干式蝕刻裝置及陣列基板干式蝕刻去除靜電方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及蝕刻制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種干式蝕刻裝置及陣列基板干式蝕刻去除靜電方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在目前的液晶顯示面板陣列基板制造過程中，對(duì)各層的薄膜刻蝕有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種，對(duì)于一般的a-s1、SiNx, S1x以及一些金屬膜的刻蝕，多采用干法刻蝕。但是，在干法刻蝕機(jī)刻蝕過程中，基板表面靜電累積過多時(shí)，會(huì)發(fā)生異常放電，造成靜電擊傷基板；而且干法刻蝕機(jī)下部電極上的吸附，是利用靜電進(jìn)行吸附基板，若刻蝕完成后，靜電卸載不完全時(shí)，頂針在上升過程易造成基板破裂。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明涉及一種干式蝕刻裝置及陣列基板干式蝕刻去除靜電方法，可降低陣列基板薄膜在蝕刻時(shí)受靜電的損壞。
[0004]本發(fā)明提供一種干式蝕刻裝置，用于陣列基板的蝕刻，所述干式蝕刻裝置包括機(jī)體、設(shè)于機(jī)體內(nèi)的反應(yīng)腔體、第一電極、第二電極及兩個(gè)導(dǎo)接體，所述反應(yīng)腔體包括頂壁及與頂壁相對(duì)設(shè)置的底壁，所述第一電極設(shè)于頂壁上，所述第二電極設(shè)于底壁上，所述兩個(gè)導(dǎo)接體間隔設(shè)置且貫穿所述底壁及第二電極，所述導(dǎo)接體可相對(duì)所述反應(yīng)腔體伸縮，所述導(dǎo)接體包括絕緣套及位于絕緣套內(nèi)的導(dǎo)電體，所述導(dǎo)電體接地設(shè)置。
[0005]其中，所述底壁上位于所述所述第二電極的兩側(cè)位置設(shè)有絕緣擋板。
[0006]其中，所述底壁上與所述絕緣擋板相鄰位置設(shè)有抽氣孔。
[0007]其中，所述反應(yīng)腔體還包括兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁，所述兩個(gè)側(cè)壁連接所述頂壁與所述底壁，所述側(cè)壁上朝向腔體的表面設(shè)有數(shù)個(gè)保護(hù)板。
[0008]其中，所述導(dǎo)電體為金屬針體。
[0009]其中，所述絕緣擋板為陶瓷材料制成。
[0010]一種陣列基板干式蝕刻去除靜電方法，所述方法包括，提供一干式蝕刻裝置，其包括機(jī)體、設(shè)于機(jī)體內(nèi)的反應(yīng)腔體、第一電極、第二電極及兩個(gè)導(dǎo)接體，所述反應(yīng)腔體包括頂壁及與頂壁相對(duì)設(shè)置的底壁，所述第一電極設(shè)于頂壁上，所述第二電極設(shè)于底壁上，所述兩個(gè)導(dǎo)接體間隔設(shè)置且貫穿所述底壁及第二電極，所述導(dǎo)接體可相對(duì)所述反應(yīng)腔體伸縮，所述導(dǎo)接體包括絕緣套及位于絕緣套內(nèi)的導(dǎo)電體，所述導(dǎo)電體接地設(shè)置；
[0011]使所述兩個(gè)導(dǎo)接體伸入所述反應(yīng)腔體內(nèi)；
[0012]通過運(yùn)送機(jī)構(gòu)將一基板放入所述反應(yīng)腔體內(nèi)，所述兩個(gè)導(dǎo)接體抵接并承載所述基板；
[0013]所述基板在所述反應(yīng)腔體內(nèi)進(jìn)行蝕刻后，向反應(yīng)腔體內(nèi)注入等離子體，以去除基板上的靜電；
[0014]使兩個(gè)導(dǎo)接體伸出所述絕緣套將所述基板重新頂起，并且所述導(dǎo)電體接地導(dǎo)通。其中，所述導(dǎo)電體為金屬針體。
