置對準相互的連接預定位置。
[0161] 具體而言，以使半導體元件5的形成有連接構件4的面（與半導體晶片3的電路 面3a對應）與被粘物16對置的方式將所拾取的層疊體A配置于被粘物16的上方。接下 來，將攝像裝置31b及環(huán)狀照明32b配置于層疊體A與被粘物16之間，然后，自環(huán)狀照明 32b朝向層疊體A對底部填充材料2的露出面2a照射光L。利用攝像裝置31b將進入到底 部填充材料2且在半導體元件5處反射的光接收為反射像。接著，利用圖像識別裝置對所 接收的反射像進行分析，求出與預先決定的連接預定位置的偏差，最后，僅使層疊體A移動 所求出的偏差量而使半導體元件5與被粘物16的相對位置對準連接預定位置（未圖示）。
[0162] 該位置對準工序中的光照射的形態(tài)，僅僅是底部填充材料的露出面2a同攝像裝 置31b及照明32b的位置與切割位置決定工序中的光照射垂直翻轉而已。因此，作為用于 照射光的各條件例如用于照射光的照明、照明的光源、光的波長、用于利用光照射進行位置 檢測的半導體元件中的識別對象等，可優(yōu)選采用切割位置決定工序一項中所說明的條件， 并可獲得相同的效果。
[0163] [安裝工序]
[0164] 安裝工序中，用底部填充材料2填充被粘物16與半導體元件5之間的空間，并且 借助連接構件4將半導體元件5與被粘物16電連接（參照圖2H)。具體而言，將層疊體A 的半導體芯片5以半導體芯片5的電路面3a與被粘物16對置的方式按照常法固定于被粘 物16上。例如，通過使形成于半導體芯片5上的凸塊（連接構件）4與粘合于被粘物16的 連接墊的接合用導電材料17 (焊料等）接觸并進行擠壓，同時使導電材料熔融，可確保半導 體芯片5與被粘物16的電連接，將半導體芯片5固定于被粘物16。在半導體芯片5的電路 面3a上粘貼有底部填充材料2,因此在將半導體芯片5與被粘物16電連接的同時，半導體 芯片5與被粘物16之間的空間被底部填充材料2填充。
[0165] 通常，作為安裝工序中的加熱條件，為100~300 °C，作為加壓條件，為0. 5~ 500N。此外，可以以多個階段進行安裝工序中的熱壓接處理。例如可以采用如下的步驟，即， 在150°C、100N下處理10秒鐘后，在300°C、100~200N下處理10秒鐘。通過以多個階段進 行熱壓接處理，從而能夠有效地除去連接構件與焊墊間的樹脂，得到更良好的金屬間接合。
[0166] 作為被粘物16,可使用引線框、電路基板（配線電路基板等）等各種基板、其他半 導體元件。作為基板的材質，并沒有特別的限定，可列舉陶瓷基板、塑料基板。作為塑料基 板，可列舉例如環(huán)氧基板、雙馬來酰亞胺三嗪基板、聚酰亞胺基板、玻璃環(huán)氧基板等。
[0167] 需要說明的是，安裝工序中，使連接構件及導電材料的一方或兩方熔融，并且使半 導體芯片5的連接構件形成面3a的凸塊4與被粘物16的表面的導電材料17連接，作為該 凸塊4及導電材料17的熔融時的溫度，通常達到260°C左右（例如250°C~300°C )。本實 施方式所涉及的密封片材通過由環(huán)氧樹脂等形成底部填充材料2,從而可以成為在該安裝 工序也具有耐受高溫的耐熱性的密封片材。
[0168] [底部填充材料固化工序]
[0169] 進行半導體元件5與被粘物16的電連接后，通過加熱使底部填充材料2固化。由 此，能夠保護半導體元件5的表面，并且能夠確保半導體元件5與被粘物16之間的連接可 靠性。作為用于固化底部填充材料的加熱溫度，沒有特別的限定，只要在150~250°C左右 即可。需要說明的是，在通過安裝工序中的加熱處理使底部填充材料固化的情況下，可以省 略本工序。
[0170] [密封工序]
[0171] 接著，為了保護具有所安裝的半導體芯片5的半導體裝置20整體，可以進行密封 工序。密封工序使用密封樹脂來進行。作為此時的密封條件，沒有特別的限定，通常通過在 175°C加熱60秒鐘~90秒鐘，從而進行密封樹脂的熱固化，但本發(fā)明并不限定于此，例如也 可以在165°C~185°C下固化（cure)數分鐘。
