一種晶片去蠟設(shè)備及去蠟方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種晶片去蠟設(shè)備及去蠟方法。
【背景技術(shù)】
[0002]晶片加工過程中，其表面會附著蠟，需要將其去除。由于現(xiàn)有的單一去蠟方式存在去蠟效率不高的問題，同時，現(xiàn)有的整體復(fù)合式去蠟機械去蠟效率不高，在不同工序之間移動晶片過程中，需要人工操作，影響工作效率，晶片不能進行合理的安裝，導(dǎo)致去蠟過程中，晶片容易受機械力損壞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種晶片去蠟設(shè)備及去蠟方法，能夠改善現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，通過采用預(yù)熱、高溫加熱、水洗、氣洗等步驟實現(xiàn)去蠟操作，提高去蠟效率，同時，采用移動的平臺結(jié)構(gòu)，方便晶片在不同工序之間的轉(zhuǎn)運，減少人工轉(zhuǎn)運的時間和成本。
[0004]本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實現(xiàn):
一種晶片去蠟設(shè)備，包括機架及設(shè)置在機架上端的移動軌道，在所述的移動軌道上設(shè)置有能夠沿著移動軌道水平移動的水平移動平臺，在所述的機架上沿移動軌道方向依次設(shè)置有加熱區(qū)、化蠟區(qū)、清洗區(qū)、沖洗區(qū)；
所述的水平移動平臺下方設(shè)置有液壓缸，所述的液壓缸下端設(shè)置有固定端板，所述的固定端板下方設(shè)置有用于安裝晶片的安裝條；
所述的固定端板下端面的面積大于所述的加熱區(qū)、化蠟區(qū)、清洗區(qū)、沖洗區(qū)上端面的面積。
[0005]進一步的，為更好地實現(xiàn)本發(fā)明，所述的水平移動平臺兩端分別設(shè)置有皮帶輪，在所述的機架一側(cè)設(shè)置有驅(qū)動電機帶動所述的皮帶輪轉(zhuǎn)動。
[0006]進一步的，為更好地實現(xiàn)本發(fā)明，在所述的固定端板上設(shè)置有卡槽，所述的安裝條上端卡接在所述的卡槽內(nèi)。
[0007]進一步的，為更好地實現(xiàn)本發(fā)明，所述的加熱區(qū)設(shè)置有電阻絲。
[0008]進一步的，為更好地實現(xiàn)本發(fā)明，在所述的沖洗區(qū)設(shè)置有高溫?zé)釟鈬婎^。
[0009]一種晶片去蠟方法，包括以下步驟:
S1:安裝晶片:講晶片至于安裝條上，使其晶片固定在安裝條上，并將安裝條卡接到固定端板下表面；
52:預(yù)熱:啟動驅(qū)動電機，帶動水平移動平臺沿著移動軌道移動，在固定端板位于加熱區(qū)上方時，啟動液壓缸，推動固定端板下端面貼合在加熱區(qū)的上端面上，對位于加熱區(qū)內(nèi)的晶片進行加熱，使其預(yù)熱；
53:化蠟:將經(jīng)過預(yù)熱的晶片輸入到化蠟區(qū)對其進行化蠟操作；
54:水洗:將經(jīng)過步驟S3處理的晶片置于清洗區(qū)，并采用清洗液進行水洗操作；
55:氣洗:將經(jīng)過步驟S4處理的晶片置于沖洗區(qū)，通過噴入高溫?zé)釟馐蛊浜娓?，并輸出機架設(shè)備。
[0010]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下有益效果:
(1)本發(fā)明通過采用一體化整體結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)多到工序的一次性完成，有效提高除蠟效率;
(2)本發(fā)明通過采用移動軌道實現(xiàn)機械化移動晶片，有效避免人工移動的方式帶來的操作不規(guī)范問題，同時，可以降低勞動強度，提高工作效率；
(3)本發(fā)明通過采用液壓缸，可以實現(xiàn)推動安裝有晶片的安裝條升降，從而提高去蠟效率;
