8間設(shè)置有貫通絕緣介質(zhì)11的元胞接觸孔，源極金屬14填充在元胞接觸孔內(nèi)，從而能死的源極金屬14與N+元胞有源區(qū)15以及相鄰元胞溝槽8之間的P講6歐姆接觸。源極金屬14通過絕緣介質(zhì)層11還能夠與元胞溝槽導(dǎo)電多晶娃10相接觸隔咼。
[0030]上述具有靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)的低壓MOSFET器件，可以通過下述的工藝步驟制備得到，所述低壓MOSFET器件的制造方法包括如下步驟:
a、提供具有兩個(gè)相對(duì)主面的半導(dǎo)體基板，所述兩個(gè)相對(duì)主面包括第一主面與第二主面，在第一主面與第二主面間包括N型漂移區(qū)5以及位于所述N型漂移區(qū)5下方的N+襯底；
本發(fā)明實(shí)施例中，半導(dǎo)體基板可以采用現(xiàn)有常用的半導(dǎo)體材料，如硅等。
[0031]b、在上述半導(dǎo)體基板的第一主面上淀積硬掩膜層，選擇性地掩蔽和刻蝕所述硬掩膜層，以得到所需貫通硬掩膜層的硬掩膜窗口；
本發(fā)明實(shí)施例中，述硬掩膜層為LPTE0S、熱氧化二氧化硅加化學(xué)氣相沉積二氧化硅或熱二氧化硅加氮化硅。在半導(dǎo)體基板的第一主面上淀積硬掩膜層、以及得到硬掩膜窗口的過程均為本技術(shù)領(lǐng)域人員所熟知，此處不再贅述。
[0032]c、利用上述硬掩膜窗口對(duì)半導(dǎo)體基板的第一主面進(jìn)行刻蝕，以得到所需的元胞溝槽8、分壓溝槽7以及截止溝槽17;
本發(fā)明實(shí)施例中，由于硬掩膜窗口貫通硬掩膜層，即通過硬掩膜窗口能使得相應(yīng)的半導(dǎo)體基板的第一主面裸露，從而能對(duì)半導(dǎo)體基板裸露的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，同時(shí)得到元胞溝槽
8、分壓溝槽7以及截止溝槽17，其中，元胞溝槽8位于半導(dǎo)體基板的有源區(qū)E、分壓溝槽7位于設(shè)定的分壓保護(hù)區(qū)C，截止溝槽17位于設(shè)定的截止保護(hù)區(qū)D，具體為本技術(shù)領(lǐng)域人員所熟知，此處不再贅述。
[0033]d、去除上述硬掩膜層，并在上述半導(dǎo)體基板的第一主面生成所需的第一氧化層，以得到覆蓋元胞溝槽8的側(cè)壁及底壁的元胞溝槽絕緣柵氧化層9、覆蓋分壓溝槽7的側(cè)壁及底壁的分壓溝槽絕緣柵氧化層19以及覆蓋截止溝槽17的側(cè)壁及底壁的截止溝槽絕緣柵氧化層21;
本發(fā)明實(shí)施例中，第一氧化層可以為二氧化硅層，去除硬掩膜層的過程以及生成第一氧化層的過程均為本技術(shù)領(lǐng)域人員所熟知，此處不再贅述。在半導(dǎo)體基板的第一主面生成第一氧化層的同時(shí)，能得到元胞溝槽絕緣柵氧化層9、分壓溝槽絕緣柵氧化層19以及截止溝槽絕緣柵氧化層21。
[0034]e、在上述半導(dǎo)體基板的第一主面淀積導(dǎo)電多晶硅，所述導(dǎo)電多晶硅覆蓋于半導(dǎo)體基板的第一主面并填充于元胞溝槽8、分壓溝槽7以及截止溝槽17內(nèi)，刻蝕去除半導(dǎo)體基板第一主面上的導(dǎo)電多晶硅，以得到位于元胞溝槽8內(nèi)的元胞溝槽導(dǎo)電多晶硅10、位于分壓溝槽7內(nèi)的分壓溝槽導(dǎo)電多晶硅20以及位于截止溝槽17內(nèi)的截止溝槽導(dǎo)電多晶硅22 ；
