一種oled顯示器件的密封工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于OLED加工領(lǐng)域，具體涉及一種OLED顯示器件的密封工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting D1des，簡(jiǎn)稱0LED)具有的全固態(tài)、主動(dòng)發(fā)光、高亮度、高對(duì)比度、超薄超輕、低成本、低功耗、無(wú)視角限制、工作溫度范圍廣等特性，而且可以制作在柔性、輕便、耐用的塑料基板上，能夠?qū)崿F(xiàn)真正意義上的柔性顯示，是最能符合人們對(duì)未來(lái)器件要求的一項(xiàng)技術(shù)。
[0003]OLED器件的使用壽命是制約OLED產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸，而影響OLED器件使用壽命的因素很多，有物理性因素，如器件結(jié)構(gòu)，電路驅(qū)動(dòng)方式等；也有化學(xué)性因素，如金屬陰極的氧化，有機(jī)材料的晶化等。盡管人們對(duì)OLED的失效機(jī)理還不完全清楚，但有許多研究結(jié)果表明了 OLED器件內(nèi)部水汽的存在是影響OLED的壽命主要因素。因此，提供一種提高高密性，具有生成膜保護(hù)，可以延長(zhǎng)OLED顯示器件的壽命的工藝，是該領(lǐng)域目前刻不容緩的事情。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為此，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于克服傳統(tǒng)封裝工藝中的單一封裝不能滿足OLED顯示的密封要求的技術(shù)瓶頸，從而提出一種提高使用壽命的OLED顯示器件的密封工
-H-
O
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的公開(kāi)了一種OLED顯示器件的密封工藝，所述工藝包括如下步驟:首先對(duì)OLED顯示器件進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，然后再行有機(jī)高分子封裝。
[0006]所述的OLED顯示器件的密封工藝，其中，所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積步驟為:
[0007]A、將OLED顯示器件在真空條件下傳入等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔室；
[0008]B、對(duì)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積進(jìn)行真空預(yù)抽；
[0009]C、對(duì)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔室內(nèi)的OLED顯示器件進(jìn)行預(yù)清洗；
[0010]D、對(duì)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔室內(nèi)的OLED顯示器件進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)；
[0011]所述的OLED顯示器件的密封工藝，其中，所述步驟D后還包括對(duì)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積進(jìn)行真空再抽。
[0012]所述的OLED顯示器件的密封工藝，其中，所述真空再抽時(shí)間為5分鐘，真空至壓強(qiáng)低于 2*10 3Pa0
[0013]所述的OLED顯示器件的密封工藝，其中，所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)為:SiHx+N20+NH3— S1Nx+H2+N2。
[0014]任一項(xiàng)所述的OLED顯示器件的密封工藝，其中，所述步驟A中的真空條件為4*102Pa0
[0015]任一項(xiàng)所述的OLED顯示器件的密封工藝，其中，所述步驟B中的真空預(yù)抽至壓強(qiáng)低于 2*10 3Pa0
[0016]任一項(xiàng)所述的OLED顯示器件的密封工藝，其中，所述步驟C中的預(yù)清洗條件為:用700sccm的N2O,在ITorr，40Watts，180°C的溫度條件下進(jìn)行進(jìn)行預(yù)清洗I分鐘。
[0017]任一項(xiàng)所述的OLED顯示器件的密封工藝，其中，所述步驟D中的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)條件為:用 50sccmSiH4，156sccmN20, 2000sccmN2, 2Torr, 80ffatts, 180°C溫度。
[0018]任一項(xiàng)所述的OLED顯示器件的密封工藝，其中，所述有機(jī)高分子封裝步驟為:在料舟中加入對(duì)二甲苯，然后放入反應(yīng)腔室內(nèi)的蒸發(fā)室中，經(jīng)過(guò)蒸發(fā)控制進(jìn)入裂解室裂解生成穩(wěn)定的活性單體，再流經(jīng)分流器進(jìn)入沉積室，在室溫下沉積，在表面吸附聚合形成聚對(duì)二甲苯薄膜層。
[0019]本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明所述工藝良好的解決了現(xiàn)有工藝中的單一封裝不能滿足OLED顯示的封裝要求；本發(fā)明中的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)，利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng)，使得化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行；本發(fā)明中的有機(jī)高分子(CVD)則是由活性小分子在基材表面“生長(zhǎng)”出完全敷形的聚合物薄膜(即氮氧化硅膜層的互補(bǔ)膜層)，可彌補(bǔ)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)封裝形成的孔隙缺陷，從而進(jìn)一步把器件和空氣隔開(kāi)，對(duì)OLED顯示器件進(jìn)行封裝，因而隔絕水氧氣氛的滲透，可有效地防止OLED各功能層以及陰極與空氣中的水、氧等成分發(fā)生反應(yīng)，同時(shí)為OLED顯示層提供保護(hù)；提高產(chǎn)品的壽命。因此具有極大的市場(chǎng)前景和經(jīng)濟(jì)價(jià)值。
【具體實(shí)施方式】
[0020]實(shí)施例1本實(shí)施例公開(kāi)了一種的工藝，所述工藝具體步驟如下:
[0021]1、對(duì)OLED顯示器件進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD):
[0022]A、將制備好的OLED顯示器件在真空條件(4*10 2Pa)下傳入等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)反應(yīng)腔室，
[0023]B、然后進(jìn)行真空預(yù)抽5分鐘，確保真空度低于2*10 3Pa ;
[0024]C、對(duì)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)反應(yīng)腔室內(nèi)的器件使用700sCCm的N2O,在ITorr，40Watts，180°C條件下進(jìn)行進(jìn)行預(yù)清洗一分鐘，。
