一種基于ltcc技術的單只裸聲表面波芯片微型封裝的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種聲表面波裸芯片的微封裝技術，尤其涉及一種基于LTCC技術的單只裸聲表面波芯片微型封裝。
【背景技術】
[0002]隨著射頻技術的發(fā)展，越來越多的領域需要利用聲表面波芯片，而隨著整機尺寸的不斷縮小，用戶對于內部器件的集成度、體積、性能也提出了越來越多、越來越高的要求，在此背景下，就必須要在傳統(tǒng)聲表面波芯片封裝的基礎上進行進一步突破，而且此突破的前提是對聲表面波器件本身的電特性不能造成影響。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明的目的是提供一種尺寸小、性能高的基于LTCC技術的單只裸聲表面波芯片微型封裝。
[0004]本發(fā)明的目的是通過以下技術方案實現(xiàn)的:
[0005]本發(fā)明的基于LTCC技術的單只裸聲表面波芯片微型封裝，包括LTCC底座和頂部鍍鎳殼體，所述LTCC底座內設有內部電路和裸聲表面波芯片，所述裸聲表面波芯片與LTCC底座之間通過鍵合絲連接，所述裸聲表面波芯片的表面設有吸聲膠。
[0006]由上述本發(fā)明提供的技術方案可以看出，本發(fā)明實施例提供的基于LTCC技術的單只裸聲表面波芯片微型封裝，由于包括LTCC底座和頂部鍍鎳殼體，LTCC底座內設有內部電路和裸聲表面波芯片，裸聲表面波芯片與LTCC底座之間通過鍵合絲連接，裸聲表面波芯片的表面設有吸聲膠，尤其適用于空間狹小，高度要求苛刻的場合，當常規(guī)聲表面波器件封裝尺寸不能滿足實際使用需要時可以采取本專利所述的封裝方法，在高度上要比常規(guī)封裝一般小0.5_至1.5_，并且由于其內部集成的低通濾波器，使得該單只聲表面波器件具有更高的電性能。
【附圖說明】
[0007]圖1為本發(fā)明實施例提供的基于LTCC技術的單只裸聲表面波芯片微型封裝的外部結構示意圖。
[0008]圖2為本發(fā)明實施例提供的基于LTCC技術的單只裸聲表面波芯片微型封裝的內部結構示意圖。
[0009]圖中:
[0010]1、用于連接裸聲表面波芯片和LTCC底座的鍵合絲；2、裸聲表面波芯片；3、用于粘貼和調試裸聲表面波芯片的吸聲膠；4、特殊設計的LTCC底座；5、LTCC底座的內部電路；6、頂部鍍鎳殼體。
【具體實施方式】
[0011]下面將對本發(fā)明實施例作進一步地詳細描述。
[0012]本發(fā)明的基于LTCC技術的單只裸聲表面波芯片微型封裝，其較佳的【具體實施方式】是:
[0013]包括LTCC底座和頂部鍍鎳殼體，所述LTCC底座內設有內部電路和裸聲表面波芯片，所述裸聲表面波芯片與LTCC底座之間通過鍵合絲連接，所述裸聲表面波芯片的表面設有吸聲膠。
[0014]所述LTCC底座的基面上設有放置裸聲表面波芯片的凹槽，并在與所述頂部鍍鎳殼體接觸的部位設有一圈接地焊盤，所述鍵合絲的一端鍵合到所述裸聲表面波芯片上，另一端鍵合到所述LTCC底座的基面上或者凹槽內。
[0015]所述鍵合絲采用金絲或者硅鋁絲。
[0016]所述裸聲表面波芯片的尺寸小于所述凹槽的內輪廓尺寸，所述裸聲表面波芯片上的信號輸入鍵合點和信號輸出鍵合點分別鍵合于所述LTCC底座的左右兩側，所述裸聲表面波芯片上的接地鍵合點設于所述裸聲表面波芯片的任何位置。
[0017]所述吸聲膠用于調節(jié)裸聲表面波芯片的電性能參數(shù)，并用于粘貼所述裸聲表芯片與LTCC底座。
[0018]所述LTCC底座有一層或多層。
