蓋頂面112上的結(jié)構(gòu)的所有暴露表面以僅在底面110上暴露結(jié)構(gòu)。臨時保護層502可以防止在頂部接觸焊盤124上表面末道漆的沉積。在實施例中，臨時保護層502由在表面末道漆的沉積期間對化學(xué)反應(yīng)有抵抗力的任意合適的絕緣材料形成。在特定實施例中，臨時保護層502由聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成。
[0054]此后，在圖5C中，底表面末道漆118被形成在底部接觸焊盤122的暴露表面上。底表面末道漆118使底部接觸焊盤122鈍化以防止底部接觸焊盤122的氧化。在實施例中，底表面末道漆118由兩層形成:第一底表面末道漆118A和第二底表面末道漆118B。在實施例中，第一底表面末道漆118A被形成在底部接觸焊盤122上，以及第二底表面末道漆118B被形成在第一底表面末道漆118A上。第一底表面末道漆118A和第二底表面末道漆118B可以通過任意合適的沉積技術(shù)(諸如無電鍍)來形成。在實施例中，第一底表面末道漆118A被形成為足以使第二底表面末道漆118B粘附到底部接觸焊盤122上的厚度。在特定實施例中，第一底表面末道漆118A被形成為從到范圍的厚度。在實施例中，第二底表面末道漆118B被形成為足以防止第一底表面末道漆118A的氧化的厚度。在特定實施例中，第二底表面末道漆118B被形成為從到4Pm范圍的厚度。在實施例中，第一底表面末道漆118A和第二底表面末道漆118B由導(dǎo)電材料(諸如金屬，包含鎳(Ni )、鈀(Pd)、金(Au )、銀(Ag)以及其組合)形成。在特定實施例中，第一底表面末道漆118A由Ni形成，以及第二底表面末道漆118B由PdAu形成。
[0055]在形成底表面末道漆118后，去除臨時保護層502，如圖?中所圖示的。去除臨時保護層502暴露了頂部阻焊層116以及頂部接觸焊盤124的部分。在實施例中，底表面末道漆118保留在底部接觸焊盤122上。
[0056]接下來，在圖5Ε中，臨時保護層504被形成在底面110上以覆蓋底部阻焊層114和底表面末道漆118的暴露表面。臨時保護層504可以覆蓋底面110上的結(jié)構(gòu)的所有暴露表面以暴露僅在頂面112上的結(jié)構(gòu)。在實施例中，臨時保護層504由任意合適的化學(xué)抗蝕絕緣材料(諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET))形成。臨時保護層504可以防止底表面末道漆118上表面末道漆的沉積。
[0057]此后，在圖5F中，頂表面末道漆120被形成在頂部接觸焊盤124的暴露表面上。頂表面末道漆120可以被用于將頂部接觸焊盤124電耦合到在圖2中所示的器件元件202。在實施例中，頂表面末道漆120由兩層形成:第一頂表面末道漆120A和第二頂表面末道漆120B。在實施例中，第一頂表面末道漆120A被形成在頂部接觸焊盤124上和頂部阻焊層116的一部分上，以及第二頂表面末道漆120B被形成在第一頂表面末道漆120A上。第一頂表面末道漆120A和第二頂表面末道漆120B可以通過任意合適的沉積技術(shù)(諸如無電鍍)形成。
[0058]在實施例中，第一頂表面末道漆120A被形成為至少是第一底表面末道漆118A的厚度三至四倍的厚度。在特定實施例中，第一頂表面末道漆120A被形成為從25Mm到30Mm范圍的厚度。在實施例中，第二頂表面末道漆120B被形成為足以防止第一頂表面末道漆120B的氧化的厚度。在特定實施例中，第二頂表面末道漆120B被形成為從到范圍的厚度。
