一種led晶片粘合方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及LED芯片生產(chǎn)領(lǐng)域，尤其涉及一種LED晶片粘合方法及LED芯片制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]LED (Light Emitting D1de,發(fā)光二極管)芯片是一種固態(tài)的半導(dǎo)體器件,它可以直接把電轉(zhuǎn)化為光?，F(xiàn)有LED芯片制造過程中，是將LED晶片按照單片的方式在LED芯片生產(chǎn)線上生產(chǎn)，在后期的光刻作業(yè)，每次只能對一片LED晶片光刻，LED晶片尺寸小，使得光刻成本高、作業(yè)周期長，流通效率低。目前一種解決方案是可以將多片LED晶片固定到一片襯底基片上，然后在襯底基片生產(chǎn)線上實現(xiàn)LED晶片流通，但現(xiàn)有技術(shù)中沒有提供如何將LED晶片固定到襯底基片上的技術(shù)方案。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種LED晶片的粘合方法，以方便地將LED晶片固定到襯底基片上并在相應(yīng)襯底基片生產(chǎn)線上生產(chǎn)LED芯片。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
[0005]一種LED晶片粘合方法，包括:
[0006]制備粘合劑；
[0007]將粘合劑涂覆到LED晶片或/和襯底基片上；
[0008]將所述LED晶片和所述襯底基片粘合；
[0009]對所述LED晶片和所述襯底基片之間的粘合劑進行粘合度增強處理。
[0010]進一步的，所述粘合劑為玻璃粉溶膠制成。
[0011 ] 進一步的，所述玻璃粉溶膠為玻璃粉溶解在有機溶劑內(nèi)。
[0012]進一步的，所述有機溶劑為乙二醇甲醚。
[0013]進一步的，所述的粘合劑粘合度增強處理工藝為經(jīng)低溫烘干后進行燒結(jié)，以將所述LED晶片和襯底基片燒結(jié)為一體。
[0014]進一步的，所述燒結(jié)為在溫度350°C -800°C條件下使玻璃粉軟化。
[0015]進一步的，所述的粘合劑粘合度增強處理工藝在純氣體氣氛中進行。
[0016]進一步的，純氣體氣氛為氧氣或者氮氣。
[0017]進一步的，將至少兩片所述LED晶片粘合到一片所述襯底基片上。
[0018]進一步的,所述襯底基片為??圭襯底基片、監(jiān)寶石襯底基片或碳化5圭襯底基片。
[0019]本發(fā)明提供一種LED晶片粘合的方法，通過將粘合劑涂覆到LED晶片或/和襯底基片上，并進行粘合，最后進行粘合強度增強處理，能夠?qū)崿F(xiàn)將LED晶片固定到襯底基片上，并在襯底基片生產(chǎn)線上進行芯片加工處理，從而能夠利用閑置的襯底基片(包括硅襯底基片、藍寶石襯底基片或碳化硅襯底基片)生產(chǎn)線進行LED芯片制造。另外，本發(fā)明提供的技術(shù)方案中，可以將至少兩片LED晶片粘合到一片襯底基片上，在后期光刻作業(yè)時，可以實現(xiàn)對多片LED晶片同時進行光刻，節(jié)約光刻成本。本發(fā)明提供的技術(shù)方案，能夠?qū)⒍嗥琇ED晶片通過粘合方式固定到一片襯底基片上，在提高LED芯片制造過程中的LED晶片流通效率的同時，還降低了生產(chǎn)成本。
【附圖說明】
[0020]圖1是本發(fā)明實施例提供的LED晶片粘合方法的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0021]下面通過【具體實施方式】來進一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。圖1是本發(fā)明實施例提供的LED晶片粘合方法的流程示意圖，如圖1所示，包括如下步驟:
[0022]步驟S1:制備粘合劑；
[0023]本發(fā)明實施例中，其中粘合劑可以有多種選擇，可選的，上述粘合劑由玻璃粉制成，將玻璃粉溶解到有機溶劑中，混合制備成玻璃粉懸浮溶膠作為粘合劑。
[0024]本步驟中，有機溶劑優(yōu)選的為乙二醇甲醚，玻璃粉和乙二醇甲醚為任意比例混合，優(yōu)選的，玻璃粉和乙二醇甲醚按照3:1的比例混合。上述玻璃粉為無定型硬質(zhì)顆粒，生產(chǎn)中使用原料為PbO、Si02、Ti02等電子級原料混勻后，再聞溫進彳丁固相反應(yīng)，形成無序結(jié)構(gòu)的玻璃均質(zhì)體，化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定。
[0025]步驟S2:將粘合劑涂覆到LED晶片或/和襯底基片上。在涂覆過程中，應(yīng)確保粘合劑均勻的涂在LED晶片或/和襯底基片的接觸面上。
[0026]本步驟中的粘合劑可以是僅涂覆在LED晶片的接觸面上，或者是僅涂覆在襯底基片的接觸面上，或者同時涂覆在LED晶片和襯底基片的接觸面上。涂覆工藝可以是人工涂覆，也可以是用儀器進行旋涂。本實施例中的襯底基片可以為LED芯片常用的襯底材料如硅襯底基片、藍寶石襯底基片、碳化硅襯底基片等。
[0027]步驟S3:將LED晶片和襯底基片粘合。其中，可以將至少兩片LED晶片同時粘合到一片襯底基片上。
