材料所組成的組之中的至少一種材料:錫-鉍、錫-鉍-銀、錫-鉍-鉛、錫-銦、銦-銀和銦。對于合金來說特別有利地混合比例同樣為針對第一焊接接觸所描述的那樣。所給出的具有相對較低的熔點(diǎn)的材料的應(yīng)用作為第一焊接接觸的焊料是特別有利的，當(dāng)由于針對第一焊接接觸的工藝技術(shù)或者由于成本原因分別必須用具有更高熔點(diǎn)的焊料時(shí)并且第一焊接接觸在制造工藝之中首先實(shí)現(xiàn)。
[0030]優(yōu)選地，該檢測元件或者每個(gè)檢測元件通過板來加以形成，該板具有多邊形形狀，其中，相應(yīng)的與所述檢測元件相接觸的讀取電路板基本上全等的。在所述基礎(chǔ)電路板之上的疊片結(jié)構(gòu)根據(jù)多邊形的檢測元件和相應(yīng)的全等的讀取電路板來加以形成，這將能夠在其相應(yīng)的邊緣處直接相互關(guān)聯(lián)地實(shí)現(xiàn)單個(gè)的檢測元件或者讀取電路板，由此在相應(yīng)的區(qū)域之中確保了該成像裝置的一貫高的分辨率能力。對于此類的裝置的該可能性來說在讀取電路板之中的通孔接觸是至關(guān)重要的。
[0031]有利地，其中，所述基礎(chǔ)電路板的至少一個(gè)部分區(qū)域由多個(gè)檢測元件或者相應(yīng)的讀取電路板基本上完全地加以覆蓋。這將意味著至少在該部分區(qū)域之中該相應(yīng)的檢測元件或者位于其下的讀取電路板總是分別無中間空間地相互設(shè)置在其邊緣之上，并且由此通過所述檢測元件或者所述讀取電路板來實(shí)現(xiàn)在該部分區(qū)域之中的該平面的平鋪。由此在該疊片結(jié)構(gòu)在所述基礎(chǔ)電路板之上的相應(yīng)的部分區(qū)域之中確保了該成像裝置的一貫高的分辨率。優(yōu)選地，所述部分區(qū)域?yàn)橥剐蔚摹?br>[0032]此外，在此已經(jīng)證明當(dāng)基本上完全地至少覆蓋所述基礎(chǔ)電路板的部分區(qū)域的所述檢測元件分別具有長方形是有利的。特別地，相應(yīng)的讀取電路板也同樣具有長方形。特別地，其中，多個(gè)檢測元件分別具有相同的覆蓋區(qū)域。通過該在所述基礎(chǔ)電路板之上待分層的(所述檢測元件和所述讀取電路板)部件的長方形能夠特別簡單地覆蓋所述基礎(chǔ)電路板的部分區(qū)域，從而簡化所述制造工藝。
[0033]本發(fā)明此外涉及一種倫琴檢測器，尤其是光子計(jì)數(shù)的倫琴檢測器，其包括至少一個(gè)前述類型的成像裝置。其中，對于成像裝置及其改進(jìn)方案所提及的優(yōu)點(diǎn)能夠有意義地傳導(dǎo)至該倫琴檢測器之上。
【附圖說明】
[0034]接下來將借助附圖更加詳盡地闡述本發(fā)明的實(shí)施例。在此分別示意性地示出了:
[0035]圖1以橫截面圖示來示出了在具有有線的讀取電路板的傳統(tǒng)的裝置之中的倫琴檢測器的切面；
[0036]圖2以橫截面圖示來示出了具有通孔接觸的讀取電路板的倫琴檢測器的切面；以及
[0037]圖3以橫截面圖示和頂視圖來示出了倫琴檢測器。
[0038]相互對應(yīng)的部分和尺寸在所有的附圖之中分別以相同的附圖標(biāo)記加以示出。
【具體實(shí)施方式】
[0039]在圖1之中以橫截面圖示示出了電磁射線的成像裝置1的橫截面，其在此被設(shè)置為傳統(tǒng)的裝置的倫琴檢測器2。該倫琴檢測器2包括檢測元件4、讀取電路板6和基礎(chǔ)電路板8。其中，該檢測元件4基本上由轉(zhuǎn)換層10所形成，其由半導(dǎo)體材料例如CdTe或者CdZnTe所制造而成。該讀取電路板6被構(gòu)造為ASIC。在與讀取電路板6相對的側(cè)之上該檢測元件4具有獨(dú)立的接觸引腳12，其分別與設(shè)置在讀取電路板6之上的讀取電子裝置14經(jīng)由第一焊接接觸16而接觸。例如被構(gòu)造為布置在ASIC的基體之上的CMOS的該讀取電子裝置14與基礎(chǔ)電路板8經(jīng)由金屬絲連接18而接觸。