[0059]在實施例中，第一頂表面末道漆120A和第二頂表面末道漆120B由導(dǎo)電材料(諸如金屬N1、Pd、Au、Ag及其組合)形成。在特定實施例中，第一頂表面末道漆120A由Ni形成，以及第二頂表面末道漆120B由PdAu形成。在實施例中，第一頂表面末道漆120A被形成為足以將頂部接觸焊盤124A和124B電耦合到器件元件的厚度。第一頂表面末道漆120A可以被形成為一定厚度，使得第一頂表面末道漆120A延伸超過頂部阻焊層116的頂表面117。在實施例中，第一頂表面末道漆120A延伸到頂表面117上方以與器件組件202 (諸如存儲芯片或任意其他集成電路器件)的觸點構(gòu)成電連接。因此在器件元件202和頂部接觸焊盤124之間形成電連接可以不需要微凸起。
[0060]在形成頂表面末道漆120后，去除臨時保護層504，如圖5G中所圖示的，從而形成具有頂表面末道漆120和底表面末道漆118的無芯封裝基板500。在無芯封裝基板的兩面上都具有阻焊層使在圖5A-5G中描述的形成具有不同厚度的表面末道漆的方法能夠?qū)崿F(xiàn)。
[0061]盡管在圖5A-5G中所討論的以上方法描述了底表面末道漆118在底部接觸焊盤112上的應(yīng)用，之后是頂表面末道漆120在頂部接觸焊盤124上的應(yīng)用，但此方法也可以按相反的次序被執(zhí)行。例如，頂表面末道漆120可以被應(yīng)用于頂部接觸焊盤124，之后是在底部接觸焊盤122上底表面末道漆118的應(yīng)用。
[0062]圖6圖示了利用本發(fā)明的實施方式所實施的計算系統(tǒng)600。計算設(shè)備600容納了板602。該板602可以包括多個元件，包括但不限于處理器604和至少一個通信芯片606。處理器604被物理地和電學(xué)地耦合到板602。在某些實施方式中，至少一個通信芯片606也被物理地和電學(xué)地耦合到板602。在進一步的實施方式中，通信芯片606是處理器604的部分。
[0063]根據(jù)其應(yīng)用，計算設(shè)備600可以包括其他元件，所述元件可以物理地和電學(xué)地耦合到板602或者可以沒有物理地和電學(xué)地耦合到板602。這些其他元件包括但不限于易失性存儲器(例如DRAM)、非易失性存儲器(例如ROM)、閃速存儲器、圖形處理器、數(shù)字信號處理器、密碼處理器、芯片組、天線、顯示器、觸摸屏顯示器、觸摸屏控制器、電池、音頻編解碼器、視頻編解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備、羅盤、加速度計、陀螺儀、揚聲器、照相機和大容量存儲設(shè)備(諸如硬盤驅(qū)動器、光盤(⑶)、數(shù)字通用盤(DVD)等等)。
[0064]通信芯片606使得用于向和從計算設(shè)備600傳輸數(shù)據(jù)的無線通信能夠?qū)崿F(xiàn)。術(shù)語“無線(wireless)”和它的派生詞可以被用于描述電路、設(shè)備、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信信道等等，其可以通過使用經(jīng)調(diào)制的電磁輻射穿過非固體介質(zhì)來傳送數(shù)據(jù)。該術(shù)語并不意指其相關(guān)聯(lián)的設(shè)備不包含任何線，盡管在某些實施例中它們可能沒有線。通信芯片606可以實現(xiàn)多個無線標準或協(xié)議中的任意，包括但不限于W1-Fi (IEEE 802.11族)、WiMAX(IEEE802.16 族)、IEEE 802.20、長期演進(LTE)、Ev_DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA, TDMA、DECT、藍牙(Bluetooth)、其派生協(xié)議，以及被指定為31、4G、5G及以后版本的任何其他無線協(xié)議。計算設(shè)備600可以包括多個通信芯片606。例如，第一通信芯片606可以致力于較短程無線通信，諸如W1-Fi和藍牙，以及第二通信芯片606可以致力于較長程無線通信，諸如 GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO 以及其他。
