外殼1、筒狀體11、殼底12、端蓋13、卷繞芯子2、第一電極31、第二電極32、邁拉膠帶層4、灌封裝層5、第一通孔a、第二通孔b。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0013]如圖1所示,本耦合電容器包括呈筒狀的金屬外殼1,該金屬外殼I呈橢圓形和圓形中的任意一種,在金屬外殼I內(nèi)設(shè)有卷繞芯子2,在卷繞芯子2的一端設(shè)有端部延伸至卷繞芯子2外的第一電極31,另一端設(shè)有端部延伸至至卷繞芯子2外的第二電極32,在卷繞芯子2上設(shè)有包裹在該卷繞芯子2外部的邁拉膠帶層4,所述的金屬外殼I 一端與卷繞芯子2之間、另一端與卷繞芯子2之間分別設(shè)有灌封裝層5,所述金屬外殼I包括一端敞口的筒狀體11,另一端具有殼底12,筒狀體11和殼底12連為一體式,在筒狀體11的敞口端設(shè)有能將該敞口封閉的端蓋13,在殼底12上設(shè)有供所述的第一電極31穿設(shè)的第一通孔a,在端蓋13上設(shè)有供所述的第二電極32穿設(shè)的第二通孔b。顯然,本實(shí)施例設(shè)計(jì)更合理,結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單,容易安裝和拆卸,實(shí)用性強(qiáng)且穩(wěn)定可靠,此外,其高頻損耗小,過電流能力強(qiáng),溫飄小,整個(gè)電容器溫度低,符合當(dāng)前社會(huì)技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)。
[0014]具體地說,本實(shí)施例的灌封裝層5為阻燃環(huán)氧樹脂。
[0015]本文中所描述的具體實(shí)施例僅僅是對(duì)本發(fā)明精神作舉例說明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)所描述的具體實(shí)施例做各種各樣的修改或補(bǔ)充或采用類似的方式替代,但并不會(huì)偏離本發(fā)明的精神或者超越所附權(quán)利要求書所定義的范圍。
[0016]盡管本文較多地使用了金屬外殼1、筒狀體11、殼底12、端蓋13、卷繞芯子2、第一電極31、第二電極32、邁拉膠帶層4、灌封裝層5、第一通孔a、第二通孔b等術(shù)語,但并不排除使用其它術(shù)語的可能性。使用這些術(shù)語僅僅是為了更方便地描述和解釋本發(fā)明的本質(zhì);把它們解釋成任何一種附加的限制都是與本發(fā)明精神相違背的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種耦合電容器,其特征在于,包括呈筒狀的金屬外殼,在金屬外殼內(nèi)設(shè)有卷繞芯子,在卷繞芯子的一端設(shè)有端部延伸至卷繞芯子外的第一電極,另一端設(shè)有端部延伸至至卷繞芯子外的第二電極,所述的卷繞芯子上設(shè)有包裹在該卷繞芯子外部的邁拉膠帶層,所述的金屬外殼一端與卷繞芯子之間、另一端與卷繞芯子之間分別設(shè)有灌封裝層,所述的金屬外殼包括一端敞口的筒狀體,另一端具有殼底,在筒狀體的敞口端設(shè)有能將該敞口封閉的端蓋,在殼底上設(shè)有供所述的第一電極穿設(shè)的第一通孔,在端蓋上設(shè)有供所述的第二電極穿設(shè)的第二通孔。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耦合電容器,其特征在于,所述的灌封裝層為阻燃環(huán)氧樹脂。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耦合電容器,其特征在于,所述的金屬外殼呈橢圓形和圓形中的任意一種。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耦合電容器,其特征在于,所述的筒狀體和殼底連為一體式。
【專利摘要】本發(fā)明屬于電容器技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種耦合電容器。它解決了現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)不夠合理和穩(wěn)定性差等技術(shù)問題。本耦合電容器包括呈筒狀的金屬外殼,在金屬外殼內(nèi)設(shè)有卷繞芯子,在卷繞芯子的一端設(shè)有端部延伸至卷繞芯子外的第一電極,另一端設(shè)有端部延伸至卷繞芯子外的第二電極,其特征在于,所述的卷繞芯子上設(shè)有包裹在該卷繞芯子外部的邁拉膠帶層,所述的金屬外殼一端與卷繞芯子之間、另一端與卷繞芯子之間分別設(shè)有灌封裝層。與現(xiàn)有的技術(shù)相比,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:實(shí)用性強(qiáng)且穩(wěn)定可靠,此外,其高頻損耗小,過電流能力強(qiáng),溫飄小,整個(gè)電容器溫度低。
【IPC分類】H01G2/02, H01G2/10
【公開號(hào)】CN104966612
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510361360
【發(fā)明人】蔣玲
【申請(qǐng)人】蔣玲
【公開日】2015年10月7日
【申請(qǐng)日】2015年6月28日