一種引線鍵合去除的方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種引線鍵合去除的方法。
【背景技術】
[0002]微電子器件芯片的鍵合工序，是指在一定溫度下采用超聲波加壓的方法將鍵合引線兩端分別焊接在芯片和引線框架引腳上，實現(xiàn)芯片內部電路與外部電路的連接。對于代工廠的失效分析工作而言，多數(shù)情況下在進行分析時需要把芯片上的引線鍵合去除才能進行后續(xù)的電性能測試、去層次分析等工作。
[0003]當前，常用的引線鍵合去除方法主要是手動拔出和酸液腐蝕兩種，但是這兩種方法隨著半導體產業(yè)的發(fā)展，其不足也逐漸顯露。例如，隨著芯片集成度增高，芯片的引線數(shù)量也逐漸增多，這種情況下手動拔出鍵合絲很難將所有鍵合全部拔凈，殘留的鍵合絲極有可能導致金屬墊片之間形成短路。另外，手動拔出鍵合絲經常會在芯片上殘留部分鍵合絲，殘留的鍵合絲還會影響去層次的均勻度，對失效分析工作造成不良的影響。
[0004]對于酸液腐蝕，其雖然可以將鍵合絲全部去除，但由于所用的酸腐蝕性極強，金屬墊片上的鋁層也會被一并腐蝕。特別地，對于去除作為金屬鍵合的金線所使用的王水，甚至可能將芯片的金屬層腐蝕，破壞樣品的原始狀態(tài)，使得分析無法繼續(xù)進行。更嚴重地，酸液腐蝕操作對作業(yè)人員本身具有一定的潛在風險，存在安全隱患，一旦酸液噴濺在身上，后果將不堪設想。
[0005]尋求一種操作簡單、使用方便，并可保證作業(yè)人員安全的引線鍵合去除方法已成為本領域技術人員亟待解決的技術問題之一。
[0006]故針對現(xiàn)有技術存在的問題，本案設計人憑借從事此行業(yè)多年的經驗，積極研究改良，于是有了本發(fā)明一種引線鍵合去除的方法。

【發(fā)明內容】

[0007]本發(fā)明是針對現(xiàn)有技術中，傳統(tǒng)的的引線鍵合去除之方法，存在引線鍵合手動拔除不徹底，易于短路；或者酸液去除，易于腐蝕其他金屬層等缺陷提供一種引線鍵合去除的方法。
[0008]為實現(xiàn)本發(fā)明之目的，本發(fā)明提供一種引線鍵合去除的方法，所述引線鍵合去除的方法，包括:
[0009]執(zhí)行步驟S1:整理半導體襯底上的引線鍵合，避免引線鍵合之間疊置；
[0010]執(zhí)行步驟S2:在所述半導體襯底之表面涂覆丙酮溶液；
[0011]執(zhí)行步驟S3:在涂覆丙酮溶液之半導體襯底上黏附復制膠帶；
[0012]執(zhí)行步驟S4:靜置后并將所述復制膠帶剝離，所述引線鍵合伴隨所述復制膠帶脫離所述半導體襯底。
[0013]可選地，所述的引線鍵合去除的方法，進一步包括:
[0014]執(zhí)行步驟S5:循環(huán)執(zhí)行步驟S2?步驟S4，去除引線鍵合。
[0015]可選地，所述復制膠帶為醋酸纖維素復制膠帶。
[0016]可選地，涂覆在所述半導體襯底之上的丙酮溶液級別為分析純。
[0017]可選地，在所述步驟SI中，采用棉棒或者無塵布將所述半導體襯底上的引線鍵合進行整理，避免引線鍵合之間疊置。
[0018]可選地，在步驟S4中，所述靜置的時間大于或者等于lmin。
[0019]可選地，所述半導體襯底內的功能電路為處理器、控制電路、片上系統(tǒng)(SoC)、存儲器(DRAM)的至少其中之一。
[0020]可選地，所述半導體襯底為硅基襯底或者砷化鎵。
[0021]可選地，所述引線鍵合為鋁、銅、金的其中之一材料制備。
[0022]綜上所述，本發(fā)明引線鍵合去除的方法通過在具有引線鍵合的半導體襯底上涂覆丙酮溶液，并黏附復制膠帶，不僅可將引線鍵合徹底去除，而且不會損失半導體襯底和金屬焊墊，保證后續(xù)測試不受影響，避免潛在風險，值得推廣應用。
【附圖說明】
[0023]圖1所示為本發(fā)明具有引線鍵合的芯片之結構示意圖；
