度來確認(rèn)晶片的NiPt除去 率、A1的侵蝕速率，利用AFM觀察晶片表面來確認(rèn)是否存在硅化物的損傷，示于表1。
[0236] 結(jié)果是NiPt的除去率為100%，A1的侵蝕速率為140A/分鐘，NiPt硅化物無損 傷。
[0237](實(shí)施例 23)
[0238] 在圖1的片式清洗機(jī)中，使用第1溶液（硝酸濃度2重量％、過氧化氫濃度29重 量％ )，分別對(duì)（1)在硅晶片上層疊有l(wèi)Omii的NiPt層的原始晶片和（2)在硅晶片上層疊有 500nm的A1層的原始晶片以200ml/分鐘于50°C實(shí)施30秒接觸清洗。接著用純水沖洗晶 片而排除第1溶液，然后，使用在向硫酸溶液注入了臭氧的溶液中添加鹽酸而得到的混合 溶液（硫酸濃度65重量％、氧化劑濃度0. 002摩爾/L、鹽酸濃度0. 1摩爾/L)作為第2溶 液，分別對(duì)上述的（l)NiPt晶片以及上述的（2)A1晶片以200ml/分鐘于50°C實(shí)施50秒接 觸清洗。使用ICP-MS對(duì)處理后的溶液進(jìn)行成分分析，由溶液中Ni、Pt、Al的濃度來確認(rèn)晶 片的NiPt除去率、A1的侵蝕速率，利用AFM觀察晶片表面來確認(rèn)是否存在硅化物的損傷， 示于表1〇
[0239] 結(jié)果是NiPt的除去率為95 %，A1的侵蝕速率為80A/分鐘，NiPt硅化物無損傷。
[0240](實(shí)施例 24)
[0241] 在圖1的片式清洗機(jī)中，使用第1溶液（不含硝酸、過氧化氫濃度30重量％ )，分 別對(duì)（1)在硅晶片上層疊有10nm的NiPt層的原始晶片和（2)在硅晶片上層疊有500nm的 A1層的原始晶片以200ml/分鐘于50°C實(shí)施30秒接觸清洗。接著用純水沖洗晶片而排除第 1溶液，然后，使用電解硫酸（硫酸濃度65重量％、氧化劑濃度0. 04摩爾/L、鹽酸濃度0. 1 摩爾/L)作為第2溶液，分別對(duì)上述的（l)NiPt晶片以及上述的（2)A1晶片以200ml/分鐘 于50°C實(shí)施50秒接觸清洗。使用ICP-MS對(duì)處理后的溶液進(jìn)行成分分析，由溶液中Ni、Pt、 A1的濃度來確認(rèn)晶片的NiPt除去率、A1的侵蝕速率，利用AFM觀察晶片表面來確認(rèn)是否存 在硅化物的損傷，示于表1。
[0242] 結(jié)果是NiPt的除去率為95%，A1的侵蝕速率為80A/分鐘，NiPt硅化物無損傷。
[0243] (實(shí)施例 25)
[0244] 在圖1的片式清洗機(jī)中，使用第1溶液（硝酸濃度40重量％、不含過氧化氫），分 別對(duì)（1)在硅晶片上層疊有10nm的NiPt層的原始晶片和（2)在硅晶片上層疊有500nm的 A1層的原始晶片以200ml/分鐘于50°C實(shí)施30秒接觸清洗。接著用純水沖洗晶片而排除第 1溶液，然后，使用電解硫酸（硫酸濃度65重量％、氧化劑濃度0. 04摩爾/L、鹽酸濃度0. 1 摩爾/L)作為第2溶液，分別對(duì)上述的（1)NiPt晶片以及上述的（2)A1晶片以200ml/分鐘 于50°C實(shí)施50秒接觸清洗。使用ICP-MS對(duì)處理后的溶液進(jìn)行成分分析，由溶液中Ni、Pt、 A1的濃度來確認(rèn)晶片的NiPt除去率、A1的侵蝕速率，利用AFM觀察晶片表面來確認(rèn)是否存 在硅化物的損傷，示于表1。
[0245] 結(jié)果是NiPt的除去率為95 %，A1的侵蝕速率為160A/分鐘，NiPt硅化物無損傷。
[0246] (實(shí)施例 26)
[0247]在圖1的片式清洗機(jī)中，使用第1溶液（硝酸濃度2重量％、過氧化氫29重量％ )， 分別對(duì)（1)在硅晶片上層疊有l(wèi)〇nm的NiPt層的原始晶片和（2)在硅晶片上層疊有500nm 的A1層的原始晶片以200ml/分鐘于50°C實(shí)施7秒接觸清洗。接著用純水沖洗晶片而排除 第1溶液，然后，使用電解硫酸（硫酸濃度65重量％、氧化劑濃度0. 04摩爾/L、鹽酸濃度 0. 1摩爾/L)作為第2溶液，分別對(duì)上述的⑴NiPt晶片以及上述的⑵A1晶片以200ml/ 分鐘于50°C實(shí)施50秒接觸清洗。使用ICP-MS對(duì)處理后的溶液進(jìn)行成分分析，由溶液中Ni、 Pt、A1的濃度來確認(rèn)晶片的NiPt除去率、A1的侵蝕速率，利用AFM觀察晶片表面來確認(rèn)是 否存在硅化物的損傷，示于表1。
