密封件是鍍鎳環(huán)形密封件。例如，第一和第二環(huán)形密封件204和208可分別被提供以分別 限定介于第二腔190的供給部分210、第二腔190的排出部分212和氣幕部分214之間的邊 界。凈化氣體可以由氣體源215和閥217提供到氣幕部分214。
[0048] 在本實(shí)施例中，第一環(huán)形密封件204限定了供應(yīng)部分210和排出部分212之間的 邊界。第三環(huán)形密封件220(與第二環(huán)形密封件208 -起）可以被提供以限定第二腔190 的氣幕部分214。在本實(shí)施例中，第二環(huán)形密封件208限定了排出部分212和第二腔190的 氣幕部分214之間的邊界。所述第一、第二和第三環(huán)形密封件204, 208和220分別可包括 環(huán)形金屬密封件。
[0049] 該徑向外部180還限定排氣入口 240和排氣腔242,所述排氣腔242從第二腔190 的排出部分212接收排出氣體。閥250和栗252可用于抽空排出部分212。徑向外部180 還限定了氣幕腔260和氣幕出口 262,所述氣幕腔260和氣幕出口 262提供凈化氣體至所述 第二腔190的氣幕部分214。氣體源270和閥272可被用于控制供給到氣幕的凈化氣體。
[0050] 第三環(huán)形密封件220還可以提供從等離子體發(fā)生器142至嵌入面板124的電極 138的電連接，雖然可以使用其他連接電極138的方法。
[0051] 控制器280可用于監(jiān)視使用傳感器的系統(tǒng)參數(shù)，并可用于控制氣體輸送系統(tǒng)160、 等離子體發(fā)生器142和其他工藝組件。
[0052] 現(xiàn)在參考圖3A和3B，不出了面板124的一個(gè)例子，其包括布置在具有第一半徑的 圓300內(nèi)的第一多個(gè)孔130。面板124還包括布置在所述圓300外側(cè)的第二多個(gè)孔200。可 以理解的是，第一或第二多個(gè)孔130,200中的至少一些孔分別如圖3B所示是槽形。
[0053] 該槽具有第一尺寸（在本例中為長度），該第一尺寸比第二尺寸（在本例中為寬 度）大。在一些實(shí)例中，槽的第二尺寸小于2或3個(gè)等離子體鞘層的厚度并且槽的第一尺 寸大于所述第二尺寸。在一些實(shí)例中，所述槽的第一尺寸比第二尺寸至少大2-10倍，具體 取決于面板的理想傳導(dǎo)。雖然圖3A所示的所有第一多個(gè)孔130是圓形的，并且圖3A中的 所有第二多個(gè)孔200是槽形的，但從圖4和5所示的實(shí)施例可看出，圓形孔和槽形孔可被同 時(shí)布置在圓300的內(nèi)部和外部。而實(shí)施例中的面板124包括用于輸送處理氣體中的孔130 和用于接收排出氣體的孔200,排出氣體可獨(dú)立于面板124從處理室去除。
[0054] 現(xiàn)在參考圖4-5,還設(shè)想了面板中的孔的其他布置。圖4中，第一多個(gè)孔130既包 括槽形孔304也包括圓形孔306。類似地，第二多個(gè)孔200既包括槽形孔312也包括圓形孔 314。在一些實(shí)施例中，圓形孔306、314具有小于2或3個(gè)等離子體鞘層厚度的直徑，以防 止空心陰極放電。
[0055] 在圖5中，第一多個(gè)孔130既包括槽形孔320也包括圓形孔322。類似地，第二多 個(gè)孔200既包括槽形孔330也包括圓形孔332。槽形孔320、330中的至少一些（如在330) 被布置成橫向于面板124的徑向線或與面板124的徑向線成其它角度。在一些實(shí)施例中， 圓形孔322、332具有小于2或3個(gè)等離子體鞘層的厚度的直徑，以防止空心陰極放電。
[0056] 現(xiàn)在參考圖6,不出了面板124的一部分和徑向外部180的放大視圖。第一、第二 和第三環(huán)形密封件204、208和220可以分別被布置在位于徑向外部180的表面330上的對(duì) 應(yīng)的凹槽320、322和324中。第三環(huán)形密封件220可以偏壓抵靠金屬連接件340和342。 金屬連接件340被連接到等離子體發(fā)生器。金屬連接件342與電極138接觸。
[0057] 現(xiàn)在參考圖7,示出了用于在等離子體處理期間減少面板中的空心陰極放電的方 法400的一個(gè)例子。在404,確定用于等離子體處理的等離子體鞘層厚度。在一些實(shí)例中， 等離子體鞘層厚度可以基于等離子體密度、電子溫度、施加的等離子體驅(qū)動(dòng)電壓等確定。在 408,針對(duì)處理選擇用于面板的理想流導(dǎo)。
[0058] 在412,選擇面板中的槽形孔的數(shù)量、寬度和長度。所述槽具有小于2或3個(gè)等離 子體鞘層的厚度的寬度，以防止空心陰極放電。選擇大于寬度的2-10倍的長度以提供理想 流導(dǎo)。在414,選擇面板中的圓形孔的數(shù)目（可選的）。在一些實(shí)例中，可選的圓形孔具有 小于2或3個(gè)等離子體鞘層厚度的直徑。在418,確定針對(duì)槽和可選圓形孔的選定數(shù)量的流 導(dǎo)，并與理想流導(dǎo)相比較。如果沒有提供理想流導(dǎo)，則調(diào)整槽的長度、槽的數(shù)目或可選圓形 孔的數(shù)量，并且該方法返回到416。如果提供了理想流導(dǎo)，則在422利用所述槽和可選圓形 孔創(chuàng)建面板，并將面板安裝在處理室的氣體分配裝置。在426,激勵(lì)等離子體并且處理氣體 通過面板被供應(yīng)。在418,激勵(lì)等離子體且處理氣體通過氣體分配裝置的面板被供應(yīng)。