[0025]D、對(duì)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)反應(yīng)腔室內(nèi)的器件使用50sCCmSiH4，156sccmN20, 2000sccmN2,在2Torr，80ffatts, 180°C條件下進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)反應(yīng)，產(chǎn)生如下反應(yīng):SiH4+N20+NH3— S1N x (+H2+N2)；
[0026]E、對(duì)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)進(jìn)行真空再抽5分鐘，確保真空度低于2*103Pa ；
[0027]2、對(duì)已經(jīng)進(jìn)行了等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)的OLED顯示器件進(jìn)行有機(jī)高分子(CVD)封裝:
[0028]在料舟中放置對(duì)二甲苯原材料通過(guò)倉(cāng)門(mén)放入蒸發(fā)室中，經(jīng)過(guò)蒸發(fā)控制進(jìn)入裂解室裂解生成穩(wěn)定的活性單體，再流經(jīng)分流器進(jìn)入沉積室，在室溫下沉積，瞬間吸附在置于產(chǎn)品支架上的產(chǎn)品表面聚合為聚對(duì)二甲苯薄膜層，即有機(jī)高分子(CVD)膜。
[0029]所述料舟用于盛放對(duì)二甲苯，其起到蒸發(fā)時(shí)候容器的作用，工藝完成后可連同殘余料一起將料舟移除，料舟清洗后可再進(jìn)行加料；料舟材質(zhì)可米用不銹鋼或者欽；料舟放置位置位于蒸發(fā)室的設(shè)定恒溫度內(nèi)。
[0030]本發(fā)明的多層復(fù)合封裝工藝其中，結(jié)合了兩種OLED封裝結(jié)構(gòu)，通過(guò)相互間的互補(bǔ)作用，良好的解決了單一封裝結(jié)構(gòu)不能解決的OLED密封效果問(wèn)題。
[0031]顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說(shuō)明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種OLED顯示器件的密封工藝，其特征在于，所述工藝包括如下步驟: 首先對(duì)OLED顯示器件進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，然后再行有機(jī)高分子封裝。2.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示器件的密封工藝，其特征在于，所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積步驟為: A、將OLED顯示器件在真空條件下傳入等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔室； B、對(duì)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積進(jìn)行真空預(yù)抽； C、對(duì)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔室內(nèi)的OLED顯示器件進(jìn)行預(yù)清洗； D、對(duì)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔室內(nèi)的OLED顯示器件進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)。3.如權(quán)利要求2所述的OLED顯示器件的密封工藝，其特征在于，所述步驟D后還包括對(duì)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積進(jìn)行真空再抽。4.如權(quán)利要求3所述的OLED顯示器件的密封工藝，其特征在于，所述真空再抽時(shí)間為5分鐘，真空至壓強(qiáng)低于2*10 3Pa05.如權(quán)利要4所述的OLED顯示器件的密封工藝，其特征在于，所述步驟D中等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)為:SiHx+N20+NH3— S1Nx+H2+N2。6.如權(quán)利要求2-5任一項(xiàng)所述的OLED顯示器件的密封工藝，其特征在于，所述步驟A中的真空條件為4*10 2Pa07.如權(quán)利要求2-5任一項(xiàng)所述的OLED顯示器件的密封工藝，其特征在于，所述步驟B中的真空預(yù)抽至壓強(qiáng)低于2*10 3Pa08.如權(quán)利要求2-5任一項(xiàng)所述的OLED顯示器件的密封工藝，其特征在于，所述步驟C中的預(yù)清洗條件為:用700sccm的N2O,在ITorr，40Watts，180 °C的溫度條件下進(jìn)行進(jìn)行預(yù)清洗I分鐘。9.如權(quán)利要求2-5任一項(xiàng)所述的OLED顯示器件的密封工藝，其特征在于，所述步驟D中的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)條件為:用50sccmSi H4,156sccmN20, 2000sccmN2,2Torr,80ffatts, 18(TC 溫度。10.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的OLED顯示器件的密封工藝，其特征在于，所述有機(jī)高分子封裝步驟為:在料舟中加入對(duì)二甲苯，然后放入反應(yīng)腔室內(nèi)的蒸發(fā)室中，經(jīng)過(guò)蒸發(fā)控制進(jìn)入裂解室裂解生成穩(wěn)定的活性單體，再流經(jīng)分流器進(jìn)入沉積室，在室溫下沉積，在表面吸附聚合形成聚對(duì)二甲苯薄膜層。
【專利摘要】本發(fā)明屬于OLED加工領(lǐng)域，具體涉及一種OLED顯示器件的密封工藝。所述工藝首先對(duì)OLED顯示器件進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，然后再行有機(jī)高分子封裝。良好的解決了現(xiàn)有工藝中的單一封裝不能滿足OLED顯示的封裝要求；等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，使得化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行；在基材表面“生長(zhǎng)”出完全敷形的聚合物薄膜，可彌補(bǔ)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積封裝形成的孔隙缺陷，從而進(jìn)一步把器件和空氣隔開(kāi)，對(duì)OLED顯示器件進(jìn)行封裝，因而隔絕水氧氣氛的滲透，可有效地防止OLED各功能層以及陰極與空氣中的水、氧等成分發(fā)生反應(yīng)，同時(shí)為OLED顯示層提供保護(hù)；提高產(chǎn)品的壽命。因此具有極大的市場(chǎng)前景和經(jīng)濟(jì)價(jià)值。
【IPC分類】H01L51/52, H01L51/56
【公開(kāi)號(hào)】CN105206764
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510514483
【發(fā)明人】楊曉
【申請(qǐng)人】深圳市星火輝煌系統(tǒng)工程有限公司
【公開(kāi)日】2015年12月30日
【申請(qǐng)日】2015年8月20日