[0248] 結(jié)果是NiPt的除去率為80 %，A1的侵蝕速率為85:A/:分鐘，NiPt硅化物無損傷。
[0249] (實(shí)施例 27)
[0250]在圖1的片式清洗機(jī)中，使用第1溶液（硝酸濃度2重量％、過氧化氫29重量％ )， 分別對(duì)（1)在硅晶片上層疊有l(wèi)〇nm的NiPt層的原始晶片和（2)在硅晶片上層疊有500nm 的A1層的原始晶片以200ml/分鐘于50°C實(shí)施10秒接觸清洗。接著用純水沖洗晶片而排 除第1溶液，然后，使用電解硫酸（硫酸濃度65重量％、氧化劑濃度0. 04摩爾/L、鹽酸濃度 0. 1摩爾/L)作為第2溶液，分別對(duì)上述的⑴NiPt晶片以及上述的⑵A1晶片以200ml/ 分鐘于50°C實(shí)施50秒接觸清洗。使用ICP-MS對(duì)處理后的溶液進(jìn)行成分分析，由溶液中Ni、 Pt、A1的濃度來確認(rèn)晶片的NiPt除去率、A1的侵蝕速率，利用AFM觀察晶片表面來確認(rèn)是 否存在硅化物的損傷，示于表1。
[0251] 結(jié)果是NiPt的除去率為95 %，A1的侵蝕速率為90AA分鐘，NiPt硅化物無損傷。
[0252] (實(shí)施例 28)
[0253]在圖1的片式清洗機(jī)中，使用第1溶液（硝酸濃度2重量％、過氧化氫29重量％ )， 分別對(duì)（1)在硅晶片上層疊有l(wèi)Onm的NiPt層的原始晶片和（2)在硅晶片上層疊有500nm的A1層的原始晶片以200ml/分鐘于50°C實(shí)施30秒接觸清洗。接著用純水沖洗晶片而排 除第1溶液，然后，使用電解硫酸（硫酸濃度65重量％、氧化劑濃度0. 04摩爾/L、鹽酸濃度 0. 1摩爾/L)作為第2溶液，分別對(duì)上述的⑴NiPt晶片以及上述的⑵A1晶片以200ml/ 分鐘于50°C實(shí)施50秒接觸清洗。使用ICP-MS對(duì)處理后的溶液進(jìn)行成分分析，由溶液中Ni、 Pt、A1的濃度來確認(rèn)晶片的NiPt除去率、A1的侵蝕速率，利用AFM觀察晶片表面來確認(rèn)是 否存在硅化物的損傷，示于表1。
[0254] 結(jié)果是NiPt的除去率為100%，A1的侵蝕速率為90A分鐘，NiPt硅化物無損 傷。
[0255] (實(shí)施例 29)
[0256] 在圖1的片式清洗機(jī)中，使用第1溶液（硝酸濃度2重量％、過氧化氫29重量％ )， 分別對(duì)（1)在硅晶片上層疊有l(wèi)〇nm的NiPt層的原始晶片和（2)在硅晶片上層疊有500nm 的A1層的原始晶片以200ml/分鐘于50°C實(shí)施80秒接觸清洗。接著用純水沖洗晶片而排 除第1溶液，然后，使用電解硫酸（硫酸濃度65重量％、氧化劑濃度0. 04摩爾/L、鹽酸濃度 0. 1摩爾/L)作為第2溶液，分別對(duì)上述的⑴NiPt晶片以及上述的⑵A1晶片以200ml/ 分鐘于50°C實(shí)施50秒接觸清洗。使用ICP-MS對(duì)處理后的溶液進(jìn)行成分分析，由溶液中Ni、 Pt、A1的濃度來確認(rèn)晶片的NiPt除去率、A1的侵蝕速率，利用AFM觀察晶片表面來確認(rèn)是 否存在硅化物的損傷，示于表1。
[0257] 結(jié)果是NiPt的除去率為100%，A1的侵蝕速率為170A/分鐘，NiPt硅化物無損 傷。
[0258] (實(shí)施例 3〇)
