一種提升取光效率的GaN-LED芯片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及LED芯片的生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]為了提升LED的取光效率，從業(yè)人員提出在芯片切割道上設(shè)置點(diǎn)陣排列的若干錐形臺的方式以增加測出光的反射。
[0003]現(xiàn)有切割道的方法是=GaN-LED外延片通過ICP刻蝕劃分GaN-LED芯片，并在相鄰的芯片之間形成切割道。由于現(xiàn)有生產(chǎn)切割道是直接將GaN-LED外延片上的部分P-GaN層、多量子阱層和N-GaN層進(jìn)行平面化切割，即切割道為平面結(jié)構(gòu)，并整體低于LED的有效發(fā)光層，如圖1所示，因此從LED有效發(fā)光層發(fā)出的側(cè)向光則沒有被有效利用從正向反射出，造成取光效率不能有效提尚。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明目的是提出一種能克服以上現(xiàn)有技術(shù)方法缺陷的提升取光效率的GaN-LED芯片。
[0005]本發(fā)明包括設(shè)置在外延片上的芯片區(qū)域和切割道區(qū)域，其特征在于在所述切割道區(qū)域設(shè)置點(diǎn)陣排列的若干錐形臺，各錐形臺的底部連接在外延片的N-GaN層上，各錐形臺具有能夠?qū)⑼庋悠亩嗔孔于鍖影l(fā)出的側(cè)向光反射至芯片正面的側(cè)面。
[0006]本發(fā)明通過在LED芯片切割道設(shè)計(jì)的錐形臺，增加LED芯片側(cè)出光的反射渠道，以此來增加LED芯片取光效率，使正向光的出光量增加，從而提升LED芯片亮度。
[0007]本發(fā)明芯片區(qū)域的設(shè)計(jì)適用于現(xiàn)有的正裝、倒裝或垂直結(jié)構(gòu)等。
[0008]進(jìn)一步地，本發(fā)明各錐形臺由P-GaN層、多量子阱層和N-GaN層組成。
【附圖說明】
[0009]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中具有切割道的GaN-LED芯片的斷面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖2為本發(fā)明GaN-LED芯片的正面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖3為圖2中部分?jǐn)嗝娼Y(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]如圖2、3所示，本發(fā)明是在處延片上制作若干芯片區(qū)域A和若干切割道區(qū)域B。處延片設(shè)有襯底1，在襯底I上依次生長U-GaN層2、N-GaN層3、多量子阱層4和P-GaN層5。
[0013]在切割道區(qū)域B內(nèi)設(shè)置點(diǎn)陣排列的若干錐形臺C，各錐形臺C的底部連接在處延片的N-GaN層3上，各錐形臺C由P-GaN層、多量子阱層和N-GaN層組成。
[0014]各錐形臺C具有能夠?qū)⒍嗔孔于鍖?發(fā)出的側(cè)向光反射至芯片正面的側(cè)面。
[0015]芯片制作工藝流程與現(xiàn)有的傳統(tǒng)芯片制作工藝一致。唯一不同的是在切割道上放置圖形，此項(xiàng)技術(shù)并不增加工藝復(fù)雜程度。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種提升取光效率的GaN-LED芯片，包括設(shè)置在外延片上的芯片區(qū)域和切割道區(qū)域，其特征在于在所述切割道區(qū)域設(shè)置點(diǎn)陣排列的若干錐形臺，各錐形臺的底部連接在外延片的N-GaN層上，各錐形臺具有能夠?qū)⑼庋悠亩嗔孔于鍖影l(fā)出的側(cè)向光反射至芯片正面的側(cè)面。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作方法，其特征在于各錐形臺由P-GaN層、多量子阱層和N-GaN層組成。
【專利摘要】一種提升取光效率的GaN-LED芯片，涉及LED芯片的生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，包括設(shè)置在外延片上的芯片區(qū)域和切割道區(qū)域，其特征在于在所述切割道區(qū)域設(shè)置點(diǎn)陣排列的若干錐形臺，各錐形臺的底部連接在外延片的N-GaN層上，各錐形臺具有能夠?qū)⑼庋悠亩嗔孔于鍖影l(fā)出的側(cè)向光反射至芯片正面的側(cè)面。本發(fā)明通過在LED芯片切割道設(shè)計(jì)的錐形臺，增加LED芯片側(cè)出光的反射渠道，以此來增加LED芯片取光效率，使正向光的出光量增加，從而提升LED芯片亮度。本發(fā)明芯片區(qū)域的設(shè)計(jì)適用于現(xiàn)有的正裝、倒裝或垂直結(jié)構(gòu)等。
【IPC分類】H01L33/10, H01L33/20
【公開號】CN105206729
【申請?zhí)枴緾N201510717801
【發(fā)明人】陳亮, 李俊賢, 魏振東, 劉英策, 李小平, 黃新茂, 陳凱軒, 張永, 林志偉, 姜偉, 卓祥景, 方天足
【申請人】廈門乾照光電股份有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2015年10月30日