[0015]其中，所述反應(yīng)腔體還包括兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁，所述兩個(gè)側(cè)壁連接所述頂壁與所述底壁，所述側(cè)壁上朝向反應(yīng)腔體的表面設(shè)有數(shù)個(gè)保護(hù)板。
[0016]其中，所述底壁上位于所述所述第二電極的兩側(cè)位置設(shè)有絕緣擋板；所述底壁上與所述絕緣擋板相鄰位置設(shè)有抽氣孔。
[0017]本發(fā)明的干式蝕刻裝置在反應(yīng)腔體內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電功能的導(dǎo)電體放入絕緣套內(nèi)，與絕緣套同時(shí)支撐基板，而在裝入與卸載基板時(shí)，所述導(dǎo)電體均對(duì)基板上的靜電進(jìn)行移除，進(jìn)而使基板在蝕刻后共進(jìn)行了三次靜電移除，可以有效的干凈的去除基板的靜電，有效防止基板收到損壞或異常的發(fā)生。
【附圖說明】
[0018]為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施方式中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以如這些附圖獲得其他的附圖。
[0019]圖1是本發(fā)明較佳實(shí)施方式中的干式蝕刻裝置示意圖。
[0020]圖2本發(fā)明的陣列基板干式蝕刻去除靜電方法流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施方式中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
[0022]請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明的較佳實(shí)施例提供了一種干式蝕刻裝置10，用于陣列基板19的蝕刻。所述干式蝕刻裝置10包括機(jī)體、設(shè)于機(jī)體內(nèi)的反應(yīng)腔體12、第一電極13、第二電極14及兩個(gè)導(dǎo)電體15，所述反應(yīng)腔體12包括頂壁121及與頂壁121相對(duì)設(shè)置的底壁122，所述第一電極13設(shè)于頂壁121上，所述第二電極14設(shè)于底壁122上，所述兩個(gè)導(dǎo)接體15間隔設(shè)置且貫穿所述底壁122及第二電極14，所述導(dǎo)接體15可相對(duì)所述反應(yīng)腔體12伸縮，所述導(dǎo)接體15包括絕緣套151及位于絕緣套151內(nèi)的導(dǎo)電體152，所述導(dǎo)電體152接地設(shè)置。
[0023]本實(shí)施例中，所述反應(yīng)腔體12為矩形空腔，其還包括兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁123。所述兩個(gè)側(cè)壁123連接所述頂壁121與所述底壁122。所述第一電極13設(shè)于頂壁121上中部位置。所述第二電極14設(shè)于底壁122上中部位置。
[0024]所述兩個(gè)導(dǎo)接體15為柱狀體，分別穿過所述底壁12及所述第二電極14露出反應(yīng)腔體12內(nèi)并可相對(duì)反應(yīng)腔體12伸縮，用于支撐陣列基板19。所述絕緣套151為橡膠或塑膠材質(zhì)制成。所述導(dǎo)電體152為金屬針體，具體為頂針，所述導(dǎo)電體152與接地點(diǎn)20連接，用于將與去接觸的陣列基板19的靜電導(dǎo)出。在其它實(shí)施方式中，可以通過改變導(dǎo)電體152的形狀使導(dǎo)電體152相對(duì)所述絕緣套151伸縮。
[0025]所述底壁122上位于所述所述第二電極14的兩側(cè)位置設(shè)有絕緣擋板16。所述絕緣擋板16為陶瓷材料制成。所述絕緣擋板16用于防止腔體內(nèi)放電擊傷第二電極14。