[0024]圖2所示為本發(fā)明引線鍵合去除的方法之流程圖；
[0025]圖3(a)?3(b)所示為待引線鍵合去除的芯片示意圖；
[0026]圖4(a)?4(b)所示為引線鍵合去除的芯片示意圖；
[0027]圖5(a)?5(b)所示為引線鍵合去除的階段性示意圖。
【具體實施方式】
[0028]為詳細說明本發(fā)明創(chuàng)造的技術內容、構造特征、所達成目的及功效，下面將結合實施例并配合附圖予以詳細說明。
[0029]請參閱圖1，圖1所示為本發(fā)明具有引線鍵合的芯片之結構示意圖。所述芯片1，包括:形成在所述半導體襯底10內的功能電路(未圖示)，且所述功能電路通過金屬焊墊11，并藉由引線鍵合12與外部引線(未圖示)電連接。所述功能電路包括但不限于處理器、控制電路、片上系統(tǒng)(SoC)、存儲器(例如DRAM)等。所述半導體襯底10包括但不限于硅、砷化鎵或其他材料形成。
[0030]作為本領域技術人員，容易理解地，在對所述芯片I進行失效分析時，均需要將所述芯片I上的引線鍵合12去除，方可進行電性能測試、去層次分析工作等。但是，現(xiàn)有的引線鍵合去除的方法，存在引線鍵合手動拔除不徹底，易于短路；或者酸液去除，易于腐蝕其他金屬層等缺陷。故，本發(fā)明提供一種引線鍵合去除的方法。
[0031]請參閱圖2，并結合參閱圖1，圖2所示為本發(fā)明引線鍵合去除的方法之流程圖。所述引線鍵合去除的方法，包括:
[0032]執(zhí)行步驟S1:整理所述半導體襯底10上的引線鍵合12，避免引線鍵合12之間疊置；
[0033]執(zhí)行步驟S2:在所述半導體襯底10之表面涂覆丙酮溶液；
[0034]執(zhí)行步驟S3:在涂覆丙酮溶液之半導體襯底10上黏附復制膠帶；
[0035]執(zhí)行步驟S4:靜置后并將所述復制膠帶剝離，所述引線鍵合12伴隨所述復制膠帶脫離所述半導體襯底10 ;
[0036]明顯地，當在執(zhí)行步驟S4時，所述引線鍵合12未能徹底的脫離所述半導體襯底10，則所述引線鍵合去除的方法，進一步包括:
[0037]執(zhí)行步驟S5:循環(huán)執(zhí)行步驟S2?步驟S4，去除引線鍵合12。
[0038]為了更直觀的揭露本發(fā)明之技術方案，凸顯本發(fā)明之有益效果，現(xiàn)結合【具體實施方式】，對本發(fā)明引線鍵合去除的方法之原理進行闡述。在【具體實施方式】中，所述芯片I之結構、金屬焊墊11之數(shù)量、引線鍵合12之數(shù)量等僅為列舉，不應視為對本發(fā)明技術方案的限制。
[0039]作為具體的實施方式，所述引線鍵合12包括但不限于鋁、銅、金的導電材料形成。在所述步驟SI中，采用棉棒或者無塵布將所述半導體襯底10上的引線鍵合12進行整理，避免引線鍵合12之間疊置。在所述步驟S2中，涂覆在所述半導體襯底10之的丙酮溶液級別為分析純。在步驟S3中，具有涂覆丙酮溶液之半導體襯底10上黏附復制膠帶，所述復制膠帶與所述丙酮溶液發(fā)生反應，所述復制膠帶便發(fā)生收縮，加固與所述半導體襯底10之間的黏附力。更具體地，所述復制膠帶為醋酸纖維素復制膠帶。在步驟S4中，靜置以使得所述復制膠帶與所述引線鍵合12充分黏附，便于剝離，優(yōu)選地，所述靜置的時間大于或者等于 Imin0
[0040]請參閱圖3(a)?3(b)、圖4(a)?4 (b)，以及圖5 (a)?5(b)，并結合參閱圖1，圖3(a)?3(b)所示為待引線鍵合去除的芯片示意圖。圖4(a)?4(b)所示為引線鍵合去除的芯片示意圖。圖5(a)?5(b)所示為引線鍵合去除的階段性示意圖。由圖3(a)?3 (b)、圖4(a)?4(b)可知，通過本發(fā)明引線鍵合去除的方法，不僅將所述芯片I上的引線鍵合12徹底去除，而且不會對所述芯片I造成損傷，對后續(xù)之分析無不利影響。由圖4(a)?4(b)進一步可知，在保證所述引線鍵合12去除的前提下，所述金屬焊墊11未被破壞，不會影響后續(xù)測試。由圖5(a)?5(b)可知，本發(fā)明引線鍵合去除的方法，通過所述復制膠帶13將所述引線鍵合12黏附，并從所述半導體襯底10上脫離。