[0172] 作為上述密封樹脂，只要是具有絕緣性的樹脂（絕緣樹脂），則沒有特別的限制， 可以從公知的密封樹脂等密封材料中適當選擇使用，但更優(yōu)選具有彈性的絕緣樹脂。作為 密封樹脂，可列舉例如含有環(huán)氧樹脂的樹脂組合物等。作為環(huán)氧樹脂，可列舉上述例示的環(huán) 氧樹脂等。另外，作為由含有環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成的密封樹脂，就其樹脂成分而言， 除環(huán)氧樹脂以外，還可以含有環(huán)氧樹脂以外的熱固化性樹脂（酚醛樹脂等）、熱塑性樹脂 等。需要說明的是，作為酚醛樹脂，也可以以環(huán)氧樹脂的固化劑的形式來利用，作為這樣的 酚醛樹脂，可列舉上述例示的酚醛樹脂等。
[0173] [半導體裝置]
[0174] 下面，參照附圖對使用該密封片材而得到的半導體裝置進行說明（參照圖2H)。在 本實施方式所涉及的半導體裝置20中，半導體元件5和被粘物16借助形成在半導體元件 5上的凸塊（連接構件）4及設置在被粘物16上的導電材料17而被電連接。另外，在半導 體元件5與被粘物16之間配置底部填充材料2以填充其空間。半導體裝置20通過采用規(guī) 定的底部填充材料2、及利用照射光的對位的上述制造方法而獲得，因此可在半導體元件5 與被粘物16之間實現良好的電連接。因此，半導體元件5的表面保護、半導體元件5與被 粘物16之間的空間的填充、及半導體元件5與被粘物16之間的電連接分別達到充分的水 平，作為半導體裝置20可發(fā)揮較高的可靠性。
[0175] 〈第2實施方式〉
[0176] 相對于第1實施方式使用單面形成有電路的半導體晶片的情形，在本實施方式中 使用兩面形成有電路的半導體晶片制造半導體裝置。另外，本實施方式中使用的半導體晶 片具有目標厚度，因此省略研削工序。因此，作為第2實施方式中的密封片材，使用具備切 割膠帶及層疊于該切割膠帶上的規(guī)定的底部填充材料的密封片材。作為第2實施方式中 的位置對準工序前的代表工序，可列舉：準備工序，準備上述密封片材；貼合工序，將兩面 形成有具有連接構件的電路面的半導體晶片與上述密封片材的底部填充材料貼合；切割工 序，將上述半導體晶片切割而形成上述帶有底部填充材料的半導體元件；拾取工序，將上述 帶有底部填充材料的半導體元件自上述密封片材剝離。其后，進行位置對準工序以后的工 序而制造半導體裝置。
[0177] [準備工序]
[0178] 準備工序中，準備具備切割膠帶41與層疊于該切割膠帶41上的規(guī)定的底部填充 材料42的密封片材（參照圖3A)。切割膠帶41具備基材41a、層疊于基材41a上的粘合劑 層41b。需要說明的是，底部填充材料42層疊于粘合劑層41b上。作為此種切割膠帶41的 基材41a及粘合劑層41b、以及底部填充材料42,可使用與第1實施方式相同的材料。
[0179] [貼合工序]
[0180] 貼合工序中，如圖3A所示，將兩面形成有具有連接構件44的電路面的半導體晶片 43與上述密封片材的底部填充材料42貼合。需要說明的是，進行薄型化成為規(guī)定的厚度的 半導體晶片的強度較弱，因此有時為了加強而借助暫時固定材料將半導體晶片固定于支承 玻璃等支承體上（未圖示）。在這種情況下，還可以包括將半導體晶片與底部填充材料貼合 后，將暫時固定材料與支承體一并剝離的工序。將半導體晶片43中的任一電路面與底部填 充材料42貼合時，只要根據目標半導體裝置的結構進行變更即可。
[0181] 作為半導體晶片43,除了在兩面形成具有連接構件44的電路面、且具有規(guī)定的厚 度方面以外，與第1實施方式的半導體晶片相同。半導體晶片43的兩面的連接構件44彼 此可進行電連接，也可以不進行連接。關于連接構件44彼此的電連接，可列舉利用借助被 稱為TSV形式的通孔的連接而進行的連接等。作為貼合條件，可優(yōu)選采用第1實施方式中 的貼合條件。
[0182][切割工序]
[0183] 切割工序中，將上述半導體晶片43及底部填充材料42切割而形成上述帶有底部 填充材料的半導體元件45 (參照圖3B)。作為切割條件，可優(yōu)選采用第1實施方式中的各條 件。需要說明的是，切割對半導體晶片43的露出的電路面來進行，因此雖切割位置的檢測 較為容易，但也可以根據需要照射光而確認切割位置后進行切割。
[0184][拾取工序]
