攝像裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及具有攝像元件芯片的攝像裝置，該攝像元件芯片形成有攝像部和包含低介電常數(shù)材料層的電路部。
【背景技術】
[0002]由于具有攝像元件芯片的芯片尺寸封裝型的攝像裝置為小徑，所以能夠用于內窺鏡等，其中，該攝像元件芯片是在主面上形成有由CMOS攝像元件等構成的攝像部而成的。為了獲得攝像部與連接信號纜線等的較大的接合電極的一致性，由導體層和絕緣層構成的再布線電路對攝像元件芯片來說是不可或缺的，其中，該攝像部由利用半導體技術制成的細微圖案構成。近年來，為了實現(xiàn)攝像裝置的高性能化，正在研究使用介電常數(shù)比氧化硅低的材料、所謂Low-k材料，作為再布線電路的絕緣層。
[0003]但是，Low-k材料的耐濕性、即水蒸氣的滲透性比現(xiàn)有的絕緣層材料差。由于以Low-k材料為絕緣層的芯片尺寸封裝型的攝像裝置的Low-k材料露出于外周部，所以可靠性有可能不充分。即，當水滲透到由Low-k材料構成的絕緣層時，相對介電常數(shù)上升，寄生電容增加，并產生信號延遲，所以有可能會產生動作不良，或者產生金屬布線的腐蝕。
[0004]在日本特開2008-78382號公報中，公開了如下半導體裝置:由耐濕性比低介電常數(shù)絕緣材料優(yōu)良的底填充材料覆蓋并密封包含半導體元件芯片的低介電常數(shù)絕緣層在內的再布線電路的側面。
[0005]但是，上述公報記載的半導體裝置的俯視尺寸比半導體元件芯片大出底填充材料的嵌條(Fillet)長度的量。
[0006]此外，在日本特開2011-166080公報中，公開了將攝像元件芯片收納在屏蔽箱中的攝像裝置。在攝像元件芯片與屏蔽箱的間隙中填充有密封樹脂。
[0007]但是，在上述公報中沒有公開和揭示任何由于經由密封樹脂而滲透的水帶來的影響。推測這是由于沒有使用Low-k材料來作為攝像元件芯片的絕緣層。

【發(fā)明內容】

[0008]發(fā)明所要解決的問題
[0009]本發(fā)明的實施方式的目的在于提供小徑且可靠性高的攝像裝置。
[0010]用于解決問題的手段
[0011]本發(fā)明的攝像裝置具有:攝像元件芯片，該攝像元件芯片在第I主面上形成有:攝像部；電路部，其與所述攝像部之間收發(fā)信號，并具有多個層，該多個層包含由相對介電常數(shù)比氧化硅低的低介電常數(shù)材料構成的絕緣層；以及電極焊盤，其與所述電路部連接，并且，所述攝像元件芯片在第2主面上形成有接合端子，該接合端子經由貫穿布線與所述電極焊盤連接；以及玻璃罩，其經由粘接層與所述攝像元件芯片的所述第I主面粘接，且俯視尺寸與所述攝像元件芯片相同，其中，所述攝像裝置在所述攝像元件芯片的所述第I主面上具有保護環(huán)，所述保護環(huán)包圍所述攝像部、所述電路部和所述電極焊盤，由從耐濕性比所述低介電常數(shù)材料優(yōu)良的材料中選擇的I種以上的材料構成，或者，所述攝像裝置具有:屏蔽箱，其收納所述攝像元件芯片，且內壁的角部的截面形狀由曲線構成；以及密封樹脂，其填充所述攝像元件芯片的側面與所述屏蔽箱之間的間隙，且所述角部以外的厚度為100 μπι以下。
[0012]另一個實施方式的攝像裝置具有:攝像元件芯片，該攝像元件芯片在第I主面上形成有:攝像部；電路部，其與所述攝像部之間收發(fā)信號，并具有多個層，該多個層包含由相對介電常數(shù)比氧化硅低的低介電常數(shù)材料構成的絕緣層；電極焊盤，其與所述電路部連接；以及保護環(huán)，其包圍所述攝像部、所述電路部和所述電極焊盤，由從耐濕性比所述低介電常數(shù)材料優(yōu)良的材料中選擇的I種以上的材料構成，并且，所述攝像元件芯片在第2主面上形成有接合端子，該接合端子經由貫穿布線與所述電極焊盤連接；玻璃罩，其經由粘接層與所述攝像元件芯片的所述第I主面粘接，且俯視尺寸與所述攝像元件芯片相同；以及后環(huán)，其配設在所述保護環(huán)的整周與所述透明部件之間，由耐濕性比所述粘接層的材料優(yōu)良的材料構成。