(4)本發(fā)明通過使固定端板的面積大于加熱區(qū)、化蠟區(qū)、清洗區(qū)、沖洗區(qū)上端面的面積，能夠使固定端板完全覆蓋在上述區(qū)域上部，能夠使晶片在相應(yīng)工序時完全處于上述結(jié)構(gòu)內(nèi)部，避免其內(nèi)部物質(zhì)泄漏造成操作環(huán)境的污染，時間封閉化操作。
【附圖說明】
[0011]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本發(fā)明的某些實施例，因此不應(yīng)被看作是對范圍的限定，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。
[0012]圖1為本發(fā)明整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]其中:101.機架，102.移動軌道，103.水平移動平臺，104.加熱區(qū)，105.化蠟區(qū)，106.清洗區(qū)，107.沖洗區(qū)，108.液壓缸，109.固定端板，110.安裝條，111.卡槽。
【具體實施方式】
[0014]下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明進行進一步詳細介紹，但本發(fā)明的實施方式不限于此。
[0015]如圖1所示，一種晶片去蠟設(shè)備，包括機架101及設(shè)置在機架101上端的移動軌道102，在所述的移動軌道102上設(shè)置有能夠沿著移動軌道102水平移動的水平移動平臺103，在所述的機架101上沿移動軌道102方向依次設(shè)置有加熱區(qū)104、化蠟區(qū)105、清洗區(qū)106、沖洗區(qū)107 ；
所述的水平移動平臺103下方設(shè)置有液壓缸108，所述的液壓缸108下端設(shè)置有固定端板109，所述的固定端板109下方設(shè)置有用于安裝晶片的安裝條110 ;
所述的固定端板109下端面的面積大于所述的加熱區(qū)104、化蠟區(qū)105、清洗區(qū)106、沖洗區(qū)107上端面的面積。
[0016]實施例1:
本實施例中，公開了一種帶動水平移動平臺運動的優(yōu)選結(jié)構(gòu)，所述的水平移動平臺103兩端分別設(shè)置有皮帶輪，在所述的機架101 —側(cè)設(shè)置有驅(qū)動電機帶動所述的皮帶輪轉(zhuǎn)動。
[0017]進一步優(yōu)選地，本實施例中，在所述的固定端板109上設(shè)置有卡槽111，所述的安裝條110上端卡接在所述的卡槽111內(nèi)。通過采用卡槽結(jié)構(gòu)，能夠方便安裝條的安裝，進而方便晶片的安裝和拆卸。
[0018]優(yōu)選地，本實施例中，所述的加熱區(qū)104設(shè)置有電阻絲。
[0019]為了實現(xiàn)氣洗，本實施例中，在所述的沖洗區(qū)107設(shè)置有高溫?zé)釟鈬婎^。
[0020]實施例2:
一種晶片去蠟方法，包括以下步驟:
51:安裝晶片:講晶片至于安裝條110上，使其晶片固定在安裝條110上，并將安裝條110卡接到固定端板109下表面；
52:預(yù)熱:啟動驅(qū)動電機，帶動水平移動平臺103沿著移動軌道102移動，在固定端板109位于加熱區(qū)104上方時，啟動液壓缸108，推動固定端板109下端面貼合在加熱區(qū)104的上端面上，對位于加熱區(qū)104內(nèi)的晶片進行加熱，使其預(yù)熱；
53:化蠟:將經(jīng)過預(yù)熱的晶片輸入到化蠟區(qū)105對其進行化蠟操作；
54:水洗:將經(jīng)過步驟S3處理的晶片置于清洗區(qū)106，并采用清洗液進行水洗操作；
55:氣洗:將經(jīng)過步驟S4處理的晶片置于沖洗區(qū)107，通過噴入高溫?zé)釟馐蛊浜娓?，并輸出機架101設(shè)備。
