陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]隨著顯示技術的不斷提高，人們對于顯示裝置的要求也在不斷提高，在各種顯示技術中，TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯不器)技術因其所具有的低能耗以及成本低廉等優(yōu)點已廣泛地應用于各種顯示領域。
[0003]現(xiàn)有的液晶顯示面板主要包括陣列基板(TFT基板)、彩膜基板和液晶層，其中，在陣列基板的制作過程中，由于制作設備難免會與陣列基板相接觸，一些靜電將不可避免地產(chǎn)生在陣列基板上，而電荷釋放使得陣列基板容易發(fā)生靜電效應(英文名為Electro-Static discharge，簡稱ESD)，從而造成產(chǎn)品不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004](一 )要解決的技術問題
[0005]本發(fā)明要解決的技術問題是:如何解決現(xiàn)有技術中在陣列基板的制作過程中由于靜電釋放而造成的產(chǎn)品不良。
[0006]( 二)技術方案
[0007]為解決上述技術問題，本發(fā)明的技術方案提供了一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上設置有像素電極、薄膜晶體管、柵線以及數(shù)據(jù)線，所述襯底基板上還設置有靜電屏蔽層，所述靜電屏蔽層用于在制作所述陣列基板時進行靜電保護。
[0008]優(yōu)選地，所述靜電屏蔽層遠離所述襯底基板的一側設置有絕緣層，所述薄膜晶體管、所述柵線以及所述數(shù)據(jù)線均設置在所述絕緣層遠離所述靜電屏蔽層的一側。
[0009]優(yōu)選地，所述靜電屏蔽層包括多條縱向部和多條橫向部，所述多條縱向部和所述多條橫向部相互交叉形成網(wǎng)格狀的圖案。
[0010]優(yōu)選地，所述多條縱向部在所述襯底基板的投影位于所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板的投影內(nèi)，所述多條橫向部在所述襯底基板的投影位于所述柵線在所述襯底基板的投影內(nèi)。
[0011 ] 優(yōu)選地，所述靜電屏蔽層與所述像素電極層同層設置且材料相同。
[0012]優(yōu)選地，還包括接地電路，所述靜電屏蔽層與所述接地電路相連。
[0013]為解決上述技術問題，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0014]為解決上述技術問題，本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制作方法，包括在襯底基板上形成像素電極、薄膜晶體管、柵線以及數(shù)據(jù)線，還包括在所述襯底基板上形成靜電屏蔽層，所述靜電屏蔽層用于在制作所述陣列基板時進行靜電保護。
[0015]優(yōu)選地，形成所述薄膜晶體管、所述柵線以及所述數(shù)據(jù)線的步驟位于形成所述靜電屏蔽層的步驟之后；
[0016]且在形成所述靜電屏蔽層的步驟之后，在形成所述薄膜晶體管、所述柵線以及所述數(shù)據(jù)線的步驟之前，所述方法還包括:在所述靜電屏蔽層上形成絕緣層。
[0017]優(yōu)選地，所述在所述襯底基板上形成靜電屏蔽層包括:
[0018]形成多條縱向部和多條橫向部，且所述多條縱向部和所述多條橫向部相互交叉形成網(wǎng)格狀的圖案。
[0019]優(yōu)選地，所述多條縱向部在所述襯底基板的投影位于所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板的投影內(nèi)，所述多條橫向部在所述襯底基板的投影位于所述柵線在所述襯底基板的投影內(nèi)。
[0020]優(yōu)選地，所述靜電屏蔽層與所述像素電極層在一次構圖工藝中同時形成。
[0021](三)有益效果
[0022]本發(fā)明提供的陣列基板，通過在其襯底基板上設置靜電屏蔽層，在該陣列基板的制作過程中，通過該靜電屏蔽層可以有效將制作過程中產(chǎn)生的靜電分散，從而避免由于基板發(fā)生靜電釋放而造成廣品不良，提尚廣品的良率。