[0019]所述內部電路包括以帶狀線形式存在的電感電容，該電路組成低通濾波器或帶通濾波器，用于便對聲表面波芯片2的二次、高次諧波進行抑制。
[0020]所述頂部鍍鎳殼體的下部邊緣與所述LTCC底座焊接，內部用氮氣填充。
[0021]本發(fā)明的基于LTCC技術的單只裸聲表面波芯片微型封裝，是用裸聲表面波芯片直接鍵合到有凹槽的LTCC底座上，頂部在用鍍鎳的殼體進行氣密封，LTCC底座內還可以集成用以抑制聲表面波濾波器高次諧波的低通濾波器?；贚TCC封裝方法的實現(xiàn)，使得聲表面波濾波器在封裝高度上降低了 0.5mm至1.5mm，在長寬尺寸上也有不同程度的減小，這樣高密度的封裝減小了原聲表面波濾波器的體積且保證了可靠性。
[0022]具體實施例:
[0023]如圖1所示，圖中上部殼體用焊錫密封到LTCC底座上，下部分為LTCC底座，內部集成有用以抑制聲表面波芯片高次諧波的低通濾波器。
[0024]如圖2所示，包括:用于連接裸聲表面波芯片和LTCC底座的鍵合絲I ;裸聲表面波芯片2 ;用于粘貼和調試裸聲表面波芯片的吸聲膠3 ;特殊設計的LTCC底座4 ;在LTCC底座內部低通濾波器5 ;頂部鍍鎳殼體6。
[0025]鍵合絲根據(jù)實際應用過程的需要，可將其一端鍵合到裸聲表面波芯片2上，另一端則選擇性的鍵合到LTCC底座4上，或者裸聲表面波芯片所在的凹槽內，鍵合絲可采用金絲鍵合或者硅鋁絲鍵合，其作用是用來連接裸聲表面波芯片2和LTCC底座內部電路5。
[0026]裸聲表面波芯片大小需要比LTCC底座4的凹槽略小，該裸聲表面波芯片的尺寸大小會隨著頻率的升高而減小。裸聲表面波芯片上的信號輸入、輸出鍵合點應在LTCC底座4的左右兩側，以方便鍵合并減小整體寬度，接地的鍵合點沒有太大要求，可以在裸聲表面波芯片2的任何位置。
[0027]用于粘貼和調試裸聲表面波芯片的吸聲膠，首先該吸聲膠可以用來調節(jié)裸聲表面波芯片的電性能參數(shù)，其次，可以用以粘貼裸聲表芯片2，與LTCC底座4，該吸聲膠在高溫固化后應能保持該聲表面波芯片2的電性能，并且具備用戶所需要的可靠性要求。
[0028]特殊設計的LTCC底座中間有一凹槽，內部放置裸聲表面波器件2，與頂部鍍鎳殼體6接觸部分設計一圈接地焊盤，該底座具有較高的介電常數(shù)，用以縮小內部電路的實際尺寸，并且根據(jù)實際需要設計該LTCC底座的具體層數(shù)，層數(shù)越多，高度越高，但是內部能容納的電路也相對越復雜，反之亦然。
[0029]在LTCC底座內部電路5均為以帶狀線形式存在的電感電容，該電路可以組成低通、帶通濾波器，以便對聲表面波芯片2的二次、高次諧波進行抑制，相同復雜程度的電路，尺寸將會隨著頻率的升高而變小，而當該電路略微復雜的情況下，則可以通過增加LTCC底座4的層數(shù)來實現(xiàn)。
[0030]頂部鍍鎳殼體表面鍍鎳，殼體下部邊緣與LTCC底座4焊接，內部用氮氣填充。
[0031]應用本發(fā)明，聲表面波器件的整體尺寸得到了大幅縮減，而且其性能也得到了大幅提升，例如，使用者不必再獨自設計外圍電路來壓制聲表面波器件的高次諧波。解決了在常規(guī)聲表面波芯片的封裝太大不滿足用戶要求的問題。
[0032]應用本發(fā)明，可以將裸聲表面波芯片、鍍鎳殼體、低通濾波器等集成到一起，可以大大減少集成前的總體積。本發(fā)明將一個裸聲表面波芯片粘貼到一個有凹槽的LTCC底座上，并且將電路以帶狀線的方式做到了 LTCC底座內部，用鍵合絲將LTCC底座和聲表面波芯片進行鍵和，最后再在LTCC底座上焊接鍍鎳殼體，對內部的聲表面波芯片進行氣密封。