[0013]此外，另一個實施方式的攝像裝置具有:攝像元件芯片，該攝像元件芯片在第I主面上形成有:攝像部；電路部，其與所述攝像部之間收發(fā)信號，并具有多個層，該多個層包含由相對介電常數(shù)比氧化硅低的低介電常數(shù)材料構成的絕緣層；電極焊盤，其與所述電路部連接；以及保護環(huán)，其包圍所述攝像部、所述電路部和所述電極焊盤，由耐濕性比所述低介電常數(shù)材料優(yōu)良的材料構成，所述攝像元件芯片在第2主面上形成有接合端子，該接合端子經由貫穿布線與所述電極焊盤連接；以及透明部件，其經由粘接層與所述攝像元件芯片的所述第I主面粘接，覆蓋比所述保護環(huán)的外緣更靠內側的區(qū)域。
[0014]此外，另一個實施方式的攝像裝置具有:俯視為矩形的攝像元件芯片，所述攝像元件芯片在第I主面上形成有:攝像部；以及電路部，其與所述攝像部之間收發(fā)信號，并具有多個層，所述多個層包含由相對介電常數(shù)比氧化硅低的低介電常數(shù)材料構成的絕緣層，所述攝像元件芯片在第2主面上形成有接合端子，該接合端子經由所述電路部和貫穿布線與所述電路部連接；玻璃罩，其與所述攝像元件芯片的所述第I主面粘接，且俯視尺寸與所述攝像元件芯片相同；屏蔽箱，其收納所述攝像元件芯片，且內壁的角部的截面形狀由曲線構成；以及密封樹脂，其填充所述攝像元件芯片的側面與所述屏蔽箱之間的間隙，且所述角部以外的厚度為100 μπι以下。
[0015]發(fā)明效果
[0016]根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種小徑且可靠性高的攝像裝置。
【附圖說明】
[0017]圖1是第I實施方式的攝像裝置的立體圖。
[0018]圖2是第I實施方式的攝像裝置的俯視圖。
[0019]圖3是第I實施方式的攝像裝置的沿著圖2的II1-1II線的剖視圖。
[0020]圖4是第2實施方式的攝像裝置的俯視圖。
[0021]圖5是第2實施方式的攝像裝置的沿著圖4的V-V線的分解剖視圖。
[0022]圖6是第2實施方式的變形例的攝像裝置的剖視圖。
[0023]圖7是第3實施方式的攝像裝置的立體圖。
[0024]圖8是第3實施方式的攝像裝置的剖視圖。
[0025]圖9是第3實施方式的變形例的攝像裝置的剖視圖。
[0026]圖10是第4實施方式的攝像裝置的剖視圖。
[0027]圖11是第4實施方式的攝像裝置的沿著圖10的XI — XI線的剖視圖。
[0028]圖12是用于說明第4實施方式的攝像裝置的立體圖。
[0029]圖13是示出圖11所示的第4實施方式的攝像裝置的部分放大剖視圖。
[0030]圖14是現(xiàn)有的攝像裝置的部分放大剖視圖。
[0031]圖15是第5實施方式的攝像裝置的部分放大剖視圖。
[0032]圖16是第6實施方式的攝像裝置的剖視圖。
【具體實施方式】
[0033](第I實施方式)
[0034]如圖1?圖3所示，第I實施方式的攝像裝置I具有:攝像元件芯片10 ;作為透明部件的玻璃罩30 ;以及將攝像元件芯片10與玻璃罩30粘接的粘接層20。
[0035]由在主面配設了層疊膜12的半導體基板11構成的攝像元件芯片10是晶圓級芯片尺寸封裝型的芯片，攝像元件芯片10與玻璃罩30的俯視尺寸相同。S卩，通過對接合晶片進行切斷并進行單片化來制造攝像裝置I，其中，該接合晶片是將形成了多個攝像元件芯片10的攝像元件晶片與玻璃晶片粘接而成的。攝像元件芯片10能夠一并進行大量生成，所以生產性優(yōu)良。
[0036]在攝像元件芯片10的第I主面1SA上形成有攝像部13、電路部14、多個電極焊盤15和保護環(huán)16。另一方面，在攝像元件芯片10的第2主面1SB上形成有多個接合端子18，該多個接合端子18經由各個貫穿布線17與各個電極焊盤15連接。
[0037]由COMS攝像元件等構成的攝像部13通過公知的半導體制造技術，形成在由娃等構成的半導體基板11的主面上。
[0038]電路部14具有用于對攝像部13收發(fā)信號等的再布線功能等。電路部14可以包含對攝像部13的信號進行處理的半導體電路。這時，半導體電路與攝像部13同樣，通過公知的半導體制造技術，形成在由硅等構成的半導體基板11的主面上。電路部14也是層疊膜12的一部分，該層疊膜12具有多個導體層12A和多個絕緣層12B、12C。另外，在圖3中示意性示出了多個層的一部分。
[0039]并且，電路部14的