[0040]現(xiàn)在，入射的倫琴射線在轉(zhuǎn)換層10之中通過波段轉(zhuǎn)換而在半導(dǎo)體材料之中生成電子-空穴-對。這在空間之上繼續(xù)在射線入射的區(qū)域之中所定位。該電荷載體將相應(yīng)于其空間上的分布而在獨(dú)立的接觸引腳12處作為電信號來加以讀出。為此也能夠在檢測元件4處施加一個(gè)電壓。該電信號將會由接觸引腳12通過第一焊接接觸16而繼續(xù)傳輸至讀取電子裝置14并且可能在此還繼續(xù)加以傳輸，并且讀取電子裝置14的信號將由讀取電路板6經(jīng)由金屬絲連接18發(fā)送至基礎(chǔ)電路板8。因?yàn)榻饘俳z連接18在讀取電子裝置14處需要用于連接端的位置，所以在該處該讀取電路板6并未由檢測元件4所覆蓋。這將影響該倫琴檢測器2的覆蓋范圍內(nèi)的空間上的分辨率能力。
[0041]在圖2之中以橫截面圖示示出了倫琴檢測器2的切面，該切面未示出該讀取電子裝置14與基礎(chǔ)電路板8的布線。由入射在檢測元件4之上的射線在轉(zhuǎn)換層10之中所生成的并且通過接觸引腳12和第一焊接接觸16轉(zhuǎn)發(fā)至讀取電子裝置14的信號能夠在此根據(jù)可能的后續(xù)處理的不同而在該讀取電子裝置14之中借助于在讀取電路板6之中的通孔接觸20傳導(dǎo)至該讀取電路板6的與基礎(chǔ)電路板8相對的底側(cè)22之上。該通孔接觸20基本上由在讀取電路板6之中的孔來形成，該讀取電路板6借助于導(dǎo)電材料例如銅來作為內(nèi)襯。該讀取電路板6的底側(cè)22經(jīng)由第二焊接接觸24而與基礎(chǔ)電路板8接觸，從而使得出自讀取電子裝置14的信號經(jīng)由至少一個(gè)通孔接觸20和至少一個(gè)第二焊接接觸24傳輸至基礎(chǔ)電路板8。
[0042]因此，通孔接觸20替代了讀取電子裝置14與基礎(chǔ)電路板8的布線。由此使得用于允許在讀取電路板6之上的連接端的布線的留空白不是必須的，從而使得其能夠完全地被檢測元件4所覆蓋。
[0043]其中，在該實(shí)施例之中，該讀取電子裝置14被設(shè)置在該讀取電路板6的與檢測元件相對的側(cè)之上。借助于將該讀取電子裝置14涂覆在該讀取電路板6的底側(cè)之上的實(shí)現(xiàn)方式由于該通孔接觸20的緣故同樣是可行的。
[0044]在圖2之中所描述的裝置的優(yōu)點(diǎn)在圖3之中得以澄清:在此以橫截面圖示并且以頂視圖示出了倫琴檢測器2，在該倫琴檢測器之中多個(gè)具有所屬的讀取電路板6的檢測元件4被設(shè)置以在基礎(chǔ)電路板8之上形成一個(gè)列陣。因?yàn)樵撔z測元件4完全地覆蓋相應(yīng)的讀取電路板6并且不需要在讀取電路板6之上為布線的連接端預(yù)留任何位置，所以該倫琴檢測器2在相關(guān)聯(lián)的部分區(qū)域之中具有全覆蓋范圍的高分辨率。在兩個(gè)相鄰的檢測元件4的邊緣的可能的檢測損耗相較于所提及的留空白來說可以忽略。
[0045]在此，對于第一焊接接觸16來說將使用低溫焊料，例如SnBi或者SnBiAg，以便不會由于高的溫度而在焊接時(shí)影響轉(zhuǎn)換層10的晶體結(jié)構(gòu)，這能夠?qū)τ谵D(zhuǎn)換效率起到負(fù)面的作用。在選擇用于第二焊接接觸24的焊料時(shí)應(yīng)當(dāng)注意在制造工藝之中的在基礎(chǔ)電路板8之上的檢測層4和讀取電路板6的接觸的順序。對于該列陣的產(chǎn)生來說將檢測元件4首先分別與相應(yīng)的讀取電路板6的讀取電子裝置14堆疊地加以接觸并且隨后該疊片結(jié)構(gòu)分別接觸基礎(chǔ)電路板8。在這種情況下能夠考慮用于第二焊接接觸24的焊料優(yōu)選地具有比用于第一焊接接觸16的焊料更低的熔點(diǎn)。
[0046]盡管本發(fā)明在細(xì)節(jié)上通過優(yōu)選的實(shí)施例更為詳盡地加以示出并且描述，但是本發(fā)明并非通過這些實(shí)施例來加以限制。能夠由本領(lǐng)域的專業(yè)人員由此在不偏離本發(fā)明的保護(hù)范圍的情況下來導(dǎo)出其他的變型。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于電磁射線的成像裝置(1)，尤其是用于倫琴和/或伽馬射線，其包括一個(gè)由: -一定數(shù)量的檢測元件(4)， -一定數(shù)量的讀取電路板(6)，以及 -基礎(chǔ)電路板(8)， 所組成的疊片結(jié)構(gòu)，其中，所述檢測元件(4)或者每個(gè)檢測元件(4)通過多個(gè)第一焊接接觸(16)而分別與讀取電路板(6)電接觸，其中，所述讀取電路板(6)或者每個(gè)讀取電路板(6 )具有多個(gè)通孔接觸(20 )，并且其中，所述讀取電路板(6 )或者每個(gè)讀取電路板(6 )通過多個(gè)第二焊接接觸(24)而與所述基礎(chǔ)電路板(8)電接觸。