[0041]明顯地，本發(fā)明引線鍵合去除的方法通過在具有引線鍵合12的半導體襯底10上涂覆丙酮溶液，并黏附復制膠帶13，不僅可將引線鍵合12徹底去除，而且不會損失半導體襯底10和金屬焊墊11，保證后續(xù)測試不受影響，避免潛在風險，值得推廣應用。
[0042]綜上所述，本發(fā)明引線鍵合去除的方法通過在具有引線鍵合的半導體襯底上涂覆丙酮溶液，并黏附復制膠帶，不僅可將引線鍵合徹底去除，而且不會損失半導體襯底和金屬焊墊，保證后續(xù)測試不受影響，避免潛在風險，值得推廣應用。
[0043]本領域技術人員均應了解，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以對本發(fā)明進行各種修改和變型。因而，如果任何修改或變型落入所附權利要求書及等同物的保護范圍內時，認為本發(fā)明涵蓋這些修改和變型。
【主權項】
1.一種引線鍵合去除的方法，其特征在于，所述引線鍵合去除的方法，包括: 執(zhí)行步驟S1:整理半導體襯底上的引線鍵合，避免引線鍵合之間疊置； 執(zhí)行步驟S2:在所述半導體襯底之表面涂覆丙酮溶液； 執(zhí)行步驟S3:在涂覆丙酮溶液之半導體襯底上黏附復制膠帶； 執(zhí)行步驟S4:靜置后并將所述復制膠帶剝離，所述引線鍵合伴隨所述復制膠帶脫離所述半導體襯底。2.如權利要求1所述的引線鍵合去除的方法，其特征在于，所述引線鍵合去除的方法，進一步包括: 執(zhí)行步驟S5:循環(huán)執(zhí)行步驟S2?步驟S4，去除引線鍵合。3.如權利要求1所述的引線鍵合去除的方法，其特征在于，所述復制膠帶為醋酸纖維素復制膠帶。4.如權利要求1所述的引線鍵合去除的方法，其特征在于，涂覆在所述半導體襯底之上的丙酮溶液級別為分析純。5.如權利要求1所述的引線鍵合去除的方法，其特征在于，在所述步驟SI中，采用棉棒或者無塵布將所述半導體襯底上的引線鍵合進行整理，避免引線鍵合之間疊置。6.如權利要求1所述的引線鍵合去除的方法，其特征在于，在步驟S4中，所述靜置的時間大于或者等于lmin。7.如權利要求1所述的引線鍵合去除的方法，其特征在于，所述半導體襯底內的功能電路為處理器、控制電路、片上系統(tǒng)(SoC)、存儲器(DRAM)的至少其中之一。8.如權利要求1所述的引線鍵合去除的方法，其特征在于，所述半導體襯底為硅基襯底或者砷化鎵。9.如權利要求1所述的引線鍵合去除的方法，其特征在于，所述引線鍵合為鋁、銅、金的其中之一材料制備。
【專利摘要】一種引線鍵合去除的方法，包括：執(zhí)行步驟S1：整理半導體襯底上的引線鍵合，避免引線鍵合之間疊置；執(zhí)行步驟S2：在所述半導體襯底之表面涂覆丙酮溶液；執(zhí)行步驟S3：在涂覆丙酮溶液之半導體襯底上黏附復制膠帶；執(zhí)行步驟S4：靜置后并將所述復制膠帶剝離，所述引線鍵合伴隨所述復制膠帶脫離所述半導體襯底。本發(fā)明引線鍵合去除的方法通過在具有引線鍵合的半導體襯底上涂覆丙酮溶液，并黏附復制膠帶，不僅可將引線鍵合徹底去除，而且不會損失半導體襯底和金屬焊墊，保證后續(xù)測試不受影響，避免潛在風險，值得推廣應用。
【IPC分類】H01L21/02, B08B3/08
【公開號】CN105070649
【申請?zhí)枴緾N201510493865
【發(fā)明人】劉迪
【申請人】上海華力微電子有限公司
【公開日】2015年11月18日
【申請日】2015年8月12日