一種晶圓刻蝕工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓刻蝕工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]刻蝕工藝是半導(dǎo)體技術(shù)中一個(gè)重要的環(huán)節(jié)，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，刻蝕技術(shù)也有了很大的發(fā)展。在大規(guī)模集成電路的制造中，刻蝕工藝主要分為濕法刻蝕和干法刻蝕兩大類。但是，傳統(tǒng)刻蝕工藝存在如下不足:一、各向異性差，橫向腐蝕使得刻蝕剖面呈半圓弧形，不僅使圖形剖面發(fā)生變化，而且稍有過刻蝕時(shí)剖面會(huì)產(chǎn)生虛線，致使薄膜上圖形的線寬比原抗腐蝕劑膜上形成的線寬小。二、選擇性差，必須采用專門的刻蝕終點(diǎn)監(jiān)測，而且刻蝕效率低下。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于通過一種晶圓刻蝕工藝，來解決以上【背景技術(shù)】部分提到的問題。
[0004]為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
[0005]一種晶圓刻蝕工藝，其包括如下步驟:
[0006]S101、分離:工藝氣體由等離子體電離為可化學(xué)反應(yīng)的粒子；
[0007]S102、擴(kuò)散:粒子擴(kuò)散并吸附到硅片被刻蝕的表面；
[0008]S103、表面擴(kuò)散:到達(dá)娃表面后，四處移動(dòng)碰撞；
[0009]S104、反應(yīng):與柜表面的膜層發(fā)生RIE反應(yīng)；
[0010]S105、解吸:RIE反應(yīng)的生成物解吸，離開硅片表面；
[0011]S106、排放:排放反應(yīng)腔。
[0012]特別地，所述步驟SlOl中的等離子體選用純CF4。
[0013]本發(fā)明提出的晶圓刻蝕工藝可以進(jìn)行精確控制，提高了刻蝕的各向異性特性，通過活性離子對襯底的物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)雙從作用刻蝕，選擇性也較好。
【附圖說明】
[0014]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓刻蝕工藝流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。可以理解的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部內(nèi)容。
[0016]請參照圖1所示，圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓刻蝕工藝流程圖。
[0017]晶圓刻蝕前的準(zhǔn)備工作:將晶圓直接放在下電極上，腔室內(nèi)有中性電極以增大有效積，以此可增大從等離子體到電極電壓差和離子撞機(jī)的能量。本實(shí)施例中晶圓刻蝕工藝具體包括如下步驟:
[0018]S101、分離:工藝氣體由等離子體電離為可化學(xué)反應(yīng)的粒子。在本實(shí)施例中所述等離子體選用純CF4。
[0019]S102、擴(kuò)散:粒子擴(kuò)散并吸附到硅片被刻蝕的表面。
[0020]S103、表面擴(kuò)散:到達(dá)娃表面后，四處移動(dòng)碰撞。
[0021]S104、反應(yīng):與柜表面的膜層發(fā)生RIE反應(yīng)。
[0022]S105、解吸:RIE反應(yīng)的生成物解吸，離開硅片表面。
[0023]S106、排放:排放反應(yīng)腔。
[0024]本發(fā)明的技術(shù)方案可以進(jìn)行精確控制，提高了刻蝕的各向異性特性，通過活性離子對襯底的物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)雙從作用刻蝕，選擇性也較好。
[0025]注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶圓刻蝕工藝，其特征在于，包括如下步驟: 5101、分離:工藝氣體由等離子體電離為可化學(xué)反應(yīng)的粒子； 5102、擴(kuò)散:粒子擴(kuò)散并吸附到硅片被刻蝕的表面； 5103、表面擴(kuò)散:到達(dá)硅表面后，四處移動(dòng)碰撞； 5104、反應(yīng):與柜表面的膜層發(fā)生RIE反應(yīng)； 5105、解吸:RIE反應(yīng)的生成物解吸，離開硅片表面； 5106、排放:排放反應(yīng)腔。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓刻蝕工藝，其特征在于，所述步驟SlOl中的等離子體選用純CF4。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種晶圓刻蝕工藝，包括如下步驟：分離：工藝氣體由等離子體電離為可化學(xué)反應(yīng)的粒子。擴(kuò)散：粒子擴(kuò)散并吸附到硅片被刻蝕的表面。表面擴(kuò)散：到達(dá)硅表面后，四處移動(dòng)碰撞。反應(yīng)：與柜表面的膜層發(fā)生RIE反應(yīng)。解吸：RIE反應(yīng)的生成物解吸，離開硅片表面。排放：排放反應(yīng)腔。本發(fā)明可以進(jìn)行精確控制，提高了刻蝕的各向異性特性，通過活性離子對襯底的物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)雙從作用刻蝕，選擇性也較好。
【IPC分類】H01L21/3065
【公開號】CN105513957
【申請?zhí)枴緾N201410551311
【發(fā)明人】華源興
【申請人】江蘇凱旋涂裝自動(dòng)化工程有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2014年10月16日