[0059] 僅作為示例，控制器280供應(yīng)通過面板的處理氣體和凈化氣體的混合氣體且將排 出氣體排空。例如，控制器280在ALD循環(huán)中的一個(gè)階段期間供應(yīng)穿過氣體分配裝置的面 板的第一前體?？刂破?80提供凈化氣體以在面板的邊緣創(chuàng)建氣幕。控制器280通過面板 (例如使用栗和閥）去除排出氣體。在襯底暴露到第一前體之后，控制器280可執(zhí)行清洗步 驟以去除所述第一前體。
[0060] 其后，控制器280在ALD循環(huán)的另一階段期間供應(yīng)穿過氣體分配裝置的面板的第 二前體?？刂破?80提供凈化氣體以在面板的邊緣創(chuàng)建氣幕?？刂破?80通過面板（例如 使用栗和閥）去除排出氣體。在襯底暴露到所述第二前體之后，控制器280執(zhí)行清洗步驟 以去除所述第二前體?？刂破?80可以重復(fù)ALD循環(huán)一次或多次，以在襯底上建立膜層。 [0061] 前面的描述在本質(zhì)上僅僅是說明性的并且不以任何方式意在限制本公開、應(yīng)用或 用途。本發(fā)明公開的廣泛教導(dǎo)可以以各種形式來實(shí)現(xiàn)。因此，雖然本公開包括特定示例，本 公開的真實(shí)范圍不應(yīng)被如此限制，因?yàn)樵谘芯苛烁綀D、說明書和后面的權(quán)利要求后，其它的 變形將變得顯而易見。如本文中所使用的短語"至少一個(gè)A，B和C"應(yīng)當(dāng)解釋為是指邏輯 (A或B或C)，使用非排他性的邏輯或，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為是指"至少一個(gè)A，至少一個(gè)B 和至少一個(gè)C"。應(yīng)該理解的是，方法中的一個(gè)或多個(gè)步驟在不改變本發(fā)明原理的情況下可 以以不同的順序（或同時(shí)）執(zhí)行。
[0062] 在本申請(qǐng)中，包括下面的定義，術(shù)語"控制器"可以被替換為術(shù)語"電路"。術(shù)語"控 制器"可以指以下中的一部分，或者包括以下：特定用途集成電路（ASIC);數(shù)字、模擬或混 合模擬/數(shù)字分立電路；數(shù)字、模擬或混合模擬/數(shù)字集成電路；組合邏輯電路；可編程門 陣列（FPGA);執(zhí)行代碼的處理器電路（共享的、專用的或成組的）；存儲(chǔ)由處理器電路執(zhí)行 的代碼的存儲(chǔ)器電路（共享的、專用的或成組的）；提供所述功能的其它合適的硬件組件； 或上述這些的部分或全部的組合（例如在系統(tǒng)芯片中）。
[0063] 控制器可以包括一個(gè)或多個(gè)接口電路。在一些實(shí)例中，接口電路可以包括連接到 局域網(wǎng)（LAN)、互聯(lián)網(wǎng)、廣域網(wǎng)（WAN)或它們的組合的有線或無線接口。本發(fā)明的任何給定 的控制器的功能可以在經(jīng)由接口電路連接的多個(gè)控制器之間進(jìn)行分配。例如，多個(gè)控制器 可以允許負(fù)載平衡。在進(jìn)一步的例子中，服務(wù)器（也稱為遠(yuǎn)程或云）控制器可以以客戶控 制器的名義完成某些功能。
[0064] 如上述使用的，術(shù)語"代碼"可以包括軟件、固件和/或微代碼，并且可以指程序、 例程、函數(shù)、類別、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和/或?qū)ο?。術(shù)語"共享處理器電路"包括執(zhí)行來自多個(gè)控制器 的部分或全部代碼的單個(gè)處理器電路。術(shù)語"組處理器電路"包括與附加處理器電路相結(jié) 合地執(zhí)行來自一個(gè)或多個(gè)控制器的一些或全部代碼的處理器電路。引用的多個(gè)處理器電路 包括在離散模上的多個(gè)處理器電路、在單模上的多個(gè)處理器電路、單處理器電路的多內(nèi)核、 單處理器電路的多線程，或上述的組合。術(shù)語"共享存儲(chǔ)器電路"包括存儲(chǔ)來自多個(gè)控制器 的部分或全部代碼的單存儲(chǔ)器電路。術(shù)語"組存儲(chǔ)器電路"包括與附加存儲(chǔ)器相組合地存 儲(chǔ)來自一或多個(gè)控制器的一些或全部代碼的存儲(chǔ)器電路。
[0065] 術(shù)語"存儲(chǔ)器電路"是術(shù)語"計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)"的一個(gè)子集。如本文所用的術(shù)語"計(jì) 算機(jī)可讀介質(zhì)"不包括