【附圖說明】
[0023]圖1是本發(fā)明實施方式提供的一種陣列基板的示意圖；
[0024]圖2是本發(fā)明實施方式提供的一種靜電屏蔽層的示意圖；
[0025]圖3是本發(fā)明實施方式提供的一種靜電屏蔽層設置方式的示意圖；
[0026]圖4是本發(fā)明實施方式提供的另一種陣列基板的示意圖；
[0027]圖5是圖4所示的陣列基板中靜電屏蔽層與像素電極所形成圖案的示意圖；
[0028]圖6是圖4所示的陣列基板中靜電屏蔽層設置方式的示意圖。
【具體實施方式】
[0029]下面結合附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0030]本發(fā)明實施方式提供了一種陣列基板，該陣列基板包括襯底基板，所述襯底基板上設置有像素電極、薄膜晶體管、柵線以及數(shù)據(jù)線，所述襯底基板上還設置有靜電屏蔽層，所述靜電屏蔽層用于在制作所述陣列基板時進行靜電保護。
[0031]本發(fā)明實施方式提供的陣列基板，通過在其襯底基板上設置靜電屏蔽層，在該陣列基板的制作過程中，通過該靜電屏蔽層可以有效將制作過程中產(chǎn)生的靜電分散，從而避免由于基板發(fā)生靜電釋放而造成廣品不良，提尚廣品的良率。
[0032]其中，在本發(fā)明實施方式提供的陣列基板中，靜電屏蔽層的位置可以根據(jù)具體情況進行設置，優(yōu)選地，該靜電屏蔽層可以設置在襯底基板表面的第一層結構上，在制作該陣列基板時，靜電屏蔽層被首先制作在襯底基板上，在后續(xù)制作其他結構時，通過該靜電屏蔽層可以有效將制作過程中產(chǎn)生的靜電分散，從而避免靜電電荷對陣列基板造損傷。
[0033]參見圖1，圖1是本發(fā)明實施方式提供的一種陣列基板的示意圖，該陣列基板包括襯底基板10，襯底基板10上設置有像素電極90、鈍化層(PVX層)80、薄膜晶體管(TFT) 100、柵線(Gate線)、數(shù)據(jù)線(Date線)，其中，薄膜晶體管100包括有源層60、柵極絕緣層50、柵極41、源極71以及漏極72，柵極41與柵線相連，源極71與數(shù)據(jù)線相連，像素電極90通過鈍化層80上的過孔101與漏極72相連；
[0034]襯底基板10上還設置有靜電屏蔽層20，靜電屏蔽層20用于在制作所述陣列基板時進行靜電保護，靜電屏蔽層20遠離襯底基板10的一側設置有絕緣層30，其中，像素電極90、鈍化層80、薄膜晶體管100、柵線以及數(shù)據(jù)線均設置在絕緣層30遠離靜電屏蔽層20的一側，絕緣層可以采用SiN (氮化硅)、樹脂等絕緣材料，從而將靜電屏蔽層20與陣列基板的其他結構相隔離，避免造成短路等不良；
[0035]靜電屏蔽層20可以采用電阻率較低的導電材料，如銅、鋁等金屬材料，優(yōu)選地，可以采用如ΙΤ0 (氧化銦錫)、ΙΖ0 (氧化銦鋅)、CT0 (氧化鎘錫)等透明的導電材料，從而可以降低靜電屏蔽層對陣列基板光透過率的影響；
[0036]靜電屏蔽層20的圖案形狀可以根據(jù)具體情況進行設置，例如，其可以采用網(wǎng)格狀的圖案形狀，參見圖2，靜電屏蔽層20包括多條縱向部21和多條橫向部22，多條縱向部21和多條橫向部22相互交叉形成網(wǎng)格狀的圖案，優(yōu)選地，為進一步地提高陣列基板的開口率，對于圖1所示的陣列基板，可以采用如圖3所示的設置方式，將靜電屏蔽層的縱向部21設置在數(shù)據(jù)線73的下方，橫向部22設置在柵線42的下方，此外，還可以通過合理的尺寸設計，使所述多條縱向部在襯底基板的投影位于數(shù)據(jù)線在襯底基板的投影內(nèi)，多條橫向部在襯底基板的投影位于柵線在襯底基板的投影內(nèi)，從而盡可能的提高陣列基板的光透過率。
[0037]具體地，對于上述的陣列基板，可以首先在襯底基板上大面積沉積一層透明或者非透明的導電薄膜，通過對該導電薄膜進行圖案化處理(包括曝光、顯影、刻蝕等工藝)，從而能夠在襯底基板上制作出所需形狀的靜電屏蔽層，然后進行用于隔離的絕緣層的制作，之后依次制作Gate層(包括柵極和柵線)、柵極絕緣層、有源層、SD層(包括源極、漏極和數(shù)據(jù)線)、鈍化層及像素電極，在上述制作過程中，由