一種軟磁合金的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明屬于功能材料領域，特別是指一種軟磁合金。
【背景技術】
[0002] 現(xiàn)有技術中，軟磁材料被用作生產(chǎn)高頻變壓器、磁頭等需要利用軟磁材料特性的 產(chǎn)品。軟磁材料是指同永磁材料相比具有消磁性能的磁性材料?，F(xiàn)主要軟磁材料的生產(chǎn)基 本以鐵氧體材料來制備，這類鐵氧體材料的主要特性是電阻率高，高頻渦流損耗小等優(yōu)點。 但該材料制備的軟磁產(chǎn)品的飽和磁感應強度偏低，溫度特性差，僅能使用于溫度低于l〇〇°C 的范圍，當溫度超過這一范圍時，其性能急劇下降甚至磁性消失，因此這類材料不適合于高 溫條件下的應用。
[0003] 我國專利20041002990提供了一種采用FeCOMSiB合金材料并提高了 Co元素的用 量。雖然該技術方案能夠有較高的溫度特性，但含Co高的磁性合金儲磁性能及消磁速度不 高，同時CO相對于我國屬于緊缺資源，進口依賴度超過90%以上，因此有必要對現(xiàn)有技術 進行改進。
【發(fā)明內容】
[0004] 本發(fā)明的目的是通過對現(xiàn)有技術的改進，在保證軟磁材料的溫度特性和儲磁性能 并能夠提高這類軟磁材料的消磁性能。
[0005] 本發(fā)明是通過以下技術方案實現(xiàn)的：
[0006] -種軟磁合金，所述軟磁合金材料為FeCOMSiBTi基材，各成份組成按原子百分含 量（at% )包括：25-30的鈷，3-5的M，8-12的硅，10-15的硼，5-8的鈦，1-3%的鈧，其余為 鐵及少量不可避免的雜質；所述M銅和鈮、鉬、釩、鋯中一種或多種的組合。
[0007] 所述銅的原子百分含量（at% )為0. 8-1. 2 ;所述鈮、鉬、釩、鋯中一種或多種的組 合的原子百分含量（at% )為3-5。
[0008] 本發(fā)明的有益效果是：
[0009] 同現(xiàn)有技術相比，本軟磁材料合金具有較好的高溫特性和儲磁性能。
【具體實施方式】
[0010] 以下結合具體實施例以對本發(fā)明進行詳細說明，在本申請中選用多組實施例并通 過對各實施例的檢測得出各組分的性能。在本申請中共選用了 6組實施例。
[0011] -種軟磁合金，所述軟磁合金材料為FeCOMSiBTi基材，各成份組成按原子百分含 量（at% )包括：25-30的鈷，3-5的M，8-12的硅，10-15的硼，5-8的鈦，1-3%的鈧，其余為 鐵及少量不可避免的雜質；所述M銅和鈮、鉬、釩、鋯中一種或多種的組合。
[0012] 所述銅的原子百分含量（at%)為0.8-1. 2;所述鈮、鉬、釩、鋯中一種或多種的組 合的原子百分含量（at% )為3-5。
[0013] 實施例的制備是在真空感應爐中進行熔煉，首先將爐內抽真空至10 3Pa以上，然 后充入1個大氣壓的氬氣，熔煉是在采用氬氣保護并經(jīng)充分的電磁攪拌后澆鑄成合金坯 體，再將坯體依需要進行加工成半成品，再經(jīng)500-520°C和保溫30分鐘的晶化退火處理，然 后對產(chǎn)品測試。
[0014] 產(chǎn)品的測試試驗
[0015] 磁導率Bs(T)的測量是在真空度為10 3Pa真空爐中進行，測量方式采用升溫速率 為3. 5°C /分鐘的線性升溫測量。經(jīng)過測定，本技術方案有很好的溫度特性。
[0016] 實施例1-6的具體組成見表1
[0017] 本發(fā)明各實施例的組成成份（表1)單位原子百分比at%
[0018]
[0020] 通過以上測量結果可以表明，本發(fā)明的技術方案同現(xiàn)有技術中大量增加鈷含量的 軟磁材料的性能相似，但成本大量降低。
【主權項】
1. 一種軟磁合金，其特征在于：所述軟磁合金材料為FeCOMSiBTi基材，各成份組成按 原子百分含量（at% )包括：25-30的鈷，3-5的M，8-12的硅，10-15的硼，5-8的鈦，1-3% 的鈧，其余為鐵及少量不可避免的雜質；所述M銅和鈮、鉬、釩、鋯中一種或多種的組合。2. 根據(jù)權利要求1所述的軟磁合金，其特征在于：所述銅的原子百分含量（at% )為 0. 8-1. 2 ;所述鈮、鉬、釩、鋯中一種或多種的組合的原子百分含量（at% )為3-5。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種軟磁合金，所述軟磁合金材料為FeCOMSiBTi基材，各成份組成按原子百分含量(at％)包括：25-30的鈷，3-5的M，8-12的硅，10-15的硼，5-8的鈦，1-3％的鈧，其余為鐵及少量不可避免的雜質；所述M銅和鈮、鉬、釩、鋯中一種或多種的組合。
【IPC分類】H01F1/147, C22C38/10, C22C38/16
【公開號】CN105118599
【申請?zhí)枴緾N201510566981
【發(fā)明人】張超
【申請人】張超
【公開日】2015年12月2日
【申請日】2015年9月8日