[0028]本步驟中,在進彳丁多片LED晶片粘合時，可以將多片LED晶片同時粘合在襯底基片的同一平面上，然后將粘合在一起的LED晶片和襯底基片壓平、壓緊。上述襯底基片的尺寸要比LED晶片的尺度大，襯底基片的尺寸通常為4-7英寸，LED晶片的尺寸通常為1_3英寸。
[0029]步驟S4:對LED晶片和襯底基片之間的粘合劑進行粘合度增強處理。
[0030]具體的，對粘合劑進行粘合度增強處理的工藝可以為燒結(jié)工藝，將粘合在一起的襯底基片和LED晶片經(jīng)過低溫烘干后放入高溫純氣體氣氛的爐管內(nèi)進行燒結(jié)，高溫?zé)Y(jié)使玻璃粉軟化，從而將LED晶片與襯底基片燒結(jié)為一體。
[0031]本步驟中，優(yōu)選地，可以將上述低溫烘干過程中的溫度設(shè)置為80°C -130°C，低溫主要起干燥作用。另外，可以將高溫溫度設(shè)置在350°C -800°C，具體的高溫溫度與LED晶片和襯底基片之間所需要的粘合強度及玻璃粉的種類有關(guān)，在上述高溫溫度范圍內(nèi)可以使玻璃粉軟化，有機溶劑揮發(fā)。
[0032]另外，本步驟中，純氣體氣氛中燒結(jié)可以保護LED晶片的質(zhì)量，例如純氣體中不含水蒸汽，在燒結(jié)過程中可以有效防止水蒸氣腐蝕LED晶片，上述純氣體氣氛可以是純氧氣或者純氮氣氣氛等，本發(fā)明優(yōu)選的為純氧氣氣氛。
[0033]本發(fā)明采用上述操作步驟將多片LED晶片粘合固定到襯底基片上，并在襯底基片生產(chǎn)線上進行LED芯片加工處理，實現(xiàn)了小尺寸的LED晶片在成熟的大尺寸襯底基片生產(chǎn)線上流通生產(chǎn)，提高了 LED晶片的流通效率。另外，本發(fā)明采用玻璃粉作為粘合劑，其粘合強度能夠滿足工藝制備所需求的強度。
[0034]上述僅為本發(fā)明的較佳實施例及所運用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發(fā)明進行了較為詳細的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。
【主權(quán)項】
1.一種LED晶片粘合方法，用于將至少兩片LED晶片粘合在一片襯底基片上，其特征在于，包括: 制備粘合劑； 將所述粘合劑涂覆到LED晶片或/和襯底基片上； 將所述LED晶片和所述襯底基片粘合； 對所述LED晶片和所述襯底基片之間的粘合劑進行粘合度增強處理。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED晶片粘合方法，其特征在于，所述粘合劑為玻璃粉溶膠。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED晶片粘合方法，其特征在于，所述玻璃粉溶膠為玻璃粉溶解在的有機溶劑內(nèi)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED晶片粘合方法，其特征在于，所述有機溶劑為乙二醇甲醚。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED晶片粘合方法，其特征在于，所述的粘合劑粘合度增強處理工藝為經(jīng)低溫烘干后進行燒結(jié)，以將所述LED晶片和襯底基片燒結(jié)為一體。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED晶片粘合的方法，其特征在于，所述燒結(jié)為在溫度350°C -800°C條件下使玻璃粉軟化。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED晶片粘合方法，其特征在于，所述的粘合劑粘合度增強處理工藝在純氣體氣氛中進行。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED晶片粘合方法，其特征在于，純氣體氣氛為氧氣或者氮氣。9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一所述的LED晶片粘合方法，其特征在于，將至少兩片所述LED晶片粘合到一片所述襯底基片上。10.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一所述的LED晶片粘合方法，其特征在于，所述襯底基片為硅襯底基片、藍寶石襯底基片或碳化硅襯底基片。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種LED晶片的粘合方法，包括：制備粘合劑，將粘合劑涂覆到LED晶片或/和襯底基片上，將所述LED晶片和所述襯底基片粘合，對所述LED晶片和所述襯底基片之間的粘合劑進行粘合度增強處理。本發(fā)明提供的技術(shù)方案，能夠?qū)⒍嗥琇ED晶片通過粘合方式固定到襯底基片上，提高了LED芯片制造過程中的LED晶片生產(chǎn)流通效率，降低了芯片的生產(chǎn)成本。
【IPC分類】H01L33/00
【公開號】CN105405933
【申請?zhí)枴緾N201410456703
【發(fā)明人】姚錫冬, 宋礦寶, 張洪林
【申請人】無錫華潤華晶微電子有限公司
【公開日】2016年3月16日
【申請日】2014年9月9日