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置(1)，其中，多個(gè)通孔接觸(20)分別具有穿過所述讀取電路板(6 )的孔，所述孔的內(nèi)壁以導(dǎo)電材料加以內(nèi)襯。3.根據(jù)權(quán)利要求1或者權(quán)利要求2所述的成像裝置(1)，其中，所述檢測元件(4)或者每個(gè)檢測元件(4)分別具有轉(zhuǎn)換層(10)，在所述轉(zhuǎn)換層之上單側(cè)地布置有多個(gè)接觸引腳(12)，其中，每個(gè)接觸引腳(12)通過第一焊接接觸(16)而與相應(yīng)的讀取電路板(6)接觸。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的成像裝置(1)，其中，所述轉(zhuǎn)換層(10)或者每個(gè)轉(zhuǎn)換層(10)基本上由至少一種半導(dǎo)體材料所制成，其中，所述半導(dǎo)體材料或者每種半導(dǎo)體材料從由以下化合物所組成的組之中選擇: 碲化鎘、碲化鋅、砸化鎘、砸化鋅、碲化錳、磷化銦、汞(II)碘化物和鉈(1、III)溴化物。5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的成像裝置(1)，其中，作為用于所述第一焊接接觸(16)的焊料應(yīng)用由以下: 錫_秘、錫_秘-銀、錫_秘-鉛、錫-銅、銅-銀和銅， 所組成的組中的至少一種材料。6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的成像裝置(1)，其中，作為用于所述第二焊接接觸(24)的焊料應(yīng)用由以下: 錫_秘、錫_秘-銀、錫_秘-鉛、錫-銅、銅-銀和銅， 所組成的組中的至少一種材料。7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的成像裝置(1)，其中，所述檢測元件(4)或者每個(gè)檢測元件(4)通過具有多邊形形狀的板來形成，并且其中相對應(yīng)的與所述檢測元件(4)接觸的讀取電路板(6)基本上全等。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成像裝置(1)，其中，所述基礎(chǔ)電路板(8)的至少一個(gè)部分區(qū)域(26)由多個(gè)檢測元件(4)或者相對應(yīng)的讀取電路板(6)基本上完全地加以覆蓋。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的成像裝置(1)，其中，基本上完全地覆蓋所述基礎(chǔ)電路板(8)的至少一個(gè)部分區(qū)域(26)的所述多個(gè)檢測元件(4)分別具有矩形形狀。10.一種倫琴檢測器(2)，尤其是光子計(jì)數(shù)倫琴檢測器(2)，其包括至少一個(gè)根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的成像裝置(1)。
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于電磁射線的成像裝置(1)，尤其是用于倫琴和/或伽馬射線，該裝置包括由一定數(shù)量的檢測元件(4)、一定數(shù)量的讀取電路板(6)和基礎(chǔ)電路板(8)所組成的疊片結(jié)構(gòu)，其中，該檢測元件(4)或者每個(gè)檢測元件(4)通過多個(gè)第一焊接接觸(16)分別與讀取電路板(6)電接觸，其中，該讀取電路板(6)或者每個(gè)讀取電路板(6)具有多個(gè)通孔接觸(20)，并且其中，該讀取電路板(6)或者每個(gè)讀取電路板(6)通過多個(gè)第二焊接接觸(24)而與基礎(chǔ)電路板(8)電接觸。
【IPC分類】H01L27/146
【公開號】CN105280659
【申請?zhí)枴緾N201510412063
【發(fā)明人】L·丹澤, M·拉巴延德因扎, J·弗里吉
【申請人】西門子股份公司
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2015年7月14日
【公告號】DE102014213734A1, US20160015339