[0259]在圖1的片式清洗機(jī)中，使用第1溶液（硝酸濃度2重量％、過氧化氫29重量％ )， 分別對(duì)（1)在硅晶片上層疊有l(wèi)〇nm的NiPt層的原始晶片和（2)在硅晶片上層疊有500nm 的A1層的原始晶片以200ml/分鐘于50°C實(shí)施100秒接觸清洗。接著用純水沖洗晶片而排 除第1溶液，然后，使用電解硫酸（硫酸濃度65重量％、氧化劑濃度0. 04摩爾/L、鹽酸濃度 0. 1摩爾/L)作為第2溶液，分別對(duì)上述的⑴NiPt晶片以及上述的⑵A1晶片以200ml/ 分鐘于50°C實(shí)施50秒接觸清洗。使用ICP-MS對(duì)處理后的溶液進(jìn)行成分分析，由溶液中Ni、 Pt、A1的濃度來確認(rèn)晶片的NiPt除去率、A1的侵蝕速率，利用AFM觀察晶片表面來確認(rèn)是 否存在硅化物的損傷，示于表1。
[0260] 結(jié)果是NiPt的除去率為100%，A1的侵蝕速率為L(zhǎng)e〇A/分鐘，NiPt硅化物無損 傷。
[0261] 接下來，向第1溶液中補(bǔ)加硝酸和過氧化氫以外的溶質(zhì)而進(jìn)行同樣的評(píng)價(jià)。試驗(yàn) 條件和評(píng)價(jià)結(jié)果示于表2。另外，為了進(jìn)行參考，將實(shí)施例1的內(nèi)容也一起示于表2。
[0262] (比較例 11)
[0263] 在圖1的片式清洗機(jī)中，使用第1溶液（硝酸濃度2. 0重量％、過氧化氫濃度29 重量％、硫酸30重量％ )，分別對(duì)（1)在硅晶片上層疊有l(wèi)Onm的NiPt層的原始晶片和（2) 在硅晶片上層疊有500nm的A1層的原始晶片以200ml/分鐘于50°C實(shí)施30秒接觸清洗。 接著用純水沖洗晶片而排除第1溶液，然后，使用電解硫酸（硫酸濃度65重量％、氧化劑濃 度0. 04摩爾/L、鹽酸濃度0. 1摩爾/L)作為第2溶液，分別對(duì)上述的（l)NiPt晶片以及上 述的⑵A1晶片以200ml/分鐘于50°C實(shí)施50秒接觸清洗。使用ICP-MS對(duì)處理后的溶液 進(jìn)行成分分析，由溶液中Ni、Pt、Al的濃度來確認(rèn)晶片的NiPt除去率、A1的侵蝕速率，利用 AFM觀察晶片表面來確認(rèn)是否存在硅化物的損傷，示于表1。
[0264] 結(jié)果是NiPt的除去率為100%，A1的侵蝕速率為190A/分鐘，NiPt硅化物有損 傷。
[0265] (實(shí)施例 31)
[0266] 在圖1的片式清洗機(jī)中，使用第1溶液（硝酸濃度2. 0重量％、過氧化氫濃度29 重量％、硫酸15重量％ )，分別對(duì)（1)在硅晶片上層疊有10nm的NiPt層的原始晶片和（2) 在硅晶片上層疊500nm的A1層的原始晶片以200ml/分鐘于50°C實(shí)施30秒接觸清洗。接 著用純水沖洗晶片而排除第1溶液，然后，使用電解硫酸（硫酸濃度65重量％、氧化劑濃度 0. 04摩爾/L、鹽酸濃度0. 1摩爾/L)作為第2溶液，分別對(duì)上述的（l)NiPt晶片以及上述 的⑵A1晶片以200ml/分鐘于50°C實(shí)施50秒接觸清洗。使用ICP-MS對(duì)處理后的溶液進(jìn) 行成分分析，由溶液中Ni、Pt、A1的濃度來確認(rèn)晶片的NiPt除去率、A1的侵蝕速率，利用 AFM觀察晶片表面來確認(rèn)是否存在硅化物的損傷，結(jié)果示于表1。
[0267] 結(jié)果是NiPt的除去率為100%，A1的侵蝕速率為160A/分鐘，NiPt硅化物無損 傷。
[0268] [表 1]
[0269]
[
[
[0272] 接下來，關(guān)于各試驗(yàn)例，按照每個(gè)試驗(yàn)項(xiàng)目進(jìn)行匯總示于以下各表。
[0273] 在是否具有第1清洗的方面，抽取表1中的一部分試驗(yàn)例示于下述表3。
[0274] 通過與硝酸和/或過氧化氫接觸而進(jìn)行第1清洗，效果提高。另外，表中的A1的 E/R表示A1的侵蝕速率（以下相同）。
[0275] [表 3]
[0276] 是否具有第1清洗
[0277]
[0278] 下面，基于硝酸濃度和過氧化氫濃度的差異，抽取表1中的一部分試驗(yàn)例示于下 述表4。另外，進(jìn)行下述的追加試驗(yàn)，其結(jié)果同樣示于表4。
[0279] (比較例 12)
[0280] 除了改變第1溶液（硝酸濃度62重量％、過氧化氫濃度0重量％ )以外，按照與 實(shí)施例1相同的條件進(jìn)行試驗(yàn)。
