Perc太陽(yáng)能電池及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
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[0001]本發(fā)明涉及一種PERC太陽(yáng)能電池及其制備方法，其屬于光伏技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
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[0002]現(xiàn)有PERC太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)步驟一般包括清洗制絨、擴(kuò)散制PN結(jié)、刻蝕和去PSG、雙面鈍化、激光開(kāi)孔、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)。其中激光開(kāi)孔是為了金屬電極與硅片形成良好的接觸，開(kāi)孔的好壞直接影響到電池的填充因子，從而影響電池的轉(zhuǎn)換效率。三氧化二鋁為兩性氧化物，與強(qiáng)酸和強(qiáng)堿都能反應(yīng)，所以，可以通過(guò)化學(xué)腐蝕的方法進(jìn)行開(kāi)孔。同時(shí)，激光燒蝕在微加工方面的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，也可以用作三氧化二鋁開(kāi)孔。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題和缺點(diǎn):
[0004]化學(xué)腐蝕:掩膜濕法腐蝕法，步驟多，流程復(fù)雜，并且容易引入離子污染，廢棄化學(xué)品容易對(duì)環(huán)境造成危害，而近期出現(xiàn)的漿料腐蝕法，在漿料中加入可以腐蝕三氧化二鋁和氮化硅的成分，會(huì)對(duì)鋁膜的平整度造成不良影響；
[0005]現(xiàn)有激光開(kāi)孔技術(shù):通過(guò)激光燒蝕，將三氧化二鋁完全去除，難免對(duì)硅片表面造成損傷，形成缺陷中心，影響鈍化效果。
[0006]正面氮化硅鈍化層與硅片之間沒(méi)有隔離層，很容易出現(xiàn)PID(電位誘導(dǎo)衰減)現(xiàn)象。
【發(fā)明內(nèi)容】
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[0007]本發(fā)明提供一種PERC太陽(yáng)能電池及其制備方法，其能夠有效解決PERC太陽(yáng)能電池電位誘導(dǎo)衰減問(wèn)題。
[0008]本發(fā)明米用如下技術(shù)方案:一種PERC太陽(yáng)能電池，包括娃片、位于娃片上表面的二氧化硅層和銀層、位于二氧化硅層上表面的正面氮化硅鈍化層、位于硅片下表面的氧化鋁鈍化層、位于氧化鋁鈍化層下表面的背面氮化硅鈍化層，在背面氮化硅鈍化層上間隔開(kāi)設(shè)有若干個(gè)開(kāi)孔，在開(kāi)孔中填充有腐蝕掉氧化鋁鈍化層后與硅片形成鋁硅合金的鋁層。
[0009]進(jìn)一步地，所述開(kāi)孔貫穿于背面氮化硅鈍化層后延伸至氧化鋁鈍化層中。
[0010]本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:一種PERC太陽(yáng)能電池的制備方法，其包括如下步驟:
[0011]步驟1、在硅片的上表面鍍二氧化硅層，在二氧化硅層的上表面鍍正面氮化硅鈍化層，在硅片的下表面鍍氧化鋁鈍化層，在氧化鋁鈍化層的下表面鍍背面氮化硅鈍化層；
[0012 ]步驟2、在背面氮化硅鈍化層上通過(guò)激光開(kāi)孔方式開(kāi)孔，其中開(kāi)孔貫穿于背面氮化硅鈍化層后延伸至氧化鋁鈍化層中，且開(kāi)孔不打穿氧化鋁鈍化層；
[0013]步驟3、在硅片的上表面上印刷銀漿形成銀層，在背面氮化硅鈍化層上印刷鋁漿形成鋁層，其中鋁漿腐蝕掉氧化鋁鈍化層后與硅片形成鋁硅合金。
[0014]本發(fā)明具有如下有益效果:
[0015](1).本發(fā)明在背面氮化硅鈍化層上通過(guò)激光開(kāi)孔方式開(kāi)孔，孔的深度控制在打穿背面氮化硅鈍化層而不打穿氧化鋁鈍化層，然后印刷鋁漿，通過(guò)燒結(jié)工藝，鋁漿腐蝕掉氧化鋁鈍化層后與硅片形成鋁硅合金，形成良好的歐姆接觸；
[0016](2).本發(fā)明在正面氮化硅鈍化層與硅片之間制備了二氧化硅層，能夠有效的解決PERC太陽(yáng)能電池電位誘導(dǎo)衰減問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
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[0017]圖1為本發(fā)明PERC太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