本發(fā)明實(shí)施例中，在半導(dǎo)體基板的第一主面上淀積導(dǎo)電多晶硅時(shí)，所述導(dǎo)電多晶硅會(huì)同時(shí)填充在元胞溝槽8、分壓溝槽7以及截止溝槽17內(nèi)，去除覆蓋于半導(dǎo)體基板上相應(yīng)的導(dǎo)電多晶硅，即能得到所需的元胞溝槽導(dǎo)電多晶硅10、分壓溝槽導(dǎo)電多晶硅20以及截止溝槽導(dǎo)電多晶硅22。
[0035]f、在上述半導(dǎo)體基板的第一主面進(jìn)行P型雜質(zhì)離子注入并退火，以得到位于半導(dǎo)體基板N型漂移區(qū)5內(nèi)的P阱6，所述P阱6從半導(dǎo)體基板的第一主面垂直向下延伸；
本發(fā)明實(shí)施例中，由于N型漂移區(qū)5的導(dǎo)電類型為N型，注入P型雜質(zhì)離子并退火后，能形成P阱6，P阱6的深度小于N型漂移區(qū)5的厚度，且P阱6均位于元胞溝槽8槽底的上方、分壓溝槽7槽底的上方以及截止溝槽17槽底的上方，形成P阱6的工藝過程均為本技術(shù)領(lǐng)域人員所熟知，此處不再贅述。
[0036]g、在上述半導(dǎo)體基板的第一主面上淀積第二氧化層，并在所述第二氧化層上淀積靜電保護(hù)導(dǎo)電多晶硅；
本發(fā)明實(shí)施例中，第二氧化層覆蓋半導(dǎo)體基板的第一主面，靜電保護(hù)導(dǎo)電多晶硅覆蓋于第二氧化層上，第二氧化層可以為二氧化硅層。
[0037]h、選擇性地掩蔽上述靜電保護(hù)導(dǎo)電多晶硅，以得到靜電保護(hù)離子注入窗口；利用所述靜電保護(hù)離子注入窗口進(jìn)行P型雜質(zhì)注入，退火后形成多晶硅二極管組區(qū)域；
本發(fā)明實(shí)施例中，可以在靜電保護(hù)多晶硅層上設(shè)置離子注入掩膜層，通過對(duì)所述離子注入掩膜層進(jìn)行選擇性的掩蔽和刻蝕，能得到靜電保護(hù)離子注入窗口，其中，所述靜電保護(hù)離子注入窗口位于靜電保護(hù)區(qū)B。利用靜電保護(hù)離子注入窗口進(jìn)行P型雜質(zhì)離子注入后，能得到多晶硅二極管組區(qū)域，所述多晶硅二極管組區(qū)域包括依次連接的P導(dǎo)電區(qū)域、N導(dǎo)電區(qū)域、P導(dǎo)電區(qū)域、N導(dǎo)電區(qū)域以及P導(dǎo)電區(qū)域，從而能夠形成所需的第一二極管以及第二二極管，第一二極管的陰極端與第二二極管的陰極端連接，如圖4所示。
[0038]1、選擇性地掩蔽和刻蝕上述第二氧化層以及靜電保護(hù)導(dǎo)電多晶硅，去除多晶硅二極管組區(qū)域外的第二氧化層以及靜電保護(hù)導(dǎo)電多晶硅，以得到絕緣支撐層18以及位于所述絕緣支撐層18上的多晶硅二極管組13 ；
本發(fā)明實(shí)施例中，去除上述的離子注入掩膜層，并對(duì)所述靜電保護(hù)導(dǎo)電多晶硅以及第二氧化層進(jìn)行同時(shí)刻蝕，僅保留多晶硅二極管組區(qū)域以及下方的第二氧化層，從而能得到多晶硅二極管組13以及絕緣支撐層18，刻蝕得到多晶硅二極管組13以及絕緣支撐層18的過程均為本技術(shù)領(lǐng)域人員所熟知，此處不再贅述。
[0039]j、在上述半導(dǎo)體基板的第一主面進(jìn)行N型雜質(zhì)離子注入，以得到所需的N+元胞有源區(qū)15以及N+截止有源區(qū)23;