[0065]計算設(shè)備600的處理器604包括封裝在處理器604內(nèi)的集成電路管芯。在本發(fā)明的某些實施方式中，集成電路管芯被安裝在封裝基板(諸如根據(jù)本發(fā)明實施方式形成的具有雙面阻焊層的無芯封裝基板)上。術(shù)語“處理器”可以涉及任何器件或器件的部分，所述器件或器件的部分處理來自寄存器和/或存儲器的電子數(shù)據(jù)以將所述電子數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成可以被存儲在寄存器和/或存儲器中的其他電子數(shù)據(jù)。
[0066]通信芯片606也包括封裝在通信芯片606內(nèi)的集成電路管芯。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式，集成電路管芯被安裝在封裝基板(諸如根據(jù)本發(fā)明實施方式形成的具有雙面阻焊層的無芯封裝基板)上。
[0067]在進一步的實施方式中，容納在計算設(shè)備600內(nèi)的另一個元件可以包含安裝在封裝基板(諸如根據(jù)本發(fā)明實施方式形成的具有雙面阻焊層的無芯封裝基板)上的集成電路管芯。
[0068]在各種的實施例中，計算設(shè)備600可以是膝上型設(shè)備、上網(wǎng)本、筆記本電腦、超級本、智能手機、平板設(shè)備、個人數(shù)字助理(PDA)、超級移動PC、移動電話、臺式計算機、服務(wù)器、打印機、掃描儀、監(jiān)視器、機頂盒、娛樂控制單元、數(shù)字相機、便攜式音樂播放器或者數(shù)字視頻錄像機。在進一步的實施方式中，計算設(shè)備600可以是處理數(shù)據(jù)的任意其他電子設(shè)備。
[0069]在實施例中，一種封裝基板包括:堆積結(jié)構(gòu)，所述堆積結(jié)構(gòu)包括至少一個絕緣層、至少一個通孔以及至少一個導(dǎo)電層；在堆積結(jié)構(gòu)的第一面上的第一多個接觸焊盤；在堆積結(jié)構(gòu)與第一面相對的第二面上的第二多個接觸焊盤；在第一面上的第一阻焊層；以及在第二面上的第二阻焊層，所述第一阻焊層和第二阻焊層分別覆蓋堆積結(jié)構(gòu)的第一面和第二面的所有暴露表面。
[0070]堆積結(jié)構(gòu)可以不包括硬化核心。在實施例中，第一阻焊層被布置于在第一多個接觸焊盤和至少一個絕緣層中的最底部絕緣層之間的整個距離。第一阻焊層可以被布置在第一多個接觸焊盤的側(cè)壁上。第一阻焊層可以被布置在第一多個接觸焊盤的內(nèi)側(cè)上。在實施例中，第一阻焊層并未布置在第一多個接觸焊盤的外側(cè)上。此外，在實施例中，第一多個接觸焊盤包括第一寬接觸焊盤和第一窄接觸焊盤，第一寬接觸焊盤具有大于第一窄接觸焊盤的間距。封裝基板也可以包括嵌入在無芯封裝基板內(nèi)的器件。在實施例中，封裝基板也包括布置在堆積結(jié)構(gòu)內(nèi)的硬化核心。第二多個接觸焊盤可以包括第二寬接觸焊盤和第二窄接觸焊盤，第二寬接觸焊盤具有大于第二窄接觸焊盤的間距。在實施例中，第一阻焊層并不直接橫向相鄰于第一多個接觸焊盤，以及其中第二阻焊層直接橫向相鄰于第二多個接觸焊盤的一部分。此外，在實施例中，第一阻焊層處于第一多個接觸焊盤的一部分上。第二阻焊層可以被布置在至少一個絕緣層中的最頂部絕緣層的所有暴露頂表面上。
[0071]在實施例中，一種形成封裝基板的方法包括:在臨時基板的頂表面上形成多個多層結(jié)構(gòu)；在臨時基板和多個多層結(jié)構(gòu)的暴露表面上形成第一阻焊層；在第一阻焊層上形成包括至少一個絕緣層、多個通孔和至少一個導(dǎo)電層的堆積結(jié)構(gòu)，其中頂部導(dǎo)電層在最頂部絕緣層的頂表面上