高壓ldmos器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別涉及一種高壓LDM0S器件結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1及圖2所示是目前的工藝中HV PHDM0S的結(jié)構(gòu)(圖2是垂直于溝道的剖面圖)。由于器件的工作時的Vg為24V，而場開啟電壓約在12V，所以當(dāng)柵壓加到工作電壓24V時，在多晶硅柵下的場區(qū)會被開啟，處于導(dǎo)通狀態(tài)，在柵下面的場區(qū)形成額外的電流通路(如圖1中箭頭所示)，使導(dǎo)通電流異常增加。這在Id-Vg曲線上體現(xiàn)為雙包(DoubleHump)，如圖3所示圓圈處所示。雙包在窄溝道時尤其明顯。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供高壓LDM0S器件的結(jié)構(gòu)，減小器件額外的導(dǎo)通電流。
[0004]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種高壓LDM0S器件的結(jié)構(gòu)，在俯視角度上有源區(qū)包含源區(qū)及漏區(qū)，所述漏區(qū)位于P阱中，多晶硅柵極跨接于源漏之間，多晶硅柵極沿柵長方向排列有多個接觸孔；所述的多晶硅柵極在柵寬方向的某一端或兩端，場區(qū)上接觸孔之間的部分開有隔離槽。如接觸孔僅在某一側(cè)的話，對應(yīng)另一端在場區(qū)上的多晶硅柵極也要相應(yīng)開孔。
[0005]所述隔離槽的寬度為1?3 μπι。
[0006]所述的隔離槽或為凸字形。
[0007]所述的隔離槽或為開孔，開孔位于有源區(qū)之外，且孔的一邊與有源區(qū)邊緣對齊。
[0008]本發(fā)明所述的高壓LDM0S器件，將場區(qū)上的多晶硅柵極開槽，使槽下方的場區(qū)不會被開啟，電流通路被阻斷，使額外形成的導(dǎo)通電流難以形成閉環(huán)流通，降低額外的導(dǎo)通電流強度，消除器件的double hump效應(yīng)。
【附圖說明】
[0009]圖1是傳統(tǒng)高壓LDM0S器件的俯視結(jié)構(gòu)圖。
[0010]圖2是高壓LDM0S器件溝道剖視圖。
[0011]圖3是高壓LDM0S器件的Id-Vg曲線圖。
[0012]圖4是本發(fā)明高壓LDM0S器件的俯視結(jié)構(gòu)圖。
[0013]圖5是本發(fā)明高壓LDM0S器件第二實施例的俯視結(jié)構(gòu)圖。
[0014]圖6是本發(fā)明高壓LDM0S器件第三實施例的俯視結(jié)構(gòu)圖。
[0015]附圖標(biāo)記說明
[0016]1是漏區(qū)，2是基區(qū)，3是P講，4是多晶娃棚■極，5是有源區(qū)，6是接觸孔。
【具體實施方式】
[0017]本發(fā)明所述的高壓LDM0S器件如圖4所示，在俯視角度上有源區(qū)5包含源區(qū)及漏區(qū)1，所述漏區(qū)1位于P阱2中，多晶硅柵極4跨接于源漏之間，多晶硅柵極4沿柵長方向的兩端或一端排列有多個接觸孔6;所述的多晶硅柵極在柵寬方向的兩端或一端，場區(qū)上接觸孔之間的部分開有隔離槽，如果多晶硅柵極在柵寬方向僅有一側(cè)有接觸孔的話(如圖4中所示)，對應(yīng)另一端在場區(qū)上的多晶硅柵極也要相應(yīng)開孔，所述隔離槽的寬度A為1?3 μ m0
[0018]通過上述的隔離槽，在Vg = 24V時，使得多晶硅柵極下方開口處的場區(qū)不會被開啟，額外的導(dǎo)通電流通路被阻斷，電流也就不能形成，因此器件的導(dǎo)通電流得以穩(wěn)定，因此消除了器件的double hump的現(xiàn)象。
[0019]基于上述的技術(shù)方案，本發(fā)明對于開槽的形態(tài)可具有多種形式，例如，還可以將開槽形狀設(shè)為凸字形，如圖5所示。開槽的寬度可以根據(jù)接觸孔的位置自由設(shè)定，以最大化地優(yōu)化場區(qū)多晶硅柵極結(jié)構(gòu)，對場區(qū)下形成的導(dǎo)通電流形成阻斷。
[0020]若接觸孔位置較為緊湊，還可以將開槽設(shè)計為如圖6所述的開孔。開孔位于有源區(qū)之外，且孔的一邊與有源區(qū)邊緣對齊。開孔的寬度依據(jù)接觸孔的位置自由設(shè)定。
[0021]通過上述的方法，將場區(qū)上的多晶硅柵極開槽，將槽下方的場區(qū)不會被開啟，也就難以形成電流通路，使額外形成的導(dǎo)通電流難以形成閉環(huán)流通，降低額外的導(dǎo)通電流強度，消除器件的double hump效應(yīng)。
[0022]以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并不用于限定本發(fā)明。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種高壓LDMOS器件，在俯視角度上有源區(qū)包含源區(qū)及漏區(qū)，所述漏區(qū)位于P阱中，多晶硅柵極跨接于源漏之間，多晶硅柵極沿柵長方向排列有多個接觸孔；其特征在于:所述的多晶硅柵極在柵寬方向的兩端，場區(qū)上方，包括接觸孔之間的部分開有隔離槽；若柵寬方向只有一側(cè)有接觸孔，沒有接觸孔的一側(cè)也對應(yīng)開隔離槽。2.如權(quán)利要求1所述的高壓LDMOS器件，其特征在于:所述隔離槽的寬度為1?3μ m。3.如權(quán)利要求1所述的高壓LDMOS器件，其特征在于:所述的隔離槽或為凸字形。4.如權(quán)利要求1所述的高壓LDMOS器件，其特征在于:所述的隔離槽或為開孔，開孔位于有源區(qū)之外，且孔的一邊與有源區(qū)邊緣對齊。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高壓LDMOS器件，在俯視角度上有源區(qū)包含源區(qū)及漏區(qū)，所述漏區(qū)位于P阱中，多晶硅柵極跨接于源漏之間，多晶硅柵極沿柵長方向排列有多個接觸孔。所述的多晶硅柵極在柵寬方向的兩端，場區(qū)上包括接觸孔之間的部分開有隔離槽。本發(fā)明所述的高壓LDMOS器件，將場區(qū)上的多晶硅柵極開槽，使槽下方的場區(qū)不會被開啟，電流通路被阻斷，使額外形成的導(dǎo)通電流難以形成閉環(huán)流通，降低額外的導(dǎo)通電流強度，消除器件的double？hump效應(yīng)。
【IPC分類】H01L29/423, H01L29/78
【公開號】CN105405891
【申請?zhí)枴緾N201511026573
【發(fā)明人】楊文清
【申請人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
【公開日】2016年3月16日
【申請日】2015年12月31日