[0026]所述底壁122上與所述絕緣擋板16相鄰位置設(shè)有抽氣孔17。所述抽氣孔17用于控制反應(yīng)清涕內(nèi)的壓力并在完成制程后反應(yīng)腔體內(nèi)的殘余廢氣。
[0027]所述反應(yīng)腔體12所述側(cè)壁123上朝向腔體的表面設(shè)有數(shù)個(gè)保護(hù)板18。所述保護(hù)板18保護(hù)所述側(cè)壁123防止在蝕刻時(shí)被損壞。
[0028]請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明還提供一種陣列基板干式蝕刻去除靜電方法，所述方法包括:
[0029]步驟SI，提供以上所述的干式蝕刻裝置。
[0030]步驟S2，使所述導(dǎo)接體15伸入所述反應(yīng)腔體12內(nèi)。
[0031]步驟S3，通過運(yùn)送機(jī)構(gòu)將一基板19放入所述反應(yīng)腔體12內(nèi)，所述兩個(gè)導(dǎo)接體15分別與基板19抵接并承載所述基板19。在此步驟中，所述兩個(gè)導(dǎo)接體15的導(dǎo)電體152與所述基板抵接的過程中，兩個(gè)導(dǎo)電體152將所述基板19上所帶的靜電移除，避免在蝕刻過程中基板的靜電過多而造成基板釋放靜電而損壞基板，此次的移除靜電為第一次靜電移除。
[0032]步驟S4，所述基板在所述反應(yīng)腔體12內(nèi)進(jìn)行蝕刻后，向反應(yīng)腔體12內(nèi)注入等離子體，以去除基板19上的靜電。此次去除靜電為第二次靜電移除，主要是向反應(yīng)腔體內(nèi)注入氧離子通電后中和所述基板上殘留的靜電。
[0033]步驟S5，使兩個(gè)導(dǎo)接體15伸如反應(yīng)腔體將所述基板19重新頂起，并且所述導(dǎo)電體152接地導(dǎo)通。此步驟主要是卸載蝕刻后的基板，在此過程中進(jìn)行第三次靜電移除，通過導(dǎo)電體152將蝕刻后的基板頂起，并且將導(dǎo)電體152進(jìn)行接地，進(jìn)而將蝕刻后的第二次靜電移除后基板上殘留的靜電移除，進(jìn)而保證基板上的靜電去除干凈，防止基板的破壞或異常發(fā)生。
[0034]本發(fā)明的干式蝕刻裝置在反應(yīng)腔體內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電功能的導(dǎo)電體放入絕緣套內(nèi)，與絕緣套同時(shí)支撐基板，而在裝入與卸載基板時(shí)，所述導(dǎo)電體均對(duì)基板上的靜電進(jìn)行移除，進(jìn)而使基板在蝕刻后共進(jìn)行了三次靜電移除，可以有效的干凈的去除基板的靜電，有效防止基板收到損壞或異常的發(fā)生。
[0035]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種干式蝕刻裝置，用于陣列基板的蝕刻，其特征在于，所述干式蝕刻裝置包括機(jī)體、設(shè)于機(jī)體內(nèi)的反應(yīng)腔體、第一電極、第二電極及兩個(gè)導(dǎo)接體，所述反應(yīng)腔體包括頂壁及與頂壁相對(duì)設(shè)置的底壁，所述第一電極設(shè)于頂壁上，所述第二電極設(shè)于底壁上，所述兩個(gè)導(dǎo)接體間隔設(shè)置且貫穿所述底壁及第二電極，所述兩個(gè)導(dǎo)接體間隔設(shè)置且貫穿所述底壁及第二電極，所述導(dǎo)接體可相對(duì)所述反應(yīng)腔體伸縮，所述導(dǎo)接體包括絕緣套及位于絕緣套內(nèi)的導(dǎo)電體，所述導(dǎo)電體接地設(shè)置。2.如權(quán)利要求1所述的干式蝕刻裝置，其特征在于，所述底壁上位于所述所述第二電極的兩側(cè)位置設(shè)有絕緣擋板。3.如權(quán)利要求2所述的干式蝕刻裝置，其特征在于，所述底壁上與所述絕緣擋板相鄰位置設(shè)有抽氣孔。4.