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[0018]請(qǐng)參照?qǐng)D1所示，本發(fā)明PERC太陽(yáng)能電池包括硅片1、位于硅片1上表面的二氧化硅層2和銀層3、位于二氧化硅層2上表面的正面氮化硅鈍化層4、位于硅片1下表面的氧化鋁鈍化層5、位于氧化鋁鈍化層5下表面的背面氮化硅鈍化層6，在背面氮化硅鈍化層6上間隔開(kāi)設(shè)有若干個(gè)開(kāi)孔7，在開(kāi)孔7中填充有腐蝕掉氧化鋁鈍化層5后與硅片1形成鋁硅合金的鋁層8。
[0019]其中開(kāi)孔7貫穿于背面氮化硅鈍化層6后延伸至氧化鋁鈍化層5中，且開(kāi)孔7不打穿氧化鋁鈍化層5。
[0020]本發(fā)明PERC太陽(yáng)能電池的制備方法，包括如下步驟:
[0021]步驟1、在硅片1的上表面鍍二氧化硅層2，在二氧化硅層2的上表面鍍正面氮化硅鈍化層4，在硅片1的下表面鍍氧化鋁鈍化層5，在氧化鋁鈍化層5的下表面鍍背面氮化硅鈍化層6;
[0022]步驟2、在背面氮化硅鈍化層6上通過(guò)激光開(kāi)孔方式開(kāi)孔，其中開(kāi)孔貫穿于背面氮化硅鈍化層6后延伸至氧化鋁鈍化層5中，且開(kāi)孔不打穿氧化鋁鈍化層5;
[0023]步驟3、在硅片1的上表面上印刷銀漿形成銀層3，在背面氮化硅鈍化層6上印刷鋁漿形成鋁層8，其中鋁漿腐蝕掉氧化鋁鈍化層5后與硅片1形成鋁硅合金。
[0024]本發(fā)明在背面氮化硅鈍化層上通過(guò)激光開(kāi)孔方式開(kāi)孔，孔的深度控制在打穿背面氮化硅鈍化層而不打穿氧化鋁鈍化層，然后印刷鋁漿，通過(guò)燒結(jié)工藝，鋁漿腐蝕掉氧化鋁鈍化層后與硅片形成鋁硅合金，形成良好的歐姆接觸。本發(fā)明在正面氮化硅鈍化層與硅片之間制備了二氧化硅層，能夠有效的解決PERC太陽(yáng)能電池電位誘導(dǎo)衰減問(wèn)題。
[0025]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下還可以作出若干改進(jìn)，這些改進(jìn)也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種PERC太陽(yáng)能電池，其特征在于:包括硅片(1)、位于硅片(1)上表面的二氧化硅層(2)和銀層(3)、位于二氧化硅層(2)上表面的正面氮化硅鈍化層(4)、位于硅片(1)下表面的氧化鋁鈍化層(5)、位于氧化鋁鈍化層(5)下表面的背面氮化硅鈍化層(6)，在背面氮化硅鈍化層(6)上間隔開(kāi)設(shè)有若干個(gè)開(kāi)孔(7)，在開(kāi)孔(7)中填充有腐蝕掉氧化鋁鈍化層(5)后與硅片(1)形成鋁硅合金的鋁層(8)。2.如權(quán)利要求1所述的PERC太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述開(kāi)孔(7)貫穿于背面氮化硅鈍化層(6)后延伸至氧化鋁鈍化層(5)中。3.一種PERC太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于:包括如下步驟 步驟1、在硅片(1)的上表面鍍二氧化硅層(2)，在二氧化硅層(2)的上表面鍍正面氮化硅鈍化層(4)，在硅片(1)的下表面鍍氧化鋁鈍化層(5)，在氧化鋁鈍化層(5)的下表面鍍背面氮化硅鈍化層(6); 步驟2、在背面氮化硅鈍化層(6)上通過(guò)激光開(kāi)孔方式開(kāi)孔，其中開(kāi)孔貫穿于背面氮化硅鈍化層(6)后延伸至氧化鋁鈍化層(5)中，且開(kāi)孔不打穿氧化鋁鈍化層(5); 步驟3、在硅片(1)的上表面上印刷銀漿形成銀層(3)，在背面氮化硅鈍化層(6)上印刷鋁漿形成鋁層(8)，其中鋁漿腐蝕掉氧化鋁鈍化層(5)后與硅片(1)形成鋁硅合金。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種PERC太陽(yáng)能電池及其制備方法，其中PERC太陽(yáng)能電池包括硅片、位于硅片上表面的二氧化硅層和銀層、位于二氧化硅層上表面的正面氮化硅鈍化層、位于硅片下表面的氧化鋁鈍化層、位于氧化鋁鈍化層下表面的背面氮化硅鈍化層，在背面氮化硅鈍化層上間隔開(kāi)設(shè)有若干個(gè)開(kāi)孔，在開(kāi)孔中填充有腐蝕掉氧化鋁鈍化層后與硅片形成鋁硅合金的鋁層。本發(fā)明在背面氮化硅鈍化層上通過(guò)激光開(kāi)孔方式開(kāi)孔，孔的深度控制在打穿背面氮化硅鈍化層而不打穿氧化鋁鈍化層，然后印刷鋁漿，通過(guò)燒結(jié)工藝，鋁漿腐蝕掉氧化鋁鈍化層后與硅片形成鋁硅合金。本發(fā)明在正面氮化硅鈍化層與硅片之間制備了二氧化硅層，能夠有效的解決PERC太陽(yáng)能電池電位誘導(dǎo)衰減問(wèn)題。
【IPC分類(lèi)】H01L31/0224, H01L31/18
【公開(kāi)號(hào)】CN105470349
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201511023431
【發(fā)明人】蔣建寶, 李科偉
【申請(qǐng)人】無(wú)錫賽晶太陽(yáng)能有限公司
【公開(kāi)日】2016年4月6日
【申請(qǐng)日】2015年12月30日