新型釹鐵硼磁體的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種磁性材料，特別是新型釹鐵硼磁體。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，現(xiàn)有的釹鐵硼磁體外沒有保護層，常常裸露在潮濕的環(huán)境中，釹鐵硼磁體很容易被腐蝕，往往出現(xiàn)銹斑，從而影響磁體性能。另外有些釹鐵硼磁體需要在較嚴重的腐蝕環(huán)境下使用，甚至還有在某些使用環(huán)境中要求磁體表面電絕緣時的場合。因此對于釹鐵硼磁體的保護是必不可少的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種既能對電絕緣又能耐腐蝕的新型釹鐵硼磁體。
[0004]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所設(shè)計的新型釹鐵硼磁體，包括釹鐵硼基體，所述釹鐵硼基體的外表面由內(nèi)向外依次設(shè)置電絕緣涂層、耐腐蝕層和鍍鋅層，所述電絕緣涂層為納米氮化硅涂層，其厚度為5 μ m~10 μ m，所述耐腐蝕層為環(huán)氧樹脂涂層。所述環(huán)氧樹脂涂層的厚度為30 μπι~50 μπι。所述釹鐵硼基體的橫截面為梯形。
[0005]所述納米氮化硅具有良好的電絕緣性，所述環(huán)氧樹脂涂對于強酸強堿具有超強的耐腐蝕性，同時也具有電絕緣性，其與納米氮化硅能起到協(xié)同作用。
[0006]為了獲得使得納米氮化硅在涂層中的分散性能更好，從而提高涂覆率，所述納米氮化娃的顆粒大小為30 nm ~40nmo
[0007]本發(fā)明得到的新型釹鐵硼磁體，其技術(shù)效果是通過在釹鐵硼基體的外表面由內(nèi)向外依次設(shè)置電絕緣涂層、耐腐蝕層和鍍鋅層，即納米氮化硅使其對電絕緣，環(huán)氧樹脂涂層則提高耐腐蝕性，從而獲得既能對電絕緣又能耐腐蝕的新型釹鐵硼磁體。
【附圖說明】
[0008]圖1是實施例的新型釹鐵硼磁體的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]圖中:釹鐵硼基體1、電絕緣涂層2、耐腐蝕層3、鍍鋅層4。
【具體實施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進一步說明。
[0011]實施例:
如圖1所示，本實施例提供的新型釹鐵硼磁體，包括釹鐵硼基體I，所述釹鐵硼基體I的外表面由內(nèi)向外依次設(shè)置電絕緣涂層2、耐腐蝕層3和鍍鋅層4，所述電絕緣涂層2為納米氮化硅涂層，其厚度為5 μ m~10 μ m，所述耐腐蝕層3為環(huán)氧樹脂涂層。所述釹鐵硼基體I的橫截面為梯形。所述環(huán)氧樹脂涂層的厚度為30 μπι~50 μπι。
[0012]為了獲得使得納米氮化硅在涂層中的分散性能更好，從而提高涂覆率，所述納米氮化娃的顆粒大小為30 nm?40nmo
【主權(quán)項】
1.一種新型釹鐵硼磁體，包括釹鐵硼基體(1)，其特征在于:所述釹鐵硼基體(1)的外表面由內(nèi)向外依次設(shè)置電絕緣涂層(2 )、耐腐蝕層(3 )和鍍鋅層(4 )，所述電絕緣涂層(2 )為納米氮化娃涂層，其厚度為5 μηι~10 μπι，所述耐腐蝕層(3)為環(huán)氧樹脂涂層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型釹鐵硼磁體，其特征在于:所述納米氮化硅的顆粒大小為 30 nm ~40nm。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的新型釹鐵硼磁體，其特征在于:所述環(huán)氧樹脂涂層的厚度為 30 μηι~50 μπι。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型釹鐵硼磁體，其特征在于:所述釹鐵硼基體(1)的橫截面為梯形。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種本發(fā)明所設(shè)計的新型釹鐵硼磁體，包括釹鐵硼基體，所述釹鐵硼基體的外表面由內(nèi)向外依次設(shè)置電絕緣涂層、耐腐蝕層和鍍鋅層，所述電絕緣涂層為納米氮化硅涂層，其厚度為5μm~10μm，所述耐腐蝕層為環(huán)氧樹脂涂層。所述環(huán)氧樹脂涂層的厚度為30μm~50μm。其技術(shù)效果是通過在釹鐵硼基體的外表面由內(nèi)向外依次設(shè)置電絕緣涂層、耐腐蝕層和鍍鋅層，即納米氮化硅使其對電絕緣，環(huán)氧樹脂涂層則提高耐腐蝕性，從而獲得既能對電絕緣又能耐腐蝕的新型釹鐵硼磁體。
【IPC分類】H01F7/02, H01F1/057
【公開號】CN105304253
【申請?zhí)枴緾N201510829487
【發(fā)明人】楊挺
【申請人】楊挺
【公開日】2016年2月3日
【申請日】2015年11月25日