[0021]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種晶片去蠟設(shè)備，其特征在于:包括機架(101)及設(shè)置在機架(101)上端的移動軌道(102)，在所述的移動軌道(102)上設(shè)置有能夠沿著移動軌道(102)水平移動的水平移動平臺(103)，在所述的機架(101)上沿移動軌道(102)方向依次設(shè)置有加熱區(qū)(104)、化蠟區(qū)(105)、清洗區(qū)(106)、沖洗區(qū)(107)； 所述的水平移動平臺(103)下方設(shè)置有液壓缸(108)，所述的液壓缸(108)下端設(shè)置有固定端板(109)，所述的固定端板(109)下方設(shè)置有用于安裝晶片的安裝條(110); 所述的固定端板(109)下端面的面積大于所述的加熱區(qū)(104)、化蠟區(qū)(105)、清洗區(qū)(106)、沖洗區(qū)(107)上端面的面積。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶片去蠟設(shè)備，其特征在于:所述的水平移動平臺(103)兩端分別設(shè)置有皮帶輪，在所述的機架(101)—側(cè)設(shè)置有驅(qū)動電機帶動所述的皮帶輪轉(zhuǎn)動。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種晶片去蠟設(shè)備，其特征在于:在所述的固定端板(109 )上設(shè)置有卡槽(111 )，所述的安裝條(110)上端卡接在所述的卡槽(111)內(nèi)。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種晶片去蠟設(shè)備，其特征在于:所述的加熱區(qū)(104)設(shè)置有電阻絲。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種晶片去蠟設(shè)備，其特征在于:在所述的沖洗區(qū)(107)設(shè)置有高溫?zé)釟鈬婎^。6.一種晶片去蠟方法，其特征在于:包括以下步驟: 51:安裝晶片:講晶片至于安裝條(110)上，使其晶片固定在安裝條(110)上，并將安裝條(110 )卡接到固定端板(109 )下表面； 52:預(yù)熱:啟動驅(qū)動電機，帶動水平移動平臺(103)沿著移動軌道(102)移動，在固定端板(109)位于加熱區(qū)(104)上方時，啟動液壓缸(108)，推動固定端板(109)下端面貼合在加熱區(qū)(104)的上端面上，對位于加熱區(qū)(104)內(nèi)的晶片進行加熱，使其預(yù)熱； 53:化蠟:將經(jīng)過預(yù)熱的晶片輸入到化蠟區(qū)(105)對其進行化蠟操作； 54:水洗:將經(jīng)過步驟S3處理的晶片置于清洗區(qū)(106)，并采用清洗液進行水洗操作； 55:氣洗:將經(jīng)過步驟S4處理的晶片置于沖洗區(qū)(107)，通過噴入高溫?zé)釟馐蛊浜娓?，并輸出機架(101)設(shè)備。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種晶片去蠟設(shè)備，包括機架及設(shè)置在機架上端的移動軌道，在所述的移動軌道上設(shè)置有能夠沿著移動軌道水平移動的水平移動平臺，在所述的機架上沿移動軌道方向依次設(shè)置有加熱區(qū)、化蠟區(qū)、清洗區(qū)、沖洗區(qū)；所述的水平移動平臺下方設(shè)置有液壓缸，所述的液壓缸下端設(shè)置有固定端板，所述的固定端板下方設(shè)置有用于安裝晶片的安裝條；所述固定端板下端面的面積大于所述的加熱區(qū)、化蠟區(qū)、清洗區(qū)、沖洗區(qū)上端面的面積。本發(fā)明通過采用預(yù)熱、高溫加熱、水洗、氣洗等步驟實現(xiàn)去蠟操作，提高去蠟效率，同時，采用移動的平臺結(jié)構(gòu)，方便晶片在不同工序之間的轉(zhuǎn)運，減少人工轉(zhuǎn)運的時間和成本。
【IPC分類】H01L21/677, H01L21/302, H01L21/67
【公開號】CN105070680
【申請?zhí)枴緾N201510502858
【發(fā)明人】張明
【申請人】天津市信拓電子科技有限公司
【公開日】2015年11月18日
【申請日】2015年8月15日