如權(quán)利要求1所述的干式蝕刻裝置，其特征在于，所述反應(yīng)腔體還包括兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁，所述兩個(gè)側(cè)壁連接所述頂壁與所述底壁，所述側(cè)壁上朝向腔體的表面設(shè)有數(shù)個(gè)保護(hù)板。5.如權(quán)利要求1所述的干式蝕刻裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電體為金屬針體并伸出所述絕緣套露于所述反應(yīng)腔體內(nèi)。6.如權(quán)利要求2所述的干式蝕刻裝置，其特征在于，所述絕緣擋板為陶瓷材料制成。7.—種陣列基板干式蝕刻去除靜電方法，所述方法包括，提供一干式蝕刻裝置，其包括機(jī)體、設(shè)于機(jī)體內(nèi)的反應(yīng)腔體、第一電極、第二電極及兩個(gè)導(dǎo)接體；其中，所述反應(yīng)腔體包括頂壁及與頂壁相對(duì)設(shè)置的底壁，所述第一電極設(shè)于頂壁上，所述第二電極設(shè)于底壁上，所述兩個(gè)導(dǎo)接體間隔設(shè)置且貫穿所述底壁及第二電極，所述導(dǎo)接體可相對(duì)所述反應(yīng)腔體伸縮，所述導(dǎo)接體包括絕緣套及位于絕緣套內(nèi)的導(dǎo)電體，所述導(dǎo)電體接地設(shè)置； 使所述兩個(gè)導(dǎo)接體伸入所述反應(yīng)腔體內(nèi)； 通過運(yùn)送機(jī)構(gòu)將一基板放入所述反應(yīng)腔體內(nèi)，所述兩個(gè)導(dǎo)接體抵接并承載所述基板； 所述基板在所述反應(yīng)腔體內(nèi)進(jìn)行蝕刻后，向反應(yīng)腔體內(nèi)注入等離子體，以去除基板上的靜電； 使兩個(gè)導(dǎo)接體伸出所述絕緣套將所述基板重新頂起，并且所述導(dǎo)電體接地導(dǎo)通。8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板干式蝕刻去除靜電方法，其特征在于，所述導(dǎo)電體為金屬針體。9.如權(quán)利要求8所述的陣列基板干式蝕刻去除靜電方法，其特征在于，所述反應(yīng)腔體還包括兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁，所述兩個(gè)側(cè)壁連接所述頂壁與所述底壁，所述側(cè)壁上朝向腔體的表面設(shè)有數(shù)個(gè)保護(hù)板。10.如權(quán)利要求9所述的陣列基板干式蝕刻去除靜電方法，其特征在于，所述底壁上位于所述所述第二電極的兩側(cè)位置設(shè)有絕緣擋板；所述底壁上與所述絕緣擋板相鄰位置設(shè)有抽氣孔。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種干式蝕刻裝置，用于陣列基板的蝕刻，所述干式蝕刻裝置包括機(jī)體、設(shè)于機(jī)體內(nèi)的反應(yīng)腔體、第一電極、第二電極及兩個(gè)導(dǎo)接體，所述反應(yīng)腔體包括頂壁及與頂壁相對(duì)設(shè)置的底壁，所述第一電極設(shè)于頂壁上，所述第二電極設(shè)于底壁上，所述兩個(gè)導(dǎo)接體間隔設(shè)置且貫穿所述底壁及第二電極，所述導(dǎo)接體可相對(duì)所述反應(yīng)腔體伸縮，所述導(dǎo)接體包括絕緣套及位于絕緣套內(nèi)的導(dǎo)電體，所述導(dǎo)電體接地設(shè)置，本發(fā)明還公開了一種陣列基板干式蝕刻去除靜電方法。
【IPC分類】H01J37/32
【公開號(hào)】CN105206495
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510504223
【發(fā)明人】劉思洋
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請(qǐng)日】2015年8月17日