[0185] 拾取工序中，將上述帶有底部填充材料42的半導體元件45自上述切割膠帶41剝 離（圖3C)。作為拾取條件，可優(yōu)選采用第1實施方式中的各條件。
[0186] 在本實施方式的密封片材中，上述底部填充材料的自上述切割膠帶的剝離力優(yōu)選 為0. 03~0. 10N/20mm。由此，可容易地進行帶有底部填充材料的半導體元件的拾取。
[0187][位置對準工序]
[0188] 接著，在位置對準工序中，如圖3D所示，對上述帶有底部填充材料的半導體元件 45的底部填充材料42的露出面42a (參照圖3C)照射光L，使上述半導體元件45與上述被 粘物66的相對位置與相互的連接預定位置對準。位置對準工序中的條件可優(yōu)選采用第1 實施方式中的各條件。
[0189][安裝工序]
[0190] 安裝工序中，以底部填充材料42填充被粘物66與半導體元件45之間的空間并借 助連接構件44將半導體元件45與被粘物66電連接（參照圖3E)。安裝工序中的條件可優(yōu) 選采用第1實施方式中的各條件。由此，可制造本實施方式的半導體裝置60。
[0191] 以下，可與第1實施方式同樣地根據需要進行底部填充材料固化工序及密封工 序。
[0192] <第3實施方式>
[0193] 在第1實施方式中，使用背面研削用膠帶作為密封片材的構成構件，但本實施方 式中，不設置該背面研削用膠帶的粘合劑層而單獨使用基材。因此，作為本實施方式的密封 片材，成為基材上層疊有底部填充材料的狀態(tài)。在本實施方式中，研削工序可任意地進行， 但拾取工序前的紫外線照射因省略粘合劑層而無需進行。除了這些方面以外，則可通過經 由與第1實施方式相同的工序而制造規(guī)定的半導體裝置。
[0194] <其他實施方式>
[0195] 第1實施方式至第3實施方式中，在切割工序中采用使用切割刀片的切割，但也可 以代替此種方案而采用通過激光照射而在半導體晶片內部形成改性部分，并沿該改性部分 將半導體晶片分割而進行單片化的所謂隱形切割。
[0196] 實施例
[0197] 以下，例示性地詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選的實施例。但是，該實施例中記載的材料或 配合量等只要無特別限定的記載，則并非將本發(fā)明的范圍僅限定于此。另外，份表示重量 份。
[0198][實施例1~5及比較例1~2]
[0199](密封片材的制作）
[0200] 將以下成分以表1所示的比例溶解于甲基乙基酮中，制備固體成分濃度為23. 6~ 60. 6重量％的膠粘劑組合物的溶液。
[0201] 彈性體1 :以丙烯酸丁酯-丙烯腈為主成分的丙烯酸酯系聚合物（商品名 "SG_28GM"，Nagase Chemtex 株式會社制造）
[0202] 彈性體2 :以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸酯系聚合物（商品 名"Pagoclone W-197CM"，根上工業(yè)株式會社制造）
[0203] 環(huán)氧樹脂1:商品名"Epikote 828"，JER株式會社制造
[0204] 環(huán)氧樹脂2:商品名"Epikote 1004"，JER株式會社制造
[0205] 酚醛樹脂：商品名"Milex XLC-4L"，三井化學株式會社制造
[0206] 填料1 :球狀二氧化硅（商品名"YC100C-MLC"，Admatechs株式會社制造）
[0207] 填料2:球狀二氧化硅（商品名"S0-25R"，Admatechs株式會社制造）
[0208] 有機酸：鄰茴香酸（商品名"o-Anisic acid"，東京化成株式會社制造）
[0209] 固化劑：咪唑催化劑（商品名"2PHZ-PW"，四國化成株式會社制造）
[0210] 將該膠粘劑組合物的溶液涂布在作為剝離襯墊（隔離件）的經硅酮脫模處理的厚 度為50 ym的由聚對苯二甲酸乙二醇酯膜構成的脫模處理膜上之后，在130°C下使之干燥2 分鐘，由此制作厚度45 ym的底部填充材料。
[0211] 使用手壓輥使上述底部填充材料貼合于背磨膠帶（商品名"UB-2154"，日東電工 株式會社制造）的粘合劑層上，而制作出密封片材。
[0212] (霧度的測定）
[0213] 底部填充材料的霧度使用霧度計H