本發(fā)明實(shí)施例中，在進(jìn)行N型雜質(zhì)離子注入前，可以在半導(dǎo)體基板的第一主面上進(jìn)行選擇性掩蔽，以使得N+元胞有源區(qū)15僅位于相鄰元胞溝槽8相對(duì)應(yīng)的外側(cè)壁上方，且N+截止有源區(qū)23位于截止溝槽17對(duì)應(yīng)鄰近分壓溝槽7外側(cè)壁的上方，注入N型雜質(zhì)離子，得到N+元胞有源區(qū)15以及N+截止有源區(qū)23的過程為本技術(shù)領(lǐng)域人員所熟知，此處不再贅述。
[0040]k、在上述半導(dǎo)體基板的第一主面淀積絕緣介質(zhì)層11，所述絕緣介質(zhì)層11覆蓋在半導(dǎo)體基板的第一主面上以及多晶硅二極管組13上，并在所述絕緣介質(zhì)層11上刻蝕得到所需的接觸孔；
本發(fā)明實(shí)施例中，絕緣介質(zhì)層11覆蓋在半導(dǎo)體基板的第一主面以及多晶硅二極管組13上，所述接觸孔包括截止接觸孔、元胞接觸孔以及多晶硅二極管組13上方的靜電保護(hù)接觸孔，所述接觸孔貫通絕緣介質(zhì)層11。
[0041]1、在上述絕緣介質(zhì)層11上淀積金屬層，并對(duì)所述金屬層進(jìn)行選擇性地掩蔽和刻蝕，以得到所需的源極金屬14、柵極金屬12以及截止金屬16。
[0042]本發(fā)明實(shí)施例中，采用常規(guī)工藝步驟得到位于絕緣介質(zhì)層11上的金屬層，所述金屬層填充上述的接觸孔，對(duì)所述金屬層進(jìn)行選擇性地掩蔽和刻蝕，能得到源極金屬14、柵極金屬12以及截止金屬16。接觸金屬16填充在截止接觸孔內(nèi)，以使得截止金屬16與N+截止有源區(qū)23以及截止溝槽導(dǎo)電多晶硅22歐姆接觸，源極金屬14與N+元胞有源區(qū)15以及相應(yīng)的P阱6歐姆接觸，且源極金屬14、柵極金屬12通過靜電保護(hù)接觸孔與第一二極管的陽極端、第二二極管的陽極端歐姆接觸。
[0043]本發(fā)明實(shí)施例中，利用N+襯底4能形成MOSFET器件的漏極端1、利用源極金屬14能形成MOSFET器件的源極端3，利用柵極金屬12能形成柵極端2W阱6存在于整個(gè)終端保護(hù)區(qū)A內(nèi)，多個(gè)分壓溝槽7之間有P阱6。
[0044]當(dāng)在所述N型MOSFET器件的漏極端I上加正向偏置電壓，源極端3與柵極端2接地時(shí)，最大碰撞電離率處于元胞區(qū)溝槽8的底部，MOSFET器件在元胞區(qū)8擊穿。N型漂移區(qū)5和元胞區(qū)E內(nèi)的P阱6構(gòu)成的PN結(jié)反偏，耗盡層會(huì)向輕摻雜的N型漂移區(qū)5擴(kuò)展，當(dāng)耗盡層擴(kuò)展到靜電保護(hù)區(qū)B內(nèi)時(shí)，靜電保護(hù)區(qū)B內(nèi)的P阱6與N型漂移區(qū)5組成的PN結(jié)承擔(dān)耐壓。當(dāng)耗盡層擴(kuò)展到分壓保護(hù)區(qū)C時(shí)，分壓溝槽7開始承擔(dān)耐壓，能夠有效提高M(jìn)OSFET器件的耐壓能力。
[0045]在現(xiàn)有MOSFET器件的靜電保護(hù)區(qū)內(nèi)，由于不存在P阱6，即絕緣支撐層18與N型漂移區(qū)5直接接觸。此時(shí)，在漏極端1上加正向偏置電壓，源極端3與柵極端2接地時(shí)，最大碰撞電離