基于軟硅的導(dǎo)電粉體材料的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及新材料及復(fù)合材料領(lǐng)域，具體涉及一種基于軟硅的導(dǎo)電粉體材料的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著現(xiàn)代工業(yè)的高速發(fā)展，導(dǎo)電粉體材料作為一種特殊功能材料得到了廣泛的應(yīng)用。導(dǎo)電粉體材料本身就是一種獨立的功能材料，目前它主要以導(dǎo)電填料的形式應(yīng)用于高分子材料，使其具有導(dǎo)電性、抗靜電、屏蔽電磁波等功能。常用的導(dǎo)電粉體為金屬系粉體、碳系粉體、摻雜后的金屬氧化物粉體和導(dǎo)電高分子材料。金屬粉體導(dǎo)電性強，但價格昂貴、易氧化、耐腐蝕性差。且金屬導(dǎo)電粉體密度大，易沉底結(jié)塊因而在基體中分散性不好。銀系的導(dǎo)電性最高，體積電阻可達10-4?10-5 Ω.αιι3，具有優(yōu)良的屏蔽性能，但由于價格昂貴，除在特殊要求的領(lǐng)域外，一般應(yīng)用不多。
[0003]目前，復(fù)合導(dǎo)電粉體材料得到了廣泛的關(guān)注。復(fù)合導(dǎo)電粉體材料不僅具備導(dǎo)電粉體材料的各種性能，而且大大地降低了成本。但是在現(xiàn)實加工中，會出現(xiàn)復(fù)合材料分離或者導(dǎo)電顆粒間不能形成通路等問題，造成應(yīng)用的局限性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，進一步提出一種基于軟硅的導(dǎo)電粉體材料的制備方法。
[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn):
[0006]—種基于軟硅的導(dǎo)電粉體材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟:
[0007](I)將可分解的銀化合物溶解，形成均一的銀化合物溶液；
[0008](2)將所得的銀化合物溶液與軟硅按(I?9): 10的質(zhì)量比進行混合，攪拌使軟硅充分吸收銀化合物溶液，銀化合物溶液的質(zhì)量以銀計；
[0009](3)軟硅充分吸收銀化合物溶液后，對軟硅進行加熱處理，使銀化合物分解，形成銀單質(zhì)，并吸附于軟硅的孔道內(nèi)和表面，加熱溫度為450?600°C ;
[0010](4)將所得粉體烘干、打散即得導(dǎo)電粉體材料；
[0011]所述軟娃為一種粒徑在0.1?30微米范圍內(nèi)的多孔二氧化娃粉體材料。
[0012]軟娃是一種新型二氧化娃分體材料，英文名稱siliesoft,粒徑可以控制在
0.1-30微米范圍內(nèi)。軟硅具有多孔結(jié)構(gòu)的特點，孔道內(nèi)部互相連結(jié)，孔容達到lcm3/g，比表面積達到240m2/g，這些特性決定了軟硅優(yōu)良的吸附性能。除此之外，軟硅還具有比重輕，熔點低，流動性好，顆粒均勻，硬度低等特點?？蓮V泛應(yīng)用于機械、日用化工、生物醫(yī)藥、建筑、航空航天、農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域。利用軟硅作為載體，易分解的銀化合物為單質(zhì)銀的來源，浸潤于軟硅孔道及表面，在一定條件下分解為銀單質(zhì)，從而形成一種特殊的導(dǎo)電粉體材料。
[0013]進一步地，對步驟(4)制得的導(dǎo)電粉體材料重復(fù)進行(2)、(3)、(4)的步驟，一次或多次，以得到含銀量不同的產(chǎn)品。
[0014]作為優(yōu)選，所述可分解的銀化合物為AgI或AgN03。
[0015]所述銀化合物溶液包括一切可以分解的銀鹽的溶液，如Ag1、AgNO3X2H3O2Ag等，以及一些銀的絡(luò)合物，如銀氨溶液等。
[0016]本發(fā)明所述制備導(dǎo)電粉體材料的方法也適用于利用Cu、Sn及其化合物為金屬來源。
[0017]本發(fā)明的有益效果為:
[0018]本發(fā)明提供一種基于軟硅的導(dǎo)電粉體材料的制備方法，制得的導(dǎo)電粉體材料，內(nèi)部相通，能夠形成良好的導(dǎo)電通路?？蓮V泛應(yīng)用于電子、電器、航空、涂料、化工、印刷、包裝、船舶、軍工等領(lǐng)域，適用于生產(chǎn)導(dǎo)電涂料、抗靜電涂料、導(dǎo)電塑料、導(dǎo)電橡膠、導(dǎo)電靜電紙、電子元件、電器設(shè)備外殼、印刷電路版等。
【附圖說明】
[0019]圖1為4微米軟硅的SEM圖片；
[0020]圖2為軟硅吸附兩次銀化合物溶液形成的復(fù)合導(dǎo)電顆粒的SEM圖片。