[0033]本發(fā)明所使用的鍵合方式和裸聲表面波芯片的粘貼方式均滿足軍品可靠性要求，內部芯片使用氮氣密封也保證了聲表面波芯片的可靠性，整個組件的形式為表貼式或者鍵合式，為滿足接地性能，整體的LTCC底座底部將整面鋪地。
[0034]本發(fā)明不限于上述實施例，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明專利構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明專利的保護范圍。因此，本發(fā)明的保護范圍應該以權利要求書的保護范圍為準。
【主權項】
1.一種基于LTCC技術的單只裸聲表面波芯片微型封裝，其特征在于，包括LTCC底座和頂部鍍鎳殼體，所述LTCC底座內設有內部電路和裸聲表面波芯片，所述裸聲表面波芯片與LTCC底座之間通過鍵合絲連接，所述裸聲表面波芯片的表面設有吸聲膠。2.根據(jù)權利要求1所述的基于LTCC技術的單只裸聲表面波芯片微型封裝，其特征在于，所述LTCC底座的基面上設有放置裸聲表面波芯片的凹槽，并在與所述頂部鍍鎳殼體接觸的部位設有一圈接地焊盤，所述鍵合絲的一端鍵合到所述裸聲表面波芯片上，另一端鍵合到所述LTCC底座的基面上或者凹槽內。3.根據(jù)權利要求2所述的基于LTCC技術的單只裸聲表面波芯片微型封裝，其特征在于，所述鍵合絲采用金絲或者硅鋁絲。4.根據(jù)權利要求3所述的基于LTCC技術的單只裸聲表面波芯片微型封裝，其特征在于，所述裸聲表面波芯片的尺寸小于所述凹槽的內輪廓尺寸，所述裸聲表面波芯片上的信號輸入鍵合點和信號輸出鍵合點分別鍵合于所述LTCC底座的左右兩側，所述裸聲表面波芯片上的接地鍵合點設于所述裸聲表面波芯片的任何位置。5.根據(jù)權利要求4所述的基于LTCC技術的單只裸聲表面波芯片微型封裝，其特征在于，所述吸聲膠用于調節(jié)裸聲表面波芯片的電性能參數(shù)，并用于粘貼所述裸聲表芯片與LTCC底座。6.根據(jù)權利要求5所述的基于LTCC技術的單只裸聲表面波芯片微型封裝，其特征在于，所述LTCC底座有一層或多層。7.根據(jù)權利要求6所述的基于LTCC技術的單只裸聲表面波芯片微型封裝，其特征在于，所述內部電路包括以帶狀線形式存在的電感電容，該電路組成低通濾波器或帶通濾波器，用于便對聲表面波芯片2的二次、高次諧波進行抑制。8.根據(jù)權利要求1至7任一項所述的基于LTCC技術的單只裸聲表面波芯片微型封裝，其特征在于，所述頂部鍍鎳殼體的下部邊緣與所述LTCC底座焊接，內部用氮氣填充。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種基于LTCC技術的單只裸聲表面波芯片微型封裝，包括LTCC底座和頂部鍍鎳殼體，LTCC底座內設有內部電路和裸聲表面波芯片，裸聲表面波芯片與LTCC底座之間通過鍵合絲連接，裸聲表面波芯片的表面設有吸聲膠。吸聲膠用于調節(jié)裸聲表面波芯片的電性能參數(shù)，并用于粘貼所述裸聲表芯片與LTCC底座，內部電路包括以帶狀線形式存在的電感電容，該電路組成低通濾波器或帶通濾波器，用于便對聲表面波芯片2的二次、高次諧波進行抑制。使得聲表面波濾波器在封裝高度上降低了0.5mm至1.5mm，在長寬尺寸上也有不同程度的減小，這樣高密度的封裝減小了原聲表面波濾波器的體積且保證了可靠性。
【IPC分類】H03H9/25, H01L23/31, H01L23/28
【公開號】CN105185753
【申請?zhí)枴緾N201510498477
【發(fā)明人】李洪, 萬飛, 楊思川, 陳明和, 黃歆
【申請人】北京中科飛鴻科技有限公司
【公開日】2015年12月23日
【申請日】2015年8月13日