[0281]結(jié)果是NiPt的除去率為100 %，A1的侵蝕速率為190A/分鐘，NiPt硅化物有損 傷。
[0282] (比較例I3)
[0283] 除了改變第1溶液（硝酸濃度0重量％、過氧化氫濃度0. 1重量％ )以外，按照與 實(shí)施例1相同的條件進(jìn)行試驗(yàn)。
[0284] 結(jié)果是NiPt的除去率為25%，A1的侵蝕速率為14DA/分鐘，NiPt硅化物無損傷。
[0285] (參考例1)
[0286] 除了改變第1溶液（硝酸濃度0重量％、過氧化氫濃度1重量％ )以外，按照與實(shí) 施例1相同的條件進(jìn)行試驗(yàn)。
[0287]結(jié)果是NiPt的除去率為40 %，A1的侵蝕速率為120A/分鐘，NiPt硅化物無損傷。
[0288] (參考例2)
[0289] 除了改變第1溶液（硝酸濃度0. 1重量％、過氧化氫濃度0重量％ )以外，按照與 實(shí)施例1相同的條件進(jìn)行試驗(yàn)。
[0290] 結(jié)果是NiPt的除去率為50%，A1的侵蝕速率為110A/分鐘，NiPt硅化物無損傷。
[0291] (實(shí)施例 32)
[0292] 除了改變第1溶液（硝酸濃度1重量％、過氧化氫濃度0重量％ )以外，按照與實(shí) 施例1相同的條件進(jìn)行試驗(yàn)。
[0293] 結(jié)果是NiPt的除去率為95%，A1的侵蝕速率為H5A/'分鐘，NiPt硅化物無損傷。
[0294] (實(shí)施例 33)
[0295] 除了改變第1溶液（硝酸濃度60重量％、過氧化氫濃度0重量％ )以外，按照與 實(shí)施例1相同的條件進(jìn)行試驗(yàn)。
[0296] 結(jié)果是NiPt的除去率為100%，A1的侵蝕速率為160A/分鐘，NiPt硅化物無損 傷。
[0297] (實(shí)施例 34)
[0298] 除了改變第1溶液（硝酸濃度0重量％、過氧化氫濃度2重量％ )以外，按照與實(shí) 施例1相同的條件進(jìn)行試驗(yàn)。
[0299] 結(jié)果是NiPt的除去率為95%，A1的侵蝕速率為1:15A/分鐘，NiPt硅化物無損傷。
[0300] (實(shí)施例 35)
[0301 ] 除了改變第1溶液（硝酸濃度0重量％、過氧化氫濃度35重量％ )以外，按照與 實(shí)施例1相同的條件進(jìn)行試驗(yàn)。
[0302] 結(jié)果是NiPt的除去率為95%，A1的侵蝕速率為80A/分鐘，NiPt硅化物無損傷。
[0303] 如表4所示，通過將硝酸濃度設(shè)為1~60質(zhì)量％、過氧化氫濃度設(shè)為2~35質(zhì) 量％，可以取得良好的清洗效果。
[0304] [表 4]
[0305] 硝酸濃度?過氧化氫濃度
[0306]
[0307] 下面，基于第1清洗工序中的處理時(shí)間的差異，抽取表1中的一部分試驗(yàn)例示于表 5?？芍ㄟ^將第1清洗工序的處理時(shí)間設(shè)為10~100秒，清洗效果提高，進(jìn)一步優(yōu)選處理 時(shí)間在30秒以上。
[0308] [表 5]
[0309] 第1清洗時(shí)間
[0310]
[0311] 下面，基于第1清洗工序中的第1溶液的溫度的差異，抽取表1中的一部分試驗(yàn)例 示于表6。另外，進(jìn)行下述的追加試驗(yàn)，其結(jié)果同樣示于表6。
[0312] (比較例 14)
[0313] 除了將第1溶液的溫度改變?yōu)?0°C以外，按照與實(shí)施例1相同的條件進(jìn)行試驗(yàn)。
[0314] 結(jié)果是NiPt的除去率為85%，A1的侵蝕速率為BOA/分鐘，NiPt硅化物無損傷。
[0315] (比較例I5)
[0316] 除了將第1溶液的溫度改變?yōu)?20°C以外，按照與實(shí)施例1相同的條件進(jìn)行試驗(yàn)。
[0317]結(jié)果是NiPt的除去率為100%，A1的侵蝕速率為300A/分鐘，NiPt硅化物有損 傷。
[0318] (實(shí)施例 36)