【具體實施方式】
[0021]為了使本發(fā)明實現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體實施例，進一步闡述本發(fā)明，但下述實施例僅僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并非全部?；趯嵤┓绞街械膶嵤├?，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得其它實施例，都屬于本專利的保護范圍。
[0022]實施例1
[0023]4um軟娃，AgI晶體，KI晶體，去離子水。
[0024]配制10 %的KI水溶液；
[0025]將AgI溶解于KI水溶液中，制得Ag1-KI水溶液，每1g溶液中含有20g AgI。
[0026]將上述濃度的Ag1-KI水溶液與軟硅按質(zhì)量比2:5?7:10的比例進行混合，攪拌下進行吸附；
[0027]把吸附了 AgI溶液的軟硅復(fù)合粉體，打散過250目篩，篩上再打散過篩，直至完全過篩；
[0028]將打散過篩的軟硅復(fù)合粉體，放入電爐中加熱至500°C，保溫Ih ；
[0029]出電爐，置涼。
[0030]還可將產(chǎn)生的一次產(chǎn)物依照上述過程，進行二次、三次…吸附，可以得到含銀量不同規(guī)格的產(chǎn)品。
[0031]由于AgI難以形成所需濃度的水溶液，故利用相似相溶原理，配制成Ag1-KI溶液，再進行吸附。
[0032]實施例2
[0033]配制質(zhì)量分?jǐn)?shù)75 %的AgNO3溶液；
[0034]取上述濃度的AgNO3溶液與軟硅按質(zhì)量比2:5?7:10的比例進行混合，攪拌下進行吸附；
[0035]將吸附完復(fù)合粉體放入電爐中加熱至450°C，保溫Ih ；
[0036]出電爐，置涼。
[0037]還可將產(chǎn)生的一次產(chǎn)物依照上述過程，進行二次、三次…吸附，可以得到含銀量不同規(guī)格的產(chǎn)品。
[0038]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的僅為本發(fā)明的優(yōu)選例，并不用來限制本發(fā)明，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【主權(quán)項】
1.一種基于軟硅的導(dǎo)電粉體材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: (1)將可分解的銀化合物溶解，形成均一的銀化合物溶液； (2)將所得的銀化合物溶液與軟硅按(I?9):10的質(zhì)量比進行混合，攪拌使軟硅充分吸收銀化合物溶液，銀化合物溶液的質(zhì)量以銀計； (3)軟硅充分吸收銀化合物溶液后，對軟硅進行加熱處理，使銀化合物分解，形成銀單質(zhì)，并吸附于軟硅的孔道內(nèi)和表面，加熱溫度為450?600°C ; (4)將所得粉體烘干、打散即得導(dǎo)電粉體材料； 所述軟娃為一種粒徑在0.1?30微米范圍內(nèi)的多孔二氧化娃粉體材料。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于軟硅的導(dǎo)電粉體材料的制備方法，其特征在于:對步驟(4)制得的導(dǎo)電粉體材料重復(fù)進行(2)、(3)、(4)的步驟，一次或多次，以得到含銀量不同的產(chǎn)品O3.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于軟硅的導(dǎo)電粉體材料的制備方法，其特征在于:所述可分解的銀化合物為AgI或AgNO3。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種基于軟硅的導(dǎo)電粉體材料的制備方法，涉及新材料及復(fù)合材料領(lǐng)域，包括如下步驟：將可分解的銀化合物溶解于水，形成均一的銀化合物水溶液；將所得的銀化合物水溶液與軟硅按(1～9)：10的比例進行混合，攪拌使軟硅充分吸收銀化合物水溶液；軟硅充分吸收銀化合物水溶液后，對軟硅進行加熱處理，使銀化合物分解，形成銀單質(zhì)，并吸附于軟硅的孔道內(nèi)和表面，加熱溫度為450～500℃；將所得粉體烘干、打散即得導(dǎo)電粉體材料。本發(fā)明制得的導(dǎo)電粉體材料，內(nèi)部相通，能夠形成良好的導(dǎo)電通路。
【IPC分類】H01B13/00, H01B1/16
【公開號】CN105006297
【申請?zhí)枴緾N201510335028
【發(fā)明人】蔣學(xué)鑫, 王亞娟, 秦永法, 郭敬新
【申請人】安徽壹石通材料科技股份有限公司
【公開日】2015年